JPS6223862B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6223862B2 JPS6223862B2 JP4449279A JP4449279A JPS6223862B2 JP S6223862 B2 JPS6223862 B2 JP S6223862B2 JP 4449279 A JP4449279 A JP 4449279A JP 4449279 A JP4449279 A JP 4449279A JP S6223862 B2 JPS6223862 B2 JP S6223862B2
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- JP
- Japan
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- chip
- pattern
- mask
- name
- scribe line
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- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスターマスク製造方法の改良に関
す。
す。
大型集積回路等素子集積度の高い半導体チツプ
用のレチクルに於いては、チツプ内に素子パター
ンや配線パターンが高密度に配置されるために、
チツプのパターン形成領域内にチツプ名パターン
を挿入することが困難である。
用のレチクルに於いては、チツプ内に素子パター
ンや配線パターンが高密度に配置されるために、
チツプのパターン形成領域内にチツプ名パターン
を挿入することが困難である。
そのために従来の大型集積回路等のマスターマ
スクは、チツプ名パターンが設けられていないレ
チクルを用いてマスク基板にチツプパターンを形
成させ、その際に別露光によりチツプ名に対応す
るマスク名パターンを形成する方法により製造し
ていた。
スクは、チツプ名パターンが設けられていないレ
チクルを用いてマスク基板にチツプパターンを形
成させ、その際に別露光によりチツプ名に対応す
るマスク名パターンを形成する方法により製造し
ていた。
然しこのような従来の方法は、マスクパターン
の一部に変更があつた場合や、マスタースライス
方式の場合のように同じマスク層（使用目的によ
るマスク分類、例えば配線用マスク、コンタクト
窓開き用マスク等）の中に多種類の異なつたマス
クパターンがある際には、形成されたチツプパタ
ーンと異なるマスク名パターンを形成したマスク
が製造される間違いが起きやすく、又上記の様な
同じマスク層のチツプパターンは非常に類似して
いる傾向があるので間違いが発見されにくいた
め、チツプパターンの種類とマスク名のくい違つ
たマスターマスクが出荷され、該マスターマスク
が間違つたマスク名を基準にして使用されて、集
積回路等の半導体装置の製造に大きな損害を発生
させるという問題があつた。
の一部に変更があつた場合や、マスタースライス
方式の場合のように同じマスク層（使用目的によ
るマスク分類、例えば配線用マスク、コンタクト
窓開き用マスク等）の中に多種類の異なつたマス
クパターンがある際には、形成されたチツプパタ
ーンと異なるマスク名パターンを形成したマスク
が製造される間違いが起きやすく、又上記の様な
同じマスク層のチツプパターンは非常に類似して
いる傾向があるので間違いが発見されにくいた
め、チツプパターンの種類とマスク名のくい違つ
たマスターマスクが出荷され、該マスターマスク
が間違つたマスク名を基準にして使用されて、集
積回路等の半導体装置の製造に大きな損害を発生
させるという問題があつた。
本発明は上記問題点に鑑み、チツプパターンの
種類と異なるマスク名がつけられたマスターマス
クが出荷されることを防止し得るごときマスター
マスクの製造方法を提供する。
種類と異なるマスク名がつけられたマスターマス
クが出荷されることを防止し得るごときマスター
マスクの製造方法を提供する。
即ち本発明はマスターマスクの製造に於いて、
レチクル内の矩形チツプパターンのチツプ領域を
囲むスクライブラインの一辺にチツプ名パターン
を、該一辺と対向する辺にダミー領域パターンを
設け、該レチクルを用いてマスク基板上にチツプ
パターンを繰り返し露光して隣合うチツプパター
ンのスクライブラインの領域が重なる複数個のチ
ツプパターンを形成する工程と、該チツプパター
ンの形成でスクライプラインに形成されたチツプ
名パターンと該マスク基板に別途形成されたマス
ク名パターンとを照合する工程を有することを特
徴とする。
レチクル内の矩形チツプパターンのチツプ領域を
囲むスクライブラインの一辺にチツプ名パターン
を、該一辺と対向する辺にダミー領域パターンを
設け、該レチクルを用いてマスク基板上にチツプ
パターンを繰り返し露光して隣合うチツプパター
ンのスクライブラインの領域が重なる複数個のチ
ツプパターンを形成する工程と、該チツプパター
ンの形成でスクライプラインに形成されたチツプ
名パターンと該マスク基板に別途形成されたマス
ク名パターンとを照合する工程を有することを特
徴とする。
以下本発明を配線パターン形成用マスターマス
ク製造に於ける図示一実施例により詳細に説明す
る。
ク製造に於ける図示一実施例により詳細に説明す
る。
第１図は本発明の上記一実施例の第１次レチク
ル表面図で、第２図は同じく第２次レチクル表面
図、第３図は同じくマスターマスクの部分表面図
である。
ル表面図で、第２図は同じく第２次レチクル表面
図、第３図は同じくマスターマスクの部分表面図
である。
即ち本発明の方法は、先ずパターンジエネレー
タを用いて磁気テープからの情報によりレチクル
用乾板に露光を行い、現像して第１図に示すよう
に配線パターン領域１を除いたチツプ領域２と、
スクライブライン３の一辺内のチツプ名パターン
４と、該チツプ名パターン４を有するスクライブ
ラインとチツプ領域２をはさんで対向するスクラ
イブラインの前記チツプ名パターン４に対応する
場所のダミー領域５と、スクライブライン３の外
周領域６とに遮光層を有する第１次レチクル７を
形成させる。
タを用いて磁気テープからの情報によりレチクル
用乾板に露光を行い、現像して第１図に示すよう
に配線パターン領域１を除いたチツプ領域２と、
スクライブライン３の一辺内のチツプ名パターン
４と、該チツプ名パターン４を有するスクライブ
ラインとチツプ領域２をはさんで対向するスクラ
イブラインの前記チツプ名パターン４に対応する
場所のダミー領域５と、スクライブライン３の外
周領域６とに遮光層を有する第１次レチクル７を
形成させる。
次にコンタクトプリンターを用いて、上記第１
次レチクル７のパターンをポジレジストを塗布し
たブランク板に転写し、現像、エツチングを行つ
て第２図に示すように第１次レチクルと左右逆の
パターンを有し、第１次レチクルと同様に配線パ
ターン領域１を除いたチツプ領域２及びスクライ
ブライン３内のチツプ名パターン４とダミー領域
５及びスクライブライン３の外周領域６とに遮光
層を有する、使用寿命の長いハードマスクによる
第２次レチクル８を形成させる。
次レチクル７のパターンをポジレジストを塗布し
たブランク板に転写し、現像、エツチングを行つ
て第２図に示すように第１次レチクルと左右逆の
パターンを有し、第１次レチクルと同様に配線パ
ターン領域１を除いたチツプ領域２及びスクライ
ブライン３内のチツプ名パターン４とダミー領域
５及びスクライブライン３の外周領域６とに遮光
層を有する、使用寿命の長いハードマスクによる
第２次レチクル８を形成させる。
次にネガレジストを塗布し、その周縁部に形成
せしめようとするチツプパターンに対応する目視
可能な大きさを有するマスク記号パターンを予め
露光せしめたマスターマスク用ブランク板上に、
前記第２次レチクルを用いてステツプ・アンド・
レピート法によりチツプパターンの露光を行い、
現像、エツチングを行つて、第３図に示すように
第２次レチクルと左右逆のパターンで、遮光層よ
りなるスクライブライン３′によつて仕切られた
透光性のチップ領域２′内に遮光層による配線パ
ターン１′を有し、前記遮光層からなるスクライ
ブライン３′の一辺に透光性のチツプ名パターン
４′を有してなるチツプパターンが複数個整列形
成され、マスク周縁部に遮光性の目視可能な大き
さを有するマスク名パターン９を有するハードマ
スクよりなるマスターマスク１０を形成させる。
せしめようとするチツプパターンに対応する目視
可能な大きさを有するマスク記号パターンを予め
露光せしめたマスターマスク用ブランク板上に、
前記第２次レチクルを用いてステツプ・アンド・
レピート法によりチツプパターンの露光を行い、
現像、エツチングを行つて、第３図に示すように
第２次レチクルと左右逆のパターンで、遮光層よ
りなるスクライブライン３′によつて仕切られた
透光性のチップ領域２′内に遮光層による配線パ
ターン１′を有し、前記遮光層からなるスクライ
ブライン３′の一辺に透光性のチツプ名パターン
４′を有してなるチツプパターンが複数個整列形
成され、マスク周縁部に遮光性の目視可能な大き
さを有するマスク名パターン９を有するハードマ
スクよりなるマスターマスク１０を形成させる。
然る後該マスターマスク１０のチツプ名パター
ン４′とマスク名パターン９とを照合し、一致し
ていることを確認してマスターマスクの製造は完
了する。
ン４′とマスク名パターン９とを照合し、一致し
ていることを確認してマスターマスクの製造は完
了する。
然して本発明による方法はチツプ名パターンを
上記のようにスクライブライン内に形成させるの
で、チツプに形成させる素子の集積度を低下させ
ることはない。
上記のようにスクライブライン内に形成させるの
で、チツプに形成させる素子の集積度を低下させ
ることはない。
以上説明したように本発明の方法で形成させた
マスターマスクは、スクライブライン内に明示さ
れたチツプ名とマスターマスク周縁部に形成させ
たマスク名とが照合されており、形成されている
チツプパターンとマスク名は正確に一致している
ので、マスク名の表示違いによつて、集積回路等
の半導体装置の製造に損害を与えることを未然に
防止する効果を有する。
マスターマスクは、スクライブライン内に明示さ
れたチツプ名とマスターマスク周縁部に形成させ
たマスク名とが照合されており、形成されている
チツプパターンとマスク名は正確に一致している
ので、マスク名の表示違いによつて、集積回路等
の半導体装置の製造に損害を与えることを未然に
防止する効果を有する。
第１図は配線パターン用マスターマスク製造に
際しての本発明の一実施例における第１次レチク
ル表面図で、第２図は同じく第２次レチクル表面
図、第３図は同じくマスターマスクの部分表面図
である。 図に於いて、１，１′は配線パターン領域、
２，２′はチツプ領域、３，３′はスクライブライ
ン、４，４′はチツプ名パターン、５はダミー領
域、６は外周領域、７は第１次レチクル、８は第
２次レチクル、９はチツプ名パターン、１０はマ
スターマスク。
際しての本発明の一実施例における第１次レチク
ル表面図で、第２図は同じく第２次レチクル表面
図、第３図は同じくマスターマスクの部分表面図
である。 図に於いて、１，１′は配線パターン領域、
２，２′はチツプ領域、３，３′はスクライブライ
ン、４，４′はチツプ名パターン、５はダミー領
域、６は外周領域、７は第１次レチクル、８は第
２次レチクル、９はチツプ名パターン、１０はマ
スターマスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスターマスクの製造に於いて、 レチクル内の矩形チツプパターンのチツプ領域
を囲むスクライブラインの一辺にチツプ名パター
ンを、該一辺と対向する辺にダミー領域パターン
を設け、 レチクルを用いてマスク基板上にチツプパター
ンを繰り返し露光して隣合うチツプパターンのス
クライブラインの領域が重なる複数個のチツプパ
ターンを形成する工程と、 チツプパターンの形成でスクライブラインに形
成されたチツプ名パターンと該マスク基板に別途
形成されたマスク名パターンとを照合する工程を
有することを特徴とするフオトマスク製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4449279A JPS55135837A (en) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Manufacture of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4449279A JPS55135837A (en) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Manufacture of photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55135837A JPS55135837A (en) | 1980-10-23 |
| JPS6223862B2 true JPS6223862B2 (ja) | 1987-05-26 |
Family
ID=12693043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4449279A Granted JPS55135837A (en) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Manufacture of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55135837A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133949A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームのスポットめっき方法 |
| JPH0734930Y2 (ja) * | 1990-06-26 | 1995-08-09 | 富士プラント工業株式会社 | アイランド部にもメッキが必要なリードフレーム用の部分メッキ用マスク材 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277744A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-16 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの製造方法 |
| JP3638778B2 (ja) | 1997-03-31 | 2005-04-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JP4014708B2 (ja) | 1997-08-21 | 2007-11-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の設計方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5311958B2 (ja) * | 1974-02-08 | 1978-04-25 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50150259U (ja) * | 1974-05-30 | 1975-12-13 | ||
| JPS5311958U (ja) * | 1976-07-13 | 1978-01-31 |
-
1979
- 1979-04-12 JP JP4449279A patent/JPS55135837A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5311958B2 (ja) * | 1974-02-08 | 1978-04-25 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133949A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームのスポットめっき方法 |
| JPH0734930Y2 (ja) * | 1990-06-26 | 1995-08-09 | 富士プラント工業株式会社 | アイランド部にもメッキが必要なリードフレーム用の部分メッキ用マスク材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55135837A (en) | 1980-10-23 |
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