JPS62202868A - 導電性セラミツク及びその製造法 - Google Patents
導電性セラミツク及びその製造法Info
- Publication number
- JPS62202868A JPS62202868A JP61040317A JP4031786A JPS62202868A JP S62202868 A JPS62202868 A JP S62202868A JP 61040317 A JP61040317 A JP 61040317A JP 4031786 A JP4031786 A JP 4031786A JP S62202868 A JPS62202868 A JP S62202868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron nitride
- aluminum
- conductive ceramic
- weight
- hot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 31
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 17
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910033181 TiB2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 14
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXOOCQBAIRXOGG-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[Al] Chemical compound [B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[Al] JXOOCQBAIRXOGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011888 autopsy Methods 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
- H10N30/078—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition by sol-gel deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/5805—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides
- C04B35/58064—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides based on refractory borides
- C04B35/58071—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides based on refractory borides based on titanium borides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/583—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は窒化ホウ素、ニホウ化チタン及び窒化チタンを
含んでなるホットプレス焼結体であって異方性の少ない
導電性セラミックに関する。
含んでなるホットプレス焼結体であって異方性の少ない
導電性セラミックに関する。
近年、高温で使用する抵抗発熱体として導電性セラミッ
クが広く使われるようになシ、特に抵抗加熱式真空蒸着
用蒸発器として、窒化ホウ素、ニホウ化チタン、窒化ア
ルミニウムを主成分とする導電性セラミックがタングス
テンやモリブデン等の高融点金属蒸発器に代って使われ
るようになった。これは導電性セラミックの優れた耐食
性及び長寿命によるものである。
クが広く使われるようになシ、特に抵抗加熱式真空蒸着
用蒸発器として、窒化ホウ素、ニホウ化チタン、窒化ア
ルミニウムを主成分とする導電性セラミックがタングス
テンやモリブデン等の高融点金属蒸発器に代って使われ
るようになった。これは導電性セラミックの優れた耐食
性及び長寿命によるものである。
窒化ホウ素、ニホウ化チタン及び窒化アルミニウムを主
成分とする導電性セラミックはホットプレス焼結法によ
シ製造されるが、これまでの焼結体は異方性が著しくホ
ットプレスの加圧軸方向と加圧軸と垂直の方向とでは機
械的強度や熱衝撃強度において倍以上の違いがあった。
成分とする導電性セラミックはホットプレス焼結法によ
シ製造されるが、これまでの焼結体は異方性が著しくホ
ットプレスの加圧軸方向と加圧軸と垂直の方向とでは機
械的強度や熱衝撃強度において倍以上の違いがあった。
従ってホットプレス焼結した導電性セラミックより蒸発
容器等を製造する場合、特公昭55−85861公報に
記載されているように特定1回にのみ蒸発容器を加工製
造する方法が取られて来た。
容器等を製造する場合、特公昭55−85861公報に
記載されているように特定1回にのみ蒸発容器を加工製
造する方法が取られて来た。
しかし、必要とする蒸発容器の形状と大きさによっては
、ホットプレス焼結体から特定方向に加工することが困
難であり、耐熱衝撃性の劣った製品しか得られないとか
、加工する方向が決まっているため歩留シが悪いとか、
さらには作業効率が悪くなるといった問題点があり、異
方性の少ない安価な導電性セラミックが要望されていた
。
、ホットプレス焼結体から特定方向に加工することが困
難であり、耐熱衝撃性の劣った製品しか得られないとか
、加工する方向が決まっているため歩留シが悪いとか、
さらには作業効率が悪くなるといった問題点があり、異
方性の少ない安価な導電性セラミックが要望されていた
。
本発明の目的は、ホットプレス焼結によシ異方性の少な
い窒化ホウ素、ニホウ化チタン及び窒化アルミニウムを
含んでなる導電性セラミック金提供することにある。
い窒化ホウ素、ニホウ化チタン及び窒化アルミニウムを
含んでなる導電性セラミック金提供することにある。
本発明者らは、以上の目的を達成するために鋭意研究し
た結果、ホットプレス焼結における原料窒化ホウ素の結
晶性の違いがホットプレス焼結体の異方性に大きく影響
することを見出し本発明を完成するに至った。
た結果、ホットプレス焼結における原料窒化ホウ素の結
晶性の違いがホットプレス焼結体の異方性に大きく影響
することを見出し本発明を完成するに至った。
すなわち第1の発明は、窒化ホウ素、ニホウ化チタン及
び窒化アルミニウムを含んでなるホットプレス焼結体で
あって異方性が少ないことを特徴とする導電性セラミッ
クである。さらに第2の発明は、結晶乱層構造を有する
窒化ホウ素20〜50重量%、アルミニウム及び/又は
窒化アルミニウム1〜15重量係、残部がニホウ化チタ
ンよシなる混合粉体を非酸化性雰囲気下、温度1900
〜2150℃、圧力50〜350kg/cm2の条件で
ホットプレス焼結することを特徴とする異方性の少ない
導電性セラミックの製造法である。
び窒化アルミニウムを含んでなるホットプレス焼結体で
あって異方性が少ないことを特徴とする導電性セラミッ
クである。さらに第2の発明は、結晶乱層構造を有する
窒化ホウ素20〜50重量%、アルミニウム及び/又は
窒化アルミニウム1〜15重量係、残部がニホウ化チタ
ンよシなる混合粉体を非酸化性雰囲気下、温度1900
〜2150℃、圧力50〜350kg/cm2の条件で
ホットプレス焼結することを特徴とする異方性の少ない
導電性セラミックの製造法である。
まず第1の発明について説明すると、本発明の導電性セ
ラミックは、窒化ホウ素、ニホウ化チタン及び窒化アル
ミニウムを含んでおち、各成分の好ましい割合は窒化ホ
ウ素20〜50重量%、ニホウ化チタン35〜79重量
%、窒化アルミニウムが1〜15重量%である。窒化ホ
ウ素は耐熱衝撃性を向上させる役割を果す成分であシ、
20重量%未満ではその効果が十分に発揮されず、−万
50重量%を超えてしまうと導電性が低くな9過ぎたシ
機械的強度が低くなるといった問題音生ずる。ニホウ化
チタンは導電性を司どる重要な成分であシ、その含有量
によシ比抵抗が左右される。
ラミックは、窒化ホウ素、ニホウ化チタン及び窒化アル
ミニウムを含んでおち、各成分の好ましい割合は窒化ホ
ウ素20〜50重量%、ニホウ化チタン35〜79重量
%、窒化アルミニウムが1〜15重量%である。窒化ホ
ウ素は耐熱衝撃性を向上させる役割を果す成分であシ、
20重量%未満ではその効果が十分に発揮されず、−万
50重量%を超えてしまうと導電性が低くな9過ぎたシ
機械的強度が低くなるといった問題音生ずる。ニホウ化
チタンは導電性を司どる重要な成分であシ、その含有量
によシ比抵抗が左右される。
窒化アルミニウムは機械的強度をになう成分であり、1
重量%未済では強度が弱く、また15重量%を超えると
高強度になシ過ぎ機械加工性が悪くなってしまう。
重量%未済では強度が弱く、また15重量%を超えると
高強度になシ過ぎ機械加工性が悪くなってしまう。
本発明の導電性セラミックは、ホットプレス焼結によシ
製造されるものであるがその好ましい条件は後述する。
製造されるものであるがその好ましい条件は後述する。
本発明の特徴は異方性の少ないホットプレス焼結体にあ
るが、その“異方性”とは、物理的特性例えば曲げ強度
とか導電率が導電性セラミックの方向によって異なると
いう性質であシ、その9少ない”とは、従来のホットプ
レス焼結した導電性セラミックより少ないことを意味し
、例えばホットプレス加圧方向と加圧軸に垂直の方向に
おける比抵抗の比の場合、従来の2=1程度より少ない
ことをいう。
るが、その“異方性”とは、物理的特性例えば曲げ強度
とか導電率が導電性セラミックの方向によって異なると
いう性質であシ、その9少ない”とは、従来のホットプ
レス焼結した導電性セラミックより少ないことを意味し
、例えばホットプレス加圧方向と加圧軸に垂直の方向に
おける比抵抗の比の場合、従来の2=1程度より少ない
ことをいう。
本発明の導電性セラミックの曲げ強度は900kg/(
1)2以上であることが好ましい、一般にセラミックの
耐熱衝撃性は同一成分で構成されている場合、曲げ強度
と相関々係にあることが知られてお9.900 kg/
an”未満では耐熱衝撃性が低く導電性セラミックとし
て不十分である。
1)2以上であることが好ましい、一般にセラミックの
耐熱衝撃性は同一成分で構成されている場合、曲げ強度
と相関々係にあることが知られてお9.900 kg/
an”未満では耐熱衝撃性が低く導電性セラミックとし
て不十分である。
次に第2の発明について説明する。
本発明の特徴は、窒化ホウ素粉体として結晶乱層構造を
有する窒化ホウ素を使用することにある。
有する窒化ホウ素を使用することにある。
ホットプレス焼結は、通常−軸加工式ホットプレス装置
を用いて行なう。六方晶結晶構造が完全に形成され安定
化している一般の窒化ホウ素は、通常、結晶寸法I、c
500 X以上に成長した鱗片状の粒子形状を有して
おり、ホットプレス時に加圧軸方向に対し垂直に配向し
配向面を形成する。そこで、一般的な六方晶構造が完成
された窒化ホウ素を使用した窒化ホウ素、ニホウ化チタ
ン、窒化アルミニウムを主成分とするホットプレス焼結
導電性セラミックは、との配向のため異方性を生じる。
を用いて行なう。六方晶結晶構造が完全に形成され安定
化している一般の窒化ホウ素は、通常、結晶寸法I、c
500 X以上に成長した鱗片状の粒子形状を有して
おり、ホットプレス時に加圧軸方向に対し垂直に配向し
配向面を形成する。そこで、一般的な六方晶構造が完成
された窒化ホウ素を使用した窒化ホウ素、ニホウ化チタ
ン、窒化アルミニウムを主成分とするホットプレス焼結
導電性セラミックは、との配向のため異方性を生じる。
しかるに本発明では、結晶乱層構造を有する窒化ホウ素
を使用することによシ成形焼結時における加圧方向への
配向かないので異方性の少ない導電性セラミックを得る
ことができる。
を使用することによシ成形焼結時における加圧方向への
配向かないので異方性の少ない導電性セラミックを得る
ことができる。
結晶乱層構造を有する窒化ホウ素は、無水ホウ酸とジシ
アンジアミドを窒素雰囲気下で1300℃以下の低温で
反応させ、反応生成物を洗浄して窒化ホウ素以外の生成
物を除去する方法、硼砂と尿素をアンモニア気流中、8
00°C程度の低温で加熱処理し洗浄精製する方法等、
従来より知られる窒化ホウ素合成反応を六方晶層状結晶
格子が形成される温度(約1400〜1800°C)よ
シも低温で反応させることによシ得ることができる。
アンジアミドを窒素雰囲気下で1300℃以下の低温で
反応させ、反応生成物を洗浄して窒化ホウ素以外の生成
物を除去する方法、硼砂と尿素をアンモニア気流中、8
00°C程度の低温で加熱処理し洗浄精製する方法等、
従来より知られる窒化ホウ素合成反応を六方晶層状結晶
格子が形成される温度(約1400〜1800°C)よ
シも低温で反応させることによシ得ることができる。
この結晶乱層構造を有する窒化ホウ素は、ホットプレス
焼結原料中20〜50重量係となるように添加する。2
0重量%未満では耐熱衝撃性が低下し、また焼結後の機
械加工性が悪くなる。一方50重量%を越えると得られ
る成型体の比抵抗が高くなシ成型体に直接電流を通して
加熱することが不可能となる。
焼結原料中20〜50重量係となるように添加する。2
0重量%未満では耐熱衝撃性が低下し、また焼結後の機
械加工性が悪くなる。一方50重量%を越えると得られ
る成型体の比抵抗が高くなシ成型体に直接電流を通して
加熱することが不可能となる。
アルミニウム、窒化アルミニラは緻密化促進剤として作
用するもので特にアルミニウムはホットプレス時の高温
下で窒化ホウ素と反応して窒化アルミニウムとホウ素を
生成する。
用するもので特にアルミニウムはホットプレス時の高温
下で窒化ホウ素と反応して窒化アルミニウムとホウ素を
生成する。
AJ + BN→AjN + B
さらにこのホウ素は原料中のAjと反応して第4成分と
してAI −B系の合金あるいはホウ化アルミニウムと
なり、窒化アルミニウム、窒化ホウ素及びホウ化チタン
を強固に結合するため、成型体の強度が向上し耐熱衝撃
性が改善される。アルミニウム及び/又は窒化アルミニ
ウムが1重量%未満ではホットプレス焼結しても十分な
緻密化が図れず、強度、耐熱衝撃性が不十分となる。ま
た、15重量%を超えると硬度が高くなり加工性が低下
する。またアルミニウムを用いた場合、第4成分が過大
となり高温使用時軟化変形を起しやすくなる。とくに好
ましいアルミニウムの添加量は3〜8重量%であり、窒
化アルミニウムのそれは5〜12重量%である。また窒
化アルミニウムとアルミニウムを併用する場合はアルミ
ニウム換算で3〜8重量%とするのが好ましい。
してAI −B系の合金あるいはホウ化アルミニウムと
なり、窒化アルミニウム、窒化ホウ素及びホウ化チタン
を強固に結合するため、成型体の強度が向上し耐熱衝撃
性が改善される。アルミニウム及び/又は窒化アルミニ
ウムが1重量%未満ではホットプレス焼結しても十分な
緻密化が図れず、強度、耐熱衝撃性が不十分となる。ま
た、15重量%を超えると硬度が高くなり加工性が低下
する。またアルミニウムを用いた場合、第4成分が過大
となり高温使用時軟化変形を起しやすくなる。とくに好
ましいアルミニウムの添加量は3〜8重量%であり、窒
化アルミニウムのそれは5〜12重量%である。また窒
化アルミニウムとアルミニウムを併用する場合はアルミ
ニウム換算で3〜8重量%とするのが好ましい。
ホウ化チタンはセラミックの導電性をになう成分であり
、上記成分の残部で構成されるが、中でも常温の成型体
の比抵抗が600〜4200μΩ傭、好ましくは400
〜2000μΩ傭程度になるよう配合するのが良い。
、上記成分の残部で構成されるが、中でも常温の成型体
の比抵抗が600〜4200μΩ傭、好ましくは400
〜2000μΩ傭程度になるよう配合するのが良い。
ホットプレス焼結温度が1900℃未満であると窒化ホ
ウ素及びアルミニウムの反応、安定化が不十分となり、
高温使用時ガスが発生したし、キレンが発生するなどの
問題を生じる。又緻密化が不十分で強度が低くなる。一
方2150℃を越えると窒化ホウ素の熱分解が起こり、
成型物と黒鉛型の反応が著しくなるので好ましくかい。
ウ素及びアルミニウムの反応、安定化が不十分となり、
高温使用時ガスが発生したし、キレンが発生するなどの
問題を生じる。又緻密化が不十分で強度が低くなる。一
方2150℃を越えると窒化ホウ素の熱分解が起こり、
成型物と黒鉛型の反応が著しくなるので好ましくかい。
成型圧力が50 kg/ crn2以下であると気孔率
が大きく、成型体強度が弱い。また3 50 kg/a
n2を越えると、黒鉛製の破損が起こりやすくなる。
が大きく、成型体強度が弱い。また3 50 kg/a
n2を越えると、黒鉛製の破損が起こりやすくなる。
以下、本発明を実施例及び比較例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
実施例1.比較例1゜
無水ホウ酸とジシアンジアミドを、窒素雰囲気下、12
00℃にて反応させ、反応生成物を希硝酸にて洗浄し結
晶乱層構造を有する窒化ホウ素を得た。
00℃にて反応させ、反応生成物を希硝酸にて洗浄し結
晶乱層構造を有する窒化ホウ素を得た。
得られた結晶乱層構造を有する窒化ホウ素粉末(以下B
Nと略す)30重量%、アルミニウム粉末(福田金属箔
粉社製AJ(At) −250mesh ) 8重量%
、ホウ化チタン粉末(ヘルマンシュタル社製Vacuu
m Grade :以下TiB2と略す)62重量−の
割合でで計量し振動ボールミル(アルミナ製のアルミナ
ボール使用)で20分間充分に混合した。
Nと略す)30重量%、アルミニウム粉末(福田金属箔
粉社製AJ(At) −250mesh ) 8重量%
、ホウ化チタン粉末(ヘルマンシュタル社製Vacuu
m Grade :以下TiB2と略す)62重量−の
割合でで計量し振動ボールミル(アルミナ製のアルミナ
ボール使用)で20分間充分に混合した。
この混合物を円筒状黒鉛型に充填し、黒鉛型の上下に加
圧のための黒鉛製の押棒を入れ2000°Cの温度、2
00 kg / cm”の圧力でアルビン雰囲気下でホ
ットプレス焼結した。
圧のための黒鉛製の押棒を入れ2000°Cの温度、2
00 kg / cm”の圧力でアルビン雰囲気下でホ
ットプレス焼結した。
比較例1として結晶乱層構造を有するBH3代りに市販
の六方晶結晶構造を有するBN(電気化学工業株式会社
製商品名「デンカボロンナイトライドGPJ)t−用い
た以外は同様にしてホットプで長さ120uである。
の六方晶結晶構造を有するBN(電気化学工業株式会社
製商品名「デンカボロンナイトライドGPJ)t−用い
た以外は同様にしてホットプで長さ120uである。
これらのホットプレス焼結体(1)から、図面に示すよ
うに、まず加圧軸の方向に平行に巾7酊に切り出して板
状の部材(2及び2′)とし、更に加圧軸に対し90度
の方向(切り出し方向”土”と略す)及び平行な方向(
切り出し方向”I”と略す)各々に巾5uに切り出し、
巾7tm−、厚み5nの棒状の部材(それぞれ3及び4
)の2種を得、それから導電性セラミック蒸発容器を形
成した。
うに、まず加圧軸の方向に平行に巾7酊に切り出して板
状の部材(2及び2′)とし、更に加圧軸に対し90度
の方向(切り出し方向”土”と略す)及び平行な方向(
切り出し方向”I”と略す)各々に巾5uに切り出し、
巾7tm−、厚み5nの棒状の部材(それぞれ3及び4
)の2種を得、それから導電性セラミック蒸発容器を形
成した。
寵、巾4關で深さが2關のキャビティーを設けたもので
ある。
ある。
この導電性セラミック蒸発容器を用い、抵抗加熱式真空
蒸着機に取り付はアルミニウムの蒸発を行なった。1回
の蒸発時間は30秒とし導電性セラミック蒸発容器にキ
レンが発生するまで繰り返した真空蒸着の回数を調べた
。
蒸着機に取り付はアルミニウムの蒸発を行なった。1回
の蒸発時間は30秒とし導電性セラミック蒸発容器にキ
レンが発生するまで繰り返した真空蒸着の回数を調べた
。
その結果及び用いた導電セラミックの物性を第1表に示
した。
した。
実施例2〜10比較例2〜5
実施例1と同じ結晶乱層構造を有するBN。
Aj 及ヒTiB2.!:窒化アルミニウム(ヘルマン
シュタルク社製’l Q (1mesh全通品:以下A
JNと略す)を第2表に示す配合条件にした以外は実施
例1と同様にしてホツゾレス焼結した。
シュタルク社製’l Q (1mesh全通品:以下A
JNと略す)を第2表に示す配合条件にした以外は実施
例1と同様にしてホツゾレス焼結した。
得られた導電性セラミックを実施例1と同様に蒸発容器
に加工し、真空蒸発装置にてアルミ蒸発におけるボート
寿命を測定した。
に加工し、真空蒸発装置にてアルミ蒸発におけるボート
寿命を測定した。
その結果及び用いた導電性セラミックの物性を第2表に
示した。
示した。
以下余白
実施例11〜13 比較例6〜8
実施例1と同じ原料配合、混合条件にて、第3表に示す
温度、圧力条件にてホットプレス焼結し、実施例1と同
一形状の導電性セラミック蒸発容器を形成し、同様に蒸
着容器としての寿命を評価した。その結果を導電性セラ
ミックの物性と共に第3表に示した。なお第3表には実
施例1の結果も併記した。
温度、圧力条件にてホットプレス焼結し、実施例1と同
一形状の導電性セラミック蒸発容器を形成し、同様に蒸
着容器としての寿命を評価した。その結果を導電性セラ
ミックの物性と共に第3表に示した。なお第3表には実
施例1の結果も併記した。
以下令白
〔発明の効果〕
本発明によれば、熱間等圧プレス(HIP)々どの焼結
法によらなくても、単にホットプレス焼結するだけで異
方性の少ない導電性セラミックを得ることができる。そ
の結果加工方向を自由に選択しても抵抗発熱体として優
れた特性を有するものとなる。
法によらなくても、単にホットプレス焼結するだけで異
方性の少ない導電性セラミックを得ることができる。そ
の結果加工方向を自由に選択しても抵抗発熱体として優
れた特性を有するものとなる。
図面は、ホットプレス焼結した導電性セラミックから導
電性セラミック蒸発容器に用いる部材を切り出す方法に
ついて説明した工程図である。 1・・・ホットプレス焼結した導電性セラミック、2.
2′・・・板状の部材、3・・・加圧軸に対し90度の
方向に切り出した棒状の部材、4・・・加圧軸に対し平
行な7回に切り出した棒状の部材、A−A・・・加圧軸
方向、B−B・・・部材の切り出し方向特許出願人 電
気化学工業株式会社 図面の浄書(内容に変更なし) 第1′図 Δ 1:・ヤ員グレスam L P、’lト壜Lし抄ヒラミ
・ツク2.2’:訴シミつ$J″A 3 槽;1xAtλ、4\90.)しく牙旬【ピ咽り怠
(斥省弓丸慴墳\4鳴)E、fiミツ11.〉へ゛(ゼ
なう5″マヘ1ζ〉ρ9Σに(11,ノート鵠とミう剖
プ♂ス1手続補正書(方式) %式% ■、事件の表示 昭和61年特許願第40317号 2、発明の名称 導電性セラミック及びその製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 ■100 東京都千代田区有楽町1丁目4番1号
昭和61年4月22日(発送日) 5、補正の対象 図面 6、補正の内容 −□手続補
正書 昭和62年1月31日 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 1、事件の表示 昭和61年特許願第40317号 2発明の名称 導電性セラミック及びその製造法 6、補正をする者 事件との関係 特許出願人 〒100 東京都千代田区有楽町1丁目4番1号明細
書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄 5、補正の内容 (1)明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
。 (2) 明細書第3頁第20行の[プレス焼結体であ
つて」の次に、「、曲げ強度900kf9/(1)2以
上、比抵抗300〜2500μΩa未満であり、かつ、
」を挿入する。 (3)同第4頁第2行の「明は、」の次に、「第1の発
明の製造方法であって、」全挿入する。 (4) 同第6頁第1行と第2行の間に矢の文章全加
入する。 「 また、本発明の4を注セラミックスの比抵抗t30
0〜2500μΩ閑未満とした理由は、比抵抗が300
μΩ口よりも小さくなると大電流が流れる結果、それを
ボートに使用した場合の寿命が著しく短かくなり、また
、2500μΩa以上になると通電加熱が困難となるか
らである。」 (5)同第8頁第18〜20行を久のように訂正する。 「も常温の成型体の比抵抗が300〜2500μΩα未
満になるよう配合するのが良い。」(6)同第11頁第
16行の仄に以下の文章tHa人する。 「 なお、比抵抗は、導電性セラミック蒸発容器1ケあ
たり、1圧軸に対し平行な方向(//)と垂直な方向(
土)について、抵抗計を用い4端子方式により測定した
。導電性セラミック蒸発容器の採取方向にかかわらず刀
圧軸に対する土とl方向それぞれの比抵抗は変わらない
ので、土とl方向それぞれの比抵抗の測定結果は、各方
向で採取した導電性セラミック蒸発容器の通電方向(長
軸方向)の値上もって、表に示した。 また、曲げ強度はJIS R1601の3点曲げ強さ測
定方法に準じて測定した。」 別紙 2、特許請求の範囲 (υ 窒化ホウ素、ニホウ化チタン及び窒化アルミ・
ニウムを含んでなるホットプレス焼結体であって、い
ことを特徴とする導電性セラミック。 (2] 結晶乱層構造を有する窒化ホウ素20〜5゜
貞t%、アルミニウム及び/又は態化アルミニウム1〜
15重量係、残部がニホウ化チタンよりなる混合粉体を
非酸化注雰囲気下、温度1900〜2150℃、圧力5
0〜350ゆ/c1n2の条件でホットプレス焼結する
ことを特徴とする曲げ強度900 kg/am”以上、
比抵抗300〜2500μΩcm未満であシ異方性の少
ない導電性セラミックの製造法。
電性セラミック蒸発容器に用いる部材を切り出す方法に
ついて説明した工程図である。 1・・・ホットプレス焼結した導電性セラミック、2.
2′・・・板状の部材、3・・・加圧軸に対し90度の
方向に切り出した棒状の部材、4・・・加圧軸に対し平
行な7回に切り出した棒状の部材、A−A・・・加圧軸
方向、B−B・・・部材の切り出し方向特許出願人 電
気化学工業株式会社 図面の浄書(内容に変更なし) 第1′図 Δ 1:・ヤ員グレスam L P、’lト壜Lし抄ヒラミ
・ツク2.2’:訴シミつ$J″A 3 槽;1xAtλ、4\90.)しく牙旬【ピ咽り怠
(斥省弓丸慴墳\4鳴)E、fiミツ11.〉へ゛(ゼ
なう5″マヘ1ζ〉ρ9Σに(11,ノート鵠とミう剖
プ♂ス1手続補正書(方式) %式% ■、事件の表示 昭和61年特許願第40317号 2、発明の名称 導電性セラミック及びその製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 ■100 東京都千代田区有楽町1丁目4番1号
昭和61年4月22日(発送日) 5、補正の対象 図面 6、補正の内容 −□手続補
正書 昭和62年1月31日 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 1、事件の表示 昭和61年特許願第40317号 2発明の名称 導電性セラミック及びその製造法 6、補正をする者 事件との関係 特許出願人 〒100 東京都千代田区有楽町1丁目4番1号明細
書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄 5、補正の内容 (1)明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
。 (2) 明細書第3頁第20行の[プレス焼結体であ
つて」の次に、「、曲げ強度900kf9/(1)2以
上、比抵抗300〜2500μΩa未満であり、かつ、
」を挿入する。 (3)同第4頁第2行の「明は、」の次に、「第1の発
明の製造方法であって、」全挿入する。 (4) 同第6頁第1行と第2行の間に矢の文章全加
入する。 「 また、本発明の4を注セラミックスの比抵抗t30
0〜2500μΩ閑未満とした理由は、比抵抗が300
μΩ口よりも小さくなると大電流が流れる結果、それを
ボートに使用した場合の寿命が著しく短かくなり、また
、2500μΩa以上になると通電加熱が困難となるか
らである。」 (5)同第8頁第18〜20行を久のように訂正する。 「も常温の成型体の比抵抗が300〜2500μΩα未
満になるよう配合するのが良い。」(6)同第11頁第
16行の仄に以下の文章tHa人する。 「 なお、比抵抗は、導電性セラミック蒸発容器1ケあ
たり、1圧軸に対し平行な方向(//)と垂直な方向(
土)について、抵抗計を用い4端子方式により測定した
。導電性セラミック蒸発容器の採取方向にかかわらず刀
圧軸に対する土とl方向それぞれの比抵抗は変わらない
ので、土とl方向それぞれの比抵抗の測定結果は、各方
向で採取した導電性セラミック蒸発容器の通電方向(長
軸方向)の値上もって、表に示した。 また、曲げ強度はJIS R1601の3点曲げ強さ測
定方法に準じて測定した。」 別紙 2、特許請求の範囲 (υ 窒化ホウ素、ニホウ化チタン及び窒化アルミ・
ニウムを含んでなるホットプレス焼結体であって、い
ことを特徴とする導電性セラミック。 (2] 結晶乱層構造を有する窒化ホウ素20〜5゜
貞t%、アルミニウム及び/又は態化アルミニウム1〜
15重量係、残部がニホウ化チタンよりなる混合粉体を
非酸化注雰囲気下、温度1900〜2150℃、圧力5
0〜350ゆ/c1n2の条件でホットプレス焼結する
ことを特徴とする曲げ強度900 kg/am”以上、
比抵抗300〜2500μΩcm未満であシ異方性の少
ない導電性セラミックの製造法。
Claims (2)
- (1)窒化ホウ素、二ホウ化チタン及び窒化アルミニウ
ムを含んでなるホットプレス焼結体であつて異方性が少
ないことを特徴とする導電性セラミック。 - (2)結晶乱層構造を有する窒化ホウ素20〜50重量
%、アルミニウム及び/又は窒化アルミニウム1〜15
重量%、残部が二ホウ化チタンよりなる混合粉体を非酸
化性雰囲気下、温度1900〜2150℃、圧力50〜
350kg/cm^2の条件でホットプレス焼結するこ
とを特徴とする異方性の少ない導電性セラミックの製造
法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61040317A JPS62202868A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 導電性セラミツク及びその製造法 |
GB8703897A GB2187477B (en) | 1986-02-27 | 1987-02-19 | Electrically conductive ceramic product and process for its production |
US07/016,366 US4795723A (en) | 1986-02-27 | 1987-02-19 | Electrically conductive ceramic product and process for its production |
DE19873705907 DE3705907A1 (de) | 1986-02-27 | 1987-02-24 | Elektrisch leitfaehiges keramikerzeugnis und verfahren zu dessen herstellung |
KR1019870001669A KR940001659B1 (ko) | 1986-02-27 | 1987-02-26 | 전기 전도성 열간 프레스 소결 세라믹 제품 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61040317A JPS62202868A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 導電性セラミツク及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62202868A true JPS62202868A (ja) | 1987-09-07 |
JPH0566906B2 JPH0566906B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=12577232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61040317A Granted JPS62202868A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 導電性セラミツク及びその製造法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4795723A (ja) |
JP (1) | JPS62202868A (ja) |
KR (1) | KR940001659B1 (ja) |
DE (1) | DE3705907A1 (ja) |
GB (1) | GB2187477B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008150219A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属蒸発発熱体及びその製造方法 |
JP2008169115A (ja) * | 2008-04-03 | 2008-07-24 | Osamu Yamamoto | 窒化硼素含有複合セラミックス焼結体の製造方法及び同焼結体 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5356578A (en) * | 1988-08-08 | 1994-10-18 | Kawasaki Steel Corporation | Mold for slip casting and method of slip casting |
DE3830174A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Geesthacht Gkss Forschung | Leitfaehige oberflaechenschicht |
JP2507561B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1996-06-12 | 株式会社日立製作所 | 半導体の冷却装置 |
US5061662A (en) * | 1989-11-08 | 1991-10-29 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | Method for preparing sintered body of the titanium boride and apparatus therefor |
US5100845A (en) * | 1991-03-13 | 1992-03-31 | Union Carbide Coatings Service Technology Corporation | Process for producing titanium diboride and boron nitride powders |
US5409868A (en) * | 1993-12-23 | 1995-04-25 | Electrofuel Manufacturing Co. | Ceramic articles made of compositions containing borides and nitrides |
RU94032296A (ru) * | 1994-09-07 | 1996-07-20 | Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" | Способ получения керамического изделия на основе нитрида бора |
DE19735814A1 (de) * | 1997-08-18 | 1999-02-25 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Keramische Flash-TV-Verdampfer |
DE19809976C2 (de) * | 1998-03-09 | 2001-09-06 | Heimbach Gmbh Thomas Josef | Formkörper aus einer elektrisch leitfähigen Keramikverbindung sowie Verfahren zur Herstellung des Formkörpers |
UA56228C2 (uk) * | 1999-11-01 | 2003-05-15 | Міжнародний Центр Електронно-Променевих Технологій Інституту Електрозварювання Ім. Е.О.Патона Нану | Композиційний зливок для одержання шляхом випаровування функціонально градієнтного покриття із зовнішнім керамічним шаром на металевій підкладці (варіанти) |
CN103805822B (zh) * | 2013-09-26 | 2016-04-20 | 山东鹏程特种陶瓷有限公司 | 高性能四组分导电陶瓷蒸发舟及其生产工艺 |
KR20210132008A (ko) * | 2018-12-27 | 2021-11-03 | 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 쿼츠, 인크. | 질화 붕소 및 이붕화 티타늄을 포함하여 구성되는 세라믹 복합체 히터 |
CN114907135B (zh) * | 2022-05-16 | 2023-04-07 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 | 一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49109231A (ja) * | 1973-02-21 | 1974-10-17 | ||
JPS5466383A (en) * | 1977-11-07 | 1979-05-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Electroconductive ceramic evaporation source and preparation thereof |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1289712C2 (de) * | 1965-08-11 | 1973-12-13 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Verdampfer fuer das Vakuumaufdampfen von Metallschichten auf Werkstoffe |
US3544486A (en) * | 1968-05-23 | 1970-12-01 | Sylvania Electric Prod | Refractory bodies containing aluminum nitride,boron nitride and titanium boride |
GB1251664A (ja) * | 1968-06-14 | 1971-10-27 | ||
GB1285211A (en) * | 1969-01-09 | 1972-08-16 | United States Borax Chem | 31ycompositions for making refractory articles |
US3803707A (en) * | 1972-03-21 | 1974-04-16 | Gte Sylvania Inc | Method of making an improved refractory boat for metal vaporization |
ES417413A1 (es) * | 1972-08-18 | 1976-03-01 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Perfeccionamientos introducidos en evaporadores a base de material refractario sinterizado. |
JPS564509B2 (ja) * | 1974-08-15 | 1981-01-30 | ||
JPS558586A (en) * | 1979-04-20 | 1980-01-22 | Daikin Ind Ltd | Heating system |
US4268314A (en) * | 1979-12-21 | 1981-05-19 | Union Carbide Corporation | High density refractory composites and method of making |
JPS582260A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | 松田 矩保 | 水硬性複合路盤材の製造方法 |
US4514355A (en) * | 1982-12-22 | 1985-04-30 | Union Carbide Corporation | Process for improving the high temperature flexural strength of titanium diboride-boron nitride |
DE3325490A1 (de) * | 1983-07-14 | 1985-01-24 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München | Feuerfeste, elektrisch leitfaehige mischwerkstoffe und verfahren zu ihrer herstellung durch isostatisches heisspressen |
JPS61201751A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 高硬度焼結体およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61040317A patent/JPS62202868A/ja active Granted
-
1987
- 1987-02-19 US US07/016,366 patent/US4795723A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-19 GB GB8703897A patent/GB2187477B/en not_active Expired
- 1987-02-24 DE DE19873705907 patent/DE3705907A1/de not_active Ceased
- 1987-02-26 KR KR1019870001669A patent/KR940001659B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49109231A (ja) * | 1973-02-21 | 1974-10-17 | ||
JPS5466383A (en) * | 1977-11-07 | 1979-05-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Electroconductive ceramic evaporation source and preparation thereof |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008150219A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属蒸発発熱体及びその製造方法 |
JP2008169115A (ja) * | 2008-04-03 | 2008-07-24 | Osamu Yamamoto | 窒化硼素含有複合セラミックス焼結体の製造方法及び同焼結体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4795723A (en) | 1989-01-03 |
GB8703897D0 (en) | 1987-03-25 |
KR940001659B1 (ko) | 1994-02-28 |
DE3705907A1 (de) | 1987-09-03 |
GB2187477B (en) | 1989-11-08 |
JPH0566906B2 (ja) | 1993-09-22 |
GB2187477A (en) | 1987-09-09 |
KR870007867A (ko) | 1987-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62202868A (ja) | 導電性セラミツク及びその製造法 | |
Hu et al. | Promising high-thermal-conductivity substrate material for high-power electronic device: silicon nitride ceramics | |
CN106699184A (zh) | 一种Ti3SnC2陶瓷粉末的制备方法及其制得的陶瓷粉末 | |
CN101417879B (zh) | 一种原位反应热压合成Nb4AlC3块体陶瓷 | |
US5773733A (en) | Alumina-aluminum nitride-nickel composites | |
CN110627507B (zh) | 一种低温碳化硅陶瓷及其制备方法和应用 | |
CN109734452B (zh) | 一种无压烧结制备高致密Ti2AlN陶瓷的方法 | |
KR100882923B1 (ko) | 기계가공성을 갖는 Cr₂AlC 소결체의 저가 제조방법 | |
TW200526795A (en) | Ceramic sintered compact, method for producing ceramic sintered compact, exothermic element for vapor deposition of metal | |
JP7620545B2 (ja) | 窒化ケイ素粉末及びその製造方法、並びに、窒化ケイ素焼結体の製造方法 | |
US5334339A (en) | Boron nitride sinter and process for its production | |
JPH01131072A (ja) | 高温耐食性焼結材料の製造方法 | |
JP2002513374A (ja) | 高い強度と応力破断抵抗を有するガス圧焼結された窒化ケイ素 | |
JPH01261279A (ja) | BN−AlN系複合焼結体の製造方法 | |
JP2016128378A (ja) | 窒化ホウ素多結晶体および工具 | |
JP2612011B2 (ja) | 高温耐食性焼結体の製造方法 | |
JPH03177361A (ja) | β―サイアロン―窒化硼素系複合焼結体の製造方法 | |
JP3255302B2 (ja) | 窒化けい素粉末の製造方法 | |
JPS63260866A (ja) | 複合焼結体及びその製造方法 | |
JP3251060B2 (ja) | 窒化珪素粉末 | |
JPH01239068A (ja) | 硼化チタン系焼結体及びその製造方法 | |
JP3008415B2 (ja) | サイアロン―窒化硼素系複合焼結体及びその製造方法 | |
JPS59182275A (ja) | 高強度窒化ケイ素焼結体の製造法 | |
JP3124862B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体の製造方法 | |
JPH107463A (ja) | 快削性炭化けい素焼結体及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |