JPS62141517A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子牛液晶−光シャツターアレイ等
の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向
状態を改善することｋよυ表示ならびに駆動特性を改善
した液晶素子に関する。

〔従来の技術〕

従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（Ｍ、
８ｃｈａｄｔ）とダブりニー、ヘル７リッと（’ｉｆ、
Ｈ・１ｆｒｉｃｈ）　”ＩＦ　”了ブライド・フイジイ
ツクス・レターズゴリエーム１８、ナンバー４（１９７
１゜２．１５）、ページ１２７〜１２８（“ムｐｐｌｉ
・ｄＰｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔ＠ｒｓ　’　Ｔｏ、１８
．４４（１９７１，２゜１５）？、１２７〜１２８）の
１ボルテージ・ディペンダント・第１テイカル・アクテ
ィビティ−・。

オプ・了・ツィステッド・ネマチック・リキッドＳ−リ
スタル’　（＠Ｖｏ１ｔａｇｅ　ＤｅｐｅＭ＠ｎｔＯｐ
ｌａａｌムａｔｌｖｉｔｙ　ｏｆ　ａ　ＴｗｉｓｔＭ　
Ｎｅｍａｔｉ。

Ｌｉｑｕｉｌ　Ｃｒｙｓｔａ１″）Ｋ示されたティー、
ｚヌ（’ｒＮ）　（ツィステッド・ネマチック（ｔｗｉ
ａｔｅＬｎｅｍａｔｔａ））液晶を用いたものが知られ
ている。

ヒのＴＮ液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電極構
造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生する問
題点がある丸め、画素数が制限されていえ。

又、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素子
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
ことが錐かしい問題点がある。

これらの問題点を解決するものとして、クラークらによ
シ米国特許第４３４＄７９２４号公報で強誘電性液晶素
子が発表された。しかしながら、この強誘電性液晶素子
が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板
間に配置される強誘電性液晶が、電界の印加状態とは無
関係に。

上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起るような
分子配列状態にあることが必要である。

たとえばカイラルスメクチック相を有する強誘電性液晶
については、カイラルスメクチック相の液晶分子層が基
板面に対して垂直で、したがって液晶分子軸が基板面に
ほぼ千行く配列し九領域（モノドメイン）が形成される
必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、これまでの強誘電性液晶素子においては
、このようなモノドメイン構造を有する液晶の配向状態
が、必ずしも満足に形成されなかったために、充分な特
性が得られなかったのが実情である。

！＃に、下述する様に基板上く形成したマトリクス電極
が高密度で配線されると、電極線の低抵抗化のためＩＣ
，［極線が比較的厚い（例えば５ｏｏＸ〜ｓｏｏｏＸ）
ＩＩｇ厚となるため、基板自体の面と電極面との間でａ
ｏｏｆ以上の大きな段差を形成し、この段差が強誘電性
液晶に対する配向欠陥を発生させる原因となっていると
とヵζ本尭明者の実験によシ明らかとなった。

〔問題点を解決するための手段〕・及び〔作用〕従って
、本発明の目的は配向欠陥の発生を防止した強誘電性液
晶素子を提供することにある。

又、本発明の別の目的は、高密度で画素を形成し九強騎
電性液晶素子を提供することにある。

さらに、本発明の他の目的はこれまで９強誘電性液晶素
子で問題となっていた。モノドメイン形成性ないしは初
、期配向性を改善することによシ１強誘電性液晶素子が
本来もって込る高速応答性とメそり一効果特性を光分に
発揮させ得るｔ４誘電性液、晶素子を提供することにあ
る。

本発明者らは、上述の目的で更に研究した結果、とくに
液晶が等労相（高温状態）より液晶相（低温状ｔｌ！４
）へ移行する降温過程に於ける初期配向性１ｕｌｌ目し
、液晶の双安定性ＩＣ基づく素子の作動特性と液晶層の
モノドメイン性を両立し得る構造を有する液晶素子を提
供することが可能となった。すなわち、本発明の液晶素
子は、このような知見に基づくものであり、よシ詳しく
は、液晶層と接する面に段差がなく、つまシ液晶層の膜
厚に急ｆｌＲ″＆変化を生じさせなくするととくよシ降
漏過程に於ける初期配向性が良好々状態をなしておシ、
配向欠陥のないそ／ドメインを形成している点に特徴を
有している。

従って、本発明は、一対の平行基板間に強誘電性液晶を
有する液晶素子において、前記一対の平行基板のうち少
なくとも一方の基板が複数の透明電極セグメントを有し
ているとともに、隣り合う前記透明電極セグメント間に
絶縁膜で形成した平担化膜を有している液晶素子に特徴
を有している。

このように平面性のよい基板に挾持された液晶層は等労
相より、液晶相に移行する降湛遇穆において、徐冷する
ことＫより、（０，１℃／時間〜５℃／時間）、液晶相
領域が次第に広がりモノドメインの液晶相を形成するよ
うになる。

〔実施例〕

例えば、液晶として強誘電液晶相を示す下述のＤＯＢＡ
ＭＢＯを例にあげて説明すると、ＤＯＢＡＭＢＯの等労
相よシ徐冷していくとき約１１５℃でスメクチック人相
（８ｍＡ相）に相転移する。このとき、基板にラビング
あるいは８１０．斜め蒸着などの配向処理が施されてい
ると、液晶分子の分子軸が基板に平行で、かつ一方向に
配向したモノドメインが形成される。さらに％冷却を進
めていくと、液晶層の厚みに依存する約９０〜７５℃の
間の特定温度でカイラルスメクチックＣ相（８ｍＯ’相
）に相転移する。又、液晶層の厚みを約２μ以下とした
場合は、８ｍＯ’相のらせんが解け、双安定性を示す。

本発明で用いる液晶材料とくに適したものは双安定性を
有する液晶であって、強誘電性を有するものであシ、具
体的には前述の８ｍＣ！’の他に、カイラルスメクチッ
クＨ相（８ｍＨ”）、Ｘ相（８ｍｌ町、Ｊ相（８ｍｆｆ
町、Ｋ相（８ｍＫ”）、Ｇ相（８ｍＧ※）又は？相（８
ｍＦ”）の液晶を用いることができる。

強誘電性液晶の詳細については、例えばル・ジェルナー
ル・ド・フィシツク・レットル（Ｌ！Ｉｉ　、ＴＯＵＲ
ＮＡＬ　ＤＩ　Ｐ）ＩＹ８１Ｑ、ＵＩＣＬＩＴＴｆｆｉ
Ｒ）　３６　（Ｌ−６９）　１９７５．　ｒフェロエレ
クトリック・リキッド・クリスタルスＪ　（「Ｆａｒｒ
ｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｅｄ　０ｒｙａｔａｌｓＪ
　）　；　”アプライド・フイジイツクス・レターズ（
”　Ａｐｐｌｉｅｄ　ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｔ″
）　３１５（１１）、１９８０　ｒザブミクｏ、セカン
ド・バイスティプル・エレクトロオプティック・スイッ
チング・イン・リキッド・クリスタＡ／スＪ　（Ｓｎｂ
ｍｉｃｒｏ　８ｅａｏｎｄ　Ｂ１５ｔａｂｌｅ　ｎ１ｅ
ａｔ−ｒｏｏｐｔｉｃ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇｉｎ　Ｌｉ
ｑｕｉｉ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　Ｊ　）　；“固体物理”
１６（１４１）１９８１「液晶」等に記載されており、
本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いるこ
とができる。

強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−ｙ−了ミノー２−メチルブチルシンナメート
（ＤＯＢＡＭＢＣり　、ヘキシルオキシベンジリデン−
ｙ−アミノ−２−クロロプロビルシンナメー）　（ＨＯ
ＢＡＣＰＣり、４−Ｏ−（２−メチル）−プチルレゾル
シリデンー４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ　８　’
）が挙げられる。

これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
がカイラルスメクテイツク相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
ブロック等により支持することができる。

以下、本発明を図面忙従って説明する。

第１図は従来の強誘電性液晶素子の断面図を表わし、８
ｇ２図は従来の強誘電性液晶素子に現われた配向欠陥の
状態を表わす図面である。

すなわち、第１図に示す従来の強誘電性液晶素子１０は
、一対の平行基板１１と１２を有しておシ、基板１１と
１２にはそれぞれマトリクス電極構造をなすストライブ
状の透明電極セグメント１３と１４が設けられている。

このストライプ状の透明電極セグメント１３と１４は、
一般に工Ｔｏ　（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）
などの透明導電膜によって形成されているが、例えば電
極線を１６Ｐｅ／（１６本／ｍｍ）で配線する場合では
、電極線の線幅が極端に細くなって高抵抗となるため、
通常の電卓やウォッチなどで使用されているセグメント
電極に較べ肉厚に、具体的には８００Ｘ〜！ｌ　Ｏ００
Ｘ程度好ましくは、１０Ｇ０Å〜１ｓｏｏＸとすること
が、低抵抗化とする上で必要となっている。

従って、高密度画素の液晶素子では、基板の面と電極の
面との間に透明電極セグメントの膜厚外（ａｏｏＸ〜５
ｏＯａｒ）の段差ムが形成されて、降温過穐を利用して
配向制御を行なう時、上述の役差ムが原因とな゛つて、
そめ段差ムを堺にして強誘電性液晶１７に配向欠陥を生
じることになる。又、この段差ムが存在する基板１１と
１２の上にそれぞれ配向制御膜１５と１６を設けると、
との配向制御膜にも段差ムに応じて形成された段差Ｂが
電極のほぼ膜厚外で生じ、上述の同様に強誘電性液晶１
７ｉＣ配向欠陥を生じていた。

第２図は、下達の比較例で示す強誘電性液晶素子をクロ
スニコルの（１元顕微鏡で観察した時のスケッチで、図
中の白線２１は液晶素子に使用したスペーナ（第１図の
１８）のラインに対応し、＠２２は第１図の基板１１上
の段差ＢＫ。

線２３は第１゛図の基板１２上の段差Ｂに対応して観察
されている。又１図中の部分２４は対向電極間に１１１
！まれ九強誘電性液晶である。偏光顕微鏡中に多数現出
した刃状線２５は、強訴電性液晶の配向欠陥な表わして
いる。

この様に強誘電性液晶の接する面で８ｏｏＸ以上の段差
が存在すると、その段差から配向欠陥を生じ、強誘電性
液晶のモノドメイン形成は阻害される。

第３図は、本発明の好ましい強誘電性液晶素子の断面図
である。

第３図で示された素子３０は、ガラス板又はプラスチッ
ク板などの透明板を用いた基板３１と３２を有し、その
間に強誘電性液晶３３が挾まれている。各基板３１と３
２８Ｃはマトリクス電極構造を形成するストライプ形状
の透明電極セグメント３４と３５がそれぞれ配線されて
いる。

基板３１には、隣シ合うストライプ状透明電極セグメン
）　３４ａとｓａｂとの間には絶縁膜で形成した平担化
膜３８が配置されている。基板３２に４、゛隣グ合うス
トヅイプ状透明電極セグメント３５０間にも、前述と同
様の絶縁膜で形成した平担化膜（図示せず）を設けるこ
とができる。

前述した平担化膜水８は、以下の様にして調製するとと
ができる。゛　　′　□　　　　″まず、基板ｓ１とな
るガラス板やプラスチレフフィルムの上１／ＣＺＴＯ膜
をメパッタリン゛グ蒸着法やイオンプレーティンｊ蒸着
法によって被膜形成させた後、！Ｔｏｌｌの上に一１ｉ
ｉＫクロム膜などの金属膜をＺＴＯ＠の３〜５倍程度め
膜厚で□形成し、次らで通常のフォトリシグラフイー技
術とエツチング技術によってＭ４図（ａ）　Ｋ示すパタ
ーニングされたｆＴｏ膜３４と金属膜４１を形成する。

次いで、第４図（１））　Ｋ示す機にパターニングされ
たＫＴＯ膜３４とマスクとして機能する金属膜４１が形
成されている基板３１の上に一面ＩＩｃ′８１０、θ１
０＠　、　Ｔｉ０１　、　ｒａ！ｏＩ　、　ｇｒｏ、　
＋Ａ／！　Ｏ＠などノ無磯絶縁物質の蒸着層４２番前述
のＺＴＯＩｊ１３４と同程度の膜厚で形成し、その後第
４図ｃｃ）に示す様に金Ｊｉ１＠４１をエツチングする
ことによ凱その上Ｋ［接形成されている無機絶縁物質の
蒸着層４２ｍ）を同時に除去し、平担化膜３８となる無
接絶縁物質の蒸Ｒ膜４２ａが＠シ合うＸ’ｌ’ＯＩｌｌ
　Ｓ４間に形成される。

本発明の液晶素子では、透明電極セグメント３４の膜厚
（ｔｌ　Ａ）と絶縁膜で形成した平担化膜３８０膜厚（
ｔｔａ）との間で一５００ム≦１１−１．≦５０ＯＡの
関係を瀾たす必要があシ、好ましくは一３００ムぶｔ、
、＝−ｔｊ≦３００；とすることが必要である。すなわ
ち、本発明者らの知見によれば、素子内における強誘電
性液晶３３が基板３１又は３２に接する時、基板３１又
は３２で生じる段差が５００Ａ以下であればＭ２図に示
す様な配向欠陥の発生を笑用範囲内に抑制することがで
きる。従って、本発明では１ｍ−１，を−５ｏｏＸ〜５
ｏｏＸ、好ましくは一３ｏｏＸ〜３００Ｘと設定する点
に第２の特徴を有している。

かかる１ｔ、−ｔ、１の値が５ｏｏＸを越えると、下達
の比較例でも明らかにする様に第２図に示す如き配向欠
陥が多数発生し、モノドメインの８ｍＯ※が形成されな
い。

レーティング蒸着法によって被膜形成させて得ることが
できるが、有機絶縁物質を蒸着法によって被り形成させ
た蒸着膜も使用することができる。この方法に使用でき
る有機絶縁物質としてポリ７ツ化エチレンなどのポリフ
ッ化オレフィンが適している。

本発明の液晶素子は、透明電極セグメント３４と平坦化
膜３８との上に配向制御膜３６を設けることが好ましい
。又、もう一方の基板３２の側にも同様に配向制御膜３
７を設けることかで゛きるが、配向制＠ｈ１５６と３７
のうち一方の配向制御膜は省略することも可能である。

＃に、強誘電性液晶３３が少なくとも２つの安定配向状
態をもつカイラルスメクチック液晶、特に双安定性カイ
ラルスメクチック液晶の時、第１の安定配向状態と第２
の安定配向状態の安定化エネルギーを等しくする（第１
の安定配向状態の閾値電圧と第２の安定配向状態の閾値
電圧の差を少なくする）ために１配向制御膜を一方のみ
の基板に設けるのがよい。

この配向制御＠３６と３７の材料としては、例えば、ポ
リビニルアルコール、ボリイミ）ＩＩ、ポリアミドイミ
ド、ポリエステルイミド、ポリバラキシリレン、ポリエ
ステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポ
リ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチ
レン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、ア
クリル樹脂などの樹脂類、あるいは感光性ポリイミド、
感光性ポリアミド、衰化ゴム系フォトレジスト、フェノ
ールノボラック系フォトレジストあるいは電子線フォト
レジスト（ポリメチルメタクリレート、エポキシ化−１
，４−ポリブタジェンなど）などから選択して用いるこ
とが好ましい。そして、この膜に一方向にラビング処理
などによる一軸性配向処理を施すことによって、基板３
１と５２に対して垂直に形成したスメクチック分子層を
一方向に優先して配向させることができる。

第５図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。５１ａと５１ｂは、／ｎ
、Ｏ！、ＳｎＯ，あるいは工Ｔｏ（工ｎｄｉｕｍ−Ｔｉ
ｎＯｘｌｅ’）等の薄膜からなる透明電極で被覆された
基板（ガラス板）であシ、その間にスメクチック分子層
５２がガラス面に垂直になるよう配向した８ｍＯ”相又
は８ｍＨ’相の液晶が封入されている。太線で示した線
５３が液晶分子を表わしておシ、この液晶分子５３はそ
の分子に直交し念方向に双極子モーメント（Ｐ工）５４
を有している。

基板５１ａと５１１）上の電極間に一定の閾値以上の電
圧を印加すると、液晶分子５３のらせん構造がほどけ、
双隋子モーメン）　（Ｐ工）５４がすべて電界方向に向
くよう、液晶分子５３は配向方向を変えることができる
。液晶分子５３は、細長い形状を有しており、その長軸
方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガ
ラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を電けば、
電田印７１０極性によって光学特性が変わる液晶光学変
調素子となることは、容易に理解される。

本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第６Ｍ
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造がほどけ、非らせん構造となシ、その双極子
モーメン）　ＰａまたはＰＩ）は上向き（６４ａ）又は
下向き（６４ｂ）のどちらかの状態をとる。このような
セルに、第６図に示す如く一定の１：閾値以上の極性の
異る電界ｇａ又はｇ’ｂを電圧印加手段６１ａと６１ｂ
によシ付与すると、双極子モーメントは、電界ｇａ又は
Ｅｔｌｌの電界ベクトルに対応して上向き６４ａ又は下
向き６４１）と向きを変え、それに応じて液晶分子は、
第１の安定状態６５ａか、あるいは第２の安定状態６３
に＋の何れか１方に配向する。

このよう３強誘電性を液晶素子として用いることの利点
は、先に述べたが２つある。その第１は、応答速度が極
めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双安定性
を有することである。＠２の点を、例えば第６図によっ
て更に説明すると、電界１１！ａを印児すると液晶分子
は第１の安定状態６５ａに配向するが、この状態は電界
を切っても安定である。又、逆向きの電界ｉｂを印加す
ると、液晶分子は第２の安定状態６５ｂに配向してその
分子の向きを変えるが、やはシミ界を切ってもこの状態
に留っている。又、与える電界Ｅ＆が一定の閾値を越え
々い限）、それぞれの配向状態にやは）維持されている
。このような応答速度の速さと、双安定性が有効に笑現
されるにはセルとしては出来るだけ薄い方が好ましい。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

実施例　１ ガラス基板上＆Ｃ，高周波スパッタリング法によ３＋１
ｏ’ａｏＸの工ＴＯ膜を蒸着形成した。しかる後、同一
の蒸着膜ｆ！ｔＫよジターゲットを工↑０がらクロム（
Ｏｒ）に変えることによυ％３０００Ｘのクロム膜を蒸
着形成した。

次に１このガラス基板上にポジ型レジスト（”ＡＺ−１
３７０”Ｈｏｅｃｈａｔ社製）をスピンナーを用いて膜
厚１μｍとなる様に塗布し、プレベークした。このレジ
スト層上にマスク巾８０μｍでマスク部のピッチ１００
μｍのストライプ状ｉスクを用いて露光した。次いで、
現像、水洗してストライプパターンのマスクを形成し九
。ポストヘ−／後、　硝ｅｌ第２セリウムアンモニウム
と過塩素酸と水の混合液でクロム膜をエツチングした後
、塩化第２鉄と塩酸と水の混合液でＸＴＯ膜をエツチン
グによるバターニングを行なった。

次いでポジ型レジストを剥離して、第４図（ａ）の態様
とした後、高周波スパッタ法によシ８１ｏ！を１ｏｏｏ
Ｘの膜厚で蒸着して、８１ｏ！の蒸着膜を形成した（第
４図（ｂ））。その後、前記と同様のクロム用エツチン
グ液に浸漬するととｋよシ、残シのクロム膜とその上の
ｓｌｏ、膜間時に除去し、第４図（ｃ）の態様とした。

さらにζこ儂板上にポリイζド第１ｏｏｏＸを塗設した
後、先にバターニングされたストライプ状ＺＴＯ膜のス
トライプ長手方向に沿って布によるラビング処理を行な
った。次いで、この基板上１ｃ１μｍ径のアルミナピー
ズを全面均一に塗布して（Ａ）　１１を極板を作製した
。

尚、ポリイミド膜はピロメリット酸二無水物ト４，４Ｉ
−ジアミノジフェニルエーテルとの脱水縮合体であるポ
リアミック酸のＮ−メチルピロリドン溶液を塗布した後
、１８０℃加熱による脱水閉環反応によシポリイミド展
を形成した。

別途、（ＡＩ電極板を作成した時に用いたラビング方向
をストライプ状ＩＴＯ膜のストライプ長手方向に対して
垂直方向としたほかは全く同様にして（Ｂ）電極板を作
製した。但し、アルミナピーズの散布は省略した。

ｒｉ＋電極板と（Ｂｌ電極板のストライプ状パターン電
極が直交する様（それぞれのラビング方向が平行となる
様Ｋ）Ｋセル組し、ＤＯＢＡＭＢＯをｉａ。

ｔｒｏｐｉｏ相になるまで加熱して、上記セルに封入し
な。セルの温度を徐々（０，５℃／時間）に冷却し、モ
ノドメイン液晶素子を作製した。

この液晶素子をクロスニコルの偏光顕微鏡で観察したと
ころ、下達の比較例で現われ、ていた刃状線の配向欠陥
を全く生じていないことが判明した。

比較例　１ ガラス基板上に、高周波スパッタリング法によシロ００
ムのＸＴＯ＠を蒸着形成し、この上に実施例１と同様の
ポジ型レジスト膜を形成し、同様のマスクを用いてレジ
スト膜を露光し、現像し、水洗し死後、！Ｔｏ膜をエツ
チングにょシバターニングした。次いで、実施例１と同
様のポリイミド膜を１０００ムの膜厚で塗設した後、バ
ターニングされたストライプ状ｆＴｏ膜の長手方向に沿
ってうぎング処理を施して、（Ｃ）電極板を作成し九。

別途、（Ｃ）電極板を作成した時に用いたラビング方向
をストライプ状工ＴＯ膜のストライプ長手方向く対して
ＷＩ：Ｗ方向としたほかに全く同様にして（功電葎板を
作成した。

ｒａｔ電極板とＣ切電極板を実施例１と同様にしてセル
組みした後、同様の液晶を同様の方法で注入して液晶素
子としてから、同様の評価を行表ったところ、第２図に
示す様な刃状線の配向欠陥部が多数形成されていること
が判明した。

実施例２〜７と比較例２〜５ 実施例１の液晶素子を作成した時に用い九８１０、膜の
膜厚を下記第１表の如く変更したほかは、実施例１と全
く同様の方法で液晶素子を作成し、同様の評価を行なっ
た。その結果を第１表に示す。

第　１　表 実施例２　　　　　　１５００　　　　　　　　０ｕ　
　５　　　　　１ｓｏｏ　　　　　　　ＯＩＩ　　４　
　　　　１１００　　　　　　　ＯＩＩ　　５　　　　
　　９００　　　　　　　◎”　　６　　　　　　７０
０　　　　　　　Ｑｎ　　７　　　　　　　ｓｏｏ　　
　　　　　Ｏ比較例２　　　　　　１８００　　　　　
　　　　Ｘ＃　　Ｓ　　　　　　１６００　　　　　　
　Δ＃　　４　　　　　　４００　　　　　　　Δ＃　
　　５　　　　　　　　　　　２００　　　　　　　　
　　　　　Ｘ（表中、◎は配向欠陥が皆無の状態、Ｏは
配向欠陥がわずかに見られるが実用上問題とはならない
状態、Δは配向欠陥が電極間に発生しており、実用上問
題となる状態、×は配向欠陥が多数発生している状態を
それぞれ示している。） 実施例　８ 実施例１の液晶素子を作成した時に用いた（Ｂｌ電極板
に形成したポリイミド膜及びそのラビング処理の使用を
省略したほかは、５Ｊ！施例１と全く同様の方法で液晶
素子を作成し、評価を行なったところ、配向欠陥は全く
観察されない上、液晶駆動時（２０ボルトの矩形パルス
、３００μｓｅｃで駆動）Ｋ、良好な双安定性が観察さ
れた。

〔発明の効果〕

本発明によシ強籾電性液晶素子の全面に渡って均一な配
向制御が可能となり、液晶の完全な０Ｎ−ＯＦＦ動作を
行なうようになった。このた３従来の段差による配向欠
陥があるものに比較して見映がよくなるだけではなく見
掛上のコントラストもよくなる効果もあった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の強誘電性液晶素子の断面図である。第
２図は、従来の強誘電性液晶素子をクロスニコルの偏光
顕微愛で観察した時のスケッチを示す説明図である。第
３図は本発明の強誘電性液晶素子の断面図である。第４
図（ａｌ〜（ｃｌは、本発明で用いる平担化膜を形成す
るプロセスを表わす断面図である。第５図及び第６図は
、本発明で用いる強誘電性液晶素子を模式的に表わす説
明図である。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）一対の平行基板間に強誘電性液晶を有する液晶素
   子において、前記一対の平行基板のうち少なくとも一方
   の基板が複数の透明電極セグメント有しているとともに
   、隣り合う前記透明電極セグメント間に絶縁膜で形成し
   た平担化膜を有していることを特徴とする液晶素子。
2. （２）前記透明電極セグメントの膜厚（ｔ＿１Å）と前
   記絶縁膜の膜厚（ｔ＿２Å）との間で−５００Å≦ｔ＿
   １−ｔ＿２≦５００Åの関係を有している特許請求の範
   囲第１項記載の液晶素子。
3. （３）前記透明電極セグメントの膜厚（ｔ＿１Å）が８
   ００Å〜３０００Åである特許請求の範囲第２項記載の
   液晶素子。
4. （４）前記透明電極セグメントの膜厚が１０００Å〜１
   ５００Åである特許請求の範囲第２項記載の液晶素子。
5. （５）前記絶縁膜が無機絶縁物質を被膜形成して得た膜
   である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
6. （６）前記無機絶縁物質がＳｉＯ、ＳｉＯ＿２、ＴｉＯ
   ＿２、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ａｌ＿２Ｏ＿３及びＺｒＯ＿２
   からなる群より選択された少なくとも１種の物質である
   特許請求の範囲第５項記載の液晶素子。
7. （７）前記絶縁膜が無機絶縁物質の蒸着膜である特許請
   求の範囲第１項記載の液晶素子。
8. （８）前記無機絶縁物質がＳｉＯ＿２である特許請求の
   範囲第７項記載の液晶素子。
9. （９）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶で
   ある特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
10. （１０）前記強誘電性液晶が少なくとも２つの安定配向
    状態をもつカイラルスメクチツク液晶である特許請求の
    範囲第１項記載の液晶素子。