JPS62148590A - ホウ酸インジウム螢光体 - Google Patents
ホウ酸インジウム螢光体Info
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- JPS62148590A JPS62148590A JP29154685A JP29154685A JPS62148590A JP S62148590 A JPS62148590 A JP S62148590A JP 29154685 A JP29154685 A JP 29154685A JP 29154685 A JP29154685 A JP 29154685A JP S62148590 A JPS62148590 A JP S62148590A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、主としてコンピュータ一端末などのディスプ
レイ管に使用される残光性のホウ酸インジウム蛍光体に
関し、さらに詳しくは、電流特性、発光輝度、及びバー
ニング特性の優れたホウ酸インジウム蛍光体に関する。
レイ管に使用される残光性のホウ酸インジウム蛍光体に
関し、さらに詳しくは、電流特性、発光輝度、及びバー
ニング特性の優れたホウ酸インジウム蛍光体に関する。
Ｂ、従来の技術及び問題点
近年、コンピュータ一端末などのディスプレイ用モノク
ローム陰極線管に、目を疲れさせにくい発光色として、
だいたい色が好んで使用される傾向がある。
ローム陰極線管に、目を疲れさせにくい発光色として、
だいたい色が好んで使用される傾向がある。
従来の、だいだい色に発光する蛍光体として、ＬＡ蛍光
体［Ｃｄ５Ｃ１（ＰＯ４） ３：Ｍｎｌが知られている
。この蛍光体は発光輝度が高く、１０％残光時間は３０
ｍ秒程席上比較的長く、ディスプレイ用に使用した場合
、優れた特性を示している。
体［Ｃｄ５Ｃ１（ＰＯ４） ３：Ｍｎｌが知られている
。この蛍光体は発光輝度が高く、１０％残光時間は３０
ｍ秒程席上比較的長く、ディスプレイ用に使用した場合
、優れた特性を示している。
しかしながら、この蛍光体は、全体の重量の５０％以上
が有害なカドミウムの為、公害あるいは作業環境などの
観点から、Ｃｄの含有しないものが望まれている。
が有害なカドミウムの為、公害あるいは作業環境などの
観点から、Ｃｄの含有しないものが望まれている。
これに対し、カドミウムを含有しない残光性のだいだい
色発光蛍光体として、ＩｎＢＯ３：Ｅｕ、Ｔｂ（特開昭
５９−１０５０７５号）が開発されている。
色発光蛍光体として、ＩｎＢＯ３：Ｅｕ、Ｔｂ（特開昭
５９−１０５０７５号）が開発されている。
又、紫外線で刺激されてだいだい色に発光するランプ用
に使用されるホウ酸インジウム蛍光体として、（Ｉｎ、
Ｙ、Ｌａ）ＢＯ３：Ｅｌｌが提案されている（特開昭５
９−５１７８３号）。
に使用されるホウ酸インジウム蛍光体として、（Ｉｎ、
Ｙ、Ｌａ）ＢＯ３：Ｅｌｌが提案されている（特開昭５
９−５１７８３号）。
しかしながら、これ等の蛍光体は、電流密度に比例する
発光輝度の直線性、即ち電流特性が充分でなく、高電流
密度における発光輝度の改善が望まれていた。
発光輝度の直線性、即ち電流特性が充分でなく、高電流
密度における発光輝度の改善が望まれていた。
特に、この種の蛍光体の主たる用途が、コンピュータデ
ィスプレイ用のブラウン管であることから、この種の用
途の蛍光体は高電流密度領域で使用されることが多く、
電流特性が特に大切である。
ィスプレイ用のブラウン管であることから、この種の用
途の蛍光体は高電流密度領域で使用されることが多く、
電流特性が特に大切である。
本発明の重要な目的は、電流特性が優れたホウ酸インジ
ウム蛍光体を提供することにある。
ウム蛍光体を提供することにある。
Ｃ０問題点を解決するための手段
本発明者は、このホウ酸インジウム蛍光体の電流特性を
向上する目的で種々の試験を行ったところ、特定量のＳ
ｍ（サマリウム）を含有することにより、この特性を著
しく改善できることを見い出した。
向上する目的で種々の試験を行ったところ、特定量のＳ
ｍ（サマリウム）を含有することにより、この特性を著
しく改善できることを見い出した。
Ｓｍを含有する本発明の蛍光体が優れた電流特性を示す
ことを第１図に示す。
ことを第１図に示す。
第２図に於て、曲線ａはＥｕの含有量が０．４８重量％
のホウ酸インジウム蛍光体に、蛍光体母体に対してＳ’
ｍを７．２Ｘ１０−３重量％含有した本発明の蛍光体（
ＩｎＢＯ３：Ｅｕ、Ｓｍ）の電流特性を示し、曲線すは
Ｓｍを含有せず、Ｅｕ含有量が同量である従来のホウ酸
インジウム蛍光体（ＩｎＢＯ３：Ｅｕ）の電流特性を示
す。
のホウ酸インジウム蛍光体に、蛍光体母体に対してＳ’
ｍを７．２Ｘ１０−３重量％含有した本発明の蛍光体（
ＩｎＢＯ３：Ｅｕ、Ｓｍ）の電流特性を示し、曲線すは
Ｓｍを含有せず、Ｅｕ含有量が同量である従来のホウ酸
インジウム蛍光体（ＩｎＢＯ３：Ｅｕ）の電流特性を示
す。
第１図に於て、電流特性は次の様にして測定した。
電流密度が０．０５μＡ／ｃｍ２であるときの蛍光体の
発光輝度を１００％とし、電流密度を１０培、１００倍
としたとき、発光輝度がそのまま１０倍、１００倍と直
線的に変化する理想的蛍光体を仮定し、その理想的蛍光
体の個々の電流密度における発光輝度を１００％とした
ときの相対発光輝度を電流特性と定義し測定した。
発光輝度を１００％とし、電流密度を１０培、１００倍
としたとき、発光輝度がそのまま１０倍、１００倍と直
線的に変化する理想的蛍光体を仮定し、その理想的蛍光
体の個々の電流密度における発光輝度を１００％とした
ときの相対発光輝度を電流特性と定義し測定した。
第１図に示すように、本発明の蛍光体は、電流密度が５
μＡ／ ｃ ｒｎ２のときに、従来の蛍光体が理想の蛍
光体から相対発光輝度が１５％も低下したのに対し、本
発明の蛍光体は５％の低下に止まった。
μＡ／ ｃ ｒｎ２のときに、従来の蛍光体が理想の蛍
光体から相対発光輝度が１５％も低下したのに対し、本
発明の蛍光体は５％の低下に止まった。
電流密度が５μＡ／ｃｍ２のときに、理想の蛍光体の発
光輝度を１００％としたとき、Ｓｍの含有量が異なる蛍
光体の相対発光輝度を第２図に示す。
光輝度を１００％としたとき、Ｓｍの含有量が異なる蛍
光体の相対発光輝度を第２図に示す。
即ち、第２図は電流密度を５μＡ／Ｃｍ２一定とし、Ｓ
ｍ含有量を変えたときに、発光輝度が電流密度に比例す
る理想の蛍光体からどの程度発光輝度が低下するかを示
している。この図から明らかなように、Ｓｍの含有量が
特定の範囲に於ては、Ｓｍの含有量が増加するに従って
、理想の蛍光体からの発光輝度の低下が抑制されて電流
特性か改善される。しかしながら、含有量が特定量を越
えると電流特性もしだいに低下する。又、第３図に示す
ように、Ｓｍの含有量が特定量から増加するに従って発
光輝度は低下する。従ってＳｍの含有量は電流特性と発
光輝度の両方を考慮して、蛍光体母体に対して通常５重
塁％以下、好ましくは２ＸＩＯ−３重塁％以上１重量％
以下に決定される。
ｍ含有量を変えたときに、発光輝度が電流密度に比例す
る理想の蛍光体からどの程度発光輝度が低下するかを示
している。この図から明らかなように、Ｓｍの含有量が
特定の範囲に於ては、Ｓｍの含有量が増加するに従って
、理想の蛍光体からの発光輝度の低下が抑制されて電流
特性か改善される。しかしながら、含有量が特定量を越
えると電流特性もしだいに低下する。又、第３図に示す
ように、Ｓｍの含有量が特定量から増加するに従って発
光輝度は低下する。従ってＳｍの含有量は電流特性と発
光輝度の両方を考慮して、蛍光体母体に対して通常５重
塁％以下、好ましくは２ＸＩＯ−３重塁％以上１重量％
以下に決定される。
第３図に示すホウ酸インジウム蛍光体は、Ｅｕの含有量
を蛍光体母体に対して０．４８重量％一定とし、Ｓｍの
含有量を変えたときの発光輝度とを示す。
を蛍光体母体に対して０．４８重量％一定とし、Ｓｍの
含有量を変えたときの発光輝度とを示す。
本発明のホウ酸インジウム蛍光体の発光輝度は、付活剤
であるＥｕの含有量に左右される。この状態を第４図に
示す。第４図に示される蛍光体は発光輝度をより高くす
る目的で、Ｔｂを蛍光体母体に対して７Ｘ１０−３重量
％含有し、Ｓ ｍを７．２ＸＩＯ−３重量％含有するホ
ウ酸インジウム蛍光体（ＩｎＢＯ３：Ｔｂ、Ｓｍ）に種
々の量のＥｕを含有されたときの相対発光輝度を示す。
であるＥｕの含有量に左右される。この状態を第４図に
示す。第４図に示される蛍光体は発光輝度をより高くす
る目的で、Ｔｂを蛍光体母体に対して７Ｘ１０−３重量
％含有し、Ｓ ｍを７．２ＸＩＯ−３重量％含有するホ
ウ酸インジウム蛍光体（ＩｎＢＯ３：Ｔｂ、Ｓｍ）に種
々の量のＥｕを含有されたときの相対発光輝度を示す。
ところで、第３図、第４図、第６図に於て相対発光輝度
は、従来のＣｄｓＣＩ （Ｐ Ｏａ） ３ ： Ｍｎ
（ＬＡ蛍光体）の最も発光輝度の高いものを１００％と
した相対値を示している。
は、従来のＣｄｓＣＩ （Ｐ Ｏａ） ３ ： Ｍｎ
（ＬＡ蛍光体）の最も発光輝度の高いものを１００％と
した相対値を示している。
第４図より、本発明の蛍光体は、Ｅｕの含有量が０．０
５〜３重量％の範囲で輝度は６０％以上であり、０．１
〜１重量％の範囲では７０％以上となる。
５〜３重量％の範囲で輝度は６０％以上であり、０．１
〜１重量％の範囲では７０％以上となる。
従って、本発明のホウ酸インジウム蛍光体のＥＵの含有
量は、通常０．０５〜３重量％の範囲で、望ましくは０
．１〜１重量％に決定されろ。
量は、通常０．０５〜３重量％の範囲で、望ましくは０
．１〜１重量％に決定されろ。
又、本発明のホウ酸インジウム蛍光体にＢａ、Ｓｒ、Ｃ
ａ、Ｍｇのうち少なくとも一種を蛍光体母体に含有させ
ると蛍光体のバーニング特性が改善される。
ａ、Ｍｇのうち少なくとも一種を蛍光体母体に含有させ
ると蛍光体のバーニング特性が改善される。
蛍光体のバーニング特性を第５図に示す。この図に於て
、曲線ａはＥｕの含有量が０．４８重量％、Ｓｍの含有
量が７．２Ｘ１０−３重量％である本発明のホウ酸イン
ジウム蛍光体に、Ｂａを４×１０−３重量％含有させた
蛍光体（ＩｎＢＯ３：Ｅｕ、Ｓｍ、Ｂａ）のバーニング
特性を示し、曲線すはＢａを含有しないＥｕ、Ｓｍ含有
量が同量のホウ酸インジウム蛍光体（ＩｎＢＯ３：Ｅｕ
、Ｓｍ）のバーニング特性を示す。
、曲線ａはＥｕの含有量が０．４８重量％、Ｓｍの含有
量が７．２Ｘ１０−３重量％である本発明のホウ酸イン
ジウム蛍光体に、Ｂａを４×１０−３重量％含有させた
蛍光体（ＩｎＢＯ３：Ｅｕ、Ｓｍ、Ｂａ）のバーニング
特性を示し、曲線すはＢａを含有しないＥｕ、Ｓｍ含有
量が同量のホウ酸インジウム蛍光体（ＩｎＢＯ３：Ｅｕ
、Ｓｍ）のバーニング特性を示す。
バーニング特性は次の様にして測定した。
パイレックスガラスに蛍光体を塗布し、アクリルラッカ
ーフィルＳフグ、メタルバックを施して、輝度測定装置
にて２７ｋＶて２０μＡ／ｃｍ２の電子線を蛍光体塗布
膜に走査し、強制劣化させた面を得る。強制劣化させて
いない蛍光体塗布膜の発光輝度を２７ｋＶで０．５μＡ
／ｃｍ２で測定したものを１００％として、強制劣化さ
せた蛍光体塗布膜の発光輝度を測定し、その相対値を百
分率で表した値を特定時間のバーニング特性とする。
ーフィルＳフグ、メタルバックを施して、輝度測定装置
にて２７ｋＶて２０μＡ／ｃｍ２の電子線を蛍光体塗布
膜に走査し、強制劣化させた面を得る。強制劣化させて
いない蛍光体塗布膜の発光輝度を２７ｋＶで０．５μＡ
／ｃｍ２で測定したものを１００％として、強制劣化さ
せた蛍光体塗布膜の発光輝度を測定し、その相対値を百
分率で表した値を特定時間のバーニング特性とする。
Ｂａ、Ｓ ｒ、Ｃａ、Ｍｇが本発明の蛍光体に含有され
て効果のある範囲は、０〜０．５重量％の範囲で、０．
５重量％より多く含有するとバーニング特性のみならず
、発光輝度、電流特性等が低下した。従って、本発明の
好ましい実施例に於ては、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ等の
２価金属がＯ〜０．５重量％以下含有される。
て効果のある範囲は、０〜０．５重量％の範囲で、０．
５重量％より多く含有するとバーニング特性のみならず
、発光輝度、電流特性等が低下した。従って、本発明の
好ましい実施例に於ては、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ等の
２価金属がＯ〜０．５重量％以下含有される。
更に、本発明の好ましい実施例に於ては、電流特性、バ
ーニング特性を改善した前述のホウ酸インジウム蛍光体
に、微量のＴｂが含有され、Ｔｂによって、発光輝度が
さらに向上される。この状態を第６図に示す。第６図は
蛍光体母体に対してＥｕを０．４８重量％、Ｓｍを７．
２×１０−３重量％含有するホウ酸インジウム蛍光体（
Ｉ ｎＢ。
ーニング特性を改善した前述のホウ酸インジウム蛍光体
に、微量のＴｂが含有され、Ｔｂによって、発光輝度が
さらに向上される。この状態を第６図に示す。第６図は
蛍光体母体に対してＥｕを０．４８重量％、Ｓｍを７．
２×１０−３重量％含有するホウ酸インジウム蛍光体（
Ｉ ｎＢ。
３：Ｅｕ、Ｓｍ）に種々の含有量のＴｂを含有させたと
きの相対発光輝度を示す。
きの相対発光輝度を示す。
第６図に於て、Ｔｂの含有量が蛍光体母体に対して、０
．５重量％以下含有された本発明の蛍光体は、相対発光
輝度が６０％以上を示し、１×１０−３〜０．１５重量
％の範囲で７０％以上を示し、２Ｘ１０−３〜８Ｘ１０
−２重量％の範囲で７５％以上を示す。
．５重量％以下含有された本発明の蛍光体は、相対発光
輝度が６０％以上を示し、１×１０−３〜０．１５重量
％の範囲で７０％以上を示し、２Ｘ１０−３〜８Ｘ１０
−２重量％の範囲で７５％以上を示す。
又、Ｔｂの含有量に応じて、蛍光体の発光色も変化する
。この状態を第７図に示す。Ｔｂの含有量が零のとき色
調Ｘ値（赤み）は０．６０である。
。この状態を第７図に示す。Ｔｂの含有量が零のとき色
調Ｘ値（赤み）は０．６０である。
Ｔｂの含有量を増加するに従いＸ値は次第に小さくなる
が、２Ｘ１０−２重量％以内では色調変化は比較的少な
く、それ以上Ｔｂを含有すると、急激にＸ値は減少し、
色調は黄みが増す。従ってＴｌ）の含有量を３．２Ｘ１
０−３〜０．１２重量％の範囲に調整することによって
、赤みの強いだいたい色発光蛍光体を実現できる。
が、２Ｘ１０−２重量％以内では色調変化は比較的少な
く、それ以上Ｔｂを含有すると、急激にＸ値は減少し、
色調は黄みが増す。従ってＴｌ）の含有量を３．２Ｘ１
０−３〜０．１２重量％の範囲に調整することによって
、赤みの強いだいたい色発光蛍光体を実現できる。
この為、本発明の更に好ましい実施例に於ては、Ｔｂを
０．５重量％以下、好ましくはＩＸＩＯ−３〜０．１５
重量％、更に好ましくは２Ｘ１０−３ないし８Ｘ１０−
２重量％含有させ、その含有量を制御して、発光輝度を
高く、あるいは発光色を調整する。
０．５重量％以下、好ましくはＩＸＩＯ−３〜０．１５
重量％、更に好ましくは２Ｘ１０−３ないし８Ｘ１０−
２重量％含有させ、その含有量を制御して、発光輝度を
高く、あるいは発光色を調整する。
又、ホウ酸インジウム蛍光体にＰｒ、Ａｌ、Ｇａ５Ｔｌ
、Ｃｅ％Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｍの３価の金属の少なくとも１
種を微量含有することにより、発光輝度がさらに数パー
セント向上できる。 この状態を第８図に示す。この図
に示される蛍光体は、Ｅｕの含有量が０．４８重量％、
Ｓｍの含有量が７．２Ｘ１０−３重量％、Ｔｂの含有量
が７×１０−３重量％であるホウ酸インジウム蛍光体（
ＩｎＢＯ３：Ｅｕ５５ｍ、Ｔｂ）で、この蛍光体のＰｒ
含有量に対する相対発光輝度の関係を示す。
、Ｃｅ％Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｍの３価の金属の少なくとも１
種を微量含有することにより、発光輝度がさらに数パー
セント向上できる。 この状態を第８図に示す。この図
に示される蛍光体は、Ｅｕの含有量が０．４８重量％、
Ｓｍの含有量が７．２Ｘ１０−３重量％、Ｔｂの含有量
が７×１０−３重量％であるホウ酸インジウム蛍光体（
ＩｎＢＯ３：Ｅｕ５５ｍ、Ｔｂ）で、この蛍光体のＰｒ
含有量に対する相対発光輝度の関係を示す。
Ｐｒ含有量を特定の範囲に調整すると発光輝度が増加し
、蛍光体母体に対してＰｒを７．５Ｘ１０″３重量％含
有したとき、最高の発光輝度（９０％）を示し、それよ
り多くなるとしだいに低下する。
、蛍光体母体に対してＰｒを７．５Ｘ１０″３重量％含
有したとき、最高の発光輝度（９０％）を示し、それよ
り多くなるとしだいに低下する。
更に、Ｐｒに代わって、あるいはＰｒに加えて他の３価
の金属そあるＡｌ、Ｇａ、ＴＩ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｔｍを本
発明の蛍光体に含有させても輝度は向上した。これらＡ
ｌ、Ｇａ、ＴＩ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｔｍについて輝度向上効
果を調べたところ、これ等の含有量が０〜５Ｘ１０−’
重量％の範囲に於て、発光輝度が向上した。
の金属そあるＡｌ、Ｇａ、ＴＩ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｔｍを本
発明の蛍光体に含有させても輝度は向上した。これらＡ
ｌ、Ｇａ、ＴＩ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｔｍについて輝度向上効
果を調べたところ、これ等の含有量が０〜５Ｘ１０−’
重量％の範囲に於て、発光輝度が向上した。
従って、本発明の最も好ましい実施例に於てはＰｒ、Ａ
ｌ、Ｇａ、ＴＩ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｔｍの少なくとも一種の
金属を含有し、その含有量の好ましい値は０〜５Ｘ１０
−１重量％の範囲に調整される。
ｌ、Ｇａ、ＴＩ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｔｍの少なくとも一種の
金属を含有し、その含有量の好ましい値は０〜５Ｘ１０
−１重量％の範囲に調整される。
又、本発明のホウ酸インジウム蛍光体は、母体のＩｎ１
ｉ：Ｙで置換すると、発光色に変化を起こさず発光輝度
が数パーセント向上する。発光輝度は、Ｙの置換量が０
．６モル以下で向上する。又、Ｙに代わって、あるいは
Ｙに加えてＬａ、Ｓｃ、Ｇｄ、ＬｕでＩｎの一部を置換
することもできる。
ｉ：Ｙで置換すると、発光色に変化を起こさず発光輝度
が数パーセント向上する。発光輝度は、Ｙの置換量が０
．６モル以下で向上する。又、Ｙに代わって、あるいは
Ｙに加えてＬａ、Ｓｃ、Ｇｄ、ＬｕでＩｎの一部を置換
することもできる。
従って、本発明の蛍光体はＩｎの一部をこれ等の金属で
置換することもできる。
置換することもできる。
Ｄ、好ましい実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１゜
金属Ｉｎを６７０ｇ、Ｅｕ２Ｏ３を６．２ｇ、Ｔｂ４Ｏ
７を０．１１ ｇＳＳｍ２０３を０．１０ｇｅ！硝酸に
溶解し、純水で希釈しｌＯリットルとし、８０°Ｃに加
温する。（これをＡ液とする）一方、シュウ酸１７００
ｇを８０℃の純水１０リツトルに溶解する。（これをＢ
液とする）Ａ液中に、Ｂ液を徐々に滴下し、Ｉｎ、Ｅｕ
、Ｔｂ、Ｓｍの共沈シュウ酸塩を得る。これをろ別し、
８００°Ｃにて熱分解し、ｔｎ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｓｍの混
合酸化物を得る。
７を０．１１ ｇＳＳｍ２０３を０．１０ｇｅ！硝酸に
溶解し、純水で希釈しｌＯリットルとし、８０°Ｃに加
温する。（これをＡ液とする）一方、シュウ酸１７００
ｇを８０℃の純水１０リツトルに溶解する。（これをＢ
液とする）Ａ液中に、Ｂ液を徐々に滴下し、Ｉｎ、Ｅｕ
、Ｔｂ、Ｓｍの共沈シュウ酸塩を得る。これをろ別し、
８００°Ｃにて熱分解し、ｔｎ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｓｍの混
合酸化物を得る。
これにオルトホウ酸（Ｈ３ＢＯ３）７２０ｇを充分に粉
砕し、混合して、１２００℃で６時間焼成する。焼成品
を水洗、ボールミル、フルイを通したあと脱水、乾燥し
、乾式フルイを通し、本発明のＩｎＢＯ３：Ｅｕ、Ｓｍ
、Ｔｂ蛍光体を得た。
砕し、混合して、１２００℃で６時間焼成する。焼成品
を水洗、ボールミル、フルイを通したあと脱水、乾燥し
、乾式フルイを通し、本発明のＩｎＢＯ３：Ｅｕ、Ｓｍ
、Ｔｂ蛍光体を得た。
このものは分析により、Ｅｕを０．４８重１％、Ｔｂを
７．５Ｘ１（１３重量％、Ｓｍを７．４Ｘ１０−３重量
％含有していた。この蛍光体の相対発光輝度は８１％を
示し、従来のＩｎＢＯ３：Ｅｕ蛍光体に比へ１５％高く
、電流特性が５．０％向上した。又、色調はｘ＝０．５
９４、ｙ＝Ｑ、４０４であった。
７．５Ｘ１（１３重量％、Ｓｍを７．４Ｘ１０−３重量
％含有していた。この蛍光体の相対発光輝度は８１％を
示し、従来のＩｎＢＯ３：Ｅｕ蛍光体に比へ１５％高く
、電流特性が５．０％向上した。又、色調はｘ＝０．５
９４、ｙ＝Ｑ、４０４であった。
実施例２゜
濃硝酸溶解時に金属Ｉｎを６０３ｇとし、Ｙ２Ｏ３を６
５．９ｇ加える以外は、実施例１と全く同様にして本発
明の（Ｉｎ、Ｙ）ＢＯ３：ＥＬＩ、Ｓｍ、Ｔｂ蛍光体を
得た。このものは分析により母体のＩｎをＹが０．１モ
ル置換し、Ｅ ｕを０．４８重量％、Ｔｂを７．８Ｘ１
０−”重量％、’Ｓｍを７゜５Ｘ１０−３重量％含有し
ていた。この蛍光体の相対発光輝度は８３％と、従来の
（Ｉ ｎ、Ｙ）ＢＯ３：Ｅｕ蛍光体のＥｕ含有量の同量
のものに対し、１６％高く、電流特性が５．３％向上し
た。又、色調はｘ＝０．５９５、ｙ＝０．４０３であっ
た。
５．９ｇ加える以外は、実施例１と全く同様にして本発
明の（Ｉｎ、Ｙ）ＢＯ３：ＥＬＩ、Ｓｍ、Ｔｂ蛍光体を
得た。このものは分析により母体のＩｎをＹが０．１モ
ル置換し、Ｅ ｕを０．４８重量％、Ｔｂを７．８Ｘ１
０−”重量％、’Ｓｍを７゜５Ｘ１０−３重量％含有し
ていた。この蛍光体の相対発光輝度は８３％と、従来の
（Ｉ ｎ、Ｙ）ＢＯ３：Ｅｕ蛍光体のＥｕ含有量の同量
のものに対し、１６％高く、電流特性が５．３％向上し
た。又、色調はｘ＝０．５９５、ｙ＝０．４０３であっ
た。
実施例３゜
実施例１で得られたＩｎ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｓｍの混合酸化
物に、オルトホウ酸と同時に炭酸バリウム（ＢａＣＯ，
＋）を０．８ｇ混合し、その他は全く同様にして、本発
明のＩｎＢＯ３：Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｂａ蛍光体を得た
。
物に、オルトホウ酸と同時に炭酸バリウム（ＢａＣＯ，
＋）を０．８ｇ混合し、その他は全く同様にして、本発
明のＩｎＢＯ３：Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｂａ蛍光体を得た
。
このものは分析により、Ｅｕを０．４８重１％、Ｔｂを
７．５Ｘ１０−３重量％、Ｓｍを７．４Ｘ１０−３重量
％、Ｂａを４Ｘ１０−３重量％含有していた。この蛍光
体の相対発光輝度は８０％と、従来のＩｎＢＯ３：Ｅｕ
蛍光体に比べ１４％高く、電流特性が４８％向上し、バ
ーニング特性も１時間後で３．５％向上した。又、色調
はｘ＝０．５９４、Ｖ＝ｏ、４０４てあった。
７．５Ｘ１０−３重量％、Ｓｍを７．４Ｘ１０−３重量
％、Ｂａを４Ｘ１０−３重量％含有していた。この蛍光
体の相対発光輝度は８０％と、従来のＩｎＢＯ３：Ｅｕ
蛍光体に比べ１４％高く、電流特性が４８％向上し、バ
ーニング特性も１時間後で３．５％向上した。又、色調
はｘ＝０．５９４、Ｖ＝ｏ、４０４てあった。
Ｅ０発明の効果
このように、ホウ酸インジウム蛍光体は、Ｓｍを含有す
ることにより、電流特性が改善され、又、好ましい実施
例に於ては微量のＴｂを含有することにより、発光輝度
が向上し、さらにＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ等を含有する
ことによりバーニング特性を改善することができた。
ることにより、電流特性が改善され、又、好ましい実施
例に於ては微量のＴｂを含有することにより、発光輝度
が向上し、さらにＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ等を含有する
ことによりバーニング特性を改善することができた。
第１図は従来並びに本発明の蛍光体の電流特性を示すグ
ラフ、第２図は本発明の蛍光体であってＳｍの含有量に
対する理想的蛍光体と比較した相対発光輝度を示すグラ
フ、第３図はＴｂ入りとＴｂなし蛍光体のＳｍ含有量に
対する相対発光輝度のグラフ、第４図はＥｕ含有量に対
する蛍光体の相対発光輝度を示すグラフ、第５図はバー
ニング特性を示すグラフ、第６図はＴｂ含有量に対する
相対発光輝度を示すグラフ、第７図はＴｂ含有量に対す
るＸ値の変化を示すグラフ、第８図は含有率に対する相
対発光輝度を示すグラフである。 Ｓｍ含有１辻（重量％） 電流密度（μＡ／−） 第４図 Ｅｕｇ有１１１ ｊ屯１１１％） 時 間 Ｔｂ含有量（重量％） 第 ７１￥１ Ｔｂ陰有量（重Ｇ＋％） Ｐｒ含有Ｊｆｌ（ｆｆｉｌｉ！％） 手続補正書（自発） 昭和６０年特 許 願第２９１５４６号２・ 発明Ｆ）
名称 ホウ酸インジウム螢光体６、 補正により増
加する発明の数なし別 本田 １、明細書の「特許請求の範囲」を次のように補正する
。 （１） 一般式（Ｉｎ＋−ａ、Ｌｎａ）Ｂｏ３：Ｅｕ、
Ｓｍ、Ｔｂ、Ｍ’ 、Ｍ”て衷され、次の（ａ）〜（ｆ
）の条件を満たすことを特徴するホウ酸インジウム蛍光
体。 （ａ） ＬｎがＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、から選
ばれる少なくともひとってあり、互の範囲が０≦ａ≦０
．６である。 （ｂ） Ｅｕの含有量が蛍光体母体に対して０゜０５
以上３重量％以下である。 （ｃ） Ｓｍの含有量が蛍光体母体に対してＯより多
く、５重量％以下である。 （ｄ） Ｔｂの含有量が蛍光体母体に対してＯ〜０．
５重量％である。 （ｅ） Ｍ’はＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇのうち少なく
とも一種であり、含有量が蛍光体母体に対して０〜５Ｘ
１０−２重重％である。 （ｆ） Ｍ’’はＰｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔ ｌ、Ｃｅ、
Ｄｙ、Ｔｍのうち少なくとも一種であり、含有量が０〜
０．５重量％である。 （２） Ｔｂの含有量が蛍光体母体に対し・て１×１
０−３以上０．１５重１％以下である特許請求の範囲第
１項記載のホウ酸インジウム蛍光体。 （３） Ｔｂの含有量が蛍光体母体に対して２×１０
−３以上８ Ｘ １０−２重１％以下である特許請求の
範囲第１項記載のホウ酸インジウム蛍光体。 （４） Ｅｕの含有量が蛍光体母体に対し、０゜１以
上１．０重責％以下である特許請求の範囲第１項記載の
ホウ酸インジウム蛍光体。 （５） Ｓｍの含有量が蛍光体母体に対し、２Ｘ１０
−３以上１重１％以下である特許請求の範囲第１項記載
のホウ酸インジウム蛍光体。 ２、明細書第５頁第３行目の「第２図に於て、」を「第
１図に於て、」と補正する。 ３、明細書第１４頁第１５頁の「１６％高く」を「１．
６％高く」と補正する。 第１図 電ａ、密度（μＡ／σ）
ラフ、第２図は本発明の蛍光体であってＳｍの含有量に
対する理想的蛍光体と比較した相対発光輝度を示すグラ
フ、第３図はＴｂ入りとＴｂなし蛍光体のＳｍ含有量に
対する相対発光輝度のグラフ、第４図はＥｕ含有量に対
する蛍光体の相対発光輝度を示すグラフ、第５図はバー
ニング特性を示すグラフ、第６図はＴｂ含有量に対する
相対発光輝度を示すグラフ、第７図はＴｂ含有量に対す
るＸ値の変化を示すグラフ、第８図は含有率に対する相
対発光輝度を示すグラフである。 Ｓｍ含有１辻（重量％） 電流密度（μＡ／−） 第４図 Ｅｕｇ有１１１ ｊ屯１１１％） 時 間 Ｔｂ含有量（重量％） 第 ７１￥１ Ｔｂ陰有量（重Ｇ＋％） Ｐｒ含有Ｊｆｌ（ｆｆｉｌｉ！％） 手続補正書（自発） 昭和６０年特 許 願第２９１５４６号２・ 発明Ｆ）
名称 ホウ酸インジウム螢光体６、 補正により増
加する発明の数なし別 本田 １、明細書の「特許請求の範囲」を次のように補正する
。 （１） 一般式（Ｉｎ＋−ａ、Ｌｎａ）Ｂｏ３：Ｅｕ、
Ｓｍ、Ｔｂ、Ｍ’ 、Ｍ”て衷され、次の（ａ）〜（ｆ
）の条件を満たすことを特徴するホウ酸インジウム蛍光
体。 （ａ） ＬｎがＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、から選
ばれる少なくともひとってあり、互の範囲が０≦ａ≦０
．６である。 （ｂ） Ｅｕの含有量が蛍光体母体に対して０゜０５
以上３重量％以下である。 （ｃ） Ｓｍの含有量が蛍光体母体に対してＯより多
く、５重量％以下である。 （ｄ） Ｔｂの含有量が蛍光体母体に対してＯ〜０．
５重量％である。 （ｅ） Ｍ’はＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇのうち少なく
とも一種であり、含有量が蛍光体母体に対して０〜５Ｘ
１０−２重重％である。 （ｆ） Ｍ’’はＰｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔ ｌ、Ｃｅ、
Ｄｙ、Ｔｍのうち少なくとも一種であり、含有量が０〜
０．５重量％である。 （２） Ｔｂの含有量が蛍光体母体に対し・て１×１
０−３以上０．１５重１％以下である特許請求の範囲第
１項記載のホウ酸インジウム蛍光体。 （３） Ｔｂの含有量が蛍光体母体に対して２×１０
−３以上８ Ｘ １０−２重１％以下である特許請求の
範囲第１項記載のホウ酸インジウム蛍光体。 （４） Ｅｕの含有量が蛍光体母体に対し、０゜１以
上１．０重責％以下である特許請求の範囲第１項記載の
ホウ酸インジウム蛍光体。 （５） Ｓｍの含有量が蛍光体母体に対し、２Ｘ１０
−３以上１重１％以下である特許請求の範囲第１項記載
のホウ酸インジウム蛍光体。 ２、明細書第５頁第３行目の「第２図に於て、」を「第
１図に於て、」と補正する。 ３、明細書第１４頁第１５頁の「１６％高く」を「１．
６％高く」と補正する。 第１図 電ａ、密度（μＡ／σ）
Claims (5)
- （１） 一般式（Ｉｎ＿１＿−＿ａ、Ｌｎ＿ａ）ＢＯ＿
３：Ｅｕ、Ｓｍ，Ｔｂ，Ｍ’、Ｍ’’で表され、次の（
ａ）〜（ｆ）の条件を満たすことを特徴するホウ酸イン
ジウム蛍光体。 （ａ） ＬｎがＳｃ，Ｙ，Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、から選ば
れる少なくともひとつであり、ｘの範囲がｏ≦ａ≦０．
６である。 （ｂ） Ｅｕの含有量が蛍光体母体に対して０．０５以
上３重量％以下である。 （ｃ） Ｓｍの含有量が蛍光体母体に対して０より多く
、５重量％以下である。 （ｄ） Ｔｂの含有量が蛍光体母体に対して０〜０．５
重量％である。 （ｅ） Ｍ’はＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇのうち少なくと
も一種であり、含有量が蛍光体母体に対し（ｆ） Ｍ’
’はＰｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｔｍのうち
少なくとも一種であり、含有量が０〜０．５重量％であ
る。 - （２） Ｔｂの含有量が蛍光体母体に対して１×１０＾
−＾３以上０．１５重量％以下である特許請求の範囲第
（１）項記載のホウ酸インジウム蛍光体。 - （３） Ｔｂの含有量が蛍光体母体に対して２×１０＾
−＾３以上８×１０＾−＾２重量％以下である特許請求
の範囲第（１）項記載のホウ酸インジウム蛍光体。 - （４） Ｅｕの含有量が蛍光体母体に対し、０．１以上
１．０重量％以下である特許請求の範囲第（１）項記載
のホウ酸インジウム蛍光体。 - （５） Ｓｍの含有量が蛍光体母体に対し、２×１０＾
−＾３以上１重量％以下である特許請求の範囲第（１）
項記載のホウ酸インジウム蛍光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29154685A JPS62148590A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | ホウ酸インジウム螢光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29154685A JPS62148590A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | ホウ酸インジウム螢光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62148590A true JPS62148590A (ja) | 1987-07-02 |
| JPH0428756B2 JPH0428756B2 (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17770309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29154685A Granted JPS62148590A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | ホウ酸インジウム螢光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62148590A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003519073A (ja) * | 1999-12-29 | 2003-06-17 | ロディア テレ ラレ | 希土類ホウ酸塩の製造方法、及びそのホウ酸塩の発光体への応用 |
| EP1528094A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-04 | General Electric Company | Phosphors containing boron and metals of groups IIIA and IIIB |
| JP2007224214A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | シンチレータ用単結晶材料及び製造方法 |
-
1985
- 1985-12-23 JP JP29154685A patent/JPS62148590A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003519073A (ja) * | 1999-12-29 | 2003-06-17 | ロディア テレ ラレ | 希土類ホウ酸塩の製造方法、及びそのホウ酸塩の発光体への応用 |
| JP4723150B2 (ja) * | 1999-12-29 | 2011-07-13 | ロディア エレクトロニクス アンド カタリシス | 希土類ホウ酸塩の製造方法、及びそのホウ酸塩の発光体への応用 |
| EP1528094A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-04 | General Electric Company | Phosphors containing boron and metals of groups IIIA and IIIB |
| JP2007224214A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | シンチレータ用単結晶材料及び製造方法 |
| WO2007099772A1 (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-07 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | シンチレータ用単結晶材料及び製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0428756B2 (ja) | 1992-05-15 |
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