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JPS6172219A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPS6172219A
JPS6172219A JP59193032A JP19303284A JPS6172219A JP S6172219 A JPS6172219 A JP S6172219A JP 59193032 A JP59193032 A JP 59193032A JP 19303284 A JP19303284 A JP 19303284A JP S6172219 A JPS6172219 A JP S6172219A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
variance
receiving means
illuminance
light receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59193032A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0347569B2 (ja
Inventor
Yutaka Echizen
裕 越前
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59193032A priority Critical patent/JPS6172219A/ja
Publication of JPS6172219A publication Critical patent/JPS6172219A/ja
Publication of JPH0347569B2 publication Critical patent/JPH0347569B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は露光装置、特に、半導体製造用に使用される露
光装置に関するものである。
〈従来技術〉 従来、多くの場合この種の露光装置は第1図の如く構成
されている。
尚第1図の露光装置はマスクとウェハーが密着し次状態
で転写する所謂コンタクトアライナ−を想定して示しで
ある。
第1図において、光源1からの光は、楕円曲面を有する
反射ミラー2で反射され、オプティカル・インテグレー
タ31に通って、反射ミラー4で反射され、コンデンサ
レンズ5で果尤され7を後転写面6、すなわちマスク、
ウェハーが配置され次面に達する。ま九、7は受光手段
で、反射ミラー4で反射された光掠1からの光束の一1
t−1測光光束L2としてポ視するためのものである。
なおLllL等は転写面6上の一点に対する露光光束で
ある。
第1図から明らかなように、露光光束L1a。
Llb ”1゜と!411光元束L2とは異なつ几元路
を辿り、その結果として、例えば光源1が第1図の矢印
、へXの方向vc tz t x動すると、転写面6上
の照度変化(△L□とする。)と受光器7での1!! 
+a K化(△L2とする。)とは比例せず、すなわら
その比(△L/△L2)は一定にはならない。
つまり、光のの位置が変動すると、転写面照度が変化し
ないKもかかわらず、受光器への入射光Diが変化して
しまい転写面6上の照朋を正確に測定することができな
いという欠点がろつ九。
このことは、適正な露光管理に対する支障となるため、
光源の位置変動に関係なく、感度Sを一足ンこ保つ会費
がある。ここで感贋Sは次式で秋わされる。
〈目  的〉 不宅明は1.上記欠点に丸み為されe4ので、その目的
は、光源の位置変動に対しては低感度で、しかも転写面
照度の変化に対しては高感度であるような露光装置を提
供することにある。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
第21囚は、本発明の実施%Jの概略配ld図である。
第2図体に示す実施例は、コンタクト型あるいはグロキ
7ミテイ型の露光装置VC通用した場合を示す。
第2図(A)K:おいて、1は光源等のエネルギー源、
2は楕円曲面を有する反射ミラー、3はオプティカル・
インテグレータ、4mは光束の一部を透過する振幅分割
器としてのパ−7ミラー、5はハーフミラ−4&で反射
され九光束t−集光させる九めの第1コンデンサレンズ
、6は転写面である。この場合、照明光学系が射出テレ
七ン元学系となるよう、第1コンデンサレンズ5の前側
焦点近傍にオプティカル・インテグレータ3t−配置す
る。
la   lb ’ Llcは第1図と同様第2ここで
L  、L 図(B)に示すように転写面6上の限られた領域M1 
 に対する露光光束である。一方、7.は受光手段で、
ノ・−7ミラー4aを透過する光源1からの光束の一部
を、第2コンデンサレンズ8を介して、測光光束L2a
 ’ L2b ’ L2cとして監視するためのもので
める。M2は第2図(C)に示すように受光手段7の前
方に配置され九開ロマスクである。
さて、第2図体から明らかなように、測光光束L2aと
露光光束L1mとは、ハーフミラ−4&を介して振幅分
割され光学的に共役関係にあり、光束条件としては同一
となる。
光束L2bとL□6、光束L2cとLlcの場合も凹球
である。
従って、転写面6上の領域Mよと受光手段7の屍ロマス
クM2 とは光学的に共役関係となる。
その結果、光源lが第2図の矢印ΔXの方向に位置変動
しても、受光手段7での照度変化(△(L2&〜L2c
)とする。)に対する転写面6上の照度変化(Δ(Ll
a〜Llc)とする。)の比(Δ(L11〜L1c)/
△(L21〜L2c ) )は、一定になる。
言い換えると、本実施例のように受光手段7を配置すれ
ば光源1の位置変動に無関係(、転写面照度の変化を的
確に把握することが可能となる。
ま次この場合、第2図体)より明らかなように、オプテ
ィカル・インテグレータ3から出て転写面6上の領域M
l k照明する全光束は振幅分割されて受光手段7にと
りこまれている。その結果、転写面6上の領域M工の照
度の単純平均を表わす信号が受光手段7より出ることに
なり、この領域ではいわゆる平均測光となっている。
そして本実施例においてはハーフミラ−4aをオプティ
カル・インテグレータ3と第1コンデンサレンズ5との
間に配置して転写面6上での照度分布の一様化を図って
いる。これは例えばハーフミラ−4息の透過率分布が有
効面全域にわたり一様でない場合であってもハーフミラ
−4mからの反射光束が第1コンデンサレンズ5を通過
し九後第2図体)K示すように各光束が重畳されて平均
化されるので転写面6上での照度分布の一様化が図れる
為である。
仮りにハーフミラ−4at−第1コンデンサレンズ5と
転写面6との間に配置するとハーフミラ−4&の透過率
分布のムラが転写面6上に直鍛反映してくるので好まし
くない。
又本実施例においては第2コリメーメーレンズ8の屈折
力を第1コリメーターレンズ5の屈折力に比べて強くし
ている。これによp 受光手段7の受光面を転写面6の
領域M0 より小さく(−小さな受光面を有する受光手
段により受光している。
尚本実施例においては転写面6上の照度をより高晴度に
測光する為に受光手段7の表面に第2図(C)に示すよ
うな開口マスクM2t−配置している。この開口マスク
M2の形状は転写面60領域M工の形状すなわちクエへ
−の形状と同−若しくはコリメーターレンズ8が縮少系
であれば饋域M工の形状にその縮少率を掛は比相似形で
構成されている。
例えば領域M工が円形のときは開口マスクM2  も円
形となっている。これにより実質的に領域MIK相当す
る範囲内を受光するようにしている。このように本実施
列においては開口マスクM2を用いることKよりウェハ
ー面上の照度だけを正確に測定するようにし適切な露出
値を決定することを可能としている。
尚この開口マスクM2は受光手段7のp面でなくて領域
M0 と共役な面に配置するようにしても良い。又開口
マスクM2の開口部と同一の受光面を有する検出手段を
用いれば特に開口マスクM2t−配置する必要はない。
尚本実施例において転写面6上の領域M工と受光手段7
の開口マスクM2が共役関係にあるということは厳密に
共役関係にある必要はなく転写面6上の領域IVIIK
相当する領域を実質的に測光することが出来る程度の共
役関係かわれば良い。
〈効  果〉 以上説明し几ように、本発明に従うと光源の位+4変動
に対してはほとんど影響されず、しかも転写面照度の変
化に対しては高感度である露光監視装置付の露光装置が
得られ、適正な露光管理を可能にする。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の露光装置の概略配置図、第2図(A) 
、 (B) 、 (C)は本実施列の概略配置図、図中
(5)は概略構成図、(B) 、 (C)は各々同図(
Nの一部分の説明囚で6る。 図中1 )を光源、2は楕円面鏡、3はオプティカル・
インテグレータ、4H反射ミラー、4&はハーフミラ−
15,8は各々コンデンサレンズ、6は転写面、7け受
光手段、M2は開口マスク”la ”lb ’ Llc
け各々露光光束、L2IL2.”2b ’ ”2cは各
々測光光束である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源からの光束をオプティカル・インテグレータ
    と第1コリメーターレンズを通過させた後、マスク等の
    原版を照射し、原版の像をウエハー等の感光材上に転写
    させる露光装置において、前記オプティカル・インテグ
    レータと前記第1コリメーターレンズとの間に振幅分割
    器を配置し、前記振幅分割器により分割された光路中に
    第2コリメーターレンズを配置し、前記第2コリメータ
    ーレンズと前記第1コリメーターレンズに関して前記感
    光材と共役な面上に受光手段を配置したことを特徴とす
    る露光装置。
  2. (2)前記第2コリメーターレンズの屈折力を前記第1
    コリメーターレンズの屈折力よりも強くしたことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の露光装置。
JP59193032A 1984-09-15 1984-09-15 露光装置 Granted JPS6172219A (ja)

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JP59193032A JPS6172219A (ja) 1984-09-15 1984-09-15 露光装置

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JP59193032A JPS6172219A (ja) 1984-09-15 1984-09-15 露光装置

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Publication Number Publication Date
JPS6172219A true JPS6172219A (ja) 1986-04-14
JPH0347569B2 JPH0347569B2 (ja) 1991-07-19

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ID=16301031

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JP59193032A Granted JPS6172219A (ja) 1984-09-15 1984-09-15 露光装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105242500A (zh) * 2015-11-10 2016-01-13 中国科学院光电技术研究所 一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻系统

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JPS51126073A (en) * 1975-04-25 1976-11-02 Hitachi Ltd Pattern printing equpment made available by photo-etching method
JPS5859595A (ja) * 1981-10-02 1983-04-08 株式会社和廣武 人工光源装置
JPS58196023A (ja) * 1982-03-29 1983-11-15 フユ−ジヨン・システムズ・コ−ポレ−シヨン 深紫外線フオトリトグラフイ−を達成する方法及び装置

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CN105242500A (zh) * 2015-11-10 2016-01-13 中国科学院光电技术研究所 一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻系统
CN105242500B (zh) * 2015-11-10 2017-07-11 中国科学院光电技术研究所 一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻系统

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Publication number Publication date
JPH0347569B2 (ja) 1991-07-19

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