JPS6171631A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPS6171631A JPS6171631A JP59193031A JP19303184A JPS6171631A JP S6171631 A JPS6171631 A JP S6171631A JP 59193031 A JP59193031 A JP 59193031A JP 19303184 A JP19303184 A JP 19303184A JP S6171631 A JPS6171631 A JP S6171631A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 abstract 2
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- 230000021615 conjugation Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は露光装置、特に、半導体製造用に使用される露
光装置に関するものである。
光装置に関するものである。
〈従来技術〉
従来、多くの場合この種の露光装置は第１図の如く構成
されている。
されている。
尚第１図の露光装置はマスクとウニ・・−が密着した状
態で転写する所ｍｌコンタクトアライナー４−想定して
示しである。
態で転写する所ｍｌコンタクトアライナー４−想定して
示しである。
第１図において、光源１からの光は、楕円曲面を有する
反射ミラー２で反射され、オプティカル・インテグレー
タ３を通って、反射ミラー４で反射され、コンデンサレ
ンズ５で集光され次後転写面６、すなわちマスク、ウエ
ノ・−が配置された面に達する。ま友、７は受光手段で
、反射ミラー４で反射さＡ、＋光源１からの光束の一部
を、測光光束Ｌ２ として監視するためのものである。
反射ミラー２で反射され、オプティカル・インテグレー
タ３を通って、反射ミラー４で反射され、コンデンサレ
ンズ５で集光され次後転写面６、すなわちマスク、ウエ
ノ・−が配置された面に達する。ま友、７は受光手段で
、反射ミラー４で反射さＡ、＋光源１からの光束の一部
を、測光光束Ｌ２ として監視するためのものである。
なおＬｌａ等は転写面６上の一点に対する露光光束であ
る。
る。
第１図から明らかなように、露光光束ＬＬ＆。
Ｌ 、Ｌ と測光光束Ｌ２とは異なつ几元路をｌｂ
ｌｃ 通り、その績果として、例えば光源１が第１［Ｆ］の矢
印ΔＸの方向に位（西変動すると、転写面６上の照度変
化（ΔＬ□とする。）と受光手段７での照度変化（ΔＬ
２とする。）とは比例せず、すをわちその比（ΔＬ、／
ΔＬ２）は−是ンごはならない。つ１す、冗妹ｌの位置
が変動すると、転写間６の゛照度が変化しないにもがか
わらず、受光゛手段７への入射光量が変化してし′まい
転写面６上の照度を正６■に測定することができないと
いう欠点かあつ之。このことは、適正な露光管理にＸｌ
する支障となるため、光源の位置度＃ＩＫ関降ζぐ、愚
１ｊ！：Ｓを一部に保つ必要がある。ここで感度Ｓは次
式でｊでわされる。
ｌｃ 通り、その績果として、例えば光源１が第１［Ｆ］の矢
印ΔＸの方向に位（西変動すると、転写面６上の照度変
化（ΔＬ□とする。）と受光手段７での照度変化（ΔＬ
２とする。）とは比例せず、すをわちその比（ΔＬ、／
ΔＬ２）は−是ンごはならない。つ１す、冗妹ｌの位置
が変動すると、転写間６の゛照度が変化しないにもがか
わらず、受光゛手段７への入射光量が変化してし′まい
転写面６上の照度を正６■に測定することができないと
いう欠点かあつ之。このことは、適正な露光管理にＸｌ
する支障となるため、光源の位置度＃ＩＫ関降ζぐ、愚
１ｊ！：Ｓを一部に保つ必要がある。ここで感度Ｓは次
式でｊでわされる。
く目 旧ン
本発明は、上記欠点に鑑みハケれたもので、その目的は
、光源の位１４変動に対しては低感度で、しかも転与ｒ
ｋＪ照度の変化に対してｄ尚感度であるような蕗ノを装
置を提供することにある。
、光源の位１４変動に対しては低感度で、しかも転与ｒ
ｋＪ照度の変化に対してｄ尚感度であるような蕗ノを装
置を提供することにある。
く実施例〉
以下、本発明の実施例について図面を多照しながら説明
する。
する。
第２図（５）は、本発明の実施例の概略配置図でａ２図
（Ｎに示す実施例は、コンタクト型あるいはプロキシミ
テイ型の露光装置に適用し友場合を示す。
（Ｎに示す実施例は、コンタクト型あるいはプロキシミ
テイ型の露光装置に適用し友場合を示す。
第２図（４）において、１は光源等のエネルギー源、２
は楕円曲面を有する反射ミラー、３はオプティカル・イ
ンテグレータ、４ｍは光束の一部を透過する振幅分割器
としてのハーフミラ−１５はハーフミラ−４ａで反射さ
れ次元束を集光させるためのコンデンサレンズ、６は転
写面でおる。この場合、照明光学系が射出テレ七ノ光学
系となるよう、コンデンサレンズ５ ノ前ｉｌｌ 焦点
近傍にオプティカル・インテグレータ３を配置する。
は楕円曲面を有する反射ミラー、３はオプティカル・イ
ンテグレータ、４ｍは光束の一部を透過する振幅分割器
としてのハーフミラ−１５はハーフミラ−４ａで反射さ
れ次元束を集光させるためのコンデンサレンズ、６は転
写面でおる。この場合、照明光学系が射出テレ七ノ光学
系となるよう、コンデンサレンズ５ ノ前ｉｌｌ 焦点
近傍にオプティカル・インテグレータ３を配置する。
ここでＬ 、Ｌ 、Ｌ は第１図と同様第２１ａ
ｌｂ ｌｃ 図（Ｂ） Ｋ示すように転写面６上の限られた領域ＭＩ
Ｋ対する露光光束である。−万、７は受光手段で、ハ
ーフミラ−４ａ ｆ透過する光源１からの光束の一部を
、コンデンサレンズ８を介して、測光光束Ｌ２８．Ｌ２
ｂ、Ｌ２ｅとして監視するためのものである。Ｍ２は第
２図（Ｃ）に示すように′受光−＋一段７の＾ＩＪ万に
配置直されｔ開口マスクである。
ｌｂ ｌｃ 図（Ｂ） Ｋ示すように転写面６上の限られた領域ＭＩ
Ｋ対する露光光束である。−万、７は受光手段で、ハ
ーフミラ−４ａ ｆ透過する光源１からの光束の一部を
、コンデンサレンズ８を介して、測光光束Ｌ２８．Ｌ２
ｂ、Ｌ２ｅとして監視するためのものである。Ｍ２は第
２図（Ｃ）に示すように′受光−＋一段７の＾ＩＪ万に
配置直されｔ開口マスクである。
さて、第２図（Ｎから明らかなよう１こ、測光光５ｉＬ
２ａとｐ％、元光束ＬｌｌＬとは、ハーフミラ−４＆に
弁して飯慟分劇され丸字Ｍ９に共役関係Ｖこａ９、光栄
条件としては同一となる。
２ａとｐ％、元光束ＬｌｌＬとは、ハーフミラ−４＆に
弁して飯慟分劇され丸字Ｍ９に共役関係Ｖこａ９、光栄
条件としては同一となる。
光束Ｌ２．とＬｏｌ、光束Ｌ２ｃとＬｌｃの場合も同ｂ
χである。
χである。
従つ−Ｃ１転与開６上の饋域Ｍ工と受光手段７の開口マ
スクＭ２とは光学的に共役関係となる。
スクＭ２とは光学的に共役関係となる。
その結束、光源１が第２図の矢印△Ｘの方向に位１ｉ質
動しても、受光手段７での照度変化（Δ（Ｌ２ａ〜Ｌ２
ｃ）とする。）に対する転与面６上の照ｉｆ化（Δ（Ｌ
ｌａ −Ｌｌｃ ）とする。）の比（△（Ｌｌａ−Ｌ、
。）／Δ（Ｌ２ａ−Ｌ２ｃ））は、一定になる。
動しても、受光手段７での照度変化（Δ（Ｌ２ａ〜Ｌ２
ｃ）とする。）に対する転与面６上の照ｉｆ化（Δ（Ｌ
ｌａ −Ｌｌｃ ）とする。）の比（△（Ｌｌａ−Ｌ、
。）／Δ（Ｌ２ａ−Ｌ２ｃ））は、一定になる。
言い侠えると、本実施例のように受光手段７を配置ａす
れば光源１０位「は変動に無関係に、転与面照度の変化
を的確に把握することが可能となる。
れば光源１０位「は変動に無関係に、転与面照度の変化
を的確に把握することが可能となる。
またこの場合、第２１囚より明らか表ように、オプティ
カル・インテグレータ３から出て転写面６上の領域Ｍ１
を照明する全光束は機幅分割されて受光手段７にとりこ
まれている。その結果、転写面６上の領域Ｍ工の照度の
離軸平均を表わす信号が受光手段７より出ることになり
、この領域ではいわゆる平均測光となっている。
カル・インテグレータ３から出て転写面６上の領域Ｍ１
を照明する全光束は機幅分割されて受光手段７にとりこ
まれている。その結果、転写面６上の領域Ｍ工の照度の
離軸平均を表わす信号が受光手段７より出ることになり
、この領域ではいわゆる平均測光となっている。
そして本実施例では受光手段７の表面には第２図（Ｃ）
に示すような開ロマスクＭ２ｔ−配置している。この開
口マスクＭ２の形状は転写面６の領域Ｍ工の形状すなわ
ちウニ／・−の形状ト同一若しくはコリメータレンズ８
が縮少系であれば領域Ｍよの形状にその縮少率を掛けた
相似形で構成てれている。
に示すような開ロマスクＭ２ｔ−配置している。この開
口マスクＭ２の形状は転写面６の領域Ｍ工の形状すなわ
ちウニ／・−の形状ト同一若しくはコリメータレンズ８
が縮少系であれば領域Ｍよの形状にその縮少率を掛けた
相似形で構成てれている。
例えば領域Ｍ工が円形のときは開口マスクＭ２ も円
形となっている。これにより実質的に領域Ｍ１ に相当
する範囲内を受光するようにしている。このように本実
施例においては開ロマスクＭ２′ｔ−用いることにより
ウェハー面上の照度だけを正確に測定するようにし適切
な露出値ｆＣ決たすることケ可能としている。
形となっている。これにより実質的に領域Ｍ１ に相当
する範囲内を受光するようにしている。このように本実
施例においては開ロマスクＭ２′ｔ−用いることにより
ウェハー面上の照度だけを正確に測定するようにし適切
な露出値ｆＣ決たすることケ可能としている。
尚この開口マスクＭ２は受光手段７０表面でなくて領域
Δ１□と共役な面に配置、するようにしても艮い。又開
口マスクＭ２の開口部と同一の受光面を有する検出手段
を用いれば特に開口マスクＭｚ を配置する心安はない
。
Δ１□と共役な面に配置、するようにしても艮い。又開
口マスクＭ２の開口部と同一の受光面を有する検出手段
を用いれば特に開口マスクＭｚ を配置する心安はない
。
本実施例において／Ｎ−７ミラー４ａ ｆオプティカル
・インテグレータ３とコリメータレンズ５０間に配置し
ているがコリメータレンズ５と転萼面６との間に配置し
ても良い。この場合検出手段７の前方のコリメータレン
ズ８は不要トなる。
・インテグレータ３とコリメータレンズ５０間に配置し
ているがコリメータレンズ５と転萼面６との間に配置し
ても良い。この場合検出手段７の前方のコリメータレン
ズ８は不要トなる。
但し・・−フミラー４ａの透過率分布が厳密に一様でな
い場合にはハーフミラ−４ａを第２図に示す実施例の如
くオプティカル・インテグレータ３とコリメータレンズ
５との間に配置するのが転写面６上でハーフミラ−４１
の透過率分布がＮ畳されて平均化され、照度分布が一様
となるので好ましい。
い場合にはハーフミラ−４ａを第２図に示す実施例の如
くオプティカル・インテグレータ３とコリメータレンズ
５との間に配置するのが転写面６上でハーフミラ−４１
の透過率分布がＮ畳されて平均化され、照度分布が一様
となるので好ましい。
又コリメータレンズ８の屈折力をコリメータレンズ５の
屈折力に比べて強くし受光手段７の受光面を転写面６の
狽域町 より小さくしておけは小さな受光面を有する受
光手段により受光することが出来るので好ましい。
屈折力に比べて強くし受光手段７の受光面を転写面６の
狽域町 より小さくしておけは小さな受光面を有する受
光手段により受光することが出来るので好ましい。
尚本実施例において転写面６上の領域Ｍ工と受光手段７
の開口マスクＭ２が共役関係におるということは厳密に
共役関係にある必要はなく転写面６上の領域Ｍ工に相当
する領域ｔ−実実質的側測光ることが出来る程度の共役
関係が６ｎば良い。
の開口マスクＭ２が共役関係におるということは厳密に
共役関係にある必要はなく転写面６上の領域Ｍ工に相当
する領域ｔ−実実質的側測光ることが出来る程度の共役
関係が６ｎば良い。
〈効 果〉
以上説明し友ように、本発明に従うと光源の位置変動に
対してはほとんど影響されず、しかも転写面照度の変化
に対しては高感朋である露光監視装置付の露光装置が得
られ、適正な露光管理全可能くする。
対してはほとんど影響されず、しかも転写面照度の変化
に対しては高感朋である露光監視装置付の露光装置が得
られ、適正な露光管理全可能くする。
第１図は従来の露光装置の概略配置図、第２図（５）、
（Ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の一実施例の概略配置図
、図中（Ａ）は概略構成図、（Ｂ） 、 （Ｃ）は各々
同図（Ａ）の一部分の説明図である。 図中１は光源、２は楕円面鏡、３はオプティカル・イン
テグＶ−タ、４は反射ミラー、４ｍはハーフミラ−１５
，８は各々コンデンサレンズ、６は転写面、７は受光手
段、Ｍ２は開口マスク、Ｌｌａ ” ｌｂ ” ｌｃは
各々几光元束、 Ｌ２゜”２ａ ’ ”２ｂ 、”２゜
は各々測光光束でおる。
（Ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の一実施例の概略配置図
、図中（Ａ）は概略構成図、（Ｂ） 、 （Ｃ）は各々
同図（Ａ）の一部分の説明図である。 図中１は光源、２は楕円面鏡、３はオプティカル・イン
テグＶ−タ、４は反射ミラー、４ｍはハーフミラ−１５
，８は各々コンデンサレンズ、６は転写面、７は受光手
段、Ｍ２は開口マスク、Ｌｌａ ” ｌｂ ” ｌｃは
各々几光元束、 Ｌ２゜”２ａ ’ ”２ｂ 、”２゜
は各々測光光束でおる。
Claims (1)
- （１）マスク等の原版を光源等のエネルギー源からのエ
ネルギービームで照射し、前記原版の像をウェハー等の
感材上に転写する露光装置において、前記エネルギー源
と前記原版との間に振幅分割器を配置し、前記振幅分割
器で分割された路中の前記感材と共役な面上に実質的に
前記感材の形状と同一若しくは相似形の開口で前記振幅
分割器により分割された前記エネルギー源からのエネル
ギービームの一部を受光する受光手段を設けたことを特
徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59193031A JPS6171631A (ja) | 1984-09-15 | 1984-09-15 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59193031A JPS6171631A (ja) | 1984-09-15 | 1984-09-15 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6171631A true JPS6171631A (ja) | 1986-04-12 |
| JPH0548608B2 JPH0548608B2 (ja) | 1993-07-22 |
Family
ID=16301014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59193031A Granted JPS6171631A (ja) | 1984-09-15 | 1984-09-15 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6171631A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000277413A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Canon Inc | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2016045897A1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143544A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-08 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Automatic exposure control device of camera |
-
1984
- 1984-09-15 JP JP59193031A patent/JPS6171631A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143544A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-08 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Automatic exposure control device of camera |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000277413A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Canon Inc | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2016045897A1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system |
| TWI575338B (zh) * | 2014-09-25 | 2017-03-21 | Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 照明系統 |
| CN106716256A (zh) * | 2014-09-25 | 2017-05-24 | Asml荷兰有限公司 | 照射系统 |
| JP2017530398A (ja) * | 2014-09-25 | 2017-10-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 照明システム |
| US10146134B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0548608B2 (ja) | 1993-07-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |