JPS616827A - フオトレジストのストリツパー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）　発明の利用分野 本発明は、新規なストリッピング溶液および支持体の表
面から現像されたポジ作用の（ｐｏｓｉｔｉｖｅｗｏｒ
ｋｉｎｇ　）　　フォトレジスト？除去するためのその
使用に関する。

（口１　先行技術 あるパターン、例えば、印刷回路板および集積回路の製
造における金属回路ン支持体上に形成しようとする場合
、それは１例えば、めっきにより適当な区域に選択的に
配置することができ、あるいはそれは支持体全体にわた
って配置しかつ化学的エツチングにより選択的に除去す
ることができる。選択的パターン乞形成するためのこの
分野においてよく知られている方法は、金属で被覆され
ていないかあるいは被覆されていることができる支持体
の上に、用いる製造法に依存して、金属の析出または金
属の除去から遮断すべき区域において、レジスト層？形
成することを含む。典型的には、レジスト層は金属析出
または金属除去法法により実質的に影響？受けず、こう
して下に横たわる支持体の区域ケ保護することができる
ポリマーである。この目的に１ｍ々のフォトレジスト、
すなわち、写真画＠乞通して化学線に露光したとき支持
体上に所望Ｏ）マスキングパターンχ形成する物質、は
知らねている。フォトレジストは、一般に２つの型、す
なわち、ポジのフォトレジストおよびネガのフォトレジ
ストである。化学線、Ｘ線または電子線の放射に露出す
る前、ポジのレジストは現像剤溶液中で不溶性である。

欝光すると。

フォトレジストの光が当たった部分は現像剤溶液中に可
溶性となるが、未露光区域は不溶性のままに残る。現津
時に１通常水性塩基性溶液中において、可溶化された部
分は除去され５．支持体上のレジスト層の不溶性部分を
写真画儂のパターンで残す。

ネガ作用のフォトレジストはポジのレジストと化学的に
区別され、そして化学線への露光時に不溶性となる。ネ
ガのフォトレジストは１例えば、環化されたゴムに基づ
くレジストであり、一方ポジのフォトレジストは典型的
には１例えば、この分野において抑制剤（１ｎｈｉｂ１
ｔｏｎ　’）として知られている感光性物質Ｙノボラッ
ク樹へ添加することにより、塩基溶液中で不溶性とされ
たノボラック樹脂からなる。化学線に露光されると、感
光性物質は化学的に変更され、そして露光により溶解抑
制剤から溶解促進剤に転化される。他の型のポジのフォ
トレジストおよびネガのフォトレジストも知られている
。

支持体の露光された部分上の金属または酸化物の層を析
出または除去した後、レジスト層馨表面から除去すなわ
ちストリッピングしなくてはならない。除去法は支持体
および金属層のいずれにも悪影響Ｙ及はしてはならない
。支持体は、金員の微小回路が典型的にはアルミニウム
またはアルミニウム合金である半導体微小回路の製作に
おけるように、二酸化シリコン被覆シリコンウェーファ
ーであることができろ。ＩＣの製作あるいは１例えば、
印刷回路板の裏作において使用される他の材料は、１ｍ
！々の無機材料５例えば、ガーネット結晶、ＬＥＤおよ
びＬＣＤ表面；例えば、酸化インジウム、酸化鉄、クロ
ムおよび事実上すべての他の金属１１含する。レジスト
の除去に用いる手段は、このような金属の表面を腐食、
溶解または鈍くさせないで、かつ支持体の材料ン化学的
に変更させないで作用しな（てはならない。

ポジＱ）フォトレジスト？除去する先行技術の方法は、
米国特許第３，８７１，９２９号中に例示されているよ
うに、フェノールおよび線状アルキルベンゼンスルホン
酸からなる有機ストリッピング組成物の使用ヲ民キする
。他の既知の有機ス）　ＩＪツビング組成物は、米国特
許第４，１６５，２９５号中に開示されているように０
式Ｒ−ＲＯ，Ｈの有機スルホン酸１式中Ｒは有機基であ
る：有機溶媒；フッ素イオン：および必要に応じて、フ
ェノール馨含有する。先行技術の無機ス）　ＩＪツピン
グ組成物は。

また、米国特許第３，９５２．１５０号、同第３，６５
４，００１号および同第５，０８０，０７１号中に例示
されているように、フッ素イオン？含有する水性スルホ
ン酸組成物を民営する。

（／１　発明が克服しようとする問題 前述のストリッピング組成物は、その酸性および塩基性
により引き起こさねると思われる二酸化ケイ素の支持体
ンエッチングする傾向ンもつため。

使用の間に間＠ぞ生ずる。有機ストリツピング組成物は
、支持体の上のアルミニウム回路の表面の望ましくない
鈍化、あるいは二酸化ケイ素の支持体の望ましくないエ
ツチング？起こす。フェノール系物質？含有するストリ
ッピング組成物は、フェノール系物質が毒性であり、廃
液処理性に省り、かつポジ型フォトレジストｒストリッ
ピングする組成物中に用いるとき、実際にストリッピン
グ効率ン低下させうるということにおいて、望ましくな
い。フェノール型ストリッパーの使用は、Ｍｔｆｔ的考
慮のため２急速に維持することができなくな７、ｌ［Ｉ
Ｌ、Ｔ七カブラン（Ｋａｐｌａｎ　）およびＢ、に、バ
ージン（Ｂｅｒｇｉｎ　’）　、ジャーナルＯオブ拳ケ
ミカルーソサイアテイー（Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ
ｉｃａｌ　Ｓｏｃ、　’）　＋　１２７１５８６　（１
９８０）］。

多（θ）既知のストリッピング組成物は、レジストへの
改ｇＡまたは俗解の速度が遅過ぎるので、ある種のレジ
ストに対する効果が不十分である。とくに、既知のスト
リッピング組成物は、装置の製作の途中１例えば１例外
的に高い後焼付けの間におけろような部幅に、例えば、
イオンのインプランテーション（ｉｏｎ　ｉｍｐｌａｎ
ｔａｔｉｏｎ）のような間の高いエネルギー処理に対し
て、あるいは例外的にきびしい化学的環境にさらさ＋１
だレジストに対して作用が不十分である。これはそれら
の有用性’ｋ　一般に減少させ、そしてそれら娶使用す
る処理ラインの融通性ケ制限１−る。

（−１−１ｌｆｌ鴎ぞ即〔決しようとする手段本発明は
、ラクタム構造馨有する組成物がポジのレジストのため
の効果的なストリッパーであり。

そして前述の先行技術ｆ）ストリッパーの次点をもたな
いという発見に基づくっその上、ラクタム類は先行技術
のストリッパーに匹敵する合理的な速度でフォトレジス
ト？支持体から除去するが、浴液中のいく種類かのラク
タムが互いに異る１種より多いラクタム？含有する浴液
を使用することにより、除去速度ン有意に増加すること
ができるということが１本発明の発見である。

本発明のストリッパーは、ポジ作用のアルカリ可溶性レ
ジストで級覆された支持体から嚢光きれたレジストン除
去するためにことに有用であり、そして他のレジスト、
例えば、ポリメチルメタクリレートのようなポリマーに
基づく電子線（Ｅｂｅａｍ　）　　レジスト；蜜ろうに
基づくレジスト；およびポリイミド型レジストを除去す
るために同じようによく有用であると信じられる。

本発明のストリッパーは、また、中性であり。

結局、レジメトのストリッピング中二酸化ケイ素２エツ
チングしないので、レジストン二酸化ケイ素の支持体か
らストリッピングするためにことに有用である。

本発明のストリッパーは、支持体からポジ作用のレジス
ト？除去するために使用される。ポジ作用のレジストは
、フィルム形成性ポリマー結合剤中の感光性化合物から
なる。それらは感光性化合物、または抑制剤または増感
剤としばしば呼ばれ。

α−キノンジアシドスルホン酸カラのエステルおよびア
ミドが最も頻繁に使用されている。これらのエステルお
よびアミドはこの分野においてよく知られており、そし
て次の刊行物に記載されている：　Ｗ、　Ｓ　、デフォ
レスト（Ｄｅ　Ｆｏｒｅｓｔ　）　＋　７　オ）　Ｖシ
スト材料および方法（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　Ｍａｔ
ｅｒｉａｌｓａｎｄ　Ｐ　ｒｏｃｅｓｓｅｓ　）　、マ
クグロウーヒル・インコーホレーテッド（Ｍｃ　Ｇｒａ
ｗ　Ｈｉｌｌ　ｍ　Ｉｎｃ）　　、　＝ニー　１１　：
１−り、４７−５５ページ、（１９７５）、これン引用
によってここに加える。これらの感光性化合物およびそ
れらの製造法はすべて先行特許によく記載されており、
これらの特許の例は次の通りである：ドイッ国特許第８
６５，１４０号、１９５５年２月２日許可、および米国
特許第２，７６７．０９２号。

同第３，０４６，１１０号、同第３．０４６，１１２号
、同第３．０４６，１１９号、同第３，０４６，１２１
号、同第３．０４６，１２２号および同第３，１０６，
４６５号、これらのすべてを引用によってここに加えろ
っポジ作用のフォトレジストの配合において使用されて
きた追加のスルホンアミド増感剤は米国特許第６．６５
７，５８４号（これをまた引用によってここに加える）
中に示されている。これらの材料は適当な芳香族塩化ス
ルホニルのジアジドと適当なロジアミンとの反応によっ
て形成される。これらの増感剤の製造法および例は米国
特許第２．７９７，２１６号（これ？引用によってここ
に加える）中に示されている。他のポジ作用ジアゾ化合
物は特別の目的に使用されてきている。例えば、深紫外
線平版印刷のためにポジ作用フォトレジストとして使用
されるジアゾ化合物は１次の文献に記載されているよう
なメルドラム（Ｍｅｌｄｒｕｍ）　　のジオゾおよびそ
の類似体である；クレカツクら（Ｃ１ｅｃａｋ　ｅｔ　
ａｌ、）テクニカル争ディスクロージャーープレチン（
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｂｕｌｌ
ｅｔｉｎ　）　１Ｖｏｌ　、　２４　＊　Ａ４．１９８
１年９月、ＩＢＭコーポレーション。

１９０７および１９０８ページ。レーザーの画像形成に
適当なげ一キノンジシト化合物は米国特許第４．２ｉ：
＋ｚ、１ｏ７号中に示されている。前記の参考文献ケま
た引用によってここに加える。

商業的実施においてα−キノンジアシドととも最も頻繁
に使用される樹脂バインダーは、ノボラック（Ｎ　ｏｖ
ｏｌａｋ　）樹脂として知られているアルカリ可溶性フ
ェノールホルムアルデヒド樹脂である。

コｃｎようなポリマーＹ用いるフォトレジストは米国特
許第１，１１０，０１７号（引用によってここに加える
）中に例示されている。これらの物質は、融点約１２０
℃の熱可塑性ポリマーが形成される条件で、フェノール
とボルムアルデヒドと馨反応させた生成物である。１２
０℃馨超える融点のノボラックは、知られているが、も
ろくかつ使用２制＄ｊる他の性質？もつため、フォトレ
ジスト配合物中に一般に知られていない。ネガ作用芳香
族アジドおよびポジ作用α−キノンジアジドの両者とと
もに使用する結合剤の他の部類は、ビニルフェノールの
ホモポリマーおよびコポリマーである。

この性質のフォトレジストは米国特許第３．８６９，２
９２号Ｃ上？参照）中に開示されている。

ビニルフェノールから形成されたポリマーの結合剤を用
いるフォトレジストは商業的に広く使用されていないと
信じられる。

先行技術において、結合剤としてノボラック樹脂２用い
ろ前述のポジレジストは、写真凸版法において化学的エ
ツチングから支持体？保護するためのマスクとして最も
頻繁に使用されるう例えば。

印刷回路板？製作する普通の方法において、銅クラッド
支持体ンポジ作用フォトレジストの層で被覆し、化学線
に露光してフォトレジスト被膜中に回路の潜像を形成し
、液状現像剤で現ｆ＃Ｌでレリーフ像ケ形成し、そして
化学的エツチング剤でエツチングし、これにより望まな
い銅が除去されそしてフォトレジストのマスクで保護さ
れた銅が回路パターンで後に残るう印刷回路板の製作に
は。

フォトレジストは化学的抵抗性をもたなくてはならず１
回路板の支持体へ付着しなくてはならず。

そして高密度の回路のためには、細線画像分解が可能で
なくてはならない。

同様なフォトレジストは、また、半導体の製作において
使用されている。印刷回路の製作におけるように、フォ
トレジストｖ半導体ウェーファーの表面上へ被覆し１次
いで画像形成し、現像する。

現１象後、ウエーフアーは典型的にはエツチング剤でエ
ツチングし、これによりフォトレジストの現像により裸
にされたウェーファーの部分は溶解されるが、フォトレ
ジストで被覆されたウェーファーの部分は保護され、こ
れにより回路のパターンが定められる。半導体の製作に
おいて使用するためには、フォトレジストは化学エツチ
ング剤に対して抵抗性ンもたなくてはならず、半導体の
表面へ付着しなくてはならず、そして非常に細い線の画
像乞分解することができなくてはならない。

フォトレジストの技術におけろ最近の発殿は。

高温に直面する方法？包含する。例えば、半導体の製作
における最近の発殿は回路馨形成するために湿式化学的
エツチングの代わる乾式プラズマエツチング？用いる。

プラズマエツチングは、プロセス乞簡素化しかつ寸法的
な分解能および許容差？改良することにおいて、湿式化
学的エツチングよりすぐれた利点馨提供する。しかしな
がら、プラズマエツチング？用いるとき、レジストへの
要求は有意に太きい。湿式エツチングおよびプラズマエ
ツチングの両者について、レジストは支持体へ付着しか
つ細線画像の分解能ンもたなくてはならない。プラズマ
エツチングのためには、これらの性質に加えて、レジス
トは、プラズマエツチング技術によりウェーファー表面
において同温が発生するとき５画像？変形させずかつ浸
食ン起こさずに、しばしば高温に耐えなくてはならない
。

フォトレジスト？高温に加熱して支持体へのその着およ
び化学的エツチング剤へのその抵抗性を改良するとき、
このフォトレジストｖ支持体から除去することは漸進的
により困難とｆｘ６つこのフォトレジスト馨支持体から
除去またはストリッピングするための時間は増加し、こ
れにより電子装置ｖ製作するための処理時間は全体的に
増加する。

本発明のストリッパーは先行技術のス）　ＩＪツバーよ
り急速にフォトレジストをストリツピングすることがで
き、結局電子装置の製作に要する処理時間は減少する。

本発明のストリッパーはラクタム類の混合物乞含有する
溶液からなり、ここで混合物中の各ラクタムは構造技 式中。

ｎは１〜乙の整数であり、そして 各メチレン基上のＲは１個々に、水素、極性基１例虹ば
、ヒドロキシ、カルボキシル、スルホキシなど、低級ア
ルキルまたは極性基で置換された低級アルキル０群より
選択され。

そして Ｒ１は水素および低級アルキルの群より選択され、＠記
低級アルキルはシクロアルキル乞包含し、極性基および
アリールで置換されていてもよい、 に一致する。本発明による好ましいラクタムはピロリド
ン類であり、すなわち、上の式において。

ｎが１でありかつＲが水素であるラクタム類である。

適当なラクタムの例は１次のもの馨民含するニブチロラ
クタム類 カプロラクタム類 ＨＬ；１１３ 支持体からのフォトレジストの除去速度乞増大するため
には、“ラクタム溶液はラクタム類１例えば、２種以上
のラクタム類の混合物？含有し、ここで各ラクタムは上
の一般式の１つに一致し、ラクタム類の１つは合計溶液
の少なくとも６０容量％乞構成し、そして残りのラクタ
ム類は、第１ラクタムと異り、残部？構成する。好まし
くは、第１ラクタムは溶液の９０〜９９容量チの量で存
在し、そして残りのラクタム類は残部ン構成する。

これに関して、フォトレジストの除去速度は、溶液中の
約１チから最高約６〜８％まで第２ラクタム濃度におい
て、用いる特定の混合物およびフォトレジストに依存し
て、急速に増加するうその後。

第２ラクタムの濃度が約１０チ以上に増加するにつれて
、フォトレジストの除去速度は低下し、拳−ラクタム娶
用いて得ることができろ速度に等しい速度に減少する。

典型的［は、混合されたラクタム溶液ン用いるフォトレ
ジストの除去速度は。

いずれかのラクタム単独で得ろことができる速度の少な
くとも１．５倍である。

除去速度の増加に加えて１本発明のストリッピング組成
物は、好ましい組成物がフェノール系化合物？含有しな
いので、廃液処理の有意な利点をまた提供する。さらに
１本発明のストリッピング組成物中に用いる好ましいラ
クタムは室温において液体であり、これにより敗扱い？
促進し、そして多数の溶媒５例えば水、アルコール、キ
シノン。

アセトンなどと混和性である。

上の利点に加えて、ラクタム混合物中に金属イオンが存
在しないので、ストリッピングの支持体の金属イオンの
汚染？排除し、またストリッピング組成物の廃液処理を
いっそう容易とする。本発明のラクタム混合物中他の利
点は、溶液が本質的に中性であるので、酸またはアルカ
リに感受性の材料への攻撃が回避されるということであ
る。

本発明のストリッピング浴液は、他の既知の有機ス）　
ＩＪツピング組成物より速くかつ低い温度においてポジ
のフ第１・レジスｌ’効果的に除去する。

金属１例えば、アルミニウム、酸化物および他の無機支
持体材料１例えば、ケイ素および二酸化ケイ素への攻撃
速度は、他のストリッピング組成物のそれよりも有意に
低いつ 白業者にとって明らかなように、他の成分１例えば、こ
の分野において知られているように１色素もしくは着色
剤または湿潤剤をストリッピング溶液に加えて、この溶
液を特定の用途に適合させることができる。しかしなが
ら、はとんどの用途について１例えば、ケイ素および二
酸化ケイ素の支持体の上にアルミニウムを用いる集積回
路の製作において、および印刷回路板の製作において、
湿潤剤の添加は必要であることが発見されず、そしてス
トリッピング溶液の効能に有意に影響馨及ぼすことが観
測されなかった。

ポジフォトレジストが現像後柔らかく焼付けさせるとき
、すなわち流延溶媒が約９０°Ｃ０）温度において追い
出されるが、レジスト樹脂成分がそれ以外実質的に未変
化であるとき１本発明Ｏ）ストリッピング組成物は室温
程度に低い温度においてさえ効果的に使用できる。レジ
ストがかたく焼付けされる（１２０〜２００℃）とき、
熱架橋が起こりうろとき、ストリッピング溶液は約５０
〜１５０℃の温度、好ましくは約８０〜９０℃の温度に
おいて使用できる。これより低い温度をより長いストリ
ッピング時間乞用いて使用できる。

本発明のストリッピング組成物は、集積回路の製作にお
けろイオン・インブランティング技術とともに使用する
ときでさえ、ポジフォトレジストのストリッピングに有
用であると信じられる。他の既知のストリッピング組成
物は、このようなレジスト？除去するために非常に長り
、シばしば数時間以上？必要とじ２そしてしばしばレジ
スト？まったく除去しない。本発明のストリッピング組
成物ケ用いろと、レジストはきれいにかつ残留物なしに
除去され、そして簡単な水の洗浄により、ス）　ＩＪツ
ピング溶液は加工片から完全に除去される。

新規なストリッピング溶液に加えて１本発明はポジフォ
トレジスト馨支持体から除去するためにこの浴液？用い
ろ方法？提供する。本発明の好ましいモードにおいて、
ポジフォトレジスト？除去スヘぎ装ｆ１ｗ本発明の新規
なスｌ−１）ラビング溶液中に、前述の温度において、
好ましくは８０〜９０℃の温度において浸漬する。この
浴液をかきまぜあるいは他の方法で攪拌する。この装ｆ
ｉ１１？好ましくは連続的に、あるいは不連続的に、典
型的にはレジスト乞完全に除去するために十分な時間、
ストリッピング溶液と接触させろ。本発明の別のモード
において、レジストχストリッピングすべき装置乞スト
リッピング組成物の噴霧と接触させることができる。

本発明のストリッピング法およびストリッピング組成物
は前述の温度または濃度の範囲に限定されず、むしろ好
ましい範囲外でも、それほどでないにしても、効果的で
ある。

本発明の溶液は、ポジフォトレジストの除去においてき
わめてすぐれた効能と対照的に、ある種の材料１例えば
、硬化または部分的に硬化したポリアミドおよび環化し
たゴムのレジスト馨有意に除去しないので、他の利点を
提供する。したがって１本発明のストリッピング浴液乞
使用して１または２以上のポジレジス）Ｙ除去すると同
時に１または２以上の層のこのような材料？支持体の上
に無傷のまま残す。こうして、ストリッピング溶液２２
層および多層のマスキング技術と共に使用して１例えば
、集積回路および印刷回路板の製造ン１＠累化しかつ改
良することができる。

本発明の新規なストリッピング溶液はポジフォトレジス
トのストリッピングにおいてその驚ろくべき効能につい
て顕著であるが、本発明のストリッピング組成物により
ストリッピング可能なネガフォトレジストまたは他のマ
スキング層を除去するだめの本発明のストリッピング組
成物の使用は本発明の範囲から排除されないことン理解
すべきである。

（ホ　実施例 次の実施例により１本発明？さらに説明する。

実施例１ シリコンのウェーファー、直径７．６２　ｃｍ　（５イ
ンチ）ゲ、ミクロボジト（ＭＩＣＲＯＰＯ８ＩＴ）−１
４５０Ｊフオトレジスト（シプレー・カンパニー９イン
コーポレーテツド、マサチューセラ州ニュートン）で慣
用技術により被覆した。２種類の浴液馨調製し、第１の
浴液はＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）からなり
、そして第２の溶液は９５部のＮＭＰと５部のＮ−（２
−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン（Ｎ）ＩＥＰ）
との混合物から成っていた。両者の溶液乞８０℃におい
て低速度の磁気攪拌棒で攪拌された状態に維持した。シ
リコンのウェーファーン被覆し、そして１５０’ｃで５
０分間焼付けて１．１μｍの最終フィルム厚さを生成し
た。そのようにして形成されたフィルム’に上のストリ
ッピング溶液中にフィルム側ｒ下にして、すべてのレジ
ストがウェーファーから除去されるまで、浸漬すること
によりレジストをストリツピングした。最小ストリッピ
ング時間（ＭＳＴ・分：秒）および除去速度（弓りロン
／分）？各々について観測した。結果ｒ下に示す。

ＭＳＴ　　　５．０　　　１．０　　　　１．０：４０
速度　０．２　１．０　　０．６ 実施例２ Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ’）中のＮ−（２
−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン（ＮＨＥＰ）か
ら成る１系列のストリッピング溶液ン１本発明に従い調
製し、ここで、各試験につ℃・て、ＮＭＰは異る濃度で
存在した。各浴液馨ストリッピングの間はぼ８０℃に維
持した。実施例１におけるように準備したシリコンのウ
ェーファー？これらの浴液の各々の中でストリッピング
した。

各溶液について観測された最小ス）　ＩＪツピング時間
２１表に示す。

最小ストリッ 溶液σ】　　ＮＨＥＰ　　　　ＮＭＰ　　　ピング時間
１　　　　　　０　　　１００　　　　５：００２　　
　　　　５　　　　９５　　　　１＝００３　　　　　
１０　　　　９０　　　　１：０５４　　　　　１５　
　　　８’５　　　　１：１０５　　　　　２０　　　
　　ｓｏ　　　　　１：１゜６　　　　　５０　　　　
７０　　　　１：２１Ｊ７　　　　　４０　　　　６０
　　　　１：２５８　　　　　６０　　　　４０　　　
　１：５０９　　　　　８０　　　　２０　　　　１：
５５１０　　　１００　　　　　０　　　　１：４０実
施例６ 実施例２０手順を反復したが、ただしＮ−シクロヘキシ
ル−ピロリドン（ＮＣＰ）ｖＮ−（２−ヒドロキシエチ
ル）−２−ピロリドンの代わりに使用した。結果？下表
に示す。

最小ストリツ 溶液の　　　ＮＣＰ　　　ＮＭＰ　　　ピング時間２　
　　　１０　　　９０　　　　８：００５　　　　２０
　　　８０　　　　７：６０４　　　　４０　　　６０
　　　　８：００５　　　　６０　　　４０　　　　９
：００６　　　　８０　　　２０　　　１１：００７　
　　１００　　　　０　　　１２：２５上に記載するス
トリッピング時間は典型的に得られるものよりも太きい
。例えば、これらの実施例において１００チ？用いて得
られろ結果？、前の実施例において１００％ＮＭＰ＝Ｙ
用いて得られる結果と比較−ｆると理解される。これら
の結果の差は、これらの実施例の試料が延長して後焼け
されていたためである。

（外５名） 手　　続　　補　　正　　■） 昭和６０年　７月υ￥［１ １事件の表示 昭和６０年特許願第　１０了／）ｔ　号２発明の名称 ７第１−レ、スｌ−のヌＬン、／、−〜ろ補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所 ｇ　　＜？！ｒ：　　レノフ′し−　≠ンハ０二〜　ヂ
ーコー寸°し〜テ、）４、代　理　人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１ラクタムがストリッピング組成物の少なくとも
   ６０重量％の濃度で存在し、そして第１ラクタムと異る
   １種または２種以上の追加のラクタムがラクタム類の残
   部を構成するラクタム類の混合物の溶液からなることを
   特徴とする、ポジ作用のフォトレジストを支持体から除
   去するストリッピング組成物。 ２、ラクタムは構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、ｎは１〜３の整数であり、メチレン基上に置換さ
   れた各Ｒは水素、極性基、シクロアルキルを包含する低
   級アルキル、および極性基で置換されているシクロアル
   キルを包含する低級アルキルの群より選択され、そして
   Ｒ＾１はＲと同一の基およびアリールから選択される、
   に一致する特許請求の範囲第１項記載のストリッピング
   溶液。 ３、各ラクタムはピロリドンである特許請求の範囲第１
   項記載のストリッピング組成物。 ４、本質的に中性のｐＨである特許請求の範囲第１項記
   載のストリッピング組成物。 ５、第１ピロリドンはピロリドン類の９０〜９９％の容
   量濃度で存在し、そして第２ピロリドンはピロリドン類
   の残部を構成する特許請求の範囲第３項記載のストリッ
   ピング組成物。 ６、第１ピロリドンはＮ−メチル−２−ピロリドンであ
   る特許請求の範囲第３項記載のストリッピング組成物。 ７、第２ピロリドンはＮ−（２−ヒドロキシエチル）−
   ２−ピロリドンおよびＮ−イソプロピル−２−ピロリド
   ンの群より選択される特許請求の範囲第６項記載のスト
   リッピング組成物。 ８、第１ピロリドンがストリッピング組成物の少なくと
   も６０重量％の濃度で存在し、そして第１ピロリドンと
   異なる１種または２種以上の追加のピロリドンがストリ
   ツピング溶液内のラクタム類の残部を構成するピロリド
   ン類の混合物の溶液からなることを特徴とする、ポジ作
   用のフォトレジストを支持体から除去するストリツピン
   グ組成物。 ９、本質的に中性のｐＨである特許請求の範囲第８項記
   載のストリツピング組成物。 １０、第１ピロリドンはピロリドン類の９０〜９９重量
   ％を構成し、そして第２ピロリドンは残部を構成する特
   許請求の範囲第８項記載のストリツピング組成物。 １１、第１ピロリドンはＮ−メチル−２−ピロリドンで
   ある特許請求の範囲第９項記載のストリツピング組成物
   。 １２、第２ピロリドンはＮ−（２−ヒドロキシエチル）
   −２−ピロリドンおよびＮ−イソプロピル−２−ピロリ
   ドンの群より選択される構成員である特許請求の範囲第
   １１項記載のストリツピング組成物。 １３、第１ラクタムがストリツピング組成物の少なくと
   も６０重量％の濃度で存在し、そして第１ラクタムと異
   る１種または２種以上の追加のラクタムがラクタム類の
   残部を構成するラクタム類の混合物の溶液からなるスト
   リツピング組成物とフォトレジストを接触させることを
   特徴とする支持体からポジ作用のフォトレジストをスト
   リツピングする方法。 １４、ラクタムは構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、ｎは１〜３の整数であり、メチレン基上に置換さ
   れた各Ｒは水素、極性基、シクロアルキルを包含する低
   級アルキル、および極性基の置換を有するシクロアルキ
   ルを包含する低級アルキルの群より選択され、そしてＲ
   ＾１はＲと同一の基およびアリールから選択される、に
   一致する特許請求の範囲第１３項記載の方法。 １５、各ラクタムはピロリドンである特許請求の範囲第
   １３項記載の方法。 １６、第１ピロリドンはピロリドン類の９０〜９９％の
   容量濃度で存在し、そして第２ピロリドンはピロリドン
   類の残部を構成する特許請求の範囲第１５項記載の方法
   。 １７、ストリツピング溶液は本質的に中性のｐＨである
   特許請求の範囲第１３項記載の方法。 １８、第１ピロリドンはＮ−メチル−２−ピロリドンで
   ある特許請求の範囲第１６項記載の方法。 １９、第２ピロリドンはＮ−（２−ヒドロキシエチル）
   −２−ピロリドンおよびＮ−シクロヘキシル−２−ピロ
   リドンの群より選択される特許請求の範囲第１６項記載
   の方法。 ２０、接触はストリツピング組成物中のフォトレジスト
   の浸漬による特許請求の範囲第１７項記載の方法。 ２１、接触はフォトレジストをストリツピング組成物で
   噴霧することによる特許請求の範囲第１７項記載の方法
   。 ２２、ストリツピング組成物は室温である特許請求の範
   囲第２０または２１項記載の方法。 ２３、ストリツピング組成物は高温である特許請求の範
   囲第２０または２１項記載の方法。