JPS61127700A - ＳｉＣウイスカ−の製造方法 - Google Patents
ＳｉＣウイスカ−の製造方法Info
- Publication number
- JPS61127700A JPS61127700A JP59244554A JP24455484A JPS61127700A JP S61127700 A JPS61127700 A JP S61127700A JP 59244554 A JP59244554 A JP 59244554A JP 24455484 A JP24455484 A JP 24455484A JP S61127700 A JPS61127700 A JP S61127700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon black
- specific surface
- oil absorption
- whisker
- nitrogen adsorption
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、ＳｉＣの単結晶で構成される微細繊維状のウ
ィスカーの製造方法に関する。
ィスカーの製造方法に関する。
「従来の技術」
ＳｉＣウィスカーは、比強度、比弾性率、耐熱−【す０
性、化学的安定性などの面で卓越した性能を有しており
、近年各種金属やプラスチックの複合強化材として有用
視されている素材である。
、近年各種金属やプラスチックの複合強化材として有用
視されている素材である。
このＳｉＣウィスカーの生成反応は、使用するけい素源
原料および炭材、配合比率、配合方法、反応雰囲気、反
応温度および触媒などの諸因子が関与しており、生成ウ
ィスカーの品質や収率はこれらの条件因子により大きく
支配される。したがって従来からこれら生成条件を巧み
に組合せた多様の製造技術が提案されている。
原料および炭材、配合比率、配合方法、反応雰囲気、反
応温度および触媒などの諸因子が関与しており、生成ウ
ィスカーの品質や収率はこれらの条件因子により大きく
支配される。したがって従来からこれら生成条件を巧み
に組合せた多様の製造技術が提案されている。
このうち、けい素源原料や触媒、生成促進助剤などの第
三成分に対する研究例は多くみられるが炭材成分の性状
と生成ウィスカーとの関係について詳しく検討された例
は見当らない。
三成分に対する研究例は多くみられるが炭材成分の性状
と生成ウィスカーとの関係について詳しく検討された例
は見当らない。
本出願人は、これらの見地から各種炭材成分のうち粒子
特性の制御・調節が比較的容易なカーボンブラックに着
目して種々研究を重ねた結果、一定の選択的特性範囲を
有するカーボンブラックを炭材として使用する場合に、
生成ウィスカーの品質、収率等が著しく向上することを
見出し、先に特願昭５１１８５９０６号として提案した
。すなわち、該先願の発明は、ＢＥＴ比表面積４０ｍ’
／ｇ以上、ＤＢＰ吸油量９０肩ａ／１００９以上および
着色力（％）がＣ０，３４９６Ｘ （ＢＥＴ比表面積）
−０，２１４３Ｘ（ＤＢＰ吸油量）＋Ｉ０１．８７）式
により算出される着色力関係値以下の選択的特性を有す
るカーボンブラックを炭材として使用することにより、
粒子状のＳｉＣを殆んど含まない高品位のＳｉＣウィス
カーを高収率で生成させることを可能としたものである
。
特性の制御・調節が比較的容易なカーボンブラックに着
目して種々研究を重ねた結果、一定の選択的特性範囲を
有するカーボンブラックを炭材として使用する場合に、
生成ウィスカーの品質、収率等が著しく向上することを
見出し、先に特願昭５１１８５９０６号として提案した
。すなわち、該先願の発明は、ＢＥＴ比表面積４０ｍ’
／ｇ以上、ＤＢＰ吸油量９０肩ａ／１００９以上および
着色力（％）がＣ０，３４９６Ｘ （ＢＥＴ比表面積）
−０，２１４３Ｘ（ＤＢＰ吸油量）＋Ｉ０１．８７）式
により算出される着色力関係値以下の選択的特性を有す
るカーボンブラックを炭材として使用することにより、
粒子状のＳｉＣを殆んど含まない高品位のＳｉＣウィス
カーを高収率で生成させることを可能としたものである
。
しかしながら、金属やプラスチックの強化用複合素材と
してＳｉＣウィスカーが卓越した性能を発揮するために
はより厳しい品質特性が要求される。すなわち、ウィス
カーの形状特性として曲がり変形が少なく真直で長く発
達していること、また直径および長さの均一性、アスペ
クト比の均等性などが特に問題となる。
してＳｉＣウィスカーが卓越した性能を発揮するために
はより厳しい品質特性が要求される。すなわち、ウィス
カーの形状特性として曲がり変形が少なく真直で長く発
達していること、また直径および長さの均一性、アスペ
クト比の均等性などが特に問題となる。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明は、先に出願した特願昭５８−８５９０６号の発
明を一層発展させ、炭材カーボンブラックの特性をより
適確に選択規制することにより、著しく高度の品質を有
するＳｉＣウィスカーの製造方法を提供するものである
。
明を一層発展させ、炭材カーボンブラックの特性をより
適確に選択規制することにより、著しく高度の品質を有
するＳｉＣウィスカーの製造方法を提供するものである
。
「問題を解決するための手段」
ＳｉＣウィスカーの生成反応を均一かつ迅速に進行完結
させるためには、カーボンブラックの界面における反応
を調節・制御することが重要である。発明者らはカーボ
ンブラックの粒子特性と生成ウィスカーの性状との関係
について詳細に研究を重ねた結果、特定範囲の比表面積
およびストラフチャーを有するカーボンブラックを使用
する場合には生成ウィスカーのアスペクト比が増大する
うえに均一性が向」ニし、また真直で曲がり変形が少な
く結晶の発達した長いウィスカーが得られることを見出
して本発明に至ったものである。
させるためには、カーボンブラックの界面における反応
を調節・制御することが重要である。発明者らはカーボ
ンブラックの粒子特性と生成ウィスカーの性状との関係
について詳細に研究を重ねた結果、特定範囲の比表面積
およびストラフチャーを有するカーボンブラックを使用
する場合には生成ウィスカーのアスペクト比が増大する
うえに均一性が向」ニし、また真直で曲がり変形が少な
く結晶の発達した長いウィスカーが得られることを見出
して本発明に至ったものである。
すなわち本発明は、けい素源原料に、炭材として窒素吸
着比表面積１５０−５００ｍ２／ｇ、ＤＢＰ吸油量１２
０〜２００Ｒ１／ １００ｇの特性範囲にあり、かつ着
色力（％）がＣ０，３４９６ｘ（窒素吸着比表面積）−
０，２１４３Ｘ（ＤＢＰ吸油量）＋１０１．８７） 式
より算出される着色力関係値以下の特性を有するカーボ
ンブラックを配合し、非酸化性雰囲気下で１３００〜１
８００℃の温度に加熱することを構成的特徴とする。
着比表面積１５０−５００ｍ２／ｇ、ＤＢＰ吸油量１２
０〜２００Ｒ１／ １００ｇの特性範囲にあり、かつ着
色力（％）がＣ０，３４９６ｘ（窒素吸着比表面積）−
０，２１４３Ｘ（ＤＢＰ吸油量）＋１０１．８７） 式
より算出される着色力関係値以下の特性を有するカーボ
ンブラックを配合し、非酸化性雰囲気下で１３００〜１
８００℃の温度に加熱することを構成的特徴とする。
これらの各特性項目は、カーボンブラックの粒子特性を
評価するために常用されている指標であり、次の方法に
よって測定される。
評価するために常用されている指標であり、次の方法に
よって測定される。
（１）窒素吸着比表面積； ＡＳＴＭ Ｄ３０３７−
７８． ” ５ｔａｎｄａｒｄ ｍ、ｅｔｈｏｄ
ｏｆ ｔｅｓｔｉｎｇｃａｒｂｏｎ ｂｌａｃｋ −
５ｕｒｆａｃｅ ａｒｅａ ｂｙ ｎｉｔｒｏｇ
ｅｎａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ ” Ｍｅｔｈｏｄ Ｂ
による。
７８． ” ５ｔａｎｄａｒｄ ｍ、ｅｔｈｏｄ
ｏｆ ｔｅｓｔｉｎｇｃａｒｂｏｎ ｂｌａｃｋ −
５ｕｒｆａｃｅ ａｒｅａ ｂｙ ｎｉｔｒｏｇ
ｅｎａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ ” Ｍｅｔｈｏｄ Ｂ
による。
（２）ＤＢＰ吸油量、 Ｊ Ｉ Ｓ Ｋ６２２１ （
１９７５）「ゴム用カーボンブラックの試験方法Ｊ６．
１．２項の吸油量Ａ法による。
１９７５）「ゴム用カーボンブラックの試験方法Ｊ６．
１．２項の吸油量Ａ法による。
（３）着色力、 ＡＳＴＭ Ｄ３２６５−８０゜Ｓ
ｔａｎｄａｒｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｔｅｓ
ｔｉｎｇ ｃａｒｂｏｎｂｌａｃｋ −Ｔｉｎｔ
ｓｔｒｅｎｇｔｈ ’による。
ｔａｎｄａｒｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｔｅｓ
ｔｉｎｇ ｃａｒｂｏｎｂｌａｃｋ −Ｔｉｎｔ
ｓｔｒｅｎｇｔｈ ’による。
このうち、窒素吸着比表面積はカーボンブラックの粒子
径を示すパラメーターでもあり比表面積が大きい程粒子
径が小さいことを示し、またＤＢＰ吸油量はカーボンブ
ラックのストラフチャー（鎖状凝集体構造）を示す尺度
であり、吸油量が大きい程高次に発達したストラフチャ
ー構造を示す。
径を示すパラメーターでもあり比表面積が大きい程粒子
径が小さいことを示し、またＤＢＰ吸油量はカーボンブ
ラックのストラフチャー（鎖状凝集体構造）を示す尺度
であり、吸油量が大きい程高次に発達したストラフチャ
ー構造を示す。
着色力は、本来的にはカーボンブラックの黒色度を表わ
す指標であるが、同時にカーボンブラックの粒子径およ
びその分布、ストラフチャーの大きさとその分布などカ
ーボンブラック粒子の形態学的構造を総合的に表示する
指標ともなる。この着色力が着色力関係値以下の値を有
するカーボンブラックすなわち窒素吸着比表面積やＤＢ
Ｐ吸油量のレベルに対し相対的に低位の着色力を有する
カーボンブラックは粒子径やストラフチャーの分布中が
相対的に広いことを意味している。
す指標であるが、同時にカーボンブラックの粒子径およ
びその分布、ストラフチャーの大きさとその分布などカ
ーボンブラック粒子の形態学的構造を総合的に表示する
指標ともなる。この着色力が着色力関係値以下の値を有
するカーボンブラックすなわち窒素吸着比表面積やＤＢ
Ｐ吸油量のレベルに対し相対的に低位の着色力を有する
カーボンブラックは粒子径やストラフチャーの分布中が
相対的に広いことを意味している。
本発明に適用されるカーボンブラックは、大きな比表面
積と高次に発達したストラフチャーならびにその分布中
が適度に広いことを物性上の要件とする。
積と高次に発達したストラフチャーならびにその分布中
が適度に広いことを物性上の要件とする。
これら選択特性のうち、窒素吸着比表面積が１５０ｍ”
７９未満の場合には、ＳｉＣウィスカーの生成反応に関
与する比表面積が相対的に小さいためにウィスカー生成
反応が均一、迅速に進行し難く、一方５００ｍ’／ｇを
越える大きな比表面積を有していても最早ウィスカー生
成反応の均一性向上効果には限界があるためである。ま
たＤＢＰ吸油量がｌ ２０ｍＱ／ Ｉ ＯＯｉ＋未満の
場合には、カーボンブラック粒子の鎖状構造の発達が相
対的に低位であるために界面反応が円滑に進行する空間
が充分に形成されず、ウィスカー生成反応が阻害されて
収率の低下を招きかつ真直性に劣る結果となる。
７９未満の場合には、ＳｉＣウィスカーの生成反応に関
与する比表面積が相対的に小さいためにウィスカー生成
反応が均一、迅速に進行し難く、一方５００ｍ’／ｇを
越える大きな比表面積を有していても最早ウィスカー生
成反応の均一性向上効果には限界があるためである。ま
たＤＢＰ吸油量がｌ ２０ｍＱ／ Ｉ ＯＯｉ＋未満の
場合には、カーボンブラック粒子の鎖状構造の発達が相
対的に低位であるために界面反応が円滑に進行する空間
が充分に形成されず、ウィスカー生成反応が阻害されて
収率の低下を招きかつ真直性に劣る結果となる。
なおりＢＰ吸油量が２００ｘｆ！／１００ｇを越える高
ストラクチヤーブラックを使用してもその向上効果には
限界があり著しい効果を得ることができない。
ストラクチヤーブラックを使用してもその向上効果には
限界があり著しい効果を得ることができない。
上記選択的特性を有するカーボンブラックとしては、製
造時原料となる炭化水素の種類、空気との混合比率、熱
分解反応の温度、反応域におけるガス滞留時間などの諸
条件を適宜制御することによって容易に調整することが
できるファーネスブラック、あるいは水蒸気の存在下に
炭化水素を部分酸化して水素と一酸化炭素の合成化学用
原料ガスを製造する際に副生ずるカーボンブラックおよ
びこれを熱処理変成して得られる導電性カーボンブラッ
クなどが含まれる。
造時原料となる炭化水素の種類、空気との混合比率、熱
分解反応の温度、反応域におけるガス滞留時間などの諸
条件を適宜制御することによって容易に調整することが
できるファーネスブラック、あるいは水蒸気の存在下に
炭化水素を部分酸化して水素と一酸化炭素の合成化学用
原料ガスを製造する際に副生ずるカーボンブラックおよ
びこれを熱処理変成して得られる導電性カーボンブラッ
クなどが含まれる。
炭材カーボンブラックは、けい砂、けい石、籾殻灰、シ
リカゲルなどのＳｉＯ２を含有するけい泉源原ネ１と配
合して反応に供される。けい素源原料に対する炭材カー
ボンブラックの配合比率はＳｉＣウィスカーの生成収率
ならびに残留炭素の焼却処理等の観点から１１０〜４０
０重量％の範囲に設定することが望ましい。また、これ
に原料系に例えばＦｅＣＬ・４ ｒ−ｒ、ｏ、 Ｎ１（
Ｎｏ３）、・６ ｒ−ｒ、ｏ。
リカゲルなどのＳｉＯ２を含有するけい泉源原ネ１と配
合して反応に供される。けい素源原料に対する炭材カー
ボンブラックの配合比率はＳｉＣウィスカーの生成収率
ならびに残留炭素の焼却処理等の観点から１１０〜４０
０重量％の範囲に設定することが望ましい。また、これ
に原料系に例えばＦｅＣＬ・４ ｒ−ｒ、ｏ、 Ｎ１（
Ｎｏ３）、・６ ｒ−ｒ、ｏ。
ＣｏＣＬ・６Ｉ−Ｉ、ＯのようなＦｅ、ＮｉもしくはＣ
Ｏの化合物から選ばれた触媒成分および空間形成材とし
て機能するＮａＣｌを添加混合すると ＳｉＣウィスカ
ーの成長がより効果的に促進されるため好ましい。
Ｏの化合物から選ばれた触媒成分および空間形成材とし
て機能するＮａＣｌを添加混合すると ＳｉＣウィスカ
ーの成長がより効果的に促進されるため好ましい。
ＳｉＣウィスカーの生成は、原ネ１物質を例えば黒鉛製
反応容器に充填したのち蓋を付し、非酸化性雰囲気に保
持した電気炉で１３００〜１８００℃、望ましくは１５
００〜１７００℃の温度に少くとも２０分間保持するこ
とによりおこなわれる。
反応容器に充填したのち蓋を付し、非酸化性雰囲気に保
持した電気炉で１３００〜１８００℃、望ましくは１５
００〜１７００℃の温度に少くとも２０分間保持するこ
とによりおこなわれる。
この生成物中に残留する未反応の炭材カーボンブラック
は焼却あるいは溶媒分離処理により除去され、淡緑白色
を呈するＳｉＣウィスカーとして回収される。
は焼却あるいは溶媒分離処理により除去され、淡緑白色
を呈するＳｉＣウィスカーとして回収される。
「作 用」
ＳｉＣウィスカーは、加熱過程で原料物質中のけい素成
分と炭素成分が相互に反応し、微少繊維状のＳｉＣ単結
晶に転化することにより生成する。
分と炭素成分が相互に反応し、微少繊維状のＳｉＣ単結
晶に転化することにより生成する。
この場合、炭材として選択特性のような大きな比表面積
と高次に発達したストラフチャーならびにその分布中が
適度に広いことにより特徴づけられるカーボンブラック
を使用することにより、カーボンブラック界面における
ウィスカーの結晶生成ならびに成長が極めて均一かつ均
等に進行する。
と高次に発達したストラフチャーならびにその分布中が
適度に広いことにより特徴づけられるカーボンブラック
を使用することにより、カーボンブラック界面における
ウィスカーの結晶生成ならびに成長が極めて均一かつ均
等に進行する。
その結果、均質性の高いウィスカーを生成させることが
できる。
できる。
「実施例」
けい素源原料として、予め触媒ＣＯＣｌ２・６Ｈ２０を
添加（けい素源原料に対し３．７重里％）した５ｉｎ２
含有率９９．５％の二酸化けい素微粉末（１５０メッン
ユ篩全通）を用い、これに窒素吸着比表面積、ＤＢＰ吸
油量および着色力の異なる各種特性のカーボンブラック
を１２０重量％の配合比率で均一に混合した。これに空
間形成材として、けい素源原料に対し１００重全数のＮ
ａＣｌを添加混合して原料系とした。
添加（けい素源原料に対し３．７重里％）した５ｉｎ２
含有率９９．５％の二酸化けい素微粉末（１５０メッン
ユ篩全通）を用い、これに窒素吸着比表面積、ＤＢＰ吸
油量および着色力の異なる各種特性のカーボンブラック
を１２０重量％の配合比率で均一に混合した。これに空
間形成材として、けい素源原料に対し１００重全数のＮ
ａＣｌを添加混合して原料系とした。
この混合原料各５０．０ｇを内径７０ｍｍ、高さ１５０
ｍｍの高純度黒鉛製反応容器に軽く充填したのち、黒鉛
蓋を付してアチソン型電気炉に移し、周囲をコークス粒
バッキングで被包した。次いで炉を通電昇温し、炉内を
非酸化性雰囲気に保持しながら１５５０℃の温度に１時
間保持してウィスカー生成反応を完結した。
ｍｍの高純度黒鉛製反応容器に軽く充填したのち、黒鉛
蓋を付してアチソン型電気炉に移し、周囲をコークス粒
バッキングで被包した。次いで炉を通電昇温し、炉内を
非酸化性雰囲気に保持しながら１５５０℃の温度に１時
間保持してウィスカー生成反応を完結した。
このウィスカー生成反応物を反応容器から取出し、大気
中７００℃の温度で、熱処理して未反応残留カーボンブ
ラックを完全に燃焼除去した。
中７００℃の温度で、熱処理して未反応残留カーボンブ
ラックを完全に燃焼除去した。
このようにして得られた生成物はいずれも淡緑白色の藻
草状外観を有するβ型ＳｊＣウイスカーであったが、適
用した炭材カーボンブラックの特性によりウィスカーの
性状、均質性などに相違が認められた。
草状外観を有するβ型ＳｊＣウイスカーであったが、適
用した炭材カーボンブラックの特性によりウィスカーの
性状、均質性などに相違が認められた。
これらの結果を使用した原料系と比べて表に示した。
表の結果から、本発明で特定した選択的特性を具備する
カーボンブラックを炭材として使用する本発明例（Ｒｕ
ｎ Ｎｏ、 Ｉ〜６）においては比較例（ＲｕｎＮｏ、
７〜Ｉ １ ）に比べて生成ＳｉＣウィスカーのアス
ペクト比が大きく、また均一性が高いことを示している
。また、形状特性も真直性が高くて曲がり変形状のもの
が少なく、極めて均質かつ高品位の品質特性を有するウ
ィスカーが得られる。
カーボンブラックを炭材として使用する本発明例（Ｒｕ
ｎ Ｎｏ、 Ｉ〜６）においては比較例（ＲｕｎＮｏ、
７〜Ｉ １ ）に比べて生成ＳｉＣウィスカーのアス
ペクト比が大きく、また均一性が高いことを示している
。また、形状特性も真直性が高くて曲がり変形状のもの
が少なく、極めて均質かつ高品位の品質特性を有するウ
ィスカーが得られる。
「発明の効果」
本発明は上記構成に基づき、ＳｉＣウィスカー生成反応
に大きな影響を与える炭材として使用するカーボンブラ
ックの特性を適確に規制することによってカーボンブラ
ック界面におけるウィスカー生成反応を均一かつ迅速に
進行させることができる。このため、極めて均質な品質
特性を有し、また曲がり変形のない真直性の高い高品位
のＳｔＣウィスカーの製造が可能となるから複合強化材
として有用される。
に大きな影響を与える炭材として使用するカーボンブラ
ックの特性を適確に規制することによってカーボンブラ
ック界面におけるウィスカー生成反応を均一かつ迅速に
進行させることができる。このため、極めて均質な品質
特性を有し、また曲がり変形のない真直性の高い高品位
のＳｔＣウィスカーの製造が可能となるから複合強化材
として有用される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 けい素源原料に、炭材として窒素吸着比表面積１５０〜
５００ｍ＾２／ｇ、ＤＢＰ吸油量１２０〜２００ｍｌ／
１００ｇの特性範囲にあり、かつ着色力（％）が〔０．
３４９６×（窒素吸着比表面積）−０．２１４３×（Ｄ
ＢＰ吸油量）＋１０１．８７〕式により算出される着色
力関係値以下の特性を有するカーボンブラックを配合し
、非酸化性雰囲気下で１３００〜１８００℃の温度に加
熱することを特徴とするＳｉＣウイスカーの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59244554A JPS61127700A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | ＳｉＣウイスカ−の製造方法 |
| GB08527996A GB2169592B (en) | 1984-11-21 | 1985-11-13 | Process for preparing silicon carbide whiskers |
| FR858516825A FR2573444B1 (fr) | 1984-11-21 | 1985-11-14 | Procede de fabrication de fibres monocristallines en carbure de silicium |
| US06/798,787 US4690811A (en) | 1984-11-21 | 1985-11-18 | Process for preparing silicon carbide whiskers |
| DE19853541238 DE3541238A1 (de) | 1984-11-21 | 1985-11-21 | Verfahren zur herstellung von siliziumkohlenstoffwhiskern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59244554A JPS61127700A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | ＳｉＣウイスカ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61127700A true JPS61127700A (ja) | 1986-06-14 |
| JPH0411519B2 JPH0411519B2 (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=17120430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59244554A Granted JPS61127700A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | ＳｉＣウイスカ−の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4690811A (ja) |
| JP (1) | JPS61127700A (ja) |
| DE (1) | DE3541238A1 (ja) |
| FR (1) | FR2573444B1 (ja) |
| GB (1) | GB2169592B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156100A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-29 | Kobe Steel Ltd | 炭化ケイ素ウイスカ−の製造方法 |
| JPS63159298A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-07-02 | Kobe Steel Ltd | 炭化ケイ素ウイスカーの連続製造装置 |
| KR100720742B1 (ko) | 2005-12-01 | 2007-05-22 | 김명길 | 금속물질 코팅장치 및 코팅방법 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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