JPS60133493A - マトリツクス型液晶表示装置 - Google Patents
マトリツクス型液晶表示装置Info
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- JPS60133493A JPS60133493A JP58243257A JP24325783A JPS60133493A JP S60133493 A JPS60133493 A JP S60133493A JP 58243257 A JP58243257 A JP 58243257A JP 24325783 A JP24325783 A JP 24325783A JP S60133493 A JPS60133493 A JP S60133493A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は透過型のマトリックス型液晶表示装置に関す
るものであって、特に、液晶表示性能を向上した透過型
のマトリック型液晶表示装置に関する。
るものであって、特に、液晶表示性能を向上した透過型
のマトリック型液晶表示装置に関する。
［従来技術］
従来、この種の装置として第１図に示づものがあった。
第１図は、従来の透過型のマトリックス型液晶表示装置
の部分断面図である。図において、１対の表側の偏光板
３０と裏側の偏光板３１は間隔をおいて平行に配置され
ており、これら偏光板の偏光軸は直交している。偏光板
３０と偏光板３１間には、液晶表示素子が挾まれている
。透明絶縁体の基板１と透明絶縁体の対向基板２は、間
隔をおいて表側の偏光板３０に平行に配置されており、
対向基板２上には透明Ｓ？ｔｌｌ！１５が形成されてい
る。基板１と透明導電ｐｉＳ間にはネマティック液晶６
が充填されており、基板１上に液晶配向処理がされてい
る。ネマティック液晶６の分子の長袖は、基板１から透
明導電１ｔ！ｉ１５へ行く間に、軸方向が９０°ねじれ
て９０″ツイスト配列セルとなっている。基板１上には
、ＭＯ８型トランジスタからなる薄膜トランジスタ（以
下Ｔ Ｆ ’Ｉ−と略記する〉３、およびこれに一部重
なって透明な表示電極４が形成されている。
の部分断面図である。図において、１対の表側の偏光板
３０と裏側の偏光板３１は間隔をおいて平行に配置され
ており、これら偏光板の偏光軸は直交している。偏光板
３０と偏光板３１間には、液晶表示素子が挾まれている
。透明絶縁体の基板１と透明絶縁体の対向基板２は、間
隔をおいて表側の偏光板３０に平行に配置されており、
対向基板２上には透明Ｓ？ｔｌｌ！１５が形成されてい
る。基板１と透明導電ｐｉＳ間にはネマティック液晶６
が充填されており、基板１上に液晶配向処理がされてい
る。ネマティック液晶６の分子の長袖は、基板１から透
明導電１ｔ！ｉ１５へ行く間に、軸方向が９０°ねじれ
て９０″ツイスト配列セルとなっている。基板１上には
、ＭＯ８型トランジスタからなる薄膜トランジスタ（以
下Ｔ Ｆ ’Ｉ−と略記する〉３、およびこれに一部重
なって透明な表示電極４が形成されている。
第２図は、従来の透過型のマトリックス型液晶表示装置
の単位素子の平面図である。なお、第２図において第１
図と同様の部分には同じ参照番号を付している。図にＪ
３いて、丁ＦＴ３のゲートはゲート電極８を介してゲー
ト線８０に接続され−Ｃいる。ＴＰＴ３のソースはソー
ス電極７を介してソースｌ１１７０に接続されている。
の単位素子の平面図である。なお、第２図において第１
図と同様の部分には同じ参照番号を付している。図にＪ
３いて、丁ＦＴ３のゲートはゲート電極８を介してゲー
ト線８０に接続され−Ｃいる。ＴＰＴ３のソースはソー
ス電極７を介してソースｌ１１７０に接続されている。
Ｔ＃Ｔ３のドレインはトレイン電極１０を介して表示Ｎ
極４に接続されている。ＴＰＴ３のグー１〜電極８上お
よび第２の絶縁膜１５〈図示せず。第３図参照）上には
、表側の遮光膜９が形成されている。Ｔ Ｆ Ｔ ３と
ゲート線８Ｏとソース線７０と表示電極４と表側の遮光
膜９とは、この装置の単位素子を構成し、この単位素子
の複数個が基板１上にマトリックス状に配列されている
（図示せず）。グー１へ線８０は単位素子の側部で横に
延び、ソース線７０は単位素子の側部て縦に延びて、複
数のグー１〜線８Ｏと複数のソース線７０は各単位素子
を囲むように基板１上で格子状に配列されている（図示
せず）。
極４に接続されている。ＴＰＴ３のグー１〜電極８上お
よび第２の絶縁膜１５〈図示せず。第３図参照）上には
、表側の遮光膜９が形成されている。Ｔ Ｆ Ｔ ３と
ゲート線８Ｏとソース線７０と表示電極４と表側の遮光
膜９とは、この装置の単位素子を構成し、この単位素子
の複数個が基板１上にマトリックス状に配列されている
（図示せず）。グー１へ線８０は単位素子の側部で横に
延び、ソース線７０は単位素子の側部て縦に延びて、複
数のグー１〜線８Ｏと複数のソース線７０は各単位素子
を囲むように基板１上で格子状に配列されている（図示
せず）。
各グー１−柘１８０は走Ｍ電極に接続され、各ソース線
７０は信号電極に接続されている（図示けｆ）。
７０は信号電極に接続されている（図示けｆ）。
第３図は、従来の透過型のマトリックス型液晶表示装置
の単位素子のＭＯ８型１へランジスタからなるＴＰＴの
断面図である。なお、第３図において、第１図および第
２図と同様の部分には同じ参照番号を何している。図お
いて、基板１上にアイランド１２が形成されており、ア
イランド１２の側部の基板１上には第１の絶縁膜１１が
形成されている。アイランド１２上の一部には第２の絶
縁膜１５が形成されている。第２の絶縁膜１５上にはグ
ー１〜電極８が形成されており、グーｌ−電４Ａ ８の
側部にも第２の絶縁膜１５が形成されている。
の単位素子のＭＯ８型１へランジスタからなるＴＰＴの
断面図である。なお、第３図において、第１図および第
２図と同様の部分には同じ参照番号を何している。図お
いて、基板１上にアイランド１２が形成されており、ア
イランド１２の側部の基板１上には第１の絶縁膜１１が
形成されている。アイランド１２上の一部には第２の絶
縁膜１５が形成されている。第２の絶縁膜１５上にはグ
ー１〜電極８が形成されており、グーｌ−電４Ａ ８の
側部にも第２の絶縁膜１５が形成されている。
また、アイランド１２上の一部には、ゲート電極８の両
側部に第２の１８縁膜１５を介してソース電極７および
ドレイン電極１０が形成されている。
側部に第２の１８縁膜１５を介してソース電極７および
ドレイン電極１０が形成されている。
グー１〜電極８上の一部および第２の絶縁膜１５上の一
部には、表側の遮光ＰＩ９が形成されている。
部には、表側の遮光ＰＩ９が形成されている。
次に、この装置の液晶表示動作について説明する。走査
電極からの走査パルスがゲート線８０を介してＴＰＴ３
のゲート電極８に与えられない場合は、ＴＰＴ３はＯＦ
Ｆとなり、信＠電極からの信号パルスはＴ Ｆ Ｔ ３
のソース線７０．ソース電ｗＡ７．ドレイン電極１Ｏを
介して表示電極４に与えられず、表示電極４と透明導Ｎ
膜５問には電圧が印加されない。したがって、ネマティ
ック液晶６には電圧が印加されない。この場合は、裏側
の偏光板３１に入射した入射光２０は、表側の偏光板３
１を透過して直線偏光となり、基板１に入剣する。基板
１に入射した直線偏光の偏光方向は、９０°ツイスト配
列セルを通過中に液晶分子のねじれに沿って９０°だけ
回転（９Ｏ０旋光）する。
電極からの走査パルスがゲート線８０を介してＴＰＴ３
のゲート電極８に与えられない場合は、ＴＰＴ３はＯＦ
Ｆとなり、信＠電極からの信号パルスはＴ Ｆ Ｔ ３
のソース線７０．ソース電ｗＡ７．ドレイン電極１Ｏを
介して表示電極４に与えられず、表示電極４と透明導Ｎ
膜５問には電圧が印加されない。したがって、ネマティ
ック液晶６には電圧が印加されない。この場合は、裏側
の偏光板３１に入射した入射光２０は、表側の偏光板３
１を透過して直線偏光となり、基板１に入剣する。基板
１に入射した直線偏光の偏光方向は、９０°ツイスト配
列セルを通過中に液晶分子のねじれに沿って９０°だけ
回転（９Ｏ０旋光）する。
このａｍｉ光は、第１図に示すように、表側の偏光板３
０を透過する。このとき、ネマデ・Ｃツク液晶６は透明
に見える。
０を透過する。このとき、ネマデ・Ｃツク液晶６は透明
に見える。
走査電極からの走査パルスがゲートｌ１１８０を介して
王Ｆ Ｔ ３のゲート電極８に与えられる場合は、ＴＦ
Ｔ３はＯＮとなり、信号電極からの信号パルスは−ｒ
Ｆ Ｔ ３のソース１７０．ソース電極７．ドレイン電
極゛１０を介して表示電ｔｆｆｉ ４に与えられ。
王Ｆ Ｔ ３のゲート電極８に与えられる場合は、ＴＦ
Ｔ３はＯＮとなり、信号電極からの信号パルスは−ｒ
Ｆ Ｔ ３のソース１７０．ソース電極７．ドレイン電
極゛１０を介して表示電ｔｆｆｉ ４に与えられ。
表示電極４と透明導電膜５間には電圧が印加される。し
たがって、ネマティック液晶６には電圧が印加され、液
晶分子の長袖は電場方向と平行に再配列し、９Ｏ°の旋
光性は消失する。この場合は、裏側の偏光板３′１を透
過し、基板１に入射した直ｍｌ光の偏光方向は液晶セル
を通過中に回転せず、この直線偏光は表側の偏光板３０
を透過しない（図示せず〉。このとき、ネマティック液
晶６は不透明に見える。以上のように、この装置は光を
透過し、遮断することによって、白の背列に黒の表示を
可能とする。
たがって、ネマティック液晶６には電圧が印加され、液
晶分子の長袖は電場方向と平行に再配列し、９Ｏ°の旋
光性は消失する。この場合は、裏側の偏光板３′１を透
過し、基板１に入射した直ｍｌ光の偏光方向は液晶セル
を通過中に回転せず、この直線偏光は表側の偏光板３０
を透過しない（図示せず〉。このとき、ネマティック液
晶６は不透明に見える。以上のように、この装置は光を
透過し、遮断することによって、白の背列に黒の表示を
可能とする。
さて、従来の透過型の７１〜リックス型液晶表示装置で
は、表側からの光に対する遮光膜は形成されているが、
裏側からの光に対する遮光膜は形成されていなかったの
で、裏側から強い光が入射すると、Ｔ Ｆ ’Ｔ−３の
ＯＦＦ時のリーク電流を上昇さ１ｉ、液晶画像のコント
・ラストを著しく劣１ヒさけでいたが、逆にバックライ
トを用いないと画面全体が暗くなって高コントラストの
画質が得られず、いずれにしても高品質の透過型液晶表
示装置には裏側の遮光膜が必要である。
は、表側からの光に対する遮光膜は形成されているが、
裏側からの光に対する遮光膜は形成されていなかったの
で、裏側から強い光が入射すると、Ｔ Ｆ ’Ｔ−３の
ＯＦＦ時のリーク電流を上昇さ１ｉ、液晶画像のコント
・ラストを著しく劣１ヒさけでいたが、逆にバックライ
トを用いないと画面全体が暗くなって高コントラストの
画質が得られず、いずれにしても高品質の透過型液晶表
示装置には裏側の遮光膜が必要である。
従来の透過型のマトリックス型液晶表示装置では、以上
のように裏側に遮光膜が形成されぐいないので、裏側か
らの光惜を少なく抑えな【ブればならず、裏側に遮光膜
を形成しない限りバックライトなどの補助光で液晶表示
性能を同上ざＵることができず、良質な画質の設晶表示
装ばが望め２Ｊいなどの欠点があった。
のように裏側に遮光膜が形成されぐいないので、裏側か
らの光惜を少なく抑えな【ブればならず、裏側に遮光膜
を形成しない限りバックライトなどの補助光で液晶表示
性能を同上ざＵることができず、良質な画質の設晶表示
装ばが望め２Ｊいなどの欠点があった。
［発明の概要］
この発明は上記のような欠点を除去するためになされた
もので、それゆえに、この発明の主たる目的は、良質な
画質の透過型のマトリックス型液晶表示装置を提供する
ことである。
もので、それゆえに、この発明の主たる目的は、良質な
画質の透過型のマトリックス型液晶表示装置を提供する
ことである。
この発明を要約すれば、基板と半導体素子の間に、裏側
からの光に対する裏側の遮光膜を形成し、半導体素子の
ＯＦＦ時のリーク電流を低減することにより、バックラ
イトなどの補助光が使用可能となる透過型のマトリック
ス型液晶表示装置である。
からの光に対する裏側の遮光膜を形成し、半導体素子の
ＯＦＦ時のリーク電流を低減することにより、バックラ
イトなどの補助光が使用可能となる透過型のマトリック
ス型液晶表示装置である。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特徴は、図
面を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らかと
なろう。
面を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らかと
なろう。
［発明の実施例］
第４図は、この発明の実施例である透過型のマトリック
ス型液晶表示装置の全体の概略的平面図である。第４図
において、第１図および第３図と同様の部分には同じ参
照番号を付している。図において、透明絶縁体の基板１
と透明絶縁体の対向隔をおいて平行に配置されている。
ス型液晶表示装置の全体の概略的平面図である。第４図
において、第１図および第３図と同様の部分には同じ参
照番号を付している。図において、透明絶縁体の基板１
と透明絶縁体の対向隔をおいて平行に配置されている。
基板１上には、裏側の遮光膜１４が選択的に形成されて
いる。画面領域１３は対向基板２の内側にある。
いる。画面領域１３は対向基板２の内側にある。
第５図は、この発明の実施例である透過型のマトリック
型液晶表示装置の単位素子のＩｖｌ ＯＳ型卜・ランジ
スタからなるＴ Ｐ Ｔの断面図である。なお、第５図
において、第゛１図〜第４図と同様の部分には同じ参照
番号を付している。図において、この断面図が第３図の
従来の−「Ｆ−「の断面図と異なるところは、基板１と
ＴＦＴ３の半導体素子の間に裏側の遮光膜１４が形成さ
れているところＣ゛ある。
型液晶表示装置の単位素子のＩｖｌ ＯＳ型卜・ランジ
スタからなるＴ Ｐ Ｔの断面図である。なお、第５図
において、第゛１図〜第４図と同様の部分には同じ参照
番号を付している。図において、この断面図が第３図の
従来の−「Ｆ−「の断面図と異なるところは、基板１と
ＴＦＴ３の半導体素子の間に裏側の遮光膜１４が形成さ
れているところＣ゛ある。
裏側の遮光１１（１１４の側部の基板１上には、第３の
絶縁膜１６が形成され、裏側の遮光膜１４および第３の
絶ｆｉｌ！１６上には、第４の絶縁膜１７が形成されて
いる。第４の仙縁朕１７上には、第３図の従来のＴ Ｐ
Ｔの断面図と同様に順次アイランド１２などが積層し
て形成されている。
絶縁膜１６が形成され、裏側の遮光膜１４および第３の
絶ｆｉｌ！１６上には、第４の絶縁膜１７が形成されて
いる。第４の仙縁朕１７上には、第３図の従来のＴ Ｐ
Ｔの断面図と同様に順次アイランド１２などが積層し
て形成されている。
第６図は、この発明の実施例である透過型の７１−リン
ク型液晶表示装置の単位素子のＭＯ８型１・図において
、第２図〜第５図と同様の部分には同じ参照番号を付し
ている。図において、この平面図が第２図のｔｒｔ来の
単位素子の平面図と異なるところは、裏側の遮光膜１４
が形成されているところ−（ある。すなわち、ソース線
７Ｏおよび−ＦＦＴ３の半導体素子の下部に裏側の遮光
膜１４が形成されでいる。第５図および第６図において
、９は従来から形成されていた表側の遮光膜であり、反
剣型の）７クテイブマトリツクス装置では、このように
片面の表側の遮光１１９１９だけで十分だったが、対象
が透過型の液晶表示装置になると裏側からの光に対して
ら遮光膜を形成し、光励起電流を抑えな（プればならな
い。
ク型液晶表示装置の単位素子のＭＯ８型１・図において
、第２図〜第５図と同様の部分には同じ参照番号を付し
ている。図において、この平面図が第２図のｔｒｔ来の
単位素子の平面図と異なるところは、裏側の遮光膜１４
が形成されているところ−（ある。すなわち、ソース線
７Ｏおよび−ＦＦＴ３の半導体素子の下部に裏側の遮光
膜１４が形成されでいる。第５図および第６図において
、９は従来から形成されていた表側の遮光膜であり、反
剣型の）７クテイブマトリツクス装置では、このように
片面の表側の遮光１１９１９だけで十分だったが、対象
が透過型の液晶表示装置になると裏側からの光に対して
ら遮光膜を形成し、光励起電流を抑えな（プればならな
い。
この発明は、上記のように、基板１とＴ Ｆ １−３の
間に裏側の遮光膜１４を形成するので、裏側からの光を
遮光することができ、このＩζめ光励起電流による一ｒ
ＦＴ３のＯＦＦ時のリーク電流の上昇を抑えることがで
き、かつこの裏側の遮光１１４に電位を与えることによ
ってリーク電流を制御することができる。したがって、
バックライトなとを安心して使用できるので液晶表示性
能を著しく向」させろことができ、良質の画質で高信頼
Ｎの透過型の？トリックス型液晶表示Ｐｉ胃を得ること
ができる。
間に裏側の遮光膜１４を形成するので、裏側からの光を
遮光することができ、このＩζめ光励起電流による一ｒ
ＦＴ３のＯＦＦ時のリーク電流の上昇を抑えることがで
き、かつこの裏側の遮光１１４に電位を与えることによ
ってリーク電流を制御することができる。したがって、
バックライトなとを安心して使用できるので液晶表示性
能を著しく向」させろことができ、良質の画質で高信頼
Ｎの透過型の？トリックス型液晶表示Ｐｉ胃を得ること
ができる。
裏側の遮光１Ｈ１＜は、基板１十にＴ Ｐ Ｔ ３を形
成ずろ前（ご形成し、な（づ１′ｔばなＩ：）づ、材え
ミ１としては、製）告ライン上、プロセス上などの制約
もあるが、光励起電流に関与する１ヒ較的短波長の有害
な光をｊ席光するものであればよい。その−例として１
．にリシリコ〕・があり、この場合、裏側の凍光閂の厚
みは２０００Ａ〜・１１１ｍ捏度で効果があちＪｏた、
裏側の）π光暎１４のパターンの大きさは、ＴＰＴ３の
アイランド１２のオーバーリー、イズでａｒ電極４に臣
ならなければよく、遮光；１能を果たす大ささであれば
特に限定はしない２ また、裏側の遮光膜１４に適当な電位を与えてＴＰＴ３
の裏側に電ｔｌ障壁四を形成するヒでも、裏側のｔ＠光
膜１４全体の電位の安定化を図るヒＣもリード電極を引
出す必要がある、 なお、上記実施例では、裏側の遮光膜１４の材料として
、製造ライン上、プロセス上などの制約からポリシリコ
ンなどを挙げたが、これは光を遮光し、Ｔ Ｆ −ｒ
３などに悪影響を与えないしのであれば、特に問題はな
く、高融点金属およびプロセス上の最高湿度でも溶融し
ない金属でもよい。裏の遮光膜のパターンの大きさは、
アイランドのオーへナイズで表示電極に重ならない範囲
なら特に限定はしない。また、裏側の遮光膜の短絡接地
など同電位に保つためには、裏側の遮光膜は低抵抗のも
のが望まし、い。
成ずろ前（ご形成し、な（づ１′ｔばなＩ：）づ、材え
ミ１としては、製）告ライン上、プロセス上などの制約
もあるが、光励起電流に関与する１ヒ較的短波長の有害
な光をｊ席光するものであればよい。その−例として１
．にリシリコ〕・があり、この場合、裏側の凍光閂の厚
みは２０００Ａ〜・１１１ｍ捏度で効果があちＪｏた、
裏側の）π光暎１４のパターンの大きさは、ＴＰＴ３の
アイランド１２のオーバーリー、イズでａｒ電極４に臣
ならなければよく、遮光；１能を果たす大ささであれば
特に限定はしない２ また、裏側の遮光膜１４に適当な電位を与えてＴＰＴ３
の裏側に電ｔｌ障壁四を形成するヒでも、裏側のｔ＠光
膜１４全体の電位の安定化を図るヒＣもリード電極を引
出す必要がある、 なお、上記実施例では、裏側の遮光膜１４の材料として
、製造ライン上、プロセス上などの制約からポリシリコ
ンなどを挙げたが、これは光を遮光し、Ｔ Ｆ −ｒ
３などに悪影響を与えないしのであれば、特に問題はな
く、高融点金属およびプロセス上の最高湿度でも溶融し
ない金属でもよい。裏の遮光膜のパターンの大きさは、
アイランドのオーへナイズで表示電極に重ならない範囲
なら特に限定はしない。また、裏側の遮光膜の短絡接地
など同電位に保つためには、裏側の遮光膜は低抵抗のも
のが望まし、い。
また、上記実施例で・は、１対の鍋光板の隔光軸が直交
する場合について述べたが、１対の一偏光板の１％光軸
が平行の場合についても同様にこの発明を）ふ用できる
。
する場合について述べたが、１対の一偏光板の１％光軸
が平行の場合についても同様にこの発明を）ふ用できる
。
［発明の効果１
ｊメ上の、１；うＩここの発明によれば、基板と半導体
素子の間に裏の遮光膜を形成したので、光励起電流によ
る半導体素子のＯＦＦ時のリーク電流が抑えられる。し
たがって、バックライトなどを安心き、良質な画質が得
られる。その上、裏側の遮光膜に所望の電位を与えるこ
とでリーク電流炙制御できるので、高性能、高信頼性の
透過型のマトリックス型液晶表示装置を提供できろ。
素子の間に裏の遮光膜を形成したので、光励起電流によ
る半導体素子のＯＦＦ時のリーク電流が抑えられる。し
たがって、バックライトなどを安心き、良質な画質が得
られる。その上、裏側の遮光膜に所望の電位を与えるこ
とでリーク電流炙制御できるので、高性能、高信頼性の
透過型のマトリックス型液晶表示装置を提供できろ。
第１図は、従来の透過型のマトリックス型液晶表示装置
の部分断面図である。 第２図は、従来の透過型のマトリックス型液晶表示装置
の単位素子の平面図である。 第３図は、従来の透過型の７１へリックス型液晶表示装
置の単位素子のＭＯ８型１−ランジスタからなるＴＰＴ
の断面図である。 第４図は、この発明の実施例である透過型の７１−リッ
クス型液晶表示装置の全体の概略的平面図である。 第５図は、この発明の実施例である透過型のマトリック
ス型液晶表示装置の単位素子のＭＯ８型トランジスタか
らなるＴ Ｐ Ｔの断面図であるっ第６図は、この発明
の実施例である透過型の７１〜ランジスタかうなるＴ
Ｐ Ｔの平面図である。 図において、１は透明絶縁体の基板、２は透明絶縁体の
対向基板、３はＭＯ３型１〜ランジスクからなる薄膜ト
ランジスタ、４は透明な表示電極、５は透朗導電朕、６
はネマティック液晶、７はソース電極、７０はソース線
、８はグー（−電極、８０はゲート線、９は表側の遮光
−，１Ｏはドレイン几極、１１は第１の絶縁膜、１２（
Ｊアイランド、１３は画面領域、１４ ｔ、、Ｉ裏俳ｊ
の鴻）ヒ膜、１５け第２の絶縁膜、１６は第３の絶縁１
１Ｑ、１７（オ第４の絶縁膜、２Ｏは入射光、３０は表
側の偏光板、３１は典例の偏光板′１：ある。 代 理 六 人 Ｙ′ｌ 増 Ｉ重 篤１図 第２図 第３図 第４図 ［
の部分断面図である。 第２図は、従来の透過型のマトリックス型液晶表示装置
の単位素子の平面図である。 第３図は、従来の透過型の７１へリックス型液晶表示装
置の単位素子のＭＯ８型１−ランジスタからなるＴＰＴ
の断面図である。 第４図は、この発明の実施例である透過型の７１−リッ
クス型液晶表示装置の全体の概略的平面図である。 第５図は、この発明の実施例である透過型のマトリック
ス型液晶表示装置の単位素子のＭＯ８型トランジスタか
らなるＴ Ｐ Ｔの断面図であるっ第６図は、この発明
の実施例である透過型の７１〜ランジスタかうなるＴ
Ｐ Ｔの平面図である。 図において、１は透明絶縁体の基板、２は透明絶縁体の
対向基板、３はＭＯ３型１〜ランジスクからなる薄膜ト
ランジスタ、４は透明な表示電極、５は透朗導電朕、６
はネマティック液晶、７はソース電極、７０はソース線
、８はグー（−電極、８０はゲート線、９は表側の遮光
−，１Ｏはドレイン几極、１１は第１の絶縁膜、１２（
Ｊアイランド、１３は画面領域、１４ ｔ、、Ｉ裏俳ｊ
の鴻）ヒ膜、１５け第２の絶縁膜、１６は第３の絶縁１
１Ｑ、１７（オ第４の絶縁膜、２Ｏは入射光、３０は表
側の偏光板、３１は典例の偏光板′１：ある。 代 理 六 人 Ｙ′ｌ 増 Ｉ重 篤１図 第２図 第３図 第４図 ［
Claims (3)
- （１） １対の間隔をおいて平行に配置される偏光板と
、 前記一対の偏光板間において、前記偏光板に平行な基板
と、前記基板上方に間隔をおいて平行に配置される対向
基板と、 前記対向基板上に形成される透明導電膜と、前記基板と
前記対向基板間に充填される液晶と、前記基板上に形成
される半導体部と、前記基板上でかつ前記半導体部の側
部に形成される第１の絶縁膜ど、前記半導体部上に形成
される第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の内部に形成
されるゲート電極と、前記半導体部上でかつ前記第２の
絶縁膜を介して前記ゲート電極の側部に形成されるソー
ス電極およびドレイン電極とでｆｉｌ成され、前記液晶
に印加する電圧をスイッチングする半導体素子と、 前記ゲート電極に接続され、前記半導体素子を駆動する
走査パルスが与えられるゲーｊ−線と、前記ソース電極
に接続され、前記半導体素子を駆動する信号パルスが与
えられるソース線と、前記液晶内部にあり前記ドレイン
Ｎ極に接続される表示電極と、 前記ゲート電極上および前記第２の絶Ｒ膜上に形成され
る表側の遮光膜とを備え、 前記半導体素子と前記ゲート線と前記ソース線と前記表
示電極と前記表側の遮光膜とは単位素子を構成し、複数
個の前記単位素子が前記基板上にマトリックス状に配列
され、前記一対の偏光板と、前記基板と、前記対向基板
と、前記液晶と、複数個の前記単位素子とで構成される
マトリックス型液晶表示装置において、 前記基板と前記半導体素子間に、 前記基板上に形成される裏側の遮光膜と、前記基板上お
よび前記裏側の遮光膜上に形成される絶縁膜とを備えた
ことを特徴とする、マトリックス型液晶表示装置。 - （２） 前記基板および前記対向基板は透明絶縁体であ
る、特許請求の範囲第１項記載のマトリックス型液晶表
示装置。 - （３） 前記半導体素子はＭＯ８型トランジスタからな
る薄膜トランジスタである、特許請求の範囲第１項記載
のマトリックス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243257A JPS60133493A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | マトリツクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243257A JPS60133493A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | マトリツクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60133493A true JPS60133493A (ja) | 1985-07-16 |
Family
ID=17101176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58243257A Pending JPS60133493A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | マトリツクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60133493A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425132A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
| JPS6442635A (en) * | 1987-08-11 | 1989-02-14 | Asahi Glass Co Ltd | Active matrix type display element |
| JPH01222227A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Matsushita Electron Corp | 画像表示装置 |
| JPH0611735A (ja) * | 1992-03-30 | 1994-01-21 | Centre Natl Etud Telecommun (Ptt) | 光学的マスクを有するディスプレイスクリーンおよびスクリーンの形成法 |
| JPH06194687A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-15 | Nec Corp | 透過型アクティブマトリクス型液晶素子 |
| JP2005241910A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板、それを用いた液晶パネルおよび液晶プロジェクタ |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP58243257A patent/JPS60133493A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425132A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
| JPS6442635A (en) * | 1987-08-11 | 1989-02-14 | Asahi Glass Co Ltd | Active matrix type display element |
| JPH01222227A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Matsushita Electron Corp | 画像表示装置 |
| JPH0611735A (ja) * | 1992-03-30 | 1994-01-21 | Centre Natl Etud Telecommun (Ptt) | 光学的マスクを有するディスプレイスクリーンおよびスクリーンの形成法 |
| JPH06194687A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-15 | Nec Corp | 透過型アクティブマトリクス型液晶素子 |
| JP2005241910A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板、それを用いた液晶パネルおよび液晶プロジェクタ |
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