JPH11194206A - ミラー - Google Patents
ミラーInfo
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- JPH11194206A JPH11194206A JP10276909A JP27690998A JPH11194206A JP H11194206 A JPH11194206 A JP H11194206A JP 10276909 A JP10276909 A JP 10276909A JP 27690998 A JP27690998 A JP 27690998A JP H11194206 A JPH11194206 A JP H11194206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- less
- thermal expansion
- substrate
- average
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ミラーの熱膨張による影響を小さくおさえて反
射率の高い、光学的に優れたミラーを提供する。ミラー
を軽量化して、駆動系の振動等の影響も起きない、実用
的に優れたミラーを提供する。 【解決手段】表面における平均ボイド径が２μｍ以下
で、表面粗さがＲａ０．０１５μｍ以下で２９０ＧＰａ
以上のヤング率を有するセラミックスで基体を構成する
とともに、該基体表面にアルミニウムまたは銀からなる
平均膜厚０．５〜２μｍの反射膜を形成してＸＹステー
ジに固定するためのミラーを構成する。
射率の高い、光学的に優れたミラーを提供する。ミラー
を軽量化して、駆動系の振動等の影響も起きない、実用
的に優れたミラーを提供する。 【解決手段】表面における平均ボイド径が２μｍ以下
で、表面粗さがＲａ０．０１５μｍ以下で２９０ＧＰａ
以上のヤング率を有するセラミックスで基体を構成する
とともに、該基体表面にアルミニウムまたは銀からなる
平均膜厚０．５〜２μｍの反射膜を形成してＸＹステー
ジに固定するためのミラーを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体露光装置等
の位置決め用として用いるべく、ＸＹステージ上に固定
される測長ミラーなど、主に工業用のミラーに関するも
のである。
の位置決め用として用いるべく、ＸＹステージ上に固定
される測長ミラーなど、主に工業用のミラーに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＸＹステージを備え、原画パ
ターンを投影レンズを介して、被露光体に投影するよう
に構成した露光装置として、この露光装置の投影光学系
内のレンズ硝材、レンズ間空気（気体）、鏡筒等の熱変
化を検知する検出器を持ち、この出力に基づき、原画パ
ターン及び被露光体の位置を変化させ、熱変形を補正す
ることが可能な超精密投影露光装置が用いられている。
ターンを投影レンズを介して、被露光体に投影するよう
に構成した露光装置として、この露光装置の投影光学系
内のレンズ硝材、レンズ間空気（気体）、鏡筒等の熱変
化を検知する検出器を持ち、この出力に基づき、原画パ
ターン及び被露光体の位置を変化させ、熱変形を補正す
ることが可能な超精密投影露光装置が用いられている。
【０００３】このような装置において、被露光体の位置
を関知するために用いられる測長ミラーとして従来は、
中実のガラス製基体にアルミニウムを蒸着した角柱状の
ものが使用されてきた。
を関知するために用いられる測長ミラーとして従来は、
中実のガラス製基体にアルミニウムを蒸着した角柱状の
ものが使用されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のミラーは、高熱膨張、低剛性であり、測定精度の点
で必ずしも満足いくものではなかった。
来のミラーは、高熱膨張、低剛性であり、測定精度の点
で必ずしも満足いくものではなかった。
【０００５】また、近年、ウエハーのサイズが拡大する
につれて、露光装置もますます大型化し、これにつれて
ミラーも大型化してきた。この為ミラーの熱膨張による
寸法への影響も無視できなくなり、寸法精度が低下して
きたことから、低熱膨張性が要求されてきている。且つ
大型化による重量増大により、駆動系の振動等の問題も
発生してきてきる。
につれて、露光装置もますます大型化し、これにつれて
ミラーも大型化してきた。この為ミラーの熱膨張による
寸法への影響も無視できなくなり、寸法精度が低下して
きたことから、低熱膨張性が要求されてきている。且つ
大型化による重量増大により、駆動系の振動等の問題も
発生してきてきる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記従来技術の課題を解
決するべく本発明は、表面における平均ボイド径が２μ
ｍ以下で、ボイド率３％以下からなり、表面粗さがＲａ
０．０１５μｍ以下で２９０ＧＰａ以上のヤング率を有
するセラミックスで基体を構成し、該基体表面にアルミ
ニウムまたは銀からなり平均膜厚０．５〜２μｍの反射
膜を形成してなるＸＹステージ上に固定するためのミラ
ーを特徴とする。
決するべく本発明は、表面における平均ボイド径が２μ
ｍ以下で、ボイド率３％以下からなり、表面粗さがＲａ
０．０１５μｍ以下で２９０ＧＰａ以上のヤング率を有
するセラミックスで基体を構成し、該基体表面にアルミ
ニウムまたは銀からなり平均膜厚０．５〜２μｍの反射
膜を形成してなるＸＹステージ上に固定するためのミラ
ーを特徴とする。
【０００７】また、そのようなミラーを構成する上記セ
ラミックスとして、さらに０〜６０℃において１．２×
１０-6／℃以下の熱膨張係数を有するものを用いること
を特徴とする。さらに、前記基体の形状を少なくとも１
ｍｍの肉厚を有する中空体とすることを特徴とする。
ラミックスとして、さらに０〜６０℃において１．２×
１０-6／℃以下の熱膨張係数を有するものを用いること
を特徴とする。さらに、前記基体の形状を少なくとも１
ｍｍの肉厚を有する中空体とすることを特徴とする。
【０００８】あるいは本発明は、平均ボイド径７ｍｍ以
下でボイド率２％以下からなり熱膨張率２０〜３０℃に
おいて０．１×１０-6／℃以下からなるセラミックス基
体からなるミラーを提供せんとするものである。
下でボイド率２％以下からなり熱膨張率２０〜３０℃に
おいて０．１×１０-6／℃以下からなるセラミックス基
体からなるミラーを提供せんとするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図によ
って説明する。
って説明する。
【００１０】図１は本発明のミラーを位置決め用のミラ
ーとして用いた半導体露光装置の要部の斜視図であり、
１は位置決め用測長ミラー（以下、ミラーと略称す
る）、２はウエハーステージ３に載置されたウエハー、
６はＸＹステージ、７は回路パターンを露光するための
プロジエクションレンズである。
ーとして用いた半導体露光装置の要部の斜視図であり、
１は位置決め用測長ミラー（以下、ミラーと略称す
る）、２はウエハーステージ３に載置されたウエハー、
６はＸＹステージ、７は回路パターンを露光するための
プロジエクションレンズである。
【００１１】また、図２は上記ウエハーステージ３の平
面図であり、同図に示すように、一対の位置決め用測長
ミラー１、１がＬ字状９０゜位置に設置され、ウェハー
ステージ３の側方には、それぞれのミラー１に対しての
光源４と受光部５が設置されており、光源４から発射さ
れた光がミラー１で反射して、受光部５に到達する迄の
時間を正確にカウントすることにより、ウエハーステー
ジ３のＸＹ方向の座標位置を計測するものである。従っ
て、ミラー１として要求される特性として重要なこと
は、反射率が高いことである。
面図であり、同図に示すように、一対の位置決め用測長
ミラー１、１がＬ字状９０゜位置に設置され、ウェハー
ステージ３の側方には、それぞれのミラー１に対しての
光源４と受光部５が設置されており、光源４から発射さ
れた光がミラー１で反射して、受光部５に到達する迄の
時間を正確にカウントすることにより、ウエハーステー
ジ３のＸＹ方向の座標位置を計測するものである。従っ
て、ミラー１として要求される特性として重要なこと
は、反射率が高いことである。
【００１２】図３は、上記ミラー１を構成する基体１ａ
の斜視図であり、この基体１ａは少なくとも１ｍｍの肉
厚を有する中空体をなし、表面における平均ボイド径が
２μｍ以下で、表面粗さがＲａ０．０１５μｍ以下で２
９０ＧＰａ以上のヤング率を有するセラミックスで構成
されたものであり、さらに、そのようなセラミックスと
しては０〜６０℃において１．２×１０-6／℃以下の熱
膨張係数を有するものを用いることが好ましい。
の斜視図であり、この基体１ａは少なくとも１ｍｍの肉
厚を有する中空体をなし、表面における平均ボイド径が
２μｍ以下で、表面粗さがＲａ０．０１５μｍ以下で２
９０ＧＰａ以上のヤング率を有するセラミックスで構成
されたものであり、さらに、そのようなセラミックスと
しては０〜６０℃において１．２×１０-6／℃以下の熱
膨張係数を有するものを用いることが好ましい。
【００１３】なお、基体１ａの貫通孔１ｂの形状は同図
（Ａ）の如く、略矩形状であっても、（Ｂ）の如く円状
であってもよく、任意の形状とすることができる。
（Ａ）の如く、略矩形状であっても、（Ｂ）の如く円状
であってもよく、任意の形状とすることができる。
【００１４】また、ミラー１はこの基体１ａにアルミニ
ウムまたは銀を平滑に蒸着したものである。なお、この
反射膜の平均膜厚としては０．５〜２μｍの範囲である
ことが好ましい。すなわち、平均膜厚が０．５μｍ未満
では、蒸着がまだら状となってしまいミラーとして作用
しなくなる恐れがあり、他方、２μｍより厚い場合、表
面の平滑度が悪くなりミラーとして作用しなくなる恐れ
がある。
ウムまたは銀を平滑に蒸着したものである。なお、この
反射膜の平均膜厚としては０．５〜２μｍの範囲である
ことが好ましい。すなわち、平均膜厚が０．５μｍ未満
では、蒸着がまだら状となってしまいミラーとして作用
しなくなる恐れがあり、他方、２μｍより厚い場合、表
面の平滑度が悪くなりミラーとして作用しなくなる恐れ
がある。
【００１５】上記ミラー１において、基体１ａの表面平
均ボイド径が２μｍ以下で、表面粗さがＲａ０．０１５
μｍ以下とするのは、表面を鏡面化するだけでなく、ボ
イドを小さくすることにより、反射率を高め、測定精度
を向上せしめるためである。なお、ボイド径は画像解析
装置を用い、ボイド径の分布状態を測定することにより
求める。
均ボイド径が２μｍ以下で、表面粗さがＲａ０．０１５
μｍ以下とするのは、表面を鏡面化するだけでなく、ボ
イドを小さくすることにより、反射率を高め、測定精度
を向上せしめるためである。なお、ボイド径は画像解析
装置を用い、ボイド径の分布状態を測定することにより
求める。
【００１６】また、基体１ａのヤング率を２９０ＧＰａ
以上とするのは、平坦度を高精度に保つことができるよ
うにするためである。すなわち、後述のように基体１ａ
を中空体にする際に、肉厚が薄くなり、作動状況におい
て平面度が保ちにくいという問題があるのに対して、ヤ
ング率を２９０ＧＰａ以上とすることにより、そうした
問題を解消できるためである。
以上とするのは、平坦度を高精度に保つことができるよ
うにするためである。すなわち、後述のように基体１ａ
を中空体にする際に、肉厚が薄くなり、作動状況におい
て平面度が保ちにくいという問題があるのに対して、ヤ
ング率を２９０ＧＰａ以上とすることにより、そうした
問題を解消できるためである。
【００１７】また、０〜６０℃において熱膨張係数を
１．３×１０-6／℃以下とするのも、平坦度を作業中で
も高精度に保つことができるようにするためである。
１．３×１０-6／℃以下とするのも、平坦度を作業中で
も高精度に保つことができるようにするためである。
【００１８】さらに、前記基体１ａの形状を少なくとも
１ｍｍの肉厚を有する中空体とするのは、大型化しても
相対的に軽量化し、駆動系を大型化しなくても作動可能
なようにするためである。なお、上記肉厚を１ｍｍより
小さくする場合、ヤング率が２９０ＧＰａ以上の材料を
もってしても平坦度を保つのが難しくなる。
１ｍｍの肉厚を有する中空体とするのは、大型化しても
相対的に軽量化し、駆動系を大型化しなくても作動可能
なようにするためである。なお、上記肉厚を１ｍｍより
小さくする場合、ヤング率が２９０ＧＰａ以上の材料を
もってしても平坦度を保つのが難しくなる。
【００１９】ミラー１の反射率については、８５％以下
になると測定精度が落ちる（反射光がぼやけて入ってく
る）ため、８５％よりも高いレベルが必要となる。
になると測定精度が落ちる（反射光がぼやけて入ってく
る）ため、８５％よりも高いレベルが必要となる。
【００２０】このような特性を満たす基体１ａの材質と
してはセラミックより選択することができ、特に、窒化
珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）質セラミックスを次のような方法で
作製することによって得ることが可能である。
してはセラミックより選択することができ、特に、窒化
珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）質セラミックスを次のような方法で
作製することによって得ることが可能である。
【００２１】窒化珪素質セラミックスの場合は、まず、
９０〜９６重量％のＳｉ3 Ｎ4 を主成分とし、且つ、焼
結助剤として、Ｙ2 Ｏ3 ，Ｙｂ2 Ｏ3 等の希土類元素酸
化物を２〜５重量％、さらに、Ａｌ2 Ｏ3 を２〜５重量
％含有する原料を調合する。さらに、バインダーと溶媒
を添加して回転ミルにて混合粉砕した後、スプレードラ
イヤーにて造粒する。この造粒体を冷間静水圧加圧法に
より成型し、真空脱脂して、１７５０〜１８５０℃の焼
成温度で焼成する。
９０〜９６重量％のＳｉ3 Ｎ4 を主成分とし、且つ、焼
結助剤として、Ｙ2 Ｏ3 ，Ｙｂ2 Ｏ3 等の希土類元素酸
化物を２〜５重量％、さらに、Ａｌ2 Ｏ3 を２〜５重量
％含有する原料を調合する。さらに、バインダーと溶媒
を添加して回転ミルにて混合粉砕した後、スプレードラ
イヤーにて造粒する。この造粒体を冷間静水圧加圧法に
より成型し、真空脱脂して、１７５０〜１８５０℃の焼
成温度で焼成する。
【００２２】あるいは、本発明は、上記基体１ａとし
て、平均ボイド径が７μｍ以下、ボイド率が２％以下、
２０〜３０℃における熱膨張係数０．１×１０-6／℃か
らなるセラミックスを用い、該基体表面にアルミニウム
又は銀からなる平均膜厚０．５〜３μｍの反射膜を形成
してミラー１を構成することもできる。
て、平均ボイド径が７μｍ以下、ボイド率が２％以下、
２０〜３０℃における熱膨張係数０．１×１０-6／℃か
らなるセラミックスを用い、該基体表面にアルミニウム
又は銀からなる平均膜厚０．５〜３μｍの反射膜を形成
してミラー１を構成することもできる。
【００２３】このようなセラミックスとしては、コージ
ライトセラミックスを用いる。この場合の製造方法は、
まずコージライト原料を主成分とし焼結助剤としてＹｂ
2 Ｏ3 等の希土類元素酸化物を５〜１０重量％を含有す
る原料を調合する。更にバインダーと溶媒を添加して回
転ミルにて混合粉砕した後スプレードライヤーにて造粒
する。この造粒体をＣＩＰにより成形し、１３５０゜Ｃ
〜１４００゜Ｃの焼成温度で焼成する。
ライトセラミックスを用いる。この場合の製造方法は、
まずコージライト原料を主成分とし焼結助剤としてＹｂ
2 Ｏ3 等の希土類元素酸化物を５〜１０重量％を含有す
る原料を調合する。更にバインダーと溶媒を添加して回
転ミルにて混合粉砕した後スプレードライヤーにて造粒
する。この造粒体をＣＩＰにより成形し、１３５０゜Ｃ
〜１４００゜Ｃの焼成温度で焼成する。
【００２４】このようにして、前記特性を満たすような
セラミックスを得ることができる。
セラミックスを得ることができる。
【００２５】
【実施例】実施例１ 画像解析装置のボイドチエツクでボイドで平均ボイド径
が０．５μｍであり、表面粗さＲａ０．０１２μｍ、ヤ
ング率３００ＧＰａ、０〜６０℃における熱膨張係数が
１．２×１０-6／℃の窒化珪素質セラミックスで、３０
ｍｍ角×１００ｍｍＬで最小肉厚１ｍｍの中空体からな
る基体１ａを作製し、これにアルミニウムの平滑膜（１
μｍ厚）をスパツタリング法により蒸着し、本発明実施
例のミラー１とした。
が０．５μｍであり、表面粗さＲａ０．０１２μｍ、ヤ
ング率３００ＧＰａ、０〜６０℃における熱膨張係数が
１．２×１０-6／℃の窒化珪素質セラミックスで、３０
ｍｍ角×１００ｍｍＬで最小肉厚１ｍｍの中空体からな
る基体１ａを作製し、これにアルミニウムの平滑膜（１
μｍ厚）をスパツタリング法により蒸着し、本発明実施
例のミラー１とした。
【００２６】なお、上記窒化珪素質セラミックスの製造
方法は次のとおりであった。
方法は次のとおりであった。
【００２７】まず、９５重量％のＳｉ3 Ｎ4 を主成分と
し、且つ、焼結助剤として、Ｙ2 Ｏ3 ，Ｙｂ2 Ｏ3 を希
土類元素酸化物を２重量％、さらに、Ａｌ2 Ｏ3 を3 重
量％含有する原料を調合し、バインダーと溶媒を添加し
て回転ミルにて混合粉砕した後、スプレードライヤーに
て造粒する。この造粒体を冷間静水圧加圧法により成型
し、真空脱脂して、１８００℃の焼成温度で焼成した。
また、金属の芯金を使用したＣＩＰ法により中空形状に
成型した。
し、且つ、焼結助剤として、Ｙ2 Ｏ3 ，Ｙｂ2 Ｏ3 を希
土類元素酸化物を２重量％、さらに、Ａｌ2 Ｏ3 を3 重
量％含有する原料を調合し、バインダーと溶媒を添加し
て回転ミルにて混合粉砕した後、スプレードライヤーに
て造粒する。この造粒体を冷間静水圧加圧法により成型
し、真空脱脂して、１８００℃の焼成温度で焼成した。
また、金属の芯金を使用したＣＩＰ法により中空形状に
成型した。
【００２８】このミラー１を用い、分光光度計で、波長
５００nm〜７００nmに対しての反射率を測定したとこ
ろ、８６〜８８％と良好な結果であった。
５００nm〜７００nmに対しての反射率を測定したとこ
ろ、８６〜８８％と良好な結果であった。
【００２９】比較例として、表面粗さＲａ０．０１μ
ｍ、平均ボイド径５μｍ、０〜６０℃における熱膨張係
数が１．８×１０-6／℃の炭化珪素質セラミックスで３
０ｍｍ角×１００ｍｍＬで最小肉厚１ｍｍの中空体から
なる基体１ａを作製し、これにアルミニウムの平滑膜
（１μｍ厚）をスパツタリング法により蒸着してミラー
を得た。この比較例についても同様に（波長５００nm〜
７００nmに対しての）反射率を測定したが６８％〜８３
％と低く、使用不可能なものであった。
ｍ、平均ボイド径５μｍ、０〜６０℃における熱膨張係
数が１．８×１０-6／℃の炭化珪素質セラミックスで３
０ｍｍ角×１００ｍｍＬで最小肉厚１ｍｍの中空体から
なる基体１ａを作製し、これにアルミニウムの平滑膜
（１μｍ厚）をスパツタリング法により蒸着してミラー
を得た。この比較例についても同様に（波長５００nm〜
７００nmに対しての）反射率を測定したが６８％〜８３
％と低く、使用不可能なものであった。
【００３０】次に表１に示すＡ〜Ｅの材質で上記実施例
と同様（形状、平滑膜）のミラーを作製し、反射率を測
定した。
と同様（形状、平滑膜）のミラーを作製し、反射率を測
定した。
【００３１】表１から明らかなように、本発明の範囲内
にあるＡ、Ｂは反射率が８６〜８８％と良好であったの
に対して、範囲外にあるＣ〜Ｅは反射率がいずれも８５
％以下であり不良であった。
にあるＡ、Ｂは反射率が８６〜８８％と良好であったの
に対して、範囲外にあるＣ〜Ｅは反射率がいずれも８５
％以下であり不良であった。
【００３２】なお、上記Ａ、Ｂは、前記の窒化珪素質セ
ラミックスSi3N4 に準じて同一組成の原料よりほぼ同一
の方法により作製したものであり、ＡはＨＩＰ（熱間静
水圧加圧）処理を施したものであったのに対し、Ｂは同
処理を施さなかったものであるが、いずれも反射率８５
％以上と高かった。
ラミックスSi3N4 に準じて同一組成の原料よりほぼ同一
の方法により作製したものであり、ＡはＨＩＰ（熱間静
水圧加圧）処理を施したものであったのに対し、Ｂは同
処理を施さなかったものであるが、いずれも反射率８５
％以上と高かった。
【００３３】
【表１】
【００３４】実施例２ コージライト９１％、Ｙｂ2 Ｏ3 ９％からなる原料を調
合し、バインダーと溶媒を添加して回転バレルにて混合
粉砕した後スプレードライヤーにて造粒する。この造粒
体を冷間静水圧加圧加工法により成形し、１３７５゜Ｃ
の焼成温度にて焼成した３０ｍｍ角×１００ｍｍＬを実
施例２のミラーとした。さらに１２４０℃×２００ａｔ
ｍにてＨＩＰ処理した３０ｍｍ角×１００ｍｍＬを実施
例３のミラーとした。
合し、バインダーと溶媒を添加して回転バレルにて混合
粉砕した後スプレードライヤーにて造粒する。この造粒
体を冷間静水圧加圧加工法により成形し、１３７５゜Ｃ
の焼成温度にて焼成した３０ｍｍ角×１００ｍｍＬを実
施例２のミラーとした。さらに１２４０℃×２００ａｔ
ｍにてＨＩＰ処理した３０ｍｍ角×１００ｍｍＬを実施
例３のミラーとした。
【００３５】表２に示す様な実施例２、３のミラーＦ、
Ｇについて、反射率を測定したところいずれも良好な結
果が得られた。
Ｇについて、反射率を測定したところいずれも良好な結
果が得られた。
【００３６】
【表２】
【００３７】
【発明の効果】叙上のように本発明によれば、ミラーの
熱膨張による影響を小さくおさえて反射率の高い、光学
的に優れたミラーを提供するのみでなく、ミラーを軽量
化して、駆動系の振動等の影響も起きない、実用的に優
れたＸＹステージに固定するためのミラーを提供するこ
とができる。
熱膨張による影響を小さくおさえて反射率の高い、光学
的に優れたミラーを提供するのみでなく、ミラーを軽量
化して、駆動系の振動等の影響も起きない、実用的に優
れたＸＹステージに固定するためのミラーを提供するこ
とができる。
【図１】本発明のミラーを位置決め用のミラーとして用
いた半導体露光装置の要部の斜視図である。
いた半導体露光装置の要部の斜視図である。
【図２】図１の装置を構成するウエハーステージの平面
図である。
図である。
【図３】（Ａ）（Ｂ）ともに、図１の装置を構成するミ
ラーの基体の斜視図である。
ラーの基体の斜視図である。
１：位置決め用測長ミラー ２：ウエハー ３：ウエハーステージ ４：光源 ５：受光部 ６：ＸＹステージ ７：プロジエクションレンズ １ａ：基体 １ｂ：貫通孔
Claims (5)
- 【請求項１】表面における平均ボイド径が２μｍ以下
で、表面粗さがＲａ０．０１５μｍ以下で、２９０ＧＰ
ａ以上のヤング率を有するセラミックスで基体を構成す
るとともに、該基体表面にアルミニウム、銀等の金属か
らなる平均膜厚０．５〜２μｍの反射膜を形成したこと
を特徴とするＸＹステージ上に固定するためのミラー。 - 【請求項２】上記セラミックスが０〜６０℃において
１．３×１０-6／℃以下の熱膨張係数を有することを特
徴とする請求項１記載のミラー。 - 【請求項３】前記基体が少なくとも１ｍｍの肉厚を有す
る中空体であることを特徴とする請求項１乃至２記載の
ミラー。 - 【請求項４】上記セラミックスのボイド率が３％以下で
あることを特徴とする請求項１記載のミラー。 - 【請求項５】平均ボイド径が７μｍ以下、ボイド率が２
％以下、２０〜３０℃における熱膨張係数０．１×１０
-6／℃からなるセラミックスで基体を構成するととも
に、該基体表面にアルミニウム、銀等の金属からなる平
均膜厚０．５〜３μｍの反射膜を形成したことを特徴と
するＸＹステージ上に固定する為のミラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276909A JPH11194206A (ja) | 1997-10-28 | 1998-09-30 | ミラー |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29580197 | 1997-10-28 | ||
| JP9-295801 | 1997-10-28 | ||
| JP10276909A JPH11194206A (ja) | 1997-10-28 | 1998-09-30 | ミラー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11194206A true JPH11194206A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=26552159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10276909A Pending JPH11194206A (ja) | 1997-10-28 | 1998-09-30 | ミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11194206A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001151563A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-06-05 | Toto Ltd | コーディエライト緻密焼結体及びその製造法 |
| JP2003163257A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Canon Inc | 位置決め装置及びその製造方法 |
| WO2004083910A1 (ja) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Hitachi, Ltd. | リフレクタ及びそれを用いた投射型表示装置 |
| JP2008182282A (ja) * | 2008-04-21 | 2008-08-07 | Canon Inc | 位置決め装置及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP10276909A patent/JPH11194206A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001151563A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-06-05 | Toto Ltd | コーディエライト緻密焼結体及びその製造法 |
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