JPH11186698A - 回路基板の製造方法および回路基板 - Google Patents
回路基板の製造方法および回路基板Info
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- JPH11186698A JPH11186698A JP34976597A JP34976597A JPH11186698A JP H11186698 A JPH11186698 A JP H11186698A JP 34976597 A JP34976597 A JP 34976597A JP 34976597 A JP34976597 A JP 34976597A JP H11186698 A JPH11186698 A JP H11186698A
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高集積回路素子等の高密度実装を必要とする
回路基板の製造方法において、配線パターンの形成が湿
式処理のフォトリソグラフ法によって行われるため、微
細な配線パターンの形成が困難であるという課題を解決
し、簡単な方法で基板の表面と配線パターン導体の表面
が平坦化された高密度実装に適した回路基板の製造方法
とその回路基板を提供する。 【解決手段】 貫通孔１２内に導電性ペースト１３が充
填されたプリプレグ状態の樹脂基板１１の両面にそれぞ
れ異なる配線パターンが凸状に形成された上金型Ｃおよ
び下金型Ｄを配置し、両側から加熱、加圧することによ
り、樹脂基板１１を硬化すると同時に硬化した樹脂基板
１４の両面に配線パターン形状の凹状部１５を形成した
後、その凹状部１５に導電ペースト等の配線パターン導
体１６を充填して樹脂基板１４の表面と配線パターン導
体１６の表面とを平坦化させる。
回路基板の製造方法において、配線パターンの形成が湿
式処理のフォトリソグラフ法によって行われるため、微
細な配線パターンの形成が困難であるという課題を解決
し、簡単な方法で基板の表面と配線パターン導体の表面
が平坦化された高密度実装に適した回路基板の製造方法
とその回路基板を提供する。 【解決手段】 貫通孔１２内に導電性ペースト１３が充
填されたプリプレグ状態の樹脂基板１１の両面にそれぞ
れ異なる配線パターンが凸状に形成された上金型Ｃおよ
び下金型Ｄを配置し、両側から加熱、加圧することによ
り、樹脂基板１１を硬化すると同時に硬化した樹脂基板
１４の両面に配線パターン形状の凹状部１５を形成した
後、その凹状部１５に導電ペースト等の配線パターン導
体１６を充填して樹脂基板１４の表面と配線パターン導
体１６の表面とを平坦化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、両面または内層に
複数の配線を有する回路基板および回路基板の製造方法
に関するものである。
複数の配線を有する回路基板および回路基板の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、薄型化、軽量
化、高機能化が進展する中で電子機器を構成する各種電
子部品の小型化や薄型化等とともに、これら電子部品が
実装されるプリント配線基板も高密度実装を可能とする
様々な技術開発が盛んである。
化、高機能化が進展する中で電子機器を構成する各種電
子部品の小型化や薄型化等とともに、これら電子部品が
実装されるプリント配線基板も高密度実装を可能とする
様々な技術開発が盛んである。
【０００３】特に最近は急速な実装技術の進展ととも
に、ＬＳＩ等の半導体チップを高密度に実装でき、かつ
高速信号処理回路にも対応できる多層配線構造の回路基
板が安価に供給されることが強く要望されてきている。
このような多層配線回路基板では微細な配線ピッチで形
成された複数層の配線パターン間の高い電気的接続信頼
性や優れた高周波特性を備えていることが重要である。
このような高性能、高機能化された電子機器からの要求
に対し、ドリル加工と銅貼積層板のエッチングやめっき
加工による従来のスルーホール構造で層間の電気接続が
なされる多層プリント配線基板ではもはやこれらの要求
を満足させることは極めて困難となり、このような問題
を解決するために新しい構造を備えた回路基板や高密度
配線を目的とする製造方法が開発されつつある。
に、ＬＳＩ等の半導体チップを高密度に実装でき、かつ
高速信号処理回路にも対応できる多層配線構造の回路基
板が安価に供給されることが強く要望されてきている。
このような多層配線回路基板では微細な配線ピッチで形
成された複数層の配線パターン間の高い電気的接続信頼
性や優れた高周波特性を備えていることが重要である。
このような高性能、高機能化された電子機器からの要求
に対し、ドリル加工と銅貼積層板のエッチングやめっき
加工による従来のスルーホール構造で層間の電気接続が
なされる多層プリント配線基板ではもはやこれらの要求
を満足させることは極めて困難となり、このような問題
を解決するために新しい構造を備えた回路基板や高密度
配線を目的とする製造方法が開発されつつある。
【０００４】すなわち従来の多層配線基板の層間接続の
主流となっていたスルーホール内壁の銅めっき導体に代
えて、インナーバイアホール内に導電体を充填して接続
信頼性の向上を図るとともに部品ランド直下や任意の層
間にインナーバイアホールを形成でき、基板サイズの小
型化や高密度実装が実現できる全層ＩＶＨ構造の樹脂多
層基板（特開平６−２６８３４５号公報）がある。
主流となっていたスルーホール内壁の銅めっき導体に代
えて、インナーバイアホール内に導電体を充填して接続
信頼性の向上を図るとともに部品ランド直下や任意の層
間にインナーバイアホールを形成でき、基板サイズの小
型化や高密度実装が実現できる全層ＩＶＨ構造の樹脂多
層基板（特開平６−２６８３４５号公報）がある。
【０００５】以下に、上記全層ＩＶＨ構造の樹脂多層基
板の製造方法の一例について図７を参照して説明する。
図７（ａ）〜（ｆ）はその製造方法を示す工程断面図で
ある。
板の製造方法の一例について図７を参照して説明する。
図７（ａ）〜（ｆ）はその製造方法を示す工程断面図で
ある。
【０００６】まず、離型性フィルムＡ、Ｂによって、両
面を被覆されたアラミドエポキシ樹脂等のプリプレグよ
りなる支持体１に、レーザ加工機を用いて必要とする箇
所に穿孔してバイアホール２を設け（図７（ａ））、こ
のバイアホール２に導電性ペースト３を充填する（図７
（ｂ））。つぎに、この支持体１の両面に銅箔４を配置
して加熱、加圧することによって、プリプレグ状態であ
った支持体１および導電性ペースト３が硬化されるとと
もに、両面の銅箔４が支持体１および導電性ペースト３
に同時に接着され（図７（ｃ））、バイアホールを介し
て電気的に接続される。つぎにこの両面の銅箔４を、従
来のフォトリソグラフ法により、エッチングして配線パ
ターン５ａ、５ｂを形成することにより、両面配線基板
６が得られる（図７（ｄ））。
面を被覆されたアラミドエポキシ樹脂等のプリプレグよ
りなる支持体１に、レーザ加工機を用いて必要とする箇
所に穿孔してバイアホール２を設け（図７（ａ））、こ
のバイアホール２に導電性ペースト３を充填する（図７
（ｂ））。つぎに、この支持体１の両面に銅箔４を配置
して加熱、加圧することによって、プリプレグ状態であ
った支持体１および導電性ペースト３が硬化されるとと
もに、両面の銅箔４が支持体１および導電性ペースト３
に同時に接着され（図７（ｃ））、バイアホールを介し
て電気的に接続される。つぎにこの両面の銅箔４を、従
来のフォトリソグラフ法により、エッチングして配線パ
ターン５ａ、５ｂを形成することにより、両面配線基板
６が得られる（図７（ｄ））。
【０００７】さらには、この両面配線基板６をコアとし
て、その両面に、図７（ｂ）の工程で作成された、他の
位置配置を有する、導電性ペースト３ａ、３ｂが充填さ
れたバイアホール２ａ、２ｂを備えるプリプレグ支持体
１ａまたは他のプリプレグ支持体１ｂを所定の位置に配
置し、さらにその外側に銅箔７ａおよび７ｂを配置して
再度加熱、加圧することにより多層化し（図７
（ｅ））、つぎに図７（ｄ）の工程と同様に、フォトリ
ソグラフ法により最外層の銅箔７ａ、７ｂをエッチング
することによって、外層配線パターン８ａ、８ｂを備え
る４層配線基板９が得られる（図７（ｆ））。
て、その両面に、図７（ｂ）の工程で作成された、他の
位置配置を有する、導電性ペースト３ａ、３ｂが充填さ
れたバイアホール２ａ、２ｂを備えるプリプレグ支持体
１ａまたは他のプリプレグ支持体１ｂを所定の位置に配
置し、さらにその外側に銅箔７ａおよび７ｂを配置して
再度加熱、加圧することにより多層化し（図７
（ｅ））、つぎに図７（ｄ）の工程と同様に、フォトリ
ソグラフ法により最外層の銅箔７ａ、７ｂをエッチング
することによって、外層配線パターン８ａ、８ｂを備え
る４層配線基板９が得られる（図７（ｆ））。
【０００８】この全層ＩＶＨ構造の樹脂多層基板を形成
するための回路形成用基板として一般的に用いられてい
るものにアラミド不織布等の基材に絶縁材としてエポキ
シ樹脂を含浸させた基板がある。これらの回路形成用基
板を用いて形成された樹脂多層基板は、低膨張率、低誘
電率、軽量であるという長所を生かして、小型、軽量化
を必要とする多くの電子機器に利用されてきている。
するための回路形成用基板として一般的に用いられてい
るものにアラミド不織布等の基材に絶縁材としてエポキ
シ樹脂を含浸させた基板がある。これらの回路形成用基
板を用いて形成された樹脂多層基板は、低膨張率、低誘
電率、軽量であるという長所を生かして、小型、軽量化
を必要とする多くの電子機器に利用されてきている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
全層ＩＶＨ構造を有する樹脂多層基板では、その製造過
程において樹脂基板の全面に銅箔等の金属箔が貼着され
ており、内外層銅箔の配線パターン形成法が従来のフォ
トリソグラフ法を利用するものであるために、その配線
ピッチや配線幅等の形成密度が従来のものと同等であ
り、特にＬＳＩベアチップ等の超小型電子部品を高密度
で搭載することが求められる多層回路基板の最外層基板
の表面は、アラミドエポキシプリプレグを熱圧着した
際、アラミド不織布繊維の形状がそのまま基板表面に形
成されて基板面に凹凸ができ、その基板上にフォトリソ
グラフ法によって回路パターンを形成するために、銅箔
とエッチングレジストとの間に隙間が生じ易く、この隙
間にエッチング液が染み込んで設計通りのパターン形成
が困難となり、配線パターンの微細化に限界が生じてい
た。さらに、配線パターンの微細化に伴って、金属箔を
ますます薄く必要があり、そのために配線抵抗が増大す
るという欠点が現れている。
全層ＩＶＨ構造を有する樹脂多層基板では、その製造過
程において樹脂基板の全面に銅箔等の金属箔が貼着され
ており、内外層銅箔の配線パターン形成法が従来のフォ
トリソグラフ法を利用するものであるために、その配線
ピッチや配線幅等の形成密度が従来のものと同等であ
り、特にＬＳＩベアチップ等の超小型電子部品を高密度
で搭載することが求められる多層回路基板の最外層基板
の表面は、アラミドエポキシプリプレグを熱圧着した
際、アラミド不織布繊維の形状がそのまま基板表面に形
成されて基板面に凹凸ができ、その基板上にフォトリソ
グラフ法によって回路パターンを形成するために、銅箔
とエッチングレジストとの間に隙間が生じ易く、この隙
間にエッチング液が染み込んで設計通りのパターン形成
が困難となり、配線パターンの微細化に限界が生じてい
た。さらに、配線パターンの微細化に伴って、金属箔を
ますます薄く必要があり、そのために配線抵抗が増大す
るという欠点が現れている。
【００１０】本発明は、従来の回路基板および回路基板
の製造方法が有する上述した課題を考慮し、エッチング
等の化学薬品を用いるフォトリソグラフ法を用いること
なく、簡単な方法で基板の表面と配線パターン導体の表
面が平坦化される、高密度実装に適した回路基板の製造
方法及びその製造方法によって製造された回路基板を提
供することを目的とするものである。
の製造方法が有する上述した課題を考慮し、エッチング
等の化学薬品を用いるフォトリソグラフ法を用いること
なく、簡単な方法で基板の表面と配線パターン導体の表
面が平坦化される、高密度実装に適した回路基板の製造
方法及びその製造方法によって製造された回路基板を提
供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、請求項１の本発明は、貫通孔および前記貫通孔内
に充填された導電体を有する半硬化状態の樹脂基板の少
なくとも片面に、配線パターン型が凸状に形成された金
型を挿入した状態で、加圧および加熱して前記樹脂基板
を硬化させることによって、前記樹脂基板の表面に配線
パターン形状を形成するパターン形成工程と、前記パタ
ーン形成工程の後、前記配線パターン形状の凹部に、電
気導体を充填する電気導体充填工程とを含むことを特徴
とする回路基板の製造方法である。すなわち、本製造方
法は、従来のようにフォトリソグラフ法を用いる必要が
なく、したがってエッチング処理に伴う配線幅の不均一
性や微細配線パターンの限界に制限されることがないの
で容易に高密度配線パターンを形成することができる。
ため、請求項１の本発明は、貫通孔および前記貫通孔内
に充填された導電体を有する半硬化状態の樹脂基板の少
なくとも片面に、配線パターン型が凸状に形成された金
型を挿入した状態で、加圧および加熱して前記樹脂基板
を硬化させることによって、前記樹脂基板の表面に配線
パターン形状を形成するパターン形成工程と、前記パタ
ーン形成工程の後、前記配線パターン形状の凹部に、電
気導体を充填する電気導体充填工程とを含むことを特徴
とする回路基板の製造方法である。すなわち、本製造方
法は、従来のようにフォトリソグラフ法を用いる必要が
なく、したがってエッチング処理に伴う配線幅の不均一
性や微細配線パターンの限界に制限されることがないの
で容易に高密度配線パターンを形成することができる。
【００１２】請求項２の本発明は、前記パターン形成工
程の前に、両面の表面上に離型性フィルムが貼着された
半硬化状態の樹脂基板に貫通孔を設ける開孔工程と、前
記貫通孔内に導電体を充填する導電体充填工程と、前記
導電体充填工程の後、前記離型性フィルムを剥離するフ
ィルム剥離工程とを含み、前記フィルム剥離工程が終了
することによって、前記半硬化状態の樹脂基板が得られ
ることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方
法である。
程の前に、両面の表面上に離型性フィルムが貼着された
半硬化状態の樹脂基板に貫通孔を設ける開孔工程と、前
記貫通孔内に導電体を充填する導電体充填工程と、前記
導電体充填工程の後、前記離型性フィルムを剥離するフ
ィルム剥離工程とを含み、前記フィルム剥離工程が終了
することによって、前記半硬化状態の樹脂基板が得られ
ることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方
法である。
【００１３】請求項３の本発明は、前記導電体は、前記
パターン形成工程の直前においては、前記樹脂基板の両
面に突出しており、前記パターン形成工程は、前記樹脂
基板の両面に、前記金型をそれぞれ挿入した状態で行わ
れることを特徴とする請求項１または２に記載の回路基
板の製造方法である。すなわち、本製造方法は、樹脂基
板の両面に樹脂基板の表面と配線パターンの表面が平坦
化された回路基板を製造することができる。
パターン形成工程の直前においては、前記樹脂基板の両
面に突出しており、前記パターン形成工程は、前記樹脂
基板の両面に、前記金型をそれぞれ挿入した状態で行わ
れることを特徴とする請求項１または２に記載の回路基
板の製造方法である。すなわち、本製造方法は、樹脂基
板の両面に樹脂基板の表面と配線パターンの表面が平坦
化された回路基板を製造することができる。
【００１４】請求項４の本発明は、前記フィルム剥離工
程の後でかつ、前記パターン形成工程の前に、前記樹脂
基板の表面に金属箔を貼着する金属箔貼着工程と、前記
パターン形成工程の後、前記配線パターン形状の凹部以
外の前記樹脂基板の表面に圧着されている前記金属箔を
エッチングまたは研磨によって除去する金属箔除去工程
とを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
載の回路基板の製造方法である。本製造方法は、金型に
よる配線パターン形状の形成と同時に金属箔による配線
パターンを形成することができるので工程を短縮するこ
とができ、また低抵抗の配線パターンを形成できるた
め、高周波特性に優れた回路基板を簡単に製造すること
ができる。
程の後でかつ、前記パターン形成工程の前に、前記樹脂
基板の表面に金属箔を貼着する金属箔貼着工程と、前記
パターン形成工程の後、前記配線パターン形状の凹部以
外の前記樹脂基板の表面に圧着されている前記金属箔を
エッチングまたは研磨によって除去する金属箔除去工程
とを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
載の回路基板の製造方法である。本製造方法は、金型に
よる配線パターン形状の形成と同時に金属箔による配線
パターンを形成することができるので工程を短縮するこ
とができ、また低抵抗の配線パターンを形成できるた
め、高周波特性に優れた回路基板を簡単に製造すること
ができる。
【００１５】請求項５の本発明は、前記電気導体充填工
程は、前記電気導体の表面と前記樹脂基板の表面が実質
的に面一になるまで行われることを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載の回路基板の製造方法である。本
製造方法は、表面平滑性に優れた低抵抗配線を有する回
路基板を得ることができる。
程は、前記電気導体の表面と前記樹脂基板の表面が実質
的に面一になるまで行われることを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載の回路基板の製造方法である。本
製造方法は、表面平滑性に優れた低抵抗配線を有する回
路基板を得ることができる。
【００１６】請求項６の本発明は、前記電気導体充填工
程の後、前記電気導体の表面と前記樹脂基板の表面が実
質的に面一にする面一工程を含むことを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載の回路基板の製造方法であ
る。本製造方法は、簡単、かつ安価に回路基板を製造す
ることができる。
程の後、前記電気導体の表面と前記樹脂基板の表面が実
質的に面一にする面一工程を含むことを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載の回路基板の製造方法であ
る。本製造方法は、簡単、かつ安価に回路基板を製造す
ることができる。
【００１７】請求項７の本発明は、前記電気導体充填工
程は、前記配線パターン形状の凹部に前記電気導体を、
スキージにより充填する方法、もしくは、スクリーン印
刷により充填する方法を用いて行われることを特徴とす
る請求項１〜６のいずれかに記載の回路基板の製造方法
である。本製造方法は、極めて簡単な製造法であり、か
つ安価に回路基板を提供することができるものである。
程は、前記配線パターン形状の凹部に前記電気導体を、
スキージにより充填する方法、もしくは、スクリーン印
刷により充填する方法を用いて行われることを特徴とす
る請求項１〜６のいずれかに記載の回路基板の製造方法
である。本製造方法は、極めて簡単な製造法であり、か
つ安価に回路基板を提供することができるものである。
【００１８】請求項８の本発明は、前記電気導体充填工
程は、前記配線パターン形状の凹部以外の前記樹脂基板
の表面に、メッキレジストを塗布した後、前記凹部に前
記電気導体をメッキ法で形成する方法を用いて行われる
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の回路
基板の製造方法である。本製造方法は、超微細な配線パ
ターンを精度良く形成することが可能である。
程は、前記配線パターン形状の凹部以外の前記樹脂基板
の表面に、メッキレジストを塗布した後、前記凹部に前
記電気導体をメッキ法で形成する方法を用いて行われる
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の回路
基板の製造方法である。本製造方法は、超微細な配線パ
ターンを精度良く形成することが可能である。
【００１９】請求項９の本発明は、前記樹脂基板は、ガ
ラスエポキシコンポジット、ガラスＢＴレジンコンポジ
ット、アラミドエポキシコンポジット、アラミドＢＴレ
ジンコンポジットのうち、１種類または２種類以上から
なる樹脂含浸繊維シートであることを特徴とする請求項
１〜８のいずれかに記載の回路基板の製造方法である。
本製造方法は、耐熱性および機械強度に優れた回路基板
を提供することができる。
ラスエポキシコンポジット、ガラスＢＴレジンコンポジ
ット、アラミドエポキシコンポジット、アラミドＢＴレ
ジンコンポジットのうち、１種類または２種類以上から
なる樹脂含浸繊維シートであることを特徴とする請求項
１〜８のいずれかに記載の回路基板の製造方法である。
本製造方法は、耐熱性および機械強度に優れた回路基板
を提供することができる。
【００２０】請求項１０の本発明は、前記樹脂基板は、
ガラスエポキシコンポジット、ガラスＢＴレジンコンポ
ジット、アラミドエポキシコンポジット、アラミドＢＴ
レジンコンポジットのうち、１種類または２種類以上か
らなる樹脂含浸繊維シートの表面に樹脂層が形成された
ものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに
記載の回路基板の製造方法である。本製造方法は、極め
て優れた表面平滑性が得られるため、高密度配線に適し
た回路基板を製造することができる。
ガラスエポキシコンポジット、ガラスＢＴレジンコンポ
ジット、アラミドエポキシコンポジット、アラミドＢＴ
レジンコンポジットのうち、１種類または２種類以上か
らなる樹脂含浸繊維シートの表面に樹脂層が形成された
ものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに
記載の回路基板の製造方法である。本製造方法は、極め
て優れた表面平滑性が得られるため、高密度配線に適し
た回路基板を製造することができる。
【００２１】請求項１１の本発明は、請求項１〜１０の
いずれかに記載の回路基板の製造方法により製造された
複数枚の回路基板の間に、前記配線パターン形状に対応
する位置に設けられた貫通孔に導体ペーストを充填した
半硬化状態の別の樹脂基板を介在させて、加圧および加
熱して、前記別の樹脂基板を硬化する工程を含むことを
特徴とする回路基板の製造方法である。本製造方法は、
前記の各回路基板が基板表面と配線パターン導体表面と
が平坦であるために多層配線基板の層間接続において極
めて高い信頼性を備えることができる。
いずれかに記載の回路基板の製造方法により製造された
複数枚の回路基板の間に、前記配線パターン形状に対応
する位置に設けられた貫通孔に導体ペーストを充填した
半硬化状態の別の樹脂基板を介在させて、加圧および加
熱して、前記別の樹脂基板を硬化する工程を含むことを
特徴とする回路基板の製造方法である。本製造方法は、
前記の各回路基板が基板表面と配線パターン導体表面と
が平坦であるために多層配線基板の層間接続において極
めて高い信頼性を備えることができる。
【００２２】請求項１２の本発明は、請求項１〜１１の
いずれかに記載の回路基板の製造方法により製造された
ことを特徴とする回路基板である。本回路基板は、微細
な配線パターンを備え、小型半導体素子等の高密度実装
が可能となるものである。
いずれかに記載の回路基板の製造方法により製造された
ことを特徴とする回路基板である。本回路基板は、微細
な配線パターンを備え、小型半導体素子等の高密度実装
が可能となるものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００２４】（第１の実施の形態）まず、本発明の第１
の実施の形態を図面を参照して説明する。
の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２５】図１は、本発明の第１の実施の形態におけ
る回路基板の製造方法を説明する工程断面図である。以
下に、図１を参照して、本実施の形態における回路基板
の製造方法を説明する。
る回路基板の製造方法を説明する工程断面図である。以
下に、図１を参照して、本実施の形態における回路基板
の製造方法を説明する。
【００２６】まず、図１（ａ）に示すように、離型性フ
ィルムＡ、Ｂがその両面に被覆されたアラミドエポキシ
樹脂等のプリプレグよりなる樹脂基板１１にレーザ加工
機を用いて必要とする箇所に穿孔してバイアホール１２
を設ける。つぎに、図１（ｂ）に示すように、このバイ
アホール１２に導電性ペースト等よりなる導電体１３を
充填する。つぎに、この樹脂基板１１の両面の離型性フ
ィルムＡおよびＢを剥離した後、一つの面にそれぞれ異
なる配線パターン形状が凸状に形成された上金型Ｃおよ
び下金型Ｄを図１（ｃ）に示すように配置し、その間
に、離型性フィルムＡ，Ｂが剥離された樹脂基板１１を
挿入して、加熱、加圧することによってプリプレグ状態
であった樹脂基板１１および導電性ペースト１３を硬化
させる。図１（ｄ）は上記工程において半硬化状態の樹
脂基板１１を充分加熱、圧縮したのち、上金型Ｃと下金
型Ｄを取り外した状態を示したものであり、図に見られ
るように完全硬化した樹脂基板１４の両面には圧縮硬化
した導電体１３およびその上下面にある電極端子を含
み、配線パターン形状の凹状部１５が形成されている。
ィルムＡ、Ｂがその両面に被覆されたアラミドエポキシ
樹脂等のプリプレグよりなる樹脂基板１１にレーザ加工
機を用いて必要とする箇所に穿孔してバイアホール１２
を設ける。つぎに、図１（ｂ）に示すように、このバイ
アホール１２に導電性ペースト等よりなる導電体１３を
充填する。つぎに、この樹脂基板１１の両面の離型性フ
ィルムＡおよびＢを剥離した後、一つの面にそれぞれ異
なる配線パターン形状が凸状に形成された上金型Ｃおよ
び下金型Ｄを図１（ｃ）に示すように配置し、その間
に、離型性フィルムＡ，Ｂが剥離された樹脂基板１１を
挿入して、加熱、加圧することによってプリプレグ状態
であった樹脂基板１１および導電性ペースト１３を硬化
させる。図１（ｄ）は上記工程において半硬化状態の樹
脂基板１１を充分加熱、圧縮したのち、上金型Ｃと下金
型Ｄを取り外した状態を示したものであり、図に見られ
るように完全硬化した樹脂基板１４の両面には圧縮硬化
した導電体１３およびその上下面にある電極端子を含
み、配線パターン形状の凹状部１５が形成されている。
【００２７】つぎにこの凹状部１５に図１（ｅ）に示す
ように電気導体として導電ペーストを例えばスキージを
用いて充填し、加熱、硬化させたのち、樹脂基板１４の
表面を研磨することにより、樹脂基板１４と配線パター
ン導体１６の表面を平坦化させる。このときスキージに
より樹脂基板１４の凸面１７上に付着した導電ペースト
も同時に除去することができる。または、スクリーン印
刷工程を用いて、凹状部に導電ペーストを充填すること
もできる。
ように電気導体として導電ペーストを例えばスキージを
用いて充填し、加熱、硬化させたのち、樹脂基板１４の
表面を研磨することにより、樹脂基板１４と配線パター
ン導体１６の表面を平坦化させる。このときスキージに
より樹脂基板１４の凸面１７上に付着した導電ペースト
も同時に除去することができる。または、スクリーン印
刷工程を用いて、凹状部に導電ペーストを充填すること
もできる。
【００２８】以上により、本実施の形態における回路基
板が得られる。
板が得られる。
【００２９】なお、本発明の回路基板の製造方法は、本
実施の形態においては、本発明の開孔工程と、導電体充
填工程と、フィルム剥離工程とを含むとして説明した
が、これに限らず、例えば、別途製造された図１（ｃ）
の状態の樹脂基板を用意し、これに本発明のパターン形
成工程を施すとしてもよい。
実施の形態においては、本発明の開孔工程と、導電体充
填工程と、フィルム剥離工程とを含むとして説明した
が、これに限らず、例えば、別途製造された図１（ｃ）
の状態の樹脂基板を用意し、これに本発明のパターン形
成工程を施すとしてもよい。
【００３０】また、本発明の樹脂基板は、本実施の形態
においては、アラミドエポキシ樹脂等のプリプレグより
なる樹脂基板であるとして説明したが、これに限らず、
例えば、ガラスエポキシコンポジット、ガラスＢＴレジ
ンコンポジット、アラミドエポキシコンポジット、アラ
ミドＢＴレジンコンポジットのうち、１種類または２種
類以上からなる樹脂含浸繊維シートであるとしてもよ
い。
においては、アラミドエポキシ樹脂等のプリプレグより
なる樹脂基板であるとして説明したが、これに限らず、
例えば、ガラスエポキシコンポジット、ガラスＢＴレジ
ンコンポジット、アラミドエポキシコンポジット、アラ
ミドＢＴレジンコンポジットのうち、１種類または２種
類以上からなる樹脂含浸繊維シートであるとしてもよ
い。
【００３１】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なる点は、本発明の電
気導体充填工程に関する点である。したがって、本実施
の形態において、第１の実施の形態と同様の物について
は、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説
明のないものについては、第１の実施の形態と同じとす
る。
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なる点は、本発明の電
気導体充填工程に関する点である。したがって、本実施
の形態において、第１の実施の形態と同様の物について
は、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説
明のないものについては、第１の実施の形態と同じとす
る。
【００３２】図２は、本発明の第２の実施の形態におけ
る回路基板の製造方法を説明する工程断面図である。以
下に、図２を参照して、本実施の形態における回路基板
の製造方法を説明する。ただし、第１の実施の形態にお
ける図１（ａ）〜（ｃ）までの工程は本実施の形態にお
いても同様であるので説明を省略し、それ以降の工程に
ついて説明する。
る回路基板の製造方法を説明する工程断面図である。以
下に、図２を参照して、本実施の形態における回路基板
の製造方法を説明する。ただし、第１の実施の形態にお
ける図１（ａ）〜（ｃ）までの工程は本実施の形態にお
いても同様であるので説明を省略し、それ以降の工程に
ついて説明する。
【００３３】図２（ａ）は図１（ｄ）に示す金型Ｃ、Ｄ
による加熱、加圧後、完全硬化してその表面に凹状の配
線パターン形状１５が形成されている樹脂基板１４を金
型より取り出した状態を示すものであり、本実施の形態
では、まずこの樹脂基板１４の凸面１７上にメッキレジ
スト１８を塗布したのち、化学処理液を用いて配線パタ
ーン形状１５の凹状部表面をＰｄ−Ｓｎ等により活性化
し、さらにこの樹脂基板１４を無電解銅メッキ液中に浸
漬して前記Ｐｄ−Ｓｎを核として金属銅を析出させて電
気導体１９ａを形成することにより、配線パターン導体
を備えた回路基板を得るものである。
による加熱、加圧後、完全硬化してその表面に凹状の配
線パターン形状１５が形成されている樹脂基板１４を金
型より取り出した状態を示すものであり、本実施の形態
では、まずこの樹脂基板１４の凸面１７上にメッキレジ
スト１８を塗布したのち、化学処理液を用いて配線パタ
ーン形状１５の凹状部表面をＰｄ−Ｓｎ等により活性化
し、さらにこの樹脂基板１４を無電解銅メッキ液中に浸
漬して前記Ｐｄ−Ｓｎを核として金属銅を析出させて電
気導体１９ａを形成することにより、配線パターン導体
を備えた回路基板を得るものである。
【００３４】本実施の形態の場合、無電解銅メッキによ
る電気導体１９ａが必要な電気導電性および機械強度を
有する状態になれば図２（ｂ）に示す状態においてメッ
キレジスト１８を除去したのち、回路基板として使用に
供することもできるが、樹脂基板１４の凸面１７と電気
導体１９ａの表面を平坦化させることが必要な場合、電
気導体１９ａの形成途中で無電解メッキに代えて急速電
気メッキにより図２（ｃ）に示すように無電解銅による
電気導体１９ａ上にさらに電気メッキ銅１９ｂを形成す
ることができる。またこのようにして形成された電気導
体１９ａまたは１９ｂ上に上述の工程に引き続き、Ｓｎ
やＣｒまたはＡｕ、半田メッキ等の他の金属を形成する
ことも勿論可能である。
る電気導体１９ａが必要な電気導電性および機械強度を
有する状態になれば図２（ｂ）に示す状態においてメッ
キレジスト１８を除去したのち、回路基板として使用に
供することもできるが、樹脂基板１４の凸面１７と電気
導体１９ａの表面を平坦化させることが必要な場合、電
気導体１９ａの形成途中で無電解メッキに代えて急速電
気メッキにより図２（ｃ）に示すように無電解銅による
電気導体１９ａ上にさらに電気メッキ銅１９ｂを形成す
ることができる。またこのようにして形成された電気導
体１９ａまたは１９ｂ上に上述の工程に引き続き、Ｓｎ
やＣｒまたはＡｕ、半田メッキ等の他の金属を形成する
ことも勿論可能である。
【００３５】（第３の実施の形態）次に、本発明の第３
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なる点は、本発明の金
属箔貼着工程および金属箔除去工程を有することに関す
る点である。したがって、本実施の形態において、特に
説明のないものについては、第１の実施の形態と同じと
し、第１の実施の形態と同じ呼称の構成部材について
は、特に説明のない限り、第１の実施の形態と同様の機
能を持つものとする。
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なる点は、本発明の金
属箔貼着工程および金属箔除去工程を有することに関す
る点である。したがって、本実施の形態において、特に
説明のないものについては、第１の実施の形態と同じと
し、第１の実施の形態と同じ呼称の構成部材について
は、特に説明のない限り、第１の実施の形態と同様の機
能を持つものとする。
【００３６】図３は、本発明の第３の実施の形態におけ
る回路基板の製造方法を説明する工程断面図である。以
下に、図３を参照して、本実施の形態における回路基板
の製造方法を説明する。
る回路基板の製造方法を説明する工程断面図である。以
下に、図３を参照して、本実施の形態における回路基板
の製造方法を説明する。
【００３７】まず、図３（ａ）に示すように、離型性フ
ィルムＡ、Ｂがその両面に被覆されたアラミドエポキシ
樹脂等のプリプレグよりなる樹脂基板２１にレーザ加工
機を用いて必要とする箇所に穿孔してバイアホール２２
を設ける。つぎに、図３（ｂ）に示すように、このバイ
アホール２２に導電性ペースト等よりなる導電体２３を
充填する。つぎに、この樹脂基板２１の両面の離型性フ
ィルムＡおよびＢを剥離した後、バイアホール２２内に
充填された導電性ペースト２３が基板表面より盛り上が
った状態の樹脂基板２１の両面に銅箔等よりなる金属箔
２４を貼着し、図３（ｃ）に示すように、一つの面にそ
れぞれ異なる配線パターン形状が凸状に形成された上金
型Ｃおよび下金型Ｄの間にこの樹脂基板２１を挿入し
て、加熱、加圧することによってプリプレグ状態であっ
た樹脂基板２１および導電性ペースト２３を硬化させる
と同時に銅箔２４を樹脂基板２１の全面に接着させる。
図３（ｄ）は上記工程において半硬化状態の樹脂基板２
１を充分加熱、圧縮したのち、上金型Ｃと下金型Ｄを取
り外した状態を示したものであり、図に見られるように
完全硬化した樹脂基板２５の両面には配線パターン形状
に形成された両金型Ｃ、Ｄの凸部によって銅箔２４を樹
脂基板２５の表面に圧入することにより、配線パターン
導体２６が形成される。また図３（ｄ）に見られるよう
に、金型の凹部に対応する樹脂基板２５の表面の凸部に
も銅箔２７が残存しているが、この不要な銅箔２７をエ
ッチングまたは研磨によって取り除くことにより、図３
（ｅ）に示すように、配線パターン導体２６の面と樹脂
基板２５の凸部の表面が平坦化した回路基板を得ること
ができる。
ィルムＡ、Ｂがその両面に被覆されたアラミドエポキシ
樹脂等のプリプレグよりなる樹脂基板２１にレーザ加工
機を用いて必要とする箇所に穿孔してバイアホール２２
を設ける。つぎに、図３（ｂ）に示すように、このバイ
アホール２２に導電性ペースト等よりなる導電体２３を
充填する。つぎに、この樹脂基板２１の両面の離型性フ
ィルムＡおよびＢを剥離した後、バイアホール２２内に
充填された導電性ペースト２３が基板表面より盛り上が
った状態の樹脂基板２１の両面に銅箔等よりなる金属箔
２４を貼着し、図３（ｃ）に示すように、一つの面にそ
れぞれ異なる配線パターン形状が凸状に形成された上金
型Ｃおよび下金型Ｄの間にこの樹脂基板２１を挿入し
て、加熱、加圧することによってプリプレグ状態であっ
た樹脂基板２１および導電性ペースト２３を硬化させる
と同時に銅箔２４を樹脂基板２１の全面に接着させる。
図３（ｄ）は上記工程において半硬化状態の樹脂基板２
１を充分加熱、圧縮したのち、上金型Ｃと下金型Ｄを取
り外した状態を示したものであり、図に見られるように
完全硬化した樹脂基板２５の両面には配線パターン形状
に形成された両金型Ｃ、Ｄの凸部によって銅箔２４を樹
脂基板２５の表面に圧入することにより、配線パターン
導体２６が形成される。また図３（ｄ）に見られるよう
に、金型の凹部に対応する樹脂基板２５の表面の凸部に
も銅箔２７が残存しているが、この不要な銅箔２７をエ
ッチングまたは研磨によって取り除くことにより、図３
（ｅ）に示すように、配線パターン導体２６の面と樹脂
基板２５の凸部の表面が平坦化した回路基板を得ること
ができる。
【００３８】（第４の実施の形態）次に、本発明の第４
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第３の実施の形態と異なる点は、本発明の電
気導体充填工程を有することに関する点である。したが
って、本実施の形態において、第３の実施の形態と同様
の物については、同一符号を付与し、説明を省略する。
また、特に説明のないものについては、第３の実施の形
態と同じとする。
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第３の実施の形態と異なる点は、本発明の電
気導体充填工程を有することに関する点である。したが
って、本実施の形態において、第３の実施の形態と同様
の物については、同一符号を付与し、説明を省略する。
また、特に説明のないものについては、第３の実施の形
態と同じとする。
【００３９】図４は、本実施の形態における回路基板の
製造方法を説明する工程断面図である。本実施の形態に
おける製造工程の前半は第３の実施の形態と同様であ
る。本実施の形態における製造工程が第３の実施の形態
における製造工程と異なる点は、本実施の形態における
製造工程において想定している銅箔２８の厚さと第３の
実施の形態における製造工程において想定している銅箔
２４の厚さとの相違にある。すなわち、第３の実施の形
態における製造工程において想定している銅箔２４は回
路基板として完成したときにそのまま充分配線導体とし
て使用しうる厚さを有するものであり、比較的簡単な後
半工程を経由するのみで回路基板として完成するが、本
実施の形態においては、銅箔として通常プリント回路基
板に用いられている３５〜２５μｍの厚さのものを使用
することを想定しており、このような厚さの銅箔を貼着
した樹脂基板表面に金型により配線パターン形状を形成
した場合、配線幅および配線ピッチの高密度形成には限
界が生じる。したがって本発明の第３の実施の形態にお
ける回路基板の製造方法は、基板面と配線パターン面が
平坦化された表面全層ＩＶＨ構造の樹脂多層基板を安価
に製造する場合に好適な製造方法である。
製造方法を説明する工程断面図である。本実施の形態に
おける製造工程の前半は第３の実施の形態と同様であ
る。本実施の形態における製造工程が第３の実施の形態
における製造工程と異なる点は、本実施の形態における
製造工程において想定している銅箔２８の厚さと第３の
実施の形態における製造工程において想定している銅箔
２４の厚さとの相違にある。すなわち、第３の実施の形
態における製造工程において想定している銅箔２４は回
路基板として完成したときにそのまま充分配線導体とし
て使用しうる厚さを有するものであり、比較的簡単な後
半工程を経由するのみで回路基板として完成するが、本
実施の形態においては、銅箔として通常プリント回路基
板に用いられている３５〜２５μｍの厚さのものを使用
することを想定しており、このような厚さの銅箔を貼着
した樹脂基板表面に金型により配線パターン形状を形成
した場合、配線幅および配線ピッチの高密度形成には限
界が生じる。したがって本発明の第３の実施の形態にお
ける回路基板の製造方法は、基板面と配線パターン面が
平坦化された表面全層ＩＶＨ構造の樹脂多層基板を安価
に製造する場合に好適な製造方法である。
【００４０】本実施の形態は配線幅および配線ピッチの
高密度形成を目的とする第３の実施の形態における回路
基板の一つの進展形であって、図４（ａ）、（ｂ）まで
の工程は第３の実施の形態と同様であり、本実施の形態
における回路基板の製造方法においては、樹脂基板２１
の両面の離型性フィルムＡおよびＢを剥離してバイアホ
ール２２内に充填された導電性ペースト２３が基板表面
より盛り上がった状態の樹脂基板２１の両面に極めて薄
い厚さを有する銅箔等よりなる金属箔２８（５〜１０μ
ｍの厚さが好ましい）を貼着し、あとは第３の実施の形
態の場合と同じく図４（ｃ）に示すように、一つの面に
それぞれ異なる配線パターン形状が凸状に形成された上
金型Ｃおよび下金型Ｄの間にこの樹脂基板２１を挿入し
て加熱、加圧することによってプリプレグ状態であった
樹脂基板２１および導電性ペースト２３を硬化させると
同時に銅箔２８を樹脂基板２１の全面に接着させる。本
実施の形態における製造方法の特徴的な点は、図４
（ｄ）に示すように、上金型Ｃおよび下金型Ｄを取り外
したとき、銅箔２８は完全硬化した樹脂基板２５の配線
パターン形状の凹部に圧入されてはいるが、薄い厚さの
銅箔２８を用いているために、その配線パターン導体２
９は樹脂基板２５の凸部表面より低いところに形成され
ていることである。しかし、本実施の形態では極めて薄
い厚さの銅箔２８を用いることにより、上金型Ｃおよび
下金型Ｄの表面に形成した凸型の配線パターン形状を極
めて微細なパターン形状としても充分その形状を樹脂基
板２５の表面に銅箔２８とともに形成することができ
る。したがってこの極めて薄い厚さを持つ配線パターン
導体２９を通常用いられる配線導体と同様な状態、すな
わち、電気導体の表面と樹脂基板２５の表面が実質的に
面一な状態とするため、図４（ｅ）に示すように配線パ
ターン導体２９の上面に導電性ペーストまたはメッキ法
により補助導体３０を積み上げることにより、必要とす
る電気伝導性および機械強度を備えることができ、微細
配線パターンが形成された表面平滑性を有する回路基板
を得ることができる。
高密度形成を目的とする第３の実施の形態における回路
基板の一つの進展形であって、図４（ａ）、（ｂ）まで
の工程は第３の実施の形態と同様であり、本実施の形態
における回路基板の製造方法においては、樹脂基板２１
の両面の離型性フィルムＡおよびＢを剥離してバイアホ
ール２２内に充填された導電性ペースト２３が基板表面
より盛り上がった状態の樹脂基板２１の両面に極めて薄
い厚さを有する銅箔等よりなる金属箔２８（５〜１０μ
ｍの厚さが好ましい）を貼着し、あとは第３の実施の形
態の場合と同じく図４（ｃ）に示すように、一つの面に
それぞれ異なる配線パターン形状が凸状に形成された上
金型Ｃおよび下金型Ｄの間にこの樹脂基板２１を挿入し
て加熱、加圧することによってプリプレグ状態であった
樹脂基板２１および導電性ペースト２３を硬化させると
同時に銅箔２８を樹脂基板２１の全面に接着させる。本
実施の形態における製造方法の特徴的な点は、図４
（ｄ）に示すように、上金型Ｃおよび下金型Ｄを取り外
したとき、銅箔２８は完全硬化した樹脂基板２５の配線
パターン形状の凹部に圧入されてはいるが、薄い厚さの
銅箔２８を用いているために、その配線パターン導体２
９は樹脂基板２５の凸部表面より低いところに形成され
ていることである。しかし、本実施の形態では極めて薄
い厚さの銅箔２８を用いることにより、上金型Ｃおよび
下金型Ｄの表面に形成した凸型の配線パターン形状を極
めて微細なパターン形状としても充分その形状を樹脂基
板２５の表面に銅箔２８とともに形成することができ
る。したがってこの極めて薄い厚さを持つ配線パターン
導体２９を通常用いられる配線導体と同様な状態、すな
わち、電気導体の表面と樹脂基板２５の表面が実質的に
面一な状態とするため、図４（ｅ）に示すように配線パ
ターン導体２９の上面に導電性ペーストまたはメッキ法
により補助導体３０を積み上げることにより、必要とす
る電気伝導性および機械強度を備えることができ、微細
配線パターンが形成された表面平滑性を有する回路基板
を得ることができる。
【００４１】なお、樹脂基板２５の凸部に接着している
銅箔２８は図４（ｄ）に示す工程または、図４（ｅ）に
示す工程のいずれかにおいてエッチングまたは研磨によ
って除去されるものである。
銅箔２８は図４（ｄ）に示す工程または、図４（ｅ）に
示す工程のいずれかにおいてエッチングまたは研磨によ
って除去されるものである。
【００４２】（第５の実施の形態）次に、本発明の第５
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なる点は、本発明の樹
脂基板に関する点である。したがって、本実施の形態に
おいて、特に説明のないものについては、第１の実施の
形態と同じとし、第１の実施の形態と同じ呼称の構成部
材については、特に説明のない限り、第１の実施の形態
と同様の機能を持つものとする。
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なる点は、本発明の樹
脂基板に関する点である。したがって、本実施の形態に
おいて、特に説明のないものについては、第１の実施の
形態と同じとし、第１の実施の形態と同じ呼称の構成部
材については、特に説明のない限り、第１の実施の形態
と同様の機能を持つものとする。
【００４３】図５は、本実施の形態における回路基板の
製造方法を説明する工程断面図である。本実施の形態に
おける回路基板の構成は上記の各実施の形態における回
路基板の製造方法において応用できるものであって、本
実施の形態における回路基板が第１から第４の実施の形
態における回路基板と異なる点は樹脂基板の構造にあ
り、その相違点は図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、本
発明の各実施の形態における製造方法の前半工程におい
て用いられる樹脂基板３１の表面にエポキシ樹脂等の樹
脂層３２を設けたことにある。
製造方法を説明する工程断面図である。本実施の形態に
おける回路基板の構成は上記の各実施の形態における回
路基板の製造方法において応用できるものであって、本
実施の形態における回路基板が第１から第４の実施の形
態における回路基板と異なる点は樹脂基板の構造にあ
り、その相違点は図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、本
発明の各実施の形態における製造方法の前半工程におい
て用いられる樹脂基板３１の表面にエポキシ樹脂等の樹
脂層３２を設けたことにある。
【００４４】すなわちアラミドエポキシ樹脂等のプリプ
レグよりなる樹脂基板３１の両面に樹脂層３２を塗布、
形成したのちその上面に離型性フィルムＡ，Ｂを被覆
し、所定の箇所にレーザ加工機を用いてバイアホール３
３を穿孔する（図５（ａ））。つぎに、図５（ｂ）に示
すようにバイアホール３３内に導電ペースト等よりなる
導電体３４を充填する。つぎに上金型および下金型を用
いて樹脂基板３１を加熱、加圧してその樹脂基板３１の
表面に配線パターン形状を形成する工程は上述した第１
から第４の実施に形態における製造工程と同様であり、
その説明は省略するが得られた回路基板は図５（ｃ）に
示すように完全硬化した樹脂基板３５の表面には樹脂層
３２を介して配線パターン導体３６が形成されている。
レグよりなる樹脂基板３１の両面に樹脂層３２を塗布、
形成したのちその上面に離型性フィルムＡ，Ｂを被覆
し、所定の箇所にレーザ加工機を用いてバイアホール３
３を穿孔する（図５（ａ））。つぎに、図５（ｂ）に示
すようにバイアホール３３内に導電ペースト等よりなる
導電体３４を充填する。つぎに上金型および下金型を用
いて樹脂基板３１を加熱、加圧してその樹脂基板３１の
表面に配線パターン形状を形成する工程は上述した第１
から第４の実施に形態における製造工程と同様であり、
その説明は省略するが得られた回路基板は図５（ｃ）に
示すように完全硬化した樹脂基板３５の表面には樹脂層
３２を介して配線パターン導体３６が形成されている。
【００４５】このように本実施の形態ではプリプレグ状
態の樹脂基板３１の表面に樹脂層３２が形成されている
ために樹脂基板３１中の繊維基材に起因するざらつきが
樹脂基板３５の表面に現れることがなく、樹脂層３２が
有する平滑面によってその上面に形成された配線パター
ン導体３６は極めて優れた平坦性およびスムースな配線
端面を備えた回路基板とすることができ、微細な配線パ
ターンを形成することができる。
態の樹脂基板３１の表面に樹脂層３２が形成されている
ために樹脂基板３１中の繊維基材に起因するざらつきが
樹脂基板３５の表面に現れることがなく、樹脂層３２が
有する平滑面によってその上面に形成された配線パター
ン導体３６は極めて優れた平坦性およびスムースな配線
端面を備えた回路基板とすることができ、微細な配線パ
ターンを形成することができる。
【００４６】なお、上述した第１〜第５の実施の形態に
おける回路基板の製造方法において、上金型Ｃおよび下
金型Ｄの表面に異なる形状の配線パターン形状の凸部を
形成したものを用いて樹脂基板の両面に配線パターンを
形成したいわゆる両面回路基板について説明したが、両
金型の一方の金型の面を平坦なものとして樹脂基板の片
面のみに配線パターンを形成した回路基板についても本
発明に関わる製造方法を用いることは可能である。
おける回路基板の製造方法において、上金型Ｃおよび下
金型Ｄの表面に異なる形状の配線パターン形状の凸部を
形成したものを用いて樹脂基板の両面に配線パターンを
形成したいわゆる両面回路基板について説明したが、両
金型の一方の金型の面を平坦なものとして樹脂基板の片
面のみに配線パターンを形成した回路基板についても本
発明に関わる製造方法を用いることは可能である。
【００４７】（第６の実施の形態）次に、本発明の第６
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なる点は、製造される
回路基板が、４層以上の回路パターン層を有する多層回
路基板であることに関する点である。したがって、本実
施の形態において、特に説明のないものについては、第
１の実施の形態と同じとし、第１の実施の形態と同じ呼
称の構成部材については、特に説明のない限り、第１の
実施の形態と同様の機能を持つものとする。
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なる点は、製造される
回路基板が、４層以上の回路パターン層を有する多層回
路基板であることに関する点である。したがって、本実
施の形態において、特に説明のないものについては、第
１の実施の形態と同じとし、第１の実施の形態と同じ呼
称の構成部材については、特に説明のない限り、第１の
実施の形態と同様の機能を持つものとする。
【００４８】図６は、本発明の第６の実施の形態におけ
る回路基板の製造方法を説明する工程断面図である。以
下に、図６を参照して、本実施の形態における回路基板
の製造方法を説明する。
る回路基板の製造方法を説明する工程断面図である。以
下に、図６を参照して、本実施の形態における回路基板
の製造方法を説明する。
【００４９】本実施の形態は本発明の第１の実施の形態
から第５の実施の形態までのいずれかの製造方法によっ
て形成された回路基板を複数枚用いて多層構造の内部配
線パターンが形成された回路基板を製造するものであっ
て、図６（ａ）に示すように、本発明の第１の実施の形
態における製造方法によって得られた配線パターン４１
ａと４１ｂとを有する第１の回路基板４２と配線パター
ン４３ａと４３ｂとを有する第２の回路基板４４の２枚
を用い、その間に所定の箇所に穿孔された貫通孔に導電
ペースト４５が充填された半硬化状態の中間接続用樹脂
基板４６を挿入し、正確に位置合わせを行って積層した
のち、その上下から金型（図示せず）により加圧、加熱
することによって図６（ｂ）に示すように、完全硬化し
た中間接続用樹脂基板４７の貫通孔内の導電体４５によ
って層間接続された４層構造の配線パターンを有する回
路基板を得ることができるものである。
から第５の実施の形態までのいずれかの製造方法によっ
て形成された回路基板を複数枚用いて多層構造の内部配
線パターンが形成された回路基板を製造するものであっ
て、図６（ａ）に示すように、本発明の第１の実施の形
態における製造方法によって得られた配線パターン４１
ａと４１ｂとを有する第１の回路基板４２と配線パター
ン４３ａと４３ｂとを有する第２の回路基板４４の２枚
を用い、その間に所定の箇所に穿孔された貫通孔に導電
ペースト４５が充填された半硬化状態の中間接続用樹脂
基板４６を挿入し、正確に位置合わせを行って積層した
のち、その上下から金型（図示せず）により加圧、加熱
することによって図６（ｂ）に示すように、完全硬化し
た中間接続用樹脂基板４７の貫通孔内の導電体４５によ
って層間接続された４層構造の配線パターンを有する回
路基板を得ることができるものである。
【００５０】なお、本実施の形態における多層配線構造
の回路基板は上述の４層構造の回路基板だけでなく、中
間接続用の樹脂基板４６を複数枚用いて本実施の形態に
おける製造方法を適用して多層化することにより、４層
以上の多層配線構造を有する回路基板を形成することも
可能である。
の回路基板は上述の４層構造の回路基板だけでなく、中
間接続用の樹脂基板４６を複数枚用いて本実施の形態に
おける製造方法を適用して多層化することにより、４層
以上の多層配線構造を有する回路基板を形成することも
可能である。
【００５１】（第７の実施の形態）本発明の第７の実施
の形態は上述した本発明の第１から第６までの製造方法
により製造された本発明に特有の構造を有する回路基板
であって、例えば、図１（ｅ）に示すように樹脂基板１
４と、貫通孔内に充填された導電体１３と、樹脂基板１
４の表面に形成された配線パターン形状の凹状部と、そ
の凹状部に充填され、かつ樹脂基板１４の表面と同一表
面に平坦化された配線パターン導体１６とを備えるもの
である。
の形態は上述した本発明の第１から第６までの製造方法
により製造された本発明に特有の構造を有する回路基板
であって、例えば、図１（ｅ）に示すように樹脂基板１
４と、貫通孔内に充填された導電体１３と、樹脂基板１
４の表面に形成された配線パターン形状の凹状部と、そ
の凹状部に充填され、かつ樹脂基板１４の表面と同一表
面に平坦化された配線パターン導体１６とを備えるもの
である。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したところから明らかなよう
に、本発明は、従来のフォトリソグラフ法を用いること
なく、また簡単な方法で配線パターンを形成することが
でき、かつ配線導体部を含め、回路基板の表面を平坦化
することができるため、高集積半導体素子や小型チップ
部品等の高密度実装に対応可能な高周波特性に優れた回
路基板および回路基板の製造方法を提供することができ
る。
に、本発明は、従来のフォトリソグラフ法を用いること
なく、また簡単な方法で配線パターンを形成することが
でき、かつ配線導体部を含め、回路基板の表面を平坦化
することができるため、高集積半導体素子や小型チップ
部品等の高密度実装に対応可能な高周波特性に優れた回
路基板および回路基板の製造方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態における回路基板の
製造方法を説明する工程断面図。
製造方法を説明する工程断面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態における回路基板の
製造方法を説明する工程断面図。
製造方法を説明する工程断面図。
【図３】本発明の第３の実施の形態における回路基板の
製造方法を説明する工程断面図。
製造方法を説明する工程断面図。
【図４】本発明の第４の実施の形態における回路基板の
製造方法を説明する工程断面図。
製造方法を説明する工程断面図。
【図５】本発明の第５の実施の形態における回路基板の
製造方法を説明する工程断面図。
製造方法を説明する工程断面図。
【図６】本発明の第６の実施の形態における回路基板の
製造方法を説明する工程断面図。
製造方法を説明する工程断面図。
【図７】従来の全層ＩＶＨ構造の樹脂多層基板の製造方
法を示す工程断面図。
法を示す工程断面図。
１１ 半硬化状態の樹脂基板 １２ 貫通孔 １３ 導電ペースト（導電体） １４ 完全硬化した樹脂基板 １５ 配線パターン形状 １６ 配線パターン導体（電気導体） Ａ 離型性フィルム Ｂ 離型性フィルム Ｃ 上金型 Ｄ 下金型
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/10 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｅ 3/18 3/40 Ｋ 3/40 3/46 Ｌ 3/46 Ｎ Ｔ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ
Claims (12)
- 【請求項１】 貫通孔および前記貫通孔内に充填された
導電体を有する半硬化状態の樹脂基板の少なくとも片面
に、配線パターン型が凸状に形成された金型を挿入した
状態で、加圧および加熱して前記樹脂基板を硬化させる
ことによって、前記樹脂基板の表面に配線パターン形状
を形成するパターン形成工程と、前記パターン形成工程
の後、前記配線パターン形状の凹部に、電気導体を充填
する電気導体充填工程とを含むことを特徴とする回路基
板の製造方法。 - 【請求項２】 前記パターン形成工程の前に、両面の表
面上に離型性フィルムが貼着された半硬化状態の樹脂基
板に貫通孔を設ける開孔工程と、前記貫通孔内に導電体
を充填する導電体充填工程と、前記導電体充填工程の
後、前記離型性フィルムを剥離するフィルム剥離工程と
を含み、前記フィルム剥離工程が終了することによっ
て、前記半硬化状態の樹脂基板が得られることを特徴と
する請求項１に記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記導電体は、前記パターン形成工程の
直前においては、前記樹脂基板の両面に突出しており、
前記パターン形成工程は、前記樹脂基板の両面に、前記
金型をそれぞれ挿入した状態で行われることを特徴とす
る請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記フィルム剥離工程の後でかつ、前記
パターン形成工程の前に、前記樹脂基板の表面に金属箔
を貼着する金属箔貼着工程と、前記パターン形成工程の
後、前記配線パターン形状の凹部以外の前記樹脂基板の
表面に圧着されている前記金属箔をエッチングまたは研
磨によって除去する金属箔除去工程とを含むことを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の回路基板の製造
方法。 - 【請求項５】 前記電気導体充填工程は、前記電気導体
の表面と前記樹脂基板の表面が実質的に面一になるまで
行われることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記
載の回路基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記電気導体充填工程の後、前記電気導
体の表面と前記樹脂基板の表面が実質的に面一にする面
一工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか
に記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記電気導体充填工程は、前記配線パタ
ーン形状の凹部に前記電気導体を、スキージにより充填
する方法、もしくは、スクリーン印刷により充填する方
法を用いて行われることを特徴とする請求項１〜６のい
ずれかに記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記電気導体充填工程は、前記配線パタ
ーン形状の凹部以外の前記樹脂基板の表面に、メッキレ
ジストを塗布した後、前記凹部に前記電気導体をメッキ
法で形成する方法を用いて行われることを特徴とする請
求項１〜６のいずれかに記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記樹脂基板は、ガラスエポキシコンポ
ジット、ガラスＢＴレジンコンポジット、アラミドエポ
キシコンポジット、アラミドＢＴレジンコンポジットの
うち、１種類または２種類以上からなる樹脂含浸繊維シ
ートであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに
記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記樹脂基板は、ガラスエポキシコン
ポジット、ガラスＢＴレジンコンポジット、アラミドエ
ポキシコンポジット、アラミドＢＴレジンコンポジット
のうち、１種類または２種類以上からなる樹脂含浸繊維
シートの表面に樹脂層が形成されたものであることを特
徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の回路基板の製
造方法。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の回
路基板の製造方法により製造された複数枚の回路基板の
間に、前記配線パターン形状に対応する位置に設けられ
た貫通孔に導体ペーストを充填した半硬化状態の別の樹
脂基板を介在させて、加圧および加熱して、前記別の樹
脂基板を硬化する工程を含むことを特徴とする回路基板
の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれかに記載の回
路基板の製造方法により製造されたことを特徴とする回
路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34976597A JPH11186698A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 回路基板の製造方法および回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34976597A JPH11186698A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 回路基板の製造方法および回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186698A true JPH11186698A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18405966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34976597A Withdrawn JPH11186698A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 回路基板の製造方法および回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186698A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001050825A1 (de) * | 2000-01-04 | 2001-07-12 | Elmicron Ag | Verfahren, anlage und vorrichtung zur herstellung eines elektrischen verbindungselementes sowie elektrisches verbindungselement und halbzeug |
| JP2001210955A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品内蔵両面配線板の製造方法、及び電子回路構成体の製造方法 |
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| JP2003008178A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Sony Corp | 印刷配線板の製造方法 |
| WO2006129734A1 (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 配線基板形成用モールドおよびその製造方法、配線基板およびその製造方法、多層積層配線基板の製造方法並びにビアホールの形成方法 |
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| KR100792529B1 (ko) | 2006-08-21 | 2008-01-09 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
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-
1997
- 1997-12-18 JP JP34976597A patent/JPH11186698A/ja not_active Withdrawn
Cited By (22)
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