JPH11121648A - 電子部品実装体およびこれを構成する基板 - Google Patents
電子部品実装体およびこれを構成する基板Info
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- JPH11121648A JPH11121648A JP9286541A JP28654197A JPH11121648A JP H11121648 A JPH11121648 A JP H11121648A JP 9286541 A JP9286541 A JP 9286541A JP 28654197 A JP28654197 A JP 28654197A JP H11121648 A JPH11121648 A JP H11121648A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
Landscapes
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】検査専用の装置を使用することなく電子部品と
プリント基板との電気的接続状態を容易に検査すること
ができる電子部品実装体およびこれを構成する基板を提
供する。 【解決手段】電子部品の底面に配設された半田バンプ
（１２）と電気的に接続される上面パッド（２１）に貫
通孔（２２）を形成し、この貫通孔（２２）が形成され
た上面パッド（２１）に半田バンプ（１２）を載置し、
所定のリフロー工程を行って電子部品をプリント基板に
実装する。
プリント基板との電気的接続状態を容易に検査すること
ができる電子部品実装体およびこれを構成する基板を提
供する。 【解決手段】電子部品の底面に配設された半田バンプ
（１２）と電気的に接続される上面パッド（２１）に貫
通孔（２２）を形成し、この貫通孔（２２）が形成され
た上面パッド（２１）に半田バンプ（１２）を載置し、
所定のリフロー工程を行って電子部品をプリント基板に
実装する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品実装体お
よびこれを構成する基板に関し、特に、電子部品が実装
される基板の導電部に貫通孔を設けることにより、該貫
通孔を使用して半田付けの状態を検査することができる
電子部品実装体およびこれを構成する基板に関する。
よびこれを構成する基板に関し、特に、電子部品が実装
される基板の導電部に貫通孔を設けることにより、該貫
通孔を使用して半田付けの状態を検査することができる
電子部品実装体およびこれを構成する基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等の電子部品の高機能化に伴
い、当該電子部品に設けられた入出力用の端子数が増大
する傾向にある。また、プリント基板の実装密度を高く
するため、電子部品の電極間ピッチは狭くなり、例え
ば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）で
は、０．３ｍｍピッチといった極めて狭いものまで使用
されている。
い、当該電子部品に設けられた入出力用の端子数が増大
する傾向にある。また、プリント基板の実装密度を高く
するため、電子部品の電極間ピッチは狭くなり、例え
ば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）で
は、０．３ｍｍピッチといった極めて狭いものまで使用
されている。
【０００３】しかし、電極間ピッチの狭小化は製造工程
の困難さを招き、電子部品の品質を確保するには、高度
な製造技術が必要である等の問題がある。
の困難さを招き、電子部品の品質を確保するには、高度
な製造技術が必要である等の問題がある。
【０００４】そこで、近年、電子部品の裏面にグリッド
状に半田バンプ配置し、当該半田バンプを電極として使
用するものが注目されている。この種の電子部品として
は、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）、あるいはフリップチップ等が挙げられる。
状に半田バンプ配置し、当該半田バンプを電極として使
用するものが注目されている。この種の電子部品として
は、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）、あるいはフリップチップ等が挙げられる。
【０００５】上記のような半田バンプを具備する電子部
品は、プリント基板に半田付けされた際に電極部が当該
電子部品と当該プリント基板の間に隠れてしまうため、
半田付けの状態を確認することが困難である。
品は、プリント基板に半田付けされた際に電極部が当該
電子部品と当該プリント基板の間に隠れてしまうため、
半田付けの状態を確認することが困難である。
【０００６】この問題を解決するため、従来は、半田付
けの検査方法としてＸ線検査装置を使用して電極部の状
態を透視する方法や、特開平７−２３４１８９に記載さ
れているように、微細管にセンサを配置し、当該微細管
を電子部品の電極部に挿入して接続状態を検知する方法
が使用されている。
けの検査方法としてＸ線検査装置を使用して電極部の状
態を透視する方法や、特開平７−２３４１８９に記載さ
れているように、微細管にセンサを配置し、当該微細管
を電子部品の電極部に挿入して接続状態を検知する方法
が使用されている。
【０００７】また、特開平６−９９４２９に開示されて
いるように、光ファイバーを用いて端子間の隙間を観察
するものや、特開平８−１２４９８５に開示されている
ように、端子間の隙間を機械的あるいは光学的に計測し
て検査するものが知られている。
いるように、光ファイバーを用いて端子間の隙間を観察
するものや、特開平８−１２４９８５に開示されている
ように、端子間の隙間を機械的あるいは光学的に計測し
て検査するものが知られている。
【０００８】また、特開平８−１２４９８５に開示され
ている発明では、ＢＧＡ型半導体装置の半田付けが正常
に行われた場合には、当該半導体装置と基板間の隙間が
所定の寸法になることに着目し、半田付け終了後に当該
寸法を測定してその良否を判断している。
ている発明では、ＢＧＡ型半導体装置の半田付けが正常
に行われた場合には、当該半導体装置と基板間の隙間が
所定の寸法になることに着目し、半田付け終了後に当該
寸法を測定してその良否を判断している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｘ線検査装置
を使用する方法では、検査装置が非常に高額であり、ま
た、プリント基板に設けられたパッドへの半田の濡れ不
良を判別できないという問題や、検査部位がプリント基
板の配線パターンあるいは検査部位の反対側に設置され
て半田付け部分の像と重なって良否の判定が困難である
という問題がある。
を使用する方法では、検査装置が非常に高額であり、ま
た、プリント基板に設けられたパッドへの半田の濡れ不
良を判別できないという問題や、検査部位がプリント基
板の配線パターンあるいは検査部位の反対側に設置され
て半田付け部分の像と重なって良否の判定が困難である
という問題がある。
【００１０】また、特開平７−２３４１８９に開示され
ている方法では、隙間の狭い部分であってもセンサーを
挿入することができるようにセンサーの固定には微細管
を使用しているが、たとえ、どのように微細な管状のも
のであっても実際にＢＧＡ等の電極部を直接センシング
することは困難であり、検出精度が低くくなるという問
題がある。
ている方法では、隙間の狭い部分であってもセンサーを
挿入することができるようにセンサーの固定には微細管
を使用しているが、たとえ、どのように微細な管状のも
のであっても実際にＢＧＡ等の電極部を直接センシング
することは困難であり、検出精度が低くくなるという問
題がある。
【００１１】また、特開平６−９４４２９に開示されて
いる方法では、非常に狭い隙間の中に配置された複数の
電極の状態を個々に観察しなけらばならないため、検査
に多大な時間を要するだけでなく、検査の精度が低いと
いう問題がある。
いる方法では、非常に狭い隙間の中に配置された複数の
電極の状態を個々に観察しなけらばならないため、検査
に多大な時間を要するだけでなく、検査の精度が低いと
いう問題がある。
【００１２】また、特開平８−１２４９８５に開示され
ている方法では、半田付けの状態を計測するための光学
的検査装置が必要となるため、検査装置自体にコストが
かかる。さらに、当該装置では、電極の数だけ検出動作
を実行する必要があるため、特開平６−９４４２９に開
示されている方法と同様に検査に多大な時間を要すると
いう問題がある。
ている方法では、半田付けの状態を計測するための光学
的検査装置が必要となるため、検査装置自体にコストが
かかる。さらに、当該装置では、電極の数だけ検出動作
を実行する必要があるため、特開平６−９４４２９に開
示されている方法と同様に検査に多大な時間を要すると
いう問題がある。
【００１３】また、特開平８−１２４９８５に開示され
ている方法では、ＢＧＡ型半導体装置とプリント基板間
の隙間の寸法は精度良く測定する必要があるため、寸法
測定用の装置または人手による精巧な検査を要し、検査
工程に費用がかかるという問題がある。
ている方法では、ＢＧＡ型半導体装置とプリント基板間
の隙間の寸法は精度良く測定する必要があるため、寸法
測定用の装置または人手による精巧な検査を要し、検査
工程に費用がかかるという問題がある。
【００１４】そこで、本発明は、検査専用の装置を使用
することなく電子部品とプリント基板との電気的接続状
態を容易に検査することができる電子部品実装体および
これを構成する基板を提供することを目的とする。
することなく電子部品とプリント基板との電気的接続状
態を容易に検査することができる電子部品実装体および
これを構成する基板を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、第１の導電部が複数配置さ
れた電子部品と、該第１の導電部に対応する位置に第２
の導電部が配置された基板とを、該第１の導電部と該第
２の導電部との間で通電用部材を溶融することにより、
該第１の導電部と該第２の導電部とを電気的に接続した
電子部品実装体において、前記基板は、前記第２の導電
部が配置されている位置に対応して、少なくとも１つの
貫通孔を具備し、前記基板の裏面から前記貫通孔を通し
て前記通電用部材の溶融状態を確認することを特徴とす
る。
め、請求項１記載の発明は、第１の導電部が複数配置さ
れた電子部品と、該第１の導電部に対応する位置に第２
の導電部が配置された基板とを、該第１の導電部と該第
２の導電部との間で通電用部材を溶融することにより、
該第１の導電部と該第２の導電部とを電気的に接続した
電子部品実装体において、前記基板は、前記第２の導電
部が配置されている位置に対応して、少なくとも１つの
貫通孔を具備し、前記基板の裏面から前記貫通孔を通し
て前記通電用部材の溶融状態を確認することを特徴とす
る。
【００１６】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記貫通孔は、その内周面に第３の
導電部を具備することを特徴とする。
載の発明において、前記貫通孔は、その内周面に第３の
導電部を具備することを特徴とする。
【００１７】また、請求項３記載の発明は、請求項２記
載の発明において、前記基板は、前記第２の導電部が配
置された面と反対側の面に第４の導電部を具備し、前記
第４の導電部は、前記第３の導電部と電気的に接続され
ていることを特徴とする。
載の発明において、前記基板は、前記第２の導電部が配
置された面と反対側の面に第４の導電部を具備し、前記
第４の導電部は、前記第３の導電部と電気的に接続され
ていることを特徴とする。
【００１８】また、請求項４記載の発明は、請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載の発明において、前記貫通
孔は、前記基板の裏面に望む部分に逆ロート形状を有す
ることを特徴とする。
至請求項３のいずれかに記載の発明において、前記貫通
孔は、前記基板の裏面に望む部分に逆ロート形状を有す
ることを特徴とする。
【００１９】また、請求項５記載の発明は、請求項１乃
至乃至請求項４のいずれかに記載の発明において、前記
貫通孔は、前記基板の前記第２の導電部が配置された部
分にロート形状の位置決め部を有することを特徴とす
る。
至乃至請求項４のいずれかに記載の発明において、前記
貫通孔は、前記基板の前記第２の導電部が配置された部
分にロート形状の位置決め部を有することを特徴とす
る。
【００２０】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の発明において、前記基板は、前記第２の導電部に代
えて、前記位置決め部の内周面に第５の導電部を有する
ことを特徴とする。
載の発明において、前記基板は、前記第２の導電部に代
えて、前記位置決め部の内周面に第５の導電部を有する
ことを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品実装
体およびこれを構成する基板の一実施の形態を添付図面
を参照して詳細に説明する。
体およびこれを構成する基板の一実施の形態を添付図面
を参照して詳細に説明する。
【００２２】まず、図１を使用して本発明の概要を説明
する。図１は、本発明に係る電子部品実装体を構成する
電子部品およびプリント基板を示す斜視図である。
する。図１は、本発明に係る電子部品実装体を構成する
電子部品およびプリント基板を示す斜視図である。
【００２３】本発明は、同図に示すように、電子部品の
底面に配設された半田バンプ１２と電気的に接続される
上面パッド２１に貫通孔２２を形成し、この貫通孔２２
が形成された上面パッド２１に半田バンプ１２を載置
し、所定のリフロー工程を行って電子部品をプリント基
板に実装することにより、検査専用の装置を使用するこ
となく電子部品とプリント基板との電気的接続状態を容
易に検査することができる電子部品実装体およびこれを
構成する基板を提供するものである。
底面に配設された半田バンプ１２と電気的に接続される
上面パッド２１に貫通孔２２を形成し、この貫通孔２２
が形成された上面パッド２１に半田バンプ１２を載置
し、所定のリフロー工程を行って電子部品をプリント基
板に実装することにより、検査専用の装置を使用するこ
となく電子部品とプリント基板との電気的接続状態を容
易に検査することができる電子部品実装体およびこれを
構成する基板を提供するものである。
【００２４】図１に示す電子部品は、ＢＧＡ型半導体装
置であり、このＢＧＡ型半導体装置は、半導体チップを
内部に封止した半導体チップモールド部１０と、当該半
導体チップの入出力に接続される配線パターンが形成さ
れたＢＧＡ基板１１と、ＢＧＡ基板１１の裏側に突出す
るように設けられ、ＢＧＡ基板１１に形成された配線パ
ターンを介して半導体チップの入出力と接続された半田
バンプ１２から構成される。
置であり、このＢＧＡ型半導体装置は、半導体チップを
内部に封止した半導体チップモールド部１０と、当該半
導体チップの入出力に接続される配線パターンが形成さ
れたＢＧＡ基板１１と、ＢＧＡ基板１１の裏側に突出す
るように設けられ、ＢＧＡ基板１１に形成された配線パ
ターンを介して半導体チップの入出力と接続された半田
バンプ１２から構成される。
【００２５】一方、プリント基板２０は、前記半田バン
プ１２に対応する位置に設けられた上面パッド２１と、
当該パッド内に形成された貫通孔２２から構成される。
プ１２に対応する位置に設けられた上面パッド２１と、
当該パッド内に形成された貫通孔２２から構成される。
【００２６】上記のように構成されるＢＧＡ型半導体装
置は、各半田バンプ１２と当該各半田バンプ１２に対応
する上面パッド２１が接触するように、図１に示す矢印
の方向に載置され、その後所定のリフロー工程を経てプ
リント基板２０と電気的に接続される。このリフロー工
程は、通常行われるように、トースターを使用して半田
バンプ１２を溶融させても、噴流半田槽を使用してプリ
ント基板２０の裏面より半田付けを行うようにしてもよ
い。
置は、各半田バンプ１２と当該各半田バンプ１２に対応
する上面パッド２１が接触するように、図１に示す矢印
の方向に載置され、その後所定のリフロー工程を経てプ
リント基板２０と電気的に接続される。このリフロー工
程は、通常行われるように、トースターを使用して半田
バンプ１２を溶融させても、噴流半田槽を使用してプリ
ント基板２０の裏面より半田付けを行うようにしてもよ
い。
【００２７】尚、貫通孔２２の形状は、半田バンプ１２
の半田量を考慮し、リフロー時に半田ブリッジが起こら
ない程度の開口とする。もっとも、貫通孔２２の形状に
合わせて半田バンプの半田量を決定してもよい。
の半田量を考慮し、リフロー時に半田ブリッジが起こら
ない程度の開口とする。もっとも、貫通孔２２の形状に
合わせて半田バンプの半田量を決定してもよい。
【００２８】図２は、図１に示すＢＧＡ型半導体装置が
プリント基板上に載置された状態を示す断面図である。
同図に示すように、プリント基板２０に形成する貫通孔
２２は、リフロー時に温度差が出来やすいＢＧＡ型半導
体装置の中央部および周縁部に形成することが好まし
い。特に、中央部に配設された半田バンプ１２は、リフ
ロー時の温度上昇が周縁部に配設された半田バンプ１２
に比べて低いため、周縁部に配設された半田バンプ１２
との温度差が１０度近くになることもある。
プリント基板上に載置された状態を示す断面図である。
同図に示すように、プリント基板２０に形成する貫通孔
２２は、リフロー時に温度差が出来やすいＢＧＡ型半導
体装置の中央部および周縁部に形成することが好まし
い。特に、中央部に配設された半田バンプ１２は、リフ
ロー時の温度上昇が周縁部に配設された半田バンプ１２
に比べて低いため、周縁部に配設された半田バンプ１２
との温度差が１０度近くになることもある。
【００２９】このように、ＢＧＡ型半導体装置では、こ
の中央部に配設された半田バンプの半田付け不良が起こ
りやすいため、少なくとも貫通孔２２を当該中央部の半
田バンプ１２が配設される位置に対応させて形成してお
けば、他の半田バンプ１２の半田付け状態を検査しなく
ても、半田付けの良否を判断することができる。
の中央部に配設された半田バンプの半田付け不良が起こ
りやすいため、少なくとも貫通孔２２を当該中央部の半
田バンプ１２が配設される位置に対応させて形成してお
けば、他の半田バンプ１２の半田付け状態を検査しなく
ても、半田付けの良否を判断することができる。
【００３０】図３は、半田バンプ１２を溶融する前およ
び溶融した後の図２に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を
示す断面図である。同図に示すように、リフロー工程終
了後の半田バンプ１２は、上面パッド２１に融着した形
状となる。この融着した状態は、プリント基板２０の裏
面から貫通孔２２を介して、検査することができる。
び溶融した後の図２に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を
示す断面図である。同図に示すように、リフロー工程終
了後の半田バンプ１２は、上面パッド２１に融着した形
状となる。この融着した状態は、プリント基板２０の裏
面から貫通孔２２を介して、検査することができる。
【００３１】以下、プリント基板２０に形成する貫通孔
２２のその他の実施形態を、図４から図１０までを使用
して説明する。
２２のその他の実施形態を、図４から図１０までを使用
して説明する。
【００３２】図４は、貫通孔２２の周縁にメッキ処理を
行い、導電部を形成した場合の例を示す断面図である。
同図に示すように、この貫通孔２２の周縁には、金、
銀、銅あるいは半田等でメッキ処理して形成されたスル
ーホールメッキ部２３が設けられている。このスルーホ
ールメッキ部２３は、上面パッド２１と電気的に接続さ
れた状態となっている。
行い、導電部を形成した場合の例を示す断面図である。
同図に示すように、この貫通孔２２の周縁には、金、
銀、銅あるいは半田等でメッキ処理して形成されたスル
ーホールメッキ部２３が設けられている。このスルーホ
ールメッキ部２３は、上面パッド２１と電気的に接続さ
れた状態となっている。
【００３３】図５は、半田バンプ１２を溶融する前およ
び溶融した後の図４に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を
示す断面図である。同図に示すように、リフロー工程終
了後の半田バンプ１２は、上面パッド２１およびスルー
ホールメッキ部２３に融着した形状となる。この融着し
た状態は、プリント基板２０の裏面から貫通孔２２を介
して、検査することができる。
び溶融した後の図４に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を
示す断面図である。同図に示すように、リフロー工程終
了後の半田バンプ１２は、上面パッド２１およびスルー
ホールメッキ部２３に融着した形状となる。この融着し
た状態は、プリント基板２０の裏面から貫通孔２２を介
して、検査することができる。
【００３４】上記のように、貫通孔２２の周縁に導電部
を形成することにより、当該導電部に融着する半田は、
プリント基板２０の裏面付近まで広がるため、半田付け
の検査が容易になる。
を形成することにより、当該導電部に融着する半田は、
プリント基板２０の裏面付近まで広がるため、半田付け
の検査が容易になる。
【００３５】図６は、貫通孔２２の周縁にメッキ処理を
行い、かつ、プリント基板２０の裏面に導電部を形成し
た場合の例を示す断面図である。同図に示すように、こ
の貫通孔２２の周縁には、金、銀、銅あるいは半田等で
メッキ処理して形成されたスルーホールメッキ部２３
と、このスルーホールメッキ部２３に接続された裏面パ
ッド２４が設けられる。
行い、かつ、プリント基板２０の裏面に導電部を形成し
た場合の例を示す断面図である。同図に示すように、こ
の貫通孔２２の周縁には、金、銀、銅あるいは半田等で
メッキ処理して形成されたスルーホールメッキ部２３
と、このスルーホールメッキ部２３に接続された裏面パ
ッド２４が設けられる。
【００３６】図７は、半田バンプ１２を溶融する前およ
び溶融した後の図６に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を
示す断面図である。同図に示すように、リフロー工程終
了後の半田バンプ１２は、上面パッド２１、スルーホー
ルメッキ部２３および裏面パッド２４に融着した形状と
なる。この融着した状態は、プリント基板２０の裏面か
ら貫通孔２２を介して、検査することができる。
び溶融した後の図６に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を
示す断面図である。同図に示すように、リフロー工程終
了後の半田バンプ１２は、上面パッド２１、スルーホー
ルメッキ部２３および裏面パッド２４に融着した形状と
なる。この融着した状態は、プリント基板２０の裏面か
ら貫通孔２２を介して、検査することができる。
【００３７】上記のように、プリント基板２０の裏面に
導電部を形成し、該導電部を貫通孔２２の周縁に形成し
た導電部と電気的に接続することにより、リフロー工程
によって融着する半田は、プリント基板２０の裏面から
突出した状態で広がるため、半田付けの検査がさらに容
易になる。
導電部を形成し、該導電部を貫通孔２２の周縁に形成し
た導電部と電気的に接続することにより、リフロー工程
によって融着する半田は、プリント基板２０の裏面から
突出した状態で広がるため、半田付けの検査がさらに容
易になる。
【００３８】図８は、プリント基板２０の上面に向かっ
て貫通孔２２の開口径が徐々に大きくなる部分と、プリ
ント基板２０の裏面に向かって貫通孔２２の開口径が徐
々に小さくなる部分とを設けた場合の例を示す断面図で
ある。同図に示すように、この貫通孔２２は、プリント
基板２０の上面側にロート状の上面広口開口部２５を有
し、プリント基板２０の裏面側に逆ロート状の裏面広口
開口部２６を有する。この上面広口開口部２５および裏
面広口開口部２６の周縁には、金、銀、銅あるいは半田
等でメッキ処理される。
て貫通孔２２の開口径が徐々に大きくなる部分と、プリ
ント基板２０の裏面に向かって貫通孔２２の開口径が徐
々に小さくなる部分とを設けた場合の例を示す断面図で
ある。同図に示すように、この貫通孔２２は、プリント
基板２０の上面側にロート状の上面広口開口部２５を有
し、プリント基板２０の裏面側に逆ロート状の裏面広口
開口部２６を有する。この上面広口開口部２５および裏
面広口開口部２６の周縁には、金、銀、銅あるいは半田
等でメッキ処理される。
【００３９】このような、上面広口開口部２５および裏
面広口開口部２６は、プリント基板２０の上面および裏
面からそれぞれドリルで加工することにより容易に形成
することができる。
面広口開口部２６は、プリント基板２０の上面および裏
面からそれぞれドリルで加工することにより容易に形成
することができる。
【００４０】ここで、上面広口開口部２５の開口径は、
この開口部に半田バンプ１２の一部が入り込む程度の径
とし、半田バンプ１２の位置決めができるようにするこ
とが好ましい。このような半田バンプ１２の一部が入り
込む構造を一部のみに設けた場合には、当該部分だけ半
田バンプの大きさを大きくするか、または、半田バンプ
を底上げし、その配設位置をプリント基板側に近づける
ことにより、他の半田バンプとの高さをマッチさせる。
この開口部に半田バンプ１２の一部が入り込む程度の径
とし、半田バンプ１２の位置決めができるようにするこ
とが好ましい。このような半田バンプ１２の一部が入り
込む構造を一部のみに設けた場合には、当該部分だけ半
田バンプの大きさを大きくするか、または、半田バンプ
を底上げし、その配設位置をプリント基板側に近づける
ことにより、他の半田バンプとの高さをマッチさせる。
【００４１】また、裏面広口開口部２６の開口径は、半
田付けの検査時に、当該開口部に光が十分入り、半田の
融着部に貫通孔２２の形状による影ができない程度の径
とすることが好ましい。
田付けの検査時に、当該開口部に光が十分入り、半田の
融着部に貫通孔２２の形状による影ができない程度の径
とすることが好ましい。
【００４２】図９は、半田バンプ１２を溶融する前およ
び溶融した後の図８に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を
示す断面図である。同図に示すように、リフロー工程終
了後の半田バンプ１２は、上面広口開口部２５および裏
面広口開口部２６に融着した形状となる。この融着した
状態は、プリント基板２０の裏面から貫通孔２２を介し
て、検査することができる。
び溶融した後の図８に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を
示す断面図である。同図に示すように、リフロー工程終
了後の半田バンプ１２は、上面広口開口部２５および裏
面広口開口部２６に融着した形状となる。この融着した
状態は、プリント基板２０の裏面から貫通孔２２を介し
て、検査することができる。
【００４３】上記のように、プリント基板２０の裏面に
向かって、開口径が徐々に大きくなる部分を貫通孔２２
に設けることにより、半田付けの状態がより見やすくな
るため、半田付けの検査が容易となる。
向かって、開口径が徐々に大きくなる部分を貫通孔２２
に設けることにより、半田付けの状態がより見やすくな
るため、半田付けの検査が容易となる。
【００４４】また、プリント基板２０の上面に向かっ
て、開口径が徐々に小さくなる部分を貫通孔２２に設け
ることにより、半田バンプ１２の一部が当該部分に入り
込むため、半田付けの検査を容易にすると同時に電子部
品の位置決めをも行うことができる。
て、開口径が徐々に小さくなる部分を貫通孔２２に設け
ることにより、半田バンプ１２の一部が当該部分に入り
込むため、半田付けの検査を容易にすると同時に電子部
品の位置決めをも行うことができる。
【００４５】図１０は、貫通孔２２のその他の各種構造
例を示す断面図である。同図（ａ）は、貫通孔２２に図
８に示す上面広口開口部２５のみを設けた例であり、同
図（ｂ）は、貫通孔２２に図８に示す裏面広口開口部２
６のみを設けた例である。これらの構成によれば、上面
広口開口部２５および裏面広口開口部２６が奏する効果
を独立して得ることができる。
例を示す断面図である。同図（ａ）は、貫通孔２２に図
８に示す上面広口開口部２５のみを設けた例であり、同
図（ｂ）は、貫通孔２２に図８に示す裏面広口開口部２
６のみを設けた例である。これらの構成によれば、上面
広口開口部２５および裏面広口開口部２６が奏する効果
を独立して得ることができる。
【００４６】また、同図（ｃ）は、貫通孔２２の開口径
を半田バンプ１２の径よりも大きく形成した場合の例で
あり、同図（ｄ）は、上面広口開口部２５の開口径を半
田バンプ１２の径よりも大きく形成した場合の例であ
る。いずれも半田バンプの位置決めをより確実に行える
という効果を奏する。
を半田バンプ１２の径よりも大きく形成した場合の例で
あり、同図（ｄ）は、上面広口開口部２５の開口径を半
田バンプ１２の径よりも大きく形成した場合の例であ
る。いずれも半田バンプの位置決めをより確実に行える
という効果を奏する。
【００４７】尚、上記各実施形態では、リフロー工程で
半田バンプ自体が溶融するものとして説明したが、半田
バンプに高融点のものを使用し、プリント基板２０の上
面パッド２１にクリーム半田を塗布して融着させるよう
に構成してもよい。この場合には、半田バンプは完全に
溶融しないが、クリーム半田が貫通孔に設けられた導電
部に融着するため、上記各実施形態と同様に半田付けの
検査を容易にすることができる。
半田バンプ自体が溶融するものとして説明したが、半田
バンプに高融点のものを使用し、プリント基板２０の上
面パッド２１にクリーム半田を塗布して融着させるよう
に構成してもよい。この場合には、半田バンプは完全に
溶融しないが、クリーム半田が貫通孔に設けられた導電
部に融着するため、上記各実施形態と同様に半田付けの
検査を容易にすることができる。
【００４８】また、半田バンプを有するＢＧＡ型半導体
装置以外の電子部品であっても、当該電子部品の電極
と、プリント基板に設けられた電極との間に半田やクリ
ーム半田等の通電用部材を介在させ、当該通電用部材を
溶融することにより、電子部品とプリント基板との接続
を行うものであれば、本発明を適用することができる。
装置以外の電子部品であっても、当該電子部品の電極
と、プリント基板に設けられた電極との間に半田やクリ
ーム半田等の通電用部材を介在させ、当該通電用部材を
溶融することにより、電子部品とプリント基板との接続
を行うものであれば、本発明を適用することができる。
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
検査専用の装置を使用することなく電子部品とプリント
基板との電気的接続状態を容易に検査することができる
電子部品実装体およびこれを構成する基板を提供するこ
とができる。
検査専用の装置を使用することなく電子部品とプリント
基板との電気的接続状態を容易に検査することができる
電子部品実装体およびこれを構成する基板を提供するこ
とができる。
【００４９】また、貫通孔２２の周縁に導電部を形成す
ることにより、当該導電部に融着する半田は、プリント
基板２０の裏面付近まで広がるため、半田付けの検査が
容易になる。
ることにより、当該導電部に融着する半田は、プリント
基板２０の裏面付近まで広がるため、半田付けの検査が
容易になる。
【００５０】また、プリント基板２０の裏面に導電部を
形成し、該導電部を貫通孔２２の周縁に形成した導電部
と電気的に接続することにより、リフロー工程によって
融着する半田は、プリント基板２０の裏面から突出した
状態で広がるため、半田付けの検査がさらに容易にな
る。
形成し、該導電部を貫通孔２２の周縁に形成した導電部
と電気的に接続することにより、リフロー工程によって
融着する半田は、プリント基板２０の裏面から突出した
状態で広がるため、半田付けの検査がさらに容易にな
る。
【００５１】また、プリント基板２０の裏面に向かっ
て、開口径が徐々に大きくなる部分を貫通孔２２に設け
ることにより、半田付けの状態がより見やすくなるた
め、半田付けの検査が容易となる。
て、開口径が徐々に大きくなる部分を貫通孔２２に設け
ることにより、半田付けの状態がより見やすくなるた
め、半田付けの検査が容易となる。
【００５２】また、プリント基板２０の上面に向かっ
て、開口径が徐々に小さくなる部分を貫通孔２２に設け
ることにより、半田バンプ１２の一部が当該部分に入り
込むため、半田付けの検査を容易にすると同時に電子部
品の位置決めをも行うことができる。
て、開口径が徐々に小さくなる部分を貫通孔２２に設け
ることにより、半田バンプ１２の一部が当該部分に入り
込むため、半田付けの検査を容易にすると同時に電子部
品の位置決めをも行うことができる。
【図１】本発明に係る電子部品実装体を構成する電子部
品およびプリント基板を示す斜視図。
品およびプリント基板を示す斜視図。
【図２】図１に示すＢＧＡ型半導体装置がプリント基板
上に載置された状態を示す断面図。
上に載置された状態を示す断面図。
【図３】半田バンプ１２を溶融する前および溶融した後
の図２に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を示す断面図。
の図２に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を示す断面図。
【図４】貫通孔２２の周縁にメッキ処理を行い、導電部
を形成した場合の例を示す断面図。
を形成した場合の例を示す断面図。
【図５】半田バンプ１２を溶融する前および溶融した後
の図４に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を示す断面図。
の図４に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を示す断面図。
【図６】貫通孔２２の周縁にメッキ処理を行い、かつ、
プリント基板２０の裏面に導電部を形成した場合の例を
示す断面図。
プリント基板２０の裏面に導電部を形成した場合の例を
示す断面図。
【図７】半田バンプ１２を溶融する前および溶融した後
の図６に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を示す断面図。
の図６に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を示す断面図。
【図８】プリント基板２０の上面に向かって貫通孔２２
の開口径が徐々に大きくなる部分と、プリント基板２０
の裏面に向かって貫通孔２２の開口径が徐々に小さくな
る部分とを設けた場合の例を示す断面図。
の開口径が徐々に大きくなる部分と、プリント基板２０
の裏面に向かって貫通孔２２の開口径が徐々に小さくな
る部分とを設けた場合の例を示す断面図。
【図９】半田バンプ１２を溶融する前および溶融した後
の図８に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を示す断面図。
の図８に示す貫通孔２２周辺の拡大構造を示す断面図。
【図１０】貫通孔２２のその他の各種構造例を示す断面
図。
図。
１０…半導体チップモールド部、１１…ＢＧＡ基板、１
２…半田バンプ、２０…プリント基板、２１…上面パッ
ド、２２…貫通孔、２３…スルーホールメッキ部、２４
…裏面パッド、２５…上面広口開口部、２６…裏面広口
開口部。
２…半田バンプ、２０…プリント基板、２１…上面パッ
ド、２２…貫通孔、２３…スルーホールメッキ部、２４
…裏面パッド、２５…上面広口開口部、２６…裏面広口
開口部。
Claims (6)
- 【請求項１】 第１の導電部が複数配置された電子部品
と、該第１の導電部に対応する位置に第２の導電部が配
置された基板とを、該第１の導電部と該第２の導電部と
の間で通電用部材を溶融することにより、該第１の導電
部と該第２の導電部とを電気的に接続した電子部品実装
体において、 前記基板は、 前記第２の導電部が配置されている位置に対応して、少
なくとも１つの貫通孔を具備し、 前記基板の裏面から前記貫通孔を通して前記通電用部材
の溶融状態を確認することを特徴とする電子部品実装
体。 - 【請求項２】 前記貫通孔は、 その内周面に第３の導電部を具備することを特徴とする
請求項１記載の電子部品実装体。 - 【請求項３】 前記基板は、 前記第２の導電部が配置された面と反対側の面に第４の
導電部を具備し、前記第４の導電部は、 前記第３の導電部と電気的に接続されていることを特徴
とする請求項２記載の電子部品実装体。 - 【請求項４】 前記貫通孔は、 前記基板の裏面に望む部分に逆ロート形状を有すること
を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の
電子部品実装体。 - 【請求項５】 前記貫通孔は、 前記基板の前記第２の導電部が配置された部分にロート
形状の位置決め部を有することを特徴とする請求項１乃
至乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品実装体。 - 【請求項６】 前記基板は、 前記第２の導電部に代えて、前記位置決め部の内周面に
第５の導電部を有することを特徴とする請求項５記載の
電子部品実装体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9286541A JPH11121648A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 電子部品実装体およびこれを構成する基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9286541A JPH11121648A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 電子部品実装体およびこれを構成する基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121648A true JPH11121648A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17705757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9286541A Pending JPH11121648A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 電子部品実装体およびこれを構成する基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121648A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075281A1 (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 |
| WO2004075282A1 (ja) | 2003-02-24 | 2004-09-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 |
| WO2004077549A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 |
| JP2008235929A (ja) * | 2008-04-30 | 2008-10-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置 |
| JP2008235928A (ja) * | 2008-04-30 | 2008-10-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| KR101108768B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2012-03-07 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선 검출기 |
| DE102017223517A1 (de) | 2017-12-21 | 2019-06-27 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterbauteil mit einem Durchbruch zur optischen Kontrolle |
| WO2023056787A1 (zh) * | 2021-10-09 | 2023-04-13 | 荣耀终端有限公司 | 电路板组件、制造方法及电子设备 |
-
1997
- 1997-10-20 JP JP9286541A patent/JPH11121648A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1603155A4 (en) * | 2003-02-24 | 2008-08-06 | Hamamatsu Photonics Kk | SEMICONDUCTOR DEVICE AND RADIATION DETECTOR COMPRISING THIS DEVICE |
| WO2004075282A1 (ja) | 2003-02-24 | 2004-09-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 |
| KR100997035B1 (ko) | 2003-02-24 | 2010-11-26 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 이를 이용한 방사선 검출기 |
| US7838994B2 (en) | 2003-02-24 | 2010-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and radiation detector employing it |
| EP1598862A1 (en) * | 2003-02-24 | 2005-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and radiation detector employing it |
| EP1603155A1 (en) * | 2003-02-24 | 2005-12-07 | Hamamatsu Photonics K. K. | Semiconductor device and radiation detector employing it |
| EP1598862A4 (en) * | 2003-02-24 | 2006-12-06 | Hamamatsu Photonics Kk | SEMICONDUCTOR ELEMENT AND RADIATION DETECTOR THEREWITH |
| US7545044B2 (en) | 2003-02-24 | 2009-06-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and radiation detector employing it |
| CN100383942C (zh) * | 2003-02-24 | 2008-04-23 | 浜松光子学株式会社 | 半导体装置及使用其的放射线检测器 |
| CN100407388C (zh) * | 2003-02-24 | 2008-07-30 | 浜松光子学株式会社 | 半导体装置及使用此半导体装置的放射线检测器 |
| WO2004075281A1 (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 |
| CN100407389C (zh) * | 2003-02-27 | 2008-07-30 | 浜松光子学株式会社 | 半导体装置及使用此半导体装置的放射线检测器 |
| EP1598863A4 (en) * | 2003-02-27 | 2006-12-13 | Hamamatsu Photonics Kk | SEMICONDUCTOR ELEMENT AND RADIATION DETECTOR THEREWITH |
| US7663113B2 (en) | 2003-02-27 | 2010-02-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and radiation detector employing it |
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| WO2004077549A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 |
| KR101108768B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2012-03-07 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선 검출기 |
| JP2008235929A (ja) * | 2008-04-30 | 2008-10-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置 |
| JP2008235928A (ja) * | 2008-04-30 | 2008-10-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| DE102017223517A1 (de) | 2017-12-21 | 2019-06-27 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterbauteil mit einem Durchbruch zur optischen Kontrolle |
| WO2019120913A1 (de) | 2017-12-21 | 2019-06-27 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterbauteil mit einem durchbruch zur optischen kontrolle |
| WO2023056787A1 (zh) * | 2021-10-09 | 2023-04-13 | 荣耀终端有限公司 | 电路板组件、制造方法及电子设备 |
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