JPH11111876A - Package for electronic component - Google Patents
Package for electronic componentInfo
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- JPH11111876A JPH11111876A JP9287876A JP28787697A JPH11111876A JP H11111876 A JPH11111876 A JP H11111876A JP 9287876 A JP9287876 A JP 9287876A JP 28787697 A JP28787697 A JP 28787697A JP H11111876 A JPH11111876 A JP H11111876A
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品用パッケー
ジに関するものであり、特に気密封止を必要とする電子
部品用パッケージに適用されるものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for electronic parts, and more particularly to a package for electronic parts requiring hermetic sealing.
【0002】[0002]
【従来の技術】気密封止を必要とする電子部品の例とし
て、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の水晶応
用製品があげられる。これらはいずれも水晶振動板の表
面に金属薄膜電極を形成し、この金属薄膜電極を外気か
ら保護するため、気密封止されている。2. Description of the Related Art Examples of electronic components requiring hermetic sealing include quartz crystal products such as quartz oscillators, quartz filters and quartz oscillators. In each of these, a metal thin-film electrode is formed on the surface of a quartz vibrating plate and hermetically sealed to protect the metal thin-film electrode from the outside air.
【0003】気密封止方法は、はんだ接合、低融点ガラ
ス接合、抵抗溶接、電子ビーム溶接等がある。抵抗溶接
を用いる気密封止方法として、HC−49/U型ベース
を用いる水晶振動子が汎用されている。これは、金属シ
ェルにリード端子が絶縁ガラスを介して互いに絶縁した
状態で植設されたベースと、金属キャップを抵抗溶接に
より気密封止する構成であり、水晶振動子等のリード端
子を有する電子部品気密封止方法として広く用いられて
いる。[0003] Hermetic sealing methods include solder joining, low melting point glass joining, resistance welding, and electron beam welding. As a hermetic sealing method using resistance welding, a quartz oscillator using an HC-49 / U type base is widely used. This is a configuration in which a base in which lead terminals are implanted in a metal shell in a state in which they are insulated from each other via insulating glass, and a metal cap are hermetically sealed by resistance welding. It is widely used as a component hermetic sealing method.
【0004】また、特開平8−162555号に示すよ
うに、引出電極の形成されたセラミックパッケージの開
口部分に形成された金属枠体(シールリング)と、金属
製の蓋体とを抵抗溶接の1種であるシーム溶接により気
密封止する表面実装化に対応した接合方法も採用されて
いる。Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-162555, a metal frame (seal ring) formed at an opening of a ceramic package in which a lead electrode is formed and a metal lid are subjected to resistance welding. A joining method corresponding to surface mounting for hermetically sealing by one type of seam welding is also employed.
【0005】さらに、このような表面実装用のパッケー
ジにおいて、特開平8−46075号に示すように、電
子ビーム溶接あるいはレーザービーム溶接により気密封
止を行う方法も採用されている。Further, in such a package for surface mounting, as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-46075, a method of hermetically sealing by electron beam welding or laser beam welding has been adopted.
【0006】図1に電子ビーム溶接により気密封止を行
う電子部品用パッケージの一例を示す。上部が開口した
凹形のセラミックパッケージ1はセラミック基体10
と、凹形周囲の開口部に形成されるタングステン等から
なるメタライズ層11と、メタライズ層の上部に形成さ
れるニッケル等からなる下部メッキ層12と、下部メッ
キ層の上部に形成される金等からなる上部メッキ層13
(図示せず)とからなる。セラミックパッケージの内部
底面には電極パッド14,15が形成されており、これ
ら電極パッドはパッケージ外部の底面に引出電極16,
17として電気的に引き出されている。前記電極パッド
14,15間には水晶振動板等の電子部品素子3が搭載
され、電気的接続されている。FIG. 1 shows an example of an electronic component package which is hermetically sealed by electron beam welding. A concave ceramic package 1 having an open top is provided with a ceramic base 10.
And a metallized layer 11 made of tungsten or the like formed in the opening around the concave shape, a lower plated layer 12 made of nickel or the like formed on the metallized layer, and a gold formed on the lower plated layer. Upper plating layer 13 made of
(Not shown). Electrode pads 14 and 15 are formed on the inner bottom surface of the ceramic package, and these electrode pads are provided on the bottom surface outside the package.
17 is electrically drawn. An electronic component element 3 such as a quartz plate is mounted between the electrode pads 14 and 15 and is electrically connected.
【0007】また、気密封止する金属フタ2はコバール
等の金属母材20の下面に銀等の金属層21(図示せ
ず)を形成している。この金属層は例えば、圧延の手法
を用いて形成され、一般にクラッド材と称されている。
気密封止を行う場合は、金属フタ2と前記セラミックパ
ッケージ1の上部メッキ層13とを重ね合わせ、金属フ
タ2の上部から、前記上部メッキ層13に対応する部分
に周状に電子ビームを照射して金属フタ2とメッキ層
(下部メッキ層および上部メッキ層)を溶融接合する。
このような溶接方法はシーム溶接のようにシールリング
をパッケージ側に必要としないので、製造工数の削減、
並びにパッケージのコストを下げるという利点を有して
いた。The metal lid 2 to be hermetically sealed has a metal layer 21 (not shown) made of silver or the like formed on the lower surface of a metal base material 20 made of kovar or the like. This metal layer is formed, for example, by using a rolling technique, and is generally called a clad material.
When performing hermetic sealing, the metal lid 2 and the upper plating layer 13 of the ceramic package 1 are overlapped, and a portion corresponding to the upper plating layer 13 is irradiated with an electron beam from above the metal lid 2 in a circumferential manner. Then, the metal lid 2 and the plating layers (the lower plating layer and the upper plating layer) are melt-bonded.
Since such a welding method does not require a seal ring on the package side unlike seam welding, the number of manufacturing steps can be reduced,
In addition, it has the advantage of reducing the cost of the package.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ック基体にスクリーン印刷法を用いてメタライズ層を形
成し、焼成成形するという、一般的な製造方法を用いた
場合、メタライズ層の表面に凹凸うねりが発生してい
た。このようなセラミックパッケージを用いて電子ビー
ム溶接あるいはレーザービーム溶接を行った場合、金属
フタとメッキ層間の一部に隙間が発生し、この隙間の発
生した領域に電子ビームが照射されると、この隙間の大
きさにより溶融状態にバラツキが発生し、メッキ層と金
属フタの接合歩留まりが低く、また気密面での信頼性に
欠ける問題点を有していた。However, when a general manufacturing method is used, in which a metallized layer is formed on a ceramic substrate using a screen printing method and then baked, irregularities and undulations are generated on the surface of the metallized layer. Was. When electron beam welding or laser beam welding is performed using such a ceramic package, a gap is generated in a part between the metal lid and the plating layer, and when the area where the gap has been generated is irradiated with the electron beam, this gap is generated. Variations occur in the molten state due to the size of the gap, and the joining yield between the plating layer and the metal lid is low, and there is a problem that the reliability in the airtight surface is lacking.
【0009】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、電子ビーム溶接あるいはレーザービーム溶
接により気密封止を行う電子部品用パッケージにおい
て、気密封止時の歩留まりを向上させるとともに、気密
面での信頼性を向上させる電子部品用パッケージを提供
することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. In a package for an electronic component which is hermetically sealed by electron beam welding or laser beam welding, the yield at the time of hermetic sealing is improved while the hermetic sealing is improved. It is an object of the present invention to provide an electronic component package that improves reliability in terms of surface.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記各溶接の
歩留まり、信頼性は、セラミックパッケージのメタライ
ズ層、メッキ層の状態に依存することに着目してなされ
たものある。すなわち、メタライズ層の表面は、基本的
には凹凸のうねりがなく平滑であることが好ましい。し
かしながら実際のセラミックパッケージの焼成において
は、メタライズ層の部分をこのような平滑な状態にコン
トロールすることは困難である。本発明は、平坦度と溶
接の接合性について鋭意実験を行い、実際の製造に照ら
して、実用上有効な平坦度を検討するとともに、メタラ
イズ層の上面に形成されるメッキ層の厚さを検討したも
のである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made by paying attention to the fact that the yield and reliability of each of the above weldings depend on the state of the metallized layer and the plated layer of the ceramic package. That is, it is preferable that the surface of the metallized layer is basically smooth without uneven undulations. However, in actual firing of the ceramic package, it is difficult to control the metallized layer in such a smooth state. In the present invention, the inventors conducted intensive experiments on flatness and weldability, and examined practically effective flatness in light of actual production, and examined the thickness of the plating layer formed on the upper surface of the metallized layer. It was done.
【0011】本発明は請求項1に示すように、セラミッ
ク基体と、当該セラミック基体の主面周囲に周状に形成
されたメタライズ層と、前記メタライズ層の上面に形成
されるメッキ層と、前記メッキ層と電子ビームあるいは
レーザビームにより接合される金属フタとからなる電子
部品用パッケージであって、前記メタライズ層の上面の
平坦度が5μm以下に平坦化されていることを特徴とす
る。平坦化するには、セラミックパッケージの焼成前に
当該メタライズ層に対してプレス処理を行うとよい。な
お、平坦度は、当該上面にできる凹凸の最上部と最下部
の寸法を示しており、当該寸法の小さいほど平坦度は良
好である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a ceramic substrate, a metallized layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic substrate, a plating layer formed on an upper surface of the metallized layer, An electronic component package comprising a plating layer and a metal lid joined by an electron beam or a laser beam, wherein a flatness of an upper surface of the metallized layer is flattened to 5 μm or less. For flattening, it is preferable to press the metallized layer before firing the ceramic package. The flatness indicates the size of the uppermost portion and the lowermost portion of the unevenness formed on the upper surface, and the smaller the size, the better the flatness.
【0012】また、請求項2に示すように、セラミック
基体と、当該セラミック基体の主面周囲に周状に形成さ
れたメタライズ層と、前記メタライズ層の上面に形成さ
れるメッキ層と、前記メッキ層と電子ビームあるいはレ
ーザビームにより接合される金属フタとからなる電子部
品用パッケージであって、前記メタライズ層は平坦度が
5μm以下に平坦化されているとともに、前記メッキ層
は4.5〜13μmの厚さを有していることを特徴とす
る構成であってもよい。According to a second aspect of the present invention, there is provided a ceramic base, a metallized layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic base, a plating layer formed on an upper surface of the metalized layer, An electronic component package comprising a layer and a metal lid joined by an electron beam or a laser beam, wherein the metallized layer is flattened to a flatness of 5 μm or less, and the plating layer is 4.5 to 13 μm. It may be a configuration characterized by having a thickness of
【0013】図4はメタライズ層の平坦度と溶接時の歩
留まりを測定したグラフである。測定に用いたセラミッ
ク基体はアルミナ基板であり、その上面にはタングステ
ンからなるメタライズ層が35μmの厚さで形成されて
おり、またメタライズ層の上面に形成されたメッキ層は
ニッケルを材料としている。金属フタはコバールからな
り、その厚さは0.1mmである。金属フタの溶接面に
はクラッド材として銀が厚さ15μmで形成されてい
る。FIG. 4 is a graph showing the measured flatness of the metallized layer and the yield during welding. The ceramic substrate used for the measurement is an alumina substrate, a metallized layer made of tungsten is formed on the upper surface thereof with a thickness of 35 μm, and the plating layer formed on the upper surface of the metallized layer is made of nickel. The metal lid is made of Kovar and has a thickness of 0.1 mm. Silver is formed in a thickness of 15 μm as a clad material on the welding surface of the metal lid.
【0014】上記条件の下に、厚さ2μmのニッケルメ
ッキを形成し、その上面に厚さ0.5μmの金メッキを
形成したデータ(グラフA)と、厚さ4μmのニッケル
メッキを形成し、その上面に厚さ0.5μmの金メッキ
を形成したデータ(グラフB)と、厚さ8μmのニッケ
ルメッキを形成し、その上面に厚さ1μmの金メッキを
形成したデータ(グラフC)を図4に示している。これ
ら各グラフから、メタライズ層の平坦度が5μm以下で
あれば、ニッケルメッキの厚さの影響をあまり受けず
に、良好な溶接歩留まりを得ることができることが理解
できる。Under the above conditions, nickel plating having a thickness of 2 μm was formed, and gold plating having a thickness of 0.5 μm was formed on the upper surface thereof (graph A), and nickel plating having a thickness of 4 μm was formed. FIG. 4 shows data (graph B) in which gold plating having a thickness of 0.5 μm was formed on the upper surface and data (graph C) in which nickel plating was formed in a thickness of 8 μm and gold plating was formed in a thickness of 1 μm on the upper surface. ing. From these graphs, it can be understood that when the flatness of the metallized layer is 5 μm or less, a good welding yield can be obtained without being significantly affected by the thickness of the nickel plating.
【0015】なお、上述のとおり、平坦度は良好であれ
ばあるほど溶接における気密歩留まりがより向上する
が、平坦化する処理、例えばプレス処理による平坦化は
技術的限界があり、一般的には1μm程度の平坦度が限
界となる。それ以上の平坦度を得るには、セラミックパ
ッケージ焼成後、メタライズ層上面を研磨する方法も考
えられるが、コスト高となる。実用上プレス等による処
理で十分な平坦度が得られるので、特殊な場合を除い
て、一般的には上記研磨等まで用いることはない。As described above, the better the flatness is, the more the airtight yield in welding is improved. However, flattening processing, for example, flattening by press processing has technical limitations. The flatness of about 1 μm is the limit. In order to obtain a higher flatness, a method of polishing the upper surface of the metallized layer after firing the ceramic package can be considered, but this increases the cost. In practice, sufficient flatness can be obtained by processing with a press or the like. Therefore, except for a special case, generally, the polishing or the like is not used.
【0016】さらに、グラフAはメッキ層が2.5μm
と薄いものであり、グラフBのそれは4.5μm、グラ
フCのそれは9μmとグラフAのものに比べて比較的厚
い。これらグラフの気密歩留まりから、メッキ層の厚さ
を4.5μm以上とすることにより、平坦度5μm以下
のメタライズ層と相まって、より安定した接合を得るこ
とができ、溶接歩留まりの向上が期待できる。Graph A shows that the plating layer has a thickness of 2.5 μm.
It is 4.5 μm in graph B and 9 μm in graph C, which is relatively thicker than that in graph A. From the airtight yields in these graphs, by setting the thickness of the plating layer to 4.5 μm or more, a more stable bond can be obtained in combination with the metallization layer having a flatness of 5 μm or less, and an improvement in welding yield can be expected.
【0017】図5は、メッキ厚さと溶接強度の関係を示
すグラフである。溶接強度は溶接面積等の諸条件に依存
するので、平坦度3μmのメタライズ層に厚さ2μmの
メッキ層を形成した場合の強度を1とした場合の相対値
で示している。このメッキ厚さ2μmの場合において
は、溶接強度は弱く、環境試験によって気密性が悪化す
ることがあった。しかし、図5に示すように、メッキ厚
さを4.5μmとした場合、その強度は約3倍となり、
確実な気密封止を行うことができる。FIG. 5 is a graph showing the relationship between plating thickness and welding strength. Since the welding strength depends on various conditions such as the welding area and the like, it is shown as a relative value when the strength when a plating layer having a thickness of 2 μm is formed on a metallized layer having a flatness of 3 μm is 1. When the plating thickness was 2 μm, the welding strength was low, and the airtightness was sometimes deteriorated by an environmental test. However, as shown in FIG. 5, when the plating thickness is 4.5 μm, the strength becomes about three times,
Secure hermetic sealing can be performed.
【0018】溶接強度はメッキ厚を厚さに比例してその
強度は増す。しかし、図5から明らかなように、13μ
m付近からはそれ以上厚くしても溶接強度の向上は見ら
れない。一方、メッキ厚を厚くすることにより、その内
部応力が増加し、下地金属であるメタライズ層(タング
ステン)との接合強度が低下する。またコストの側面か
らもメッキ層を必要以上に厚くすることは好ましくな
い。従って、メタライズ層とメッキ層の接合強度、ある
いはコストの観点からは、メッキ厚は13μm以下が適
切であると考えられる。従って、メタライズ層の平坦度
を5μm以下とし、その上部に形成されるメッキ層を
4.5μm〜13μmの範囲に設定することにより、気
密封止時の歩留まりをより向上させ、気密面での信頼性
をより向上させることができる。The welding strength increases in proportion to the plating thickness in proportion to the thickness. However, as is apparent from FIG.
From around m, no improvement in welding strength is seen even if the thickness is increased further. On the other hand, by increasing the plating thickness, the internal stress increases, and the bonding strength with the metallized layer (tungsten), which is the underlying metal, decreases. It is not preferable to make the plating layer thicker than necessary also from the viewpoint of cost. Therefore, from the viewpoint of the bonding strength between the metallized layer and the plating layer or the cost, the plating thickness of 13 μm or less is considered appropriate. Therefore, by setting the flatness of the metallized layer to 5 μm or less and setting the plating layer formed thereon to a range of 4.5 μm to 13 μm, the yield at the time of hermetic sealing is further improved, and the reliability in the hermetic surface is improved. Properties can be further improved.
【0019】また、請求項3に示すように、請求項2記
載の電子部品用パッケージにおいて、メッキ層が複数層
からなり、下層が厚さ4〜12μmのニッケルメッキ層
であり、上層が0.5〜1μmの金メッキ層であること
を特徴とする構成であってもよい。According to a third aspect of the present invention, in the electronic component package according to the second aspect, the plating layer includes a plurality of layers, the lower layer is a nickel plating layer having a thickness of 4 to 12 μm, and the upper layer is a nickel plating layer. A configuration characterized by a gold plating layer of 5 to 1 μm may be used.
【0020】上記構成によれば、メタライズ層の平坦度
が5μm以下であり、下部メッキとしてニッケルメッキ
層、その上層が薄い金層からなり、全体として4.5〜
13μmの厚さを有する構成であるので、良好な気密封
止時の歩留まり、良好な気密面での信頼性を得ることで
きる。また、金層がニッケルメッキ層を酸化等から保護
する。According to the above structure, the metallization layer has a flatness of 5 μm or less, a nickel plating layer as the lower plating, and a thin gold layer as the upper plating layer.
Since the configuration has a thickness of 13 μm, it is possible to obtain a good yield at the time of hermetic sealing, and to obtain reliability in a good hermetic surface. Further, the gold layer protects the nickel plating layer from oxidation and the like.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を表面実装型
の水晶振動子を例にとり図1,図2,図3とともに説明
する。基本構成は従来例で説明した構成であり、図1で
示すような構成である。すなわち、先の記述と一部重複
するが、上部が開口した凹形のセラミックパッケージ1
と、当該パッケージの中に収納される電子部品素子であ
る水晶振動板3と、パッケージの開口部に接合される金
属フタ2とからなる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 3 taking a surface-mounted crystal oscillator as an example. The basic configuration is the configuration described in the conventional example, and is the configuration as shown in FIG. That is, although partially overlapping with the above description, the concave ceramic package 1 having an open top is provided.
And a crystal vibrating plate 3 which is an electronic component element housed in the package, and a metal lid 2 joined to an opening of the package.
【0022】凹形のセラミックパッケージ1は、セラミ
ック基体10と、凹形周囲の開口部に形成されるタング
ステン等からなるメタライズ層11と、メタライズ層の
上部に形成されるニッケル等からなる下部メッキ層12
と、下部メッキ層の上部に形成される金等からなる上部
メッキ層13とからなる。メッキ層は主に溶接に寄与す
る領域である。メタライズ層は焼成前に図2に示すよう
に周囲に金型F,Fを配置した状態でメタライズ層上部
からパンチPでプレス加工する。これにより焼成後のメ
タライズ層の上面は、平坦度tが5μm以下に平坦化さ
れるとともに、メタライズ層全体がセラミック基体に一
部埋設され、両者の接合強度が向上する。なお、平坦度
tはメタライズ層表面にできる凹凸の最上部と最下部の
寸法を示している。The concave ceramic package 1 has a ceramic base 10, a metallized layer 11 made of tungsten or the like formed in an opening around the concave, and a lower plating layer made of nickel or the like formed on the metallized layer. 12
And an upper plating layer 13 made of gold or the like formed on the lower plating layer. The plating layer is an area mainly contributing to welding. Prior to firing, the metallized layer is pressed with a punch P from above the metallized layer with the dies F, F arranged around as shown in FIG. As a result, the upper surface of the fired metallized layer is flattened to a flatness t of 5 μm or less, and the entire metallized layer is partially buried in the ceramic base, thereby improving the bonding strength between the two. The flatness t indicates the dimensions of the uppermost part and the lowermost part of the unevenness formed on the surface of the metallized layer.
【0023】各層の厚さは、この実施例では、メタライ
ズ層11が18〜20μm、下部メッキ12が6μm、
上部メッキ層13が1μmである。なお、メタライズ層
の厚さは15〜35μm程度あればよいが、プレス処理
が行われる場合は当該上面の平坦度が向上するので、そ
れ以下の厚さであってもよい。特にパッケージ自体の低
背化が要求される場合は、プレス処理をして平坦度を2
〜3μm程度に向上させることにより、その厚さを10
〜20μmと薄型化しても、実用上問題のない強度を得
ることができる。なお、メタライズ層が平坦化されるこ
とにより、その上部に形成される各メッキ層もその上面
は平坦な状態を維持して形成される。In this embodiment, the thickness of each layer is 18 to 20 μm for the metallized layer 11, 6 μm for the lower plating 12,
The upper plating layer 13 is 1 μm. Note that the thickness of the metallized layer may be about 15 to 35 μm, but when the pressing is performed, the flatness of the upper surface is improved. In particular, when it is required to reduce the height of the package itself, press processing is performed to reduce the flatness to two.
By increasing the thickness to about 3 μm,
Even if the thickness is reduced to 20 [mu] m, it is possible to obtain a strength having no practical problem. Note that, by flattening the metallized layer, each plating layer formed on the metalized layer is also formed with its upper surface being kept flat.
【0024】また、セラミックパッケージの内部底面に
は電極パッド14,15が形成されており、これら電極
パッドはパッケージ外部の底面に引出電極16,17と
して電気的に引き出されている。前記電極パッド14,
15間には水晶振動板等の電子部品素子3が収納されて
いる。Further, electrode pads 14 and 15 are formed on the inner bottom surface of the ceramic package, and these electrode pads are electrically led out as lead electrodes 16 and 17 to the bottom surface outside the package. The electrode pads 14,
The electronic component element 3 such as a quartz plate is housed between the reference numerals 15.
【0025】また、気密封止する金属フタ2はコバール
等の金属母材20の下面に銀等からなる金属層21を形
成している。この金属層21の形成は例えば、圧延の手
法を用いて形成されている。気密封止を行う場合は、金
属フタ2と前記セラミックパッケージ1のメッキ層(下
部メッキ12と上部メッキ層13)とを重ね合わせ、金
属フタ2の上部から、前記上部メッキ層13に対応する
部分に周状に電子ビームを照射することにより、金属フ
タ2の金属母材20と金属層21と、メッキ層(下部メ
ッキ12と上部メッキ層13)が溶融し接合される。The metal lid 2 to be hermetically sealed has a metal layer 21 made of silver or the like formed on the lower surface of a metal base material 20 such as Kovar. The metal layer 21 is formed using, for example, a rolling technique. When performing hermetic sealing, the metal lid 2 and the plating layers (the lower plating 12 and the upper plating layer 13) of the ceramic package 1 are overlapped, and a portion corresponding to the upper plating layer 13 is formed from above the metal lid 2. By irradiating the metal base material 20 and the metal layer 21 of the metal lid 2 with the plating layers (the lower plating 12 and the upper plating layer 13) by being circumferentially irradiated with an electron beam.
【0026】なお、メタライズ層上面の平坦度は5μm
以下であることが必要であるが、より好ましくは1〜3
μmの平坦度があればよい。ただし、3μm以上であっ
ても、メッキ層の厚さを比較的厚くし、凹凸の影響を吸
収することにより、溶接強度を確保すればよい。また、
上記実施例では、電子ビーム溶接を用いたが、レーザー
ビーム溶接を用いてもよい。The flatness of the upper surface of the metallized layer is 5 μm.
It is necessary to be less than, more preferably 1-3
A flatness of μm is sufficient. However, even if the thickness is 3 μm or more, the welding strength may be ensured by making the thickness of the plating layer relatively thick and absorbing the influence of irregularities. Also,
In the above embodiment, electron beam welding is used, but laser beam welding may be used.
【0027】なお、本発明は表面実装型の水晶振動子を
例示したが、圧電フィルタや圧電発振器用のパッケージ
に適用してもよく、また、他の気密封止を必要とされる
電子部品に適用してもよい。Although the present invention has been described with reference to a surface-mount type crystal resonator, the present invention may be applied to a package for a piezoelectric filter or a piezoelectric oscillator, or to other electronic parts requiring hermetic sealing. May be applied.
【0028】[0028]
【発明の効果】本発明によれば、電子ビーム溶接あるい
はレーザービーム溶接により気密封止を行う電子部品用
パッケージにおいて、気密封止時の製造歩留まりを向上
させるとともに、気密面での信頼性を向上させる電子部
品用パッケージを提供する。According to the present invention, in a package for an electronic component which is hermetically sealed by electron beam welding or laser beam welding, the production yield at the time of hermetic sealing is improved and the reliability in the hermetic surface is improved. And a package for electronic components to be provided.
【0029】すなわち、請求項1に記載の電子部品用パ
ッケージによれば、メタライズ層の平坦度が5μm以下
であるので、その上部に形成されるメッキ層表面の平坦
度も良好なものとなり、金属フタとの電子ビームあるい
はレーザービームを用いた接合の気密歩留まりが向上す
るとともに、接合の信頼性も向上する。That is, according to the electronic component package of the first aspect, the flatness of the metallized layer is 5 μm or less, so that the flatness of the surface of the plating layer formed on the metallized layer is also good, and The airtight yield of bonding using an electron beam or a laser beam with the lid is improved, and the reliability of bonding is also improved.
【0030】また、請求項2に記載の電子部品用パッケ
ージによれば、平坦度5μm以下のメタライズ層と相ま
って、より安定した接合を得ることができ、気密歩留ま
りを向上させることができる。According to the electronic component package of the present invention, more stable bonding can be obtained in combination with the metallized layer having a flatness of 5 μm or less, and the airtight yield can be improved.
【0031】上記構成によれば、メタライズ層の平坦度
が5μm以下であり、下部メッキとしてニッケルメッキ
層、その上層が薄い金層からなり、全体として4.5〜
13μmの厚さを有する構成であるので、溶接面の凹凸
が小さくなり、気密封止時の歩留まりをより向上させ、
気密面での信頼性をより向上させることができる。ま
た、金層がニッケルメッキ層を酸化等から保護する。According to the above configuration, the flatness of the metallized layer is 5 μm or less, a nickel plating layer as a lower plating, and a thin gold layer as an upper layer, and a total of 4.5 to 4.5.
Since the configuration has a thickness of 13 μm, the unevenness of the welding surface is reduced, and the yield at the time of hermetic sealing is further improved,
The reliability in airtightness can be further improved. Further, the gold layer protects the nickel plating layer from oxidation and the like.
【図1】第1の実施の形態による内部断面図。FIG. 1 is an internal cross-sectional view according to a first embodiment.
【図2】第1の実施の形態による製造方法を示す一部拡
大図。FIG. 2 is a partially enlarged view showing the manufacturing method according to the first embodiment.
【図3】図1の一部拡大図。FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 1;
【図4】比較データを示すグラフ。FIG. 4 is a graph showing comparison data.
【図5】比較データを示すグラフ。FIG. 5 is a graph showing comparative data.
1 セラミックパッケージ 10 セラミック基体 11 メタライズ層 12 下部メッキ層 13 上部メッキ層 2 金属フタ 20 金属母材 21 金属層 3 水晶振動板(電子部品素子) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic package 10 Ceramic base 11 Metallization layer 12 Lower plating layer 13 Upper plating layer 2 Metal lid 20 Metal base material 21 Metal layer 3 Quartz diaphragm (electronic component element)
Claims (3)
の主面周囲に周状に形成されたメタライズ層と、前記メ
タライズ層の上面に形成されるメッキ層と、前記メッキ
層と電子ビームあるいはレーザビームにより接合される
金属フタとからなる電子部品用パッケージであって、 前記メタライズ層は平坦度が5μm以下に平坦化されて
いることを特徴する電子部品用パッケージ。1. A ceramic base, a metallized layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic base, a plating layer formed on an upper surface of the metallized layer, and a plating layer and an electron beam or a laser beam. An electronic component package comprising a metal lid to be joined, wherein the metallized layer is flattened to a flatness of 5 μm or less.
の主面周囲に周状に形成されたメタライズ層と、前記メ
タライズ層の上面に形成されるメッキ層と、前記メッキ
層と電子ビームあるいはレーザビームにより接合される
金属フタとからなる電子部品用パッケージであって、前
記メタライズ層は平坦度が5μm以下に平坦化されてい
るとともに、前記メッキ層は4.5〜13μmの厚さを
有していることを特徴とする電子部品用パッケージ。2. A ceramic base, a metallized layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic base, a plating layer formed on an upper surface of the metallized layer, and a plating layer and an electron beam or a laser beam. An electronic component package including a metal lid to be joined, wherein the metallized layer is flattened to a flatness of 5 μm or less, and the plating layer has a thickness of 4.5 to 13 μm. A package for electronic components, characterized in that:
層が厚さ4〜12μmのニッケルメッキ層であり、上部
メッキ層が0.5〜1μmの金メッキ層であることを特
徴とする請求項2記載の電子部品用パッケージ。3. The method according to claim 1, wherein the plating layer comprises a plurality of layers, the lower plating layer is a nickel plating layer having a thickness of 4 to 12 μm, and the upper plating layer is a gold plating layer having a thickness of 0.5 to 1 μm. 2. The electronic component package according to item 2.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP28787697A JP3374395B2 (en) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | Package for electronic components |
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JPH11111876A true JPH11111876A (en) | 1999-04-23 |
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JP (1) | JP3374395B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173427A (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ceramic package |
JP2015164242A (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-10 | Tdk株式会社 | piezoelectric device |
DE102021129411A1 (en) | 2021-11-11 | 2023-05-11 | Schott Ag | Hermetically bonded assembly |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP28787697A patent/JP3374395B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007173427A (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ceramic package |
JP2015164242A (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-10 | Tdk株式会社 | piezoelectric device |
US9762203B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-09-12 | Tdk Corporation | Piezoelectric device |
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