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JPH11111876A - 電子部品用パッケージ - Google Patents

電子部品用パッケージ

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Publication number
JPH11111876A
JPH11111876A JP9287876A JP28787697A JPH11111876A JP H11111876 A JPH11111876 A JP H11111876A JP 9287876 A JP9287876 A JP 9287876A JP 28787697 A JP28787697 A JP 28787697A JP H11111876 A JPH11111876 A JP H11111876A
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JP
Japan
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layer
package
plating layer
thickness
plating
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JP9287876A
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JP3374395B2 (ja
Inventor
Mikio Nakajima
幹雄 中島
Minoru Iizuka
実 飯塚
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Daishinku Corp
Original Assignee
Daishinku Corp
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Publication date
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First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=17722886&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH11111876(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Daishinku Corp filed Critical Daishinku Corp
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Publication of JPH11111876A publication Critical patent/JPH11111876A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子ビーム溶接あるいはレーザービーム溶接
により気密封止を行う電子部品用パッケージにおいて、
気密封止時の歩留まりを向上させるとともに、気密面で
の信頼性を向上させる。 【解決手段】 上部が開口した凹形のセラミックパッケ
ージ1と、当該パッケージの中に収納される電子部品素
子である水晶振動板3と、パッケージの開口部に接合さ
れる金属フタ2とからなり、凹形のセラミックパッケー
ジ1は、セラミック基体10と、凹形周囲の開口部に形
成されるタングステン等からなるメタライズ層11と、
メタライズ層の上部に形成されるメッキ層からなる。メ
タライズ層11の上面は、平坦度tが5μm以下に平坦
化されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品用パッケー
ジに関するものであり、特に気密封止を必要とする電子
部品用パッケージに適用されるものである。
【0002】
【従来の技術】気密封止を必要とする電子部品の例とし
て、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の水晶応
用製品があげられる。これらはいずれも水晶振動板の表
面に金属薄膜電極を形成し、この金属薄膜電極を外気か
ら保護するため、気密封止されている。
【0003】気密封止方法は、はんだ接合、低融点ガラ
ス接合、抵抗溶接、電子ビーム溶接等がある。抵抗溶接
を用いる気密封止方法として、HC−49/U型ベース
を用いる水晶振動子が汎用されている。これは、金属シ
ェルにリード端子が絶縁ガラスを介して互いに絶縁した
状態で植設されたベースと、金属キャップを抵抗溶接に
より気密封止する構成であり、水晶振動子等のリード端
子を有する電子部品気密封止方法として広く用いられて
いる。
【0004】また、特開平8−162555号に示すよ
うに、引出電極の形成されたセラミックパッケージの開
口部分に形成された金属枠体(シールリング)と、金属
製の蓋体とを抵抗溶接の1種であるシーム溶接により気
密封止する表面実装化に対応した接合方法も採用されて
いる。
【0005】さらに、このような表面実装用のパッケー
ジにおいて、特開平8−46075号に示すように、電
子ビーム溶接あるいはレーザービーム溶接により気密封
止を行う方法も採用されている。
【0006】図1に電子ビーム溶接により気密封止を行
う電子部品用パッケージの一例を示す。上部が開口した
凹形のセラミックパッケージ1はセラミック基体10
と、凹形周囲の開口部に形成されるタングステン等から
なるメタライズ層11と、メタライズ層の上部に形成さ
れるニッケル等からなる下部メッキ層12と、下部メッ
キ層の上部に形成される金等からなる上部メッキ層13
(図示せず)とからなる。セラミックパッケージの内部
底面には電極パッド14,15が形成されており、これ
ら電極パッドはパッケージ外部の底面に引出電極16,
17として電気的に引き出されている。前記電極パッド
14,15間には水晶振動板等の電子部品素子3が搭載
され、電気的接続されている。
【0007】また、気密封止する金属フタ2はコバール
等の金属母材20の下面に銀等の金属層21(図示せ
ず)を形成している。この金属層は例えば、圧延の手法
を用いて形成され、一般にクラッド材と称されている。
気密封止を行う場合は、金属フタ2と前記セラミックパ
ッケージ1の上部メッキ層13とを重ね合わせ、金属フ
タ2の上部から、前記上部メッキ層13に対応する部分
に周状に電子ビームを照射して金属フタ2とメッキ層
(下部メッキ層および上部メッキ層)を溶融接合する。
このような溶接方法はシーム溶接のようにシールリング
をパッケージ側に必要としないので、製造工数の削減、
並びにパッケージのコストを下げるという利点を有して
いた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ック基体にスクリーン印刷法を用いてメタライズ層を形
成し、焼成成形するという、一般的な製造方法を用いた
場合、メタライズ層の表面に凹凸うねりが発生してい
た。このようなセラミックパッケージを用いて電子ビー
ム溶接あるいはレーザービーム溶接を行った場合、金属
フタとメッキ層間の一部に隙間が発生し、この隙間の発
生した領域に電子ビームが照射されると、この隙間の大
きさにより溶融状態にバラツキが発生し、メッキ層と金
属フタの接合歩留まりが低く、また気密面での信頼性に
欠ける問題点を有していた。
【0009】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、電子ビーム溶接あるいはレーザービーム溶
接により気密封止を行う電子部品用パッケージにおい
て、気密封止時の歩留まりを向上させるとともに、気密
面での信頼性を向上させる電子部品用パッケージを提供
することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記各溶接の
歩留まり、信頼性は、セラミックパッケージのメタライ
ズ層、メッキ層の状態に依存することに着目してなされ
たものある。すなわち、メタライズ層の表面は、基本的
には凹凸のうねりがなく平滑であることが好ましい。し
かしながら実際のセラミックパッケージの焼成において
は、メタライズ層の部分をこのような平滑な状態にコン
トロールすることは困難である。本発明は、平坦度と溶
接の接合性について鋭意実験を行い、実際の製造に照ら
して、実用上有効な平坦度を検討するとともに、メタラ
イズ層の上面に形成されるメッキ層の厚さを検討したも
のである。
【0011】本発明は請求項1に示すように、セラミッ
ク基体と、当該セラミック基体の主面周囲に周状に形成
されたメタライズ層と、前記メタライズ層の上面に形成
されるメッキ層と、前記メッキ層と電子ビームあるいは
レーザビームにより接合される金属フタとからなる電子
部品用パッケージであって、前記メタライズ層の上面の
平坦度が5μm以下に平坦化されていることを特徴とす
る。平坦化するには、セラミックパッケージの焼成前に
当該メタライズ層に対してプレス処理を行うとよい。な
お、平坦度は、当該上面にできる凹凸の最上部と最下部
の寸法を示しており、当該寸法の小さいほど平坦度は良
好である。
【0012】また、請求項2に示すように、セラミック
基体と、当該セラミック基体の主面周囲に周状に形成さ
れたメタライズ層と、前記メタライズ層の上面に形成さ
れるメッキ層と、前記メッキ層と電子ビームあるいはレ
ーザビームにより接合される金属フタとからなる電子部
品用パッケージであって、前記メタライズ層は平坦度が
5μm以下に平坦化されているとともに、前記メッキ層
は4.5〜13μmの厚さを有していることを特徴とす
る構成であってもよい。
【0013】図4はメタライズ層の平坦度と溶接時の歩
留まりを測定したグラフである。測定に用いたセラミッ
ク基体はアルミナ基板であり、その上面にはタングステ
ンからなるメタライズ層が35μmの厚さで形成されて
おり、またメタライズ層の上面に形成されたメッキ層は
ニッケルを材料としている。金属フタはコバールからな
り、その厚さは0.1mmである。金属フタの溶接面に
はクラッド材として銀が厚さ15μmで形成されてい
る。
【0014】上記条件の下に、厚さ2μmのニッケルメ
ッキを形成し、その上面に厚さ0.5μmの金メッキを
形成したデータ(グラフA)と、厚さ4μmのニッケル
メッキを形成し、その上面に厚さ0.5μmの金メッキ
を形成したデータ(グラフB)と、厚さ8μmのニッケ
ルメッキを形成し、その上面に厚さ1μmの金メッキを
形成したデータ(グラフC)を図4に示している。これ
ら各グラフから、メタライズ層の平坦度が5μm以下で
あれば、ニッケルメッキの厚さの影響をあまり受けず
に、良好な溶接歩留まりを得ることができることが理解
できる。
【0015】なお、上述のとおり、平坦度は良好であれ
ばあるほど溶接における気密歩留まりがより向上する
が、平坦化する処理、例えばプレス処理による平坦化は
技術的限界があり、一般的には1μm程度の平坦度が限
界となる。それ以上の平坦度を得るには、セラミックパ
ッケージ焼成後、メタライズ層上面を研磨する方法も考
えられるが、コスト高となる。実用上プレス等による処
理で十分な平坦度が得られるので、特殊な場合を除い
て、一般的には上記研磨等まで用いることはない。
【0016】さらに、グラフAはメッキ層が2.5μm
と薄いものであり、グラフBのそれは4.5μm、グラ
フCのそれは9μmとグラフAのものに比べて比較的厚
い。これらグラフの気密歩留まりから、メッキ層の厚さ
を4.5μm以上とすることにより、平坦度5μm以下
のメタライズ層と相まって、より安定した接合を得るこ
とができ、溶接歩留まりの向上が期待できる。
【0017】図5は、メッキ厚さと溶接強度の関係を示
すグラフである。溶接強度は溶接面積等の諸条件に依存
するので、平坦度3μmのメタライズ層に厚さ2μmの
メッキ層を形成した場合の強度を1とした場合の相対値
で示している。このメッキ厚さ2μmの場合において
は、溶接強度は弱く、環境試験によって気密性が悪化す
ることがあった。しかし、図5に示すように、メッキ厚
さを4.5μmとした場合、その強度は約3倍となり、
確実な気密封止を行うことができる。
【0018】溶接強度はメッキ厚を厚さに比例してその
強度は増す。しかし、図5から明らかなように、13μ
m付近からはそれ以上厚くしても溶接強度の向上は見ら
れない。一方、メッキ厚を厚くすることにより、その内
部応力が増加し、下地金属であるメタライズ層(タング
ステン)との接合強度が低下する。またコストの側面か
らもメッキ層を必要以上に厚くすることは好ましくな
い。従って、メタライズ層とメッキ層の接合強度、ある
いはコストの観点からは、メッキ厚は13μm以下が適
切であると考えられる。従って、メタライズ層の平坦度
を5μm以下とし、その上部に形成されるメッキ層を
4.5μm〜13μmの範囲に設定することにより、気
密封止時の歩留まりをより向上させ、気密面での信頼性
をより向上させることができる。
【0019】また、請求項3に示すように、請求項2記
載の電子部品用パッケージにおいて、メッキ層が複数層
からなり、下層が厚さ4〜12μmのニッケルメッキ層
であり、上層が0.5〜1μmの金メッキ層であること
を特徴とする構成であってもよい。
【0020】上記構成によれば、メタライズ層の平坦度
が5μm以下であり、下部メッキとしてニッケルメッキ
層、その上層が薄い金層からなり、全体として4.5〜
13μmの厚さを有する構成であるので、良好な気密封
止時の歩留まり、良好な気密面での信頼性を得ることで
きる。また、金層がニッケルメッキ層を酸化等から保護
する。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を表面実装型
の水晶振動子を例にとり図1,図2,図3とともに説明
する。基本構成は従来例で説明した構成であり、図1で
示すような構成である。すなわち、先の記述と一部重複
するが、上部が開口した凹形のセラミックパッケージ1
と、当該パッケージの中に収納される電子部品素子であ
る水晶振動板3と、パッケージの開口部に接合される金
属フタ2とからなる。
【0022】凹形のセラミックパッケージ1は、セラミ
ック基体10と、凹形周囲の開口部に形成されるタング
ステン等からなるメタライズ層11と、メタライズ層の
上部に形成されるニッケル等からなる下部メッキ層12
と、下部メッキ層の上部に形成される金等からなる上部
メッキ層13とからなる。メッキ層は主に溶接に寄与す
る領域である。メタライズ層は焼成前に図2に示すよう
に周囲に金型F,Fを配置した状態でメタライズ層上部
からパンチPでプレス加工する。これにより焼成後のメ
タライズ層の上面は、平坦度tが5μm以下に平坦化さ
れるとともに、メタライズ層全体がセラミック基体に一
部埋設され、両者の接合強度が向上する。なお、平坦度
tはメタライズ層表面にできる凹凸の最上部と最下部の
寸法を示している。
【0023】各層の厚さは、この実施例では、メタライ
ズ層11が18〜20μm、下部メッキ12が6μm、
上部メッキ層13が1μmである。なお、メタライズ層
の厚さは15〜35μm程度あればよいが、プレス処理
が行われる場合は当該上面の平坦度が向上するので、そ
れ以下の厚さであってもよい。特にパッケージ自体の低
背化が要求される場合は、プレス処理をして平坦度を2
〜3μm程度に向上させることにより、その厚さを10
〜20μmと薄型化しても、実用上問題のない強度を得
ることができる。なお、メタライズ層が平坦化されるこ
とにより、その上部に形成される各メッキ層もその上面
は平坦な状態を維持して形成される。
【0024】また、セラミックパッケージの内部底面に
は電極パッド14,15が形成されており、これら電極
パッドはパッケージ外部の底面に引出電極16,17と
して電気的に引き出されている。前記電極パッド14,
15間には水晶振動板等の電子部品素子3が収納されて
いる。
【0025】また、気密封止する金属フタ2はコバール
等の金属母材20の下面に銀等からなる金属層21を形
成している。この金属層21の形成は例えば、圧延の手
法を用いて形成されている。気密封止を行う場合は、金
属フタ2と前記セラミックパッケージ1のメッキ層(下
部メッキ12と上部メッキ層13)とを重ね合わせ、金
属フタ2の上部から、前記上部メッキ層13に対応する
部分に周状に電子ビームを照射することにより、金属フ
タ2の金属母材20と金属層21と、メッキ層(下部メ
ッキ12と上部メッキ層13)が溶融し接合される。
【0026】なお、メタライズ層上面の平坦度は5μm
以下であることが必要であるが、より好ましくは1〜3
μmの平坦度があればよい。ただし、3μm以上であっ
ても、メッキ層の厚さを比較的厚くし、凹凸の影響を吸
収することにより、溶接強度を確保すればよい。また、
上記実施例では、電子ビーム溶接を用いたが、レーザー
ビーム溶接を用いてもよい。
【0027】なお、本発明は表面実装型の水晶振動子を
例示したが、圧電フィルタや圧電発振器用のパッケージ
に適用してもよく、また、他の気密封止を必要とされる
電子部品に適用してもよい。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、電子ビーム溶接あるい
はレーザービーム溶接により気密封止を行う電子部品用
パッケージにおいて、気密封止時の製造歩留まりを向上
させるとともに、気密面での信頼性を向上させる電子部
品用パッケージを提供する。
【0029】すなわち、請求項1に記載の電子部品用パ
ッケージによれば、メタライズ層の平坦度が5μm以下
であるので、その上部に形成されるメッキ層表面の平坦
度も良好なものとなり、金属フタとの電子ビームあるい
はレーザービームを用いた接合の気密歩留まりが向上す
るとともに、接合の信頼性も向上する。
【0030】また、請求項2に記載の電子部品用パッケ
ージによれば、平坦度5μm以下のメタライズ層と相ま
って、より安定した接合を得ることができ、気密歩留ま
りを向上させることができる。
【0031】上記構成によれば、メタライズ層の平坦度
が5μm以下であり、下部メッキとしてニッケルメッキ
層、その上層が薄い金層からなり、全体として4.5〜
13μmの厚さを有する構成であるので、溶接面の凹凸
が小さくなり、気密封止時の歩留まりをより向上させ、
気密面での信頼性をより向上させることができる。ま
た、金層がニッケルメッキ層を酸化等から保護する。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態による内部断面図。
【図2】第1の実施の形態による製造方法を示す一部拡
大図。
【図3】図1の一部拡大図。
【図4】比較データを示すグラフ。
【図5】比較データを示すグラフ。
【符号の説明】
1 セラミックパッケージ 10 セラミック基体 11 メタライズ層 12 下部メッキ層 13 上部メッキ層 2 金属フタ 20 金属母材 21 金属層 3 水晶振動板(電子部品素子)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミック基体と、当該セラミック基体
    の主面周囲に周状に形成されたメタライズ層と、前記メ
    タライズ層の上面に形成されるメッキ層と、前記メッキ
    層と電子ビームあるいはレーザビームにより接合される
    金属フタとからなる電子部品用パッケージであって、 前記メタライズ層は平坦度が5μm以下に平坦化されて
    いることを特徴する電子部品用パッケージ。
  2. 【請求項2】 セラミック基体と、当該セラミック基体
    の主面周囲に周状に形成されたメタライズ層と、前記メ
    タライズ層の上面に形成されるメッキ層と、前記メッキ
    層と電子ビームあるいはレーザビームにより接合される
    金属フタとからなる電子部品用パッケージであって、前
    記メタライズ層は平坦度が5μm以下に平坦化されてい
    るとともに、前記メッキ層は4.5〜13μmの厚さを
    有していることを特徴とする電子部品用パッケージ。
  3. 【請求項3】 メッキ層が複数層からなり、下部メッキ
    層が厚さ4〜12μmのニッケルメッキ層であり、上部
    メッキ層が0.5〜1μmの金メッキ層であることを特
    徴とする請求項2記載の電子部品用パッケージ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173427A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミックパッケージ
JP2015164242A (ja) * 2014-02-28 2015-09-10 Tdk株式会社 圧電デバイス
DE102021129411A1 (de) 2021-11-11 2023-05-11 Schott Ag Hermetisch verbundene Anordnung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173427A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミックパッケージ
JP2015164242A (ja) * 2014-02-28 2015-09-10 Tdk株式会社 圧電デバイス
US9762203B2 (en) 2014-02-28 2017-09-12 Tdk Corporation Piezoelectric device
DE102021129411A1 (de) 2021-11-11 2023-05-11 Schott Ag Hermetisch verbundene Anordnung

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