JPH11111830A - 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法 - Google Patents
静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法Info
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- JPH11111830A JPH11111830A JP9289236A JP28923697A JPH11111830A JP H11111830 A JPH11111830 A JP H11111830A JP 9289236 A JP9289236 A JP 9289236A JP 28923697 A JP28923697 A JP 28923697A JP H11111830 A JPH11111830 A JP H11111830A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＣＤ基板のような絶縁基板であっても確実
に支持テーブルに吸着できる静電吸着装置を提供するこ
と。 【解決手段】 プラズマが形成される空間に設けられ、
絶縁基板Sを吸着するための静電吸着装置10は、絶縁体1
2とその内部に設けられた電極13とを有し、絶縁基板Sを
吸着するための吸着部材11と、電極13にＤＣ電圧を印加
するＤＣ電源21とを具備し、プラズマが形成された状態
で電極13にＤＣ電圧を印加することにより、プラズマか
ら基板S上に蓄積された電荷と電極13との間に生じる静
電力により、絶縁基板Sが吸着部材11に吸着される。
に支持テーブルに吸着できる静電吸着装置を提供するこ
と。 【解決手段】 プラズマが形成される空間に設けられ、
絶縁基板Sを吸着するための静電吸着装置10は、絶縁体1
2とその内部に設けられた電極13とを有し、絶縁基板Sを
吸着するための吸着部材11と、電極13にＤＣ電圧を印加
するＤＣ電源21とを具備し、プラズマが形成された状態
で電極13にＤＣ電圧を印加することにより、プラズマか
ら基板S上に蓄積された電荷と電極13との間に生じる静
電力により、絶縁基板Sが吸着部材11に吸着される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣＤ基板などの
絶縁基板に対して所定の処理を行う際に適用される静電
吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処
理装置および処理方法に関する。
絶縁基板に対して所定の処理を行う際に適用される静電
吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処
理装置および処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、被処理基板である半導体ウェ
ハやＬＣＤ基板のエッチングには高真空下で行われるド
ライエッチングが採用されている。ドライエッチングと
はチャンバー内に被処理基板を配置し、チャンバー内に
プラズマを形成して、そのプラズマによりエッチングを
行うものである。このようなドライエッチング方法にお
いて、エッチング特性は基板温度に大きく依存する。そ
のため基板を支持する基板支持部材に冷媒を通流させ基
板温度を制御している。また、基板と基板支持部材との
間には冷媒の伝熱効率を向上させるためにＨｅガス等の
熱伝達ガスを流している。
ハやＬＣＤ基板のエッチングには高真空下で行われるド
ライエッチングが採用されている。ドライエッチングと
はチャンバー内に被処理基板を配置し、チャンバー内に
プラズマを形成して、そのプラズマによりエッチングを
行うものである。このようなドライエッチング方法にお
いて、エッチング特性は基板温度に大きく依存する。そ
のため基板を支持する基板支持部材に冷媒を通流させ基
板温度を制御している。また、基板と基板支持部材との
間には冷媒の伝熱効率を向上させるためにＨｅガス等の
熱伝達ガスを流している。
【０００３】ところで、基板は基板支持部材上に固定状
態で支持する必要があり、このため、例えば被処理基板
が半導体ウェハの場合には、この半導体ウェハをクーロ
ン力のような静電力で支持部材上に吸着させて支持する
静電吸着装置が多用されている。一方、ＬＣＤ基板の場
合には基板が絶縁体であるため、導体である半導体ウェ
ハと同様の原理で静電吸着することができず、したがっ
てクランプ部材などでメカニカルに基板の周縁を保持す
る方法が採用されている。
態で支持する必要があり、このため、例えば被処理基板
が半導体ウェハの場合には、この半導体ウェハをクーロ
ン力のような静電力で支持部材上に吸着させて支持する
静電吸着装置が多用されている。一方、ＬＣＤ基板の場
合には基板が絶縁体であるため、導体である半導体ウェ
ハと同様の原理で静電吸着することができず、したがっ
てクランプ部材などでメカニカルに基板の周縁を保持す
る方法が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＬＣＤ基板は近年益々
大型化の要求が高まっており、従来のものより著しく大
型化したものが求められている。このようにＬＣＤ基板
が大型化した場合には、以下のような問題が生じる。す
なわち、基板と基板支持部材との間には伝達効率を上げ
るためにＨｅガスを流しているため、クランプ部材で基
板の周縁を保持する場合には、通流されるＨｅガスによ
って基板の中央部が膨出してしまう。この結果、基板に
対して均一な冷却が行われなくなり、エッチング特性な
どにばらつきが生じる恐れがある。
大型化の要求が高まっており、従来のものより著しく大
型化したものが求められている。このようにＬＣＤ基板
が大型化した場合には、以下のような問題が生じる。す
なわち、基板と基板支持部材との間には伝達効率を上げ
るためにＨｅガスを流しているため、クランプ部材で基
板の周縁を保持する場合には、通流されるＨｅガスによ
って基板の中央部が膨出してしまう。この結果、基板に
対して均一な冷却が行われなくなり、エッチング特性な
どにばらつきが生じる恐れがある。
【０００５】そのため、このように大型化した絶縁性の
ＬＣＤ基板であっても基板支持部材上に確実にその全体
を保持することができる技術が望まれている。
ＬＣＤ基板であっても基板支持部材上に確実にその全体
を保持することができる技術が望まれている。
【０００６】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、ＬＣＤ基板のような絶縁基板であってもそ
の全体を確実に吸着させ支持することができる静電吸着
装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装
置および処理方法を提供することを目的とする。
のであって、ＬＣＤ基板のような絶縁基板であってもそ
の全体を確実に吸着させ支持することができる静電吸着
装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装
置および処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した課
題を解決するために実験と検討を加えた結果、ＬＣＤ基
板のような絶縁基板であっても、静電吸着により吸着で
きるようになることを明らかにした。つまり、ＬＣＤ基
板のような絶縁基板は絶縁性であるため、導電体である
半導体ウェハと同じ原理で静電吸着することはできない
が、導電体の静電吸着とは異なる原理でＬＣＤ基板のよ
うな絶縁基板の静電吸着が可能になることを知見した。
以下、この原理について、発明者の知見に基いて説明す
る。
題を解決するために実験と検討を加えた結果、ＬＣＤ基
板のような絶縁基板であっても、静電吸着により吸着で
きるようになることを明らかにした。つまり、ＬＣＤ基
板のような絶縁基板は絶縁性であるため、導電体である
半導体ウェハと同じ原理で静電吸着することはできない
が、導電体の静電吸着とは異なる原理でＬＣＤ基板のよ
うな絶縁基板の静電吸着が可能になることを知見した。
以下、この原理について、発明者の知見に基いて説明す
る。
【０００８】すなわち、半導体ウェハに用いられる静電
吸着装置と同様の、絶縁体とその中に設けられた電極と
を有する静電吸着シート上にＬＣＤ基板のような絶縁基
板を載置し、電極にＤＣ電源から所定のＤＣ電圧を印加
するとともに基板の周囲にプラズマを形成することによ
り、基板と電極とに互いに逆電荷が生起されるため、ク
ーロン力のような静電力が発生し、この静電力により基
板が吸着される。
吸着装置と同様の、絶縁体とその中に設けられた電極と
を有する静電吸着シート上にＬＣＤ基板のような絶縁基
板を載置し、電極にＤＣ電源から所定のＤＣ電圧を印加
するとともに基板の周囲にプラズマを形成することによ
り、基板と電極とに互いに逆電荷が生起されるため、ク
ーロン力のような静電力が発生し、この静電力により基
板が吸着される。
【０００９】つまり、図１の（ａ）に示すように、ＤＣ
電極にＤＣ電圧が印加されることによりプラズマから絶
縁基板上に蓄積された電荷と、ＤＣ電圧が印加された電
極とがコンデンサとして作用し、（ｂ）のようにプラズ
マを介して閉回路を構成するため、吸着力が発生すると
いう原理である。このため、ＬＣＤ基板のような絶縁基
板であっても静電吸着させることができる。本発明者の
実験によれば基板支持部材にＤＣ電圧を印加してもエッ
チレートおよびエッチイングの均一性には悪影響を与え
ることはない。
電極にＤＣ電圧が印加されることによりプラズマから絶
縁基板上に蓄積された電荷と、ＤＣ電圧が印加された電
極とがコンデンサとして作用し、（ｂ）のようにプラズ
マを介して閉回路を構成するため、吸着力が発生すると
いう原理である。このため、ＬＣＤ基板のような絶縁基
板であっても静電吸着させることができる。本発明者の
実験によれば基板支持部材にＤＣ電圧を印加してもエッ
チレートおよびエッチイングの均一性には悪影響を与え
ることはない。
【００１０】本発明はこのような知見に基いてなされた
ものであり、第１発明は、プラズマが形成される空間に
設けられ、絶縁基板を吸着するための静電吸着装置であ
って、絶縁体とその内部に設けられた電極とを有し、前
記絶縁基板を吸着するための吸着部材と、前記電極にＤ
Ｃ電圧を印加するＤＣ電圧印加手段とを具備し、プラズ
マが形成された状態で前記電極にＤＣ電圧を印加するこ
とにより、プラズマから前記基板上に蓄積された電荷と
前記電極との間に生じる静電力により、前記絶縁基板が
前記吸着部材に吸着されることを特徴とする静電吸着装
置を提供する。
ものであり、第１発明は、プラズマが形成される空間に
設けられ、絶縁基板を吸着するための静電吸着装置であ
って、絶縁体とその内部に設けられた電極とを有し、前
記絶縁基板を吸着するための吸着部材と、前記電極にＤ
Ｃ電圧を印加するＤＣ電圧印加手段とを具備し、プラズ
マが形成された状態で前記電極にＤＣ電圧を印加するこ
とにより、プラズマから前記基板上に蓄積された電荷と
前記電極との間に生じる静電力により、前記絶縁基板が
前記吸着部材に吸着されることを特徴とする静電吸着装
置を提供する。
【００１１】第２発明は、絶縁体とその内部に設けられ
た電極とを有する吸着部材上に絶縁基板を載置する工程
と、前記電極にＤＣ電圧を印加する工程と、前記絶縁基
板の表面にプラズマを形成する工程とを有し、電圧が印
加された前記電極と、その電圧によりプラズマから前記
基板上に蓄積された電荷との間に生じる静電力により、
前記絶縁基板を前記吸着部材に吸着させることを特徴と
する静電吸着方法を提供する。
た電極とを有する吸着部材上に絶縁基板を載置する工程
と、前記電極にＤＣ電圧を印加する工程と、前記絶縁基
板の表面にプラズマを形成する工程とを有し、電圧が印
加された前記電極と、その電圧によりプラズマから前記
基板上に蓄積された電荷との間に生じる静電力により、
前記絶縁基板を前記吸着部材に吸着させることを特徴と
する静電吸着方法を提供する。
【００１２】第３発明は、絶縁基板に対して所定の処理
が行われる処理室と、前記処理室に処理ガスを導入する
処理ガス導入手段と、前記処理室内に処理ガスのプラズ
マを形成するプラズマ形成手段と、前記処理室内におい
て前記絶縁基板を支持する基板支持部材と、前記絶縁基
板を静電吸着するための静電吸着装置とを具備し、前記
処理ガスのプラズマにより前記絶縁基板に所定の処理を
施す処理装置であって、前記静電吸着装置は、絶縁体と
その内部に設けられた電極とを有し前記絶縁基板を吸着
するための吸着部材と、前記電極にＤＣ電圧を印加する
ＤＣ電圧印加手段とを有し、プラズマが形成された状態
で前記電極にＤＣ電圧を印加することにより、プラズマ
から前記基板上に蓄積された電荷と前記電極との間に生
じる静電力により、前記絶縁基板が前記吸着部材に吸着
されることを特徴とする処理装置を提供する。
が行われる処理室と、前記処理室に処理ガスを導入する
処理ガス導入手段と、前記処理室内に処理ガスのプラズ
マを形成するプラズマ形成手段と、前記処理室内におい
て前記絶縁基板を支持する基板支持部材と、前記絶縁基
板を静電吸着するための静電吸着装置とを具備し、前記
処理ガスのプラズマにより前記絶縁基板に所定の処理を
施す処理装置であって、前記静電吸着装置は、絶縁体と
その内部に設けられた電極とを有し前記絶縁基板を吸着
するための吸着部材と、前記電極にＤＣ電圧を印加する
ＤＣ電圧印加手段とを有し、プラズマが形成された状態
で前記電極にＤＣ電圧を印加することにより、プラズマ
から前記基板上に蓄積された電荷と前記電極との間に生
じる静電力により、前記絶縁基板が前記吸着部材に吸着
されることを特徴とする処理装置を提供する。
【００１３】第４発明は、第３発明において、前記絶縁
基板と前記吸着部材との間に熱伝達用のガスを供給する
伝熱ガス供給手段をさらに有することを特徴とする処理
装置を提供する。
基板と前記吸着部材との間に熱伝達用のガスを供給する
伝熱ガス供給手段をさらに有することを特徴とする処理
装置を提供する。
【００１４】第５発明は、処理室内の基板支持部材上に
設けられ、絶縁体とその内部に設けられた電極とを有す
る吸着部材上に絶縁基板を載置する工程と、前記処理室
に処理ガスを導入する工程と、前記吸着部材にＤＣ電圧
を印加する工程と、前記処理室内に処理ガスのプラズマ
を形成する工程とを有し、前記処理ガスのプラズマによ
り前記絶縁基板に所定の処理を施す処理方法であって、
電力が印加された前記電極と、その電圧によりプラズマ
から前記基板上に蓄積された電荷との間に生じる静電力
により、前記絶縁基板を前記吸着部材に吸着させること
を特徴とする処理方法を提供する。
設けられ、絶縁体とその内部に設けられた電極とを有す
る吸着部材上に絶縁基板を載置する工程と、前記処理室
に処理ガスを導入する工程と、前記吸着部材にＤＣ電圧
を印加する工程と、前記処理室内に処理ガスのプラズマ
を形成する工程とを有し、前記処理ガスのプラズマによ
り前記絶縁基板に所定の処理を施す処理方法であって、
電力が印加された前記電極と、その電圧によりプラズマ
から前記基板上に蓄積された電荷との間に生じる静電力
により、前記絶縁基板を前記吸着部材に吸着させること
を特徴とする処理方法を提供する。
【００１５】第６発明は、第５発明において、前記絶縁
基板と前記吸着シートとの間に、熱伝達用のガスを供給
する工程をさらに有することを特徴とする処理方法を提
供する。
基板と前記吸着シートとの間に、熱伝達用のガスを供給
する工程をさらに有することを特徴とする処理方法を提
供する。
【００１６】本発明においては、プラズマ中の電荷を基
板上に蓄積させるので、絶縁基板であっても静電吸着に
より吸着させることができ、基板全体を確実に支持する
ことができる。したがって、ＬＣＤ基板のような大型の
絶縁基板であっても、熱伝達用のガスによって基板の中
央部が膨出して温度均一性を損なう等の問題を回避する
ことができる。そして、このように基板の温度を均一に
することができることから、エッチングレートのばらつ
き等を解消することができる。
板上に蓄積させるので、絶縁基板であっても静電吸着に
より吸着させることができ、基板全体を確実に支持する
ことができる。したがって、ＬＣＤ基板のような大型の
絶縁基板であっても、熱伝達用のガスによって基板の中
央部が膨出して温度均一性を損なう等の問題を回避する
ことができる。そして、このように基板の温度を均一に
することができることから、エッチングレートのばらつ
き等を解消することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について説明する。図２は、本発明の実
施の形態に係る静電吸着装置を適用したエッチング装置
を示す断面図である。このエッチング装置は、気密に構
成されたチャンバー１を有している。このチャンバー１
のほぼ中央には、被処理体であるＬＣＤ基板Ｓを水平に
支持するための支持テーブル（基板支持部材）２が設け
られている。支持テーブル２の内部には冷媒流路３が設
けられ、この冷媒流路３に通流される冷媒によって、支
持テーブル２が冷却可能となっている。この支持テーブ
ル２はチャンバー１を介して接地されている。
明の実施の形態について説明する。図２は、本発明の実
施の形態に係る静電吸着装置を適用したエッチング装置
を示す断面図である。このエッチング装置は、気密に構
成されたチャンバー１を有している。このチャンバー１
のほぼ中央には、被処理体であるＬＣＤ基板Ｓを水平に
支持するための支持テーブル（基板支持部材）２が設け
られている。支持テーブル２の内部には冷媒流路３が設
けられ、この冷媒流路３に通流される冷媒によって、支
持テーブル２が冷却可能となっている。この支持テーブ
ル２はチャンバー１を介して接地されている。
【００１８】この支持テーブル２には、ＬＣＤ基板Ｓを
吸着させるための静電吸着装置１０が設けられている。
静電吸着装置１０は、支持テーブル２上面に設けられ、
ポリイミドまたはセラミック等の絶縁層１２とその中に
埋設された銅等からなる電極１３とを有する吸着部材１
１と、電極１３にＤＣ電圧を印加するためのＤＣ電源２
１とから構成されている。なお、吸着部材１１は、支持
テーブル２に固定されている。
吸着させるための静電吸着装置１０が設けられている。
静電吸着装置１０は、支持テーブル２上面に設けられ、
ポリイミドまたはセラミック等の絶縁層１２とその中に
埋設された銅等からなる電極１３とを有する吸着部材１
１と、電極１３にＤＣ電圧を印加するためのＤＣ電源２
１とから構成されている。なお、吸着部材１１は、支持
テーブル２に固定されている。
【００１９】電極１３とＤＣ電源２１とはケーブル１９
により接続されている。ケーブル１９の接地側にはスイ
ッチ２０が設けられ、スイッチ２０を電源２１側の端子
ａに接続することにより電極１３へ給電される。また、
スイッチ２０を接地側の端子ｂへ接続することにより、
電極１３が除電される。
により接続されている。ケーブル１９の接地側にはスイ
ッチ２０が設けられ、スイッチ２０を電源２１側の端子
ａに接続することにより電極１３へ給電される。また、
スイッチ２０を接地側の端子ｂへ接続することにより、
電極１３が除電される。
【００２０】なお、ＬＣＤ基板Ｓの端部上方には額縁状
部材２２が昇降可能に設けられていてもよい。このリン
グ額縁状部材２２は プラズマを集中させる機能を有す
る他、従来のようにＬＣＤ基板Ｓの周縁を保持するため
の補助クランプとしても使用される。
部材２２が昇降可能に設けられていてもよい。このリン
グ額縁状部材２２は プラズマを集中させる機能を有す
る他、従来のようにＬＣＤ基板Ｓの周縁を保持するため
の補助クランプとしても使用される。
【００２１】吸着部材１１には複数の小通孔１４が形成
されている。これら小通孔１４は流通管１７を介してＨ
ｅガス供給系１８に接続されている。この流通管１７お
よび小通孔１４を通って、ＬＣＤ基板Ｓと支持テーブル
２との間に熱伝達用のＨｅガスが送出される。
されている。これら小通孔１４は流通管１７を介してＨ
ｅガス供給系１８に接続されている。この流通管１７お
よび小通孔１４を通って、ＬＣＤ基板Ｓと支持テーブル
２との間に熱伝達用のＨｅガスが送出される。
【００２２】チャンバー１の天壁近傍には、支持テーブ
ル２に対向するようにシャワーヘッド４が設けられてい
る。シャワーヘッド４は、その下面に多数のガス吐出孔
５が設けられており、かつその上部にガス導入部６を有
している。そして、ガス導入部６が円環状の絶縁部材７
を介してチャンバー１の天壁に取り付けられている。こ
の絶縁部材７により、チャンバー１とシャワーヘッド４
とが電気的に絶縁されている。また、チャンバー１は接
地されている。
ル２に対向するようにシャワーヘッド４が設けられてい
る。シャワーヘッド４は、その下面に多数のガス吐出孔
５が設けられており、かつその上部にガス導入部６を有
している。そして、ガス導入部６が円環状の絶縁部材７
を介してチャンバー１の天壁に取り付けられている。こ
の絶縁部材７により、チャンバー１とシャワーヘッド４
とが電気的に絶縁されている。また、チャンバー１は接
地されている。
【００２３】ガス導入部６にはガス供給配管８が接続さ
れており、このガス供給配管８の他端には、エッチング
用の反応ガスおよび希釈ガスからなる処理ガスを供給す
る処理ガス供給系９が接続されている。反応ガスとして
は、例えばＣＨＦ3、ＣＦ4等のハロゲン含有ガスが、希
釈ガスとしては、Ａｒガス等の不活性ガスが用いられ
る。
れており、このガス供給配管８の他端には、エッチング
用の反応ガスおよび希釈ガスからなる処理ガスを供給す
る処理ガス供給系９が接続されている。反応ガスとして
は、例えばＣＨＦ3、ＣＦ4等のハロゲン含有ガスが、希
釈ガスとしては、Ａｒガス等の不活性ガスが用いられ
る。
【００２４】また、チャンバー１の底壁には排気ポート
１５が形成されており、この排気ポート１５には排気系
１６が接続されている。そして、排気系１６の真空ポン
プを作動させることにより、排気ポート１５を介してチ
ャンバー１内を排気し、チャンバー１内を所定の真空度
まで減圧することが可能となっている。
１５が形成されており、この排気ポート１５には排気系
１６が接続されている。そして、排気系１６の真空ポン
プを作動させることにより、排気ポート１５を介してチ
ャンバー１内を排気し、チャンバー１内を所定の真空度
まで減圧することが可能となっている。
【００２５】シャワーヘッド４には、図示しないマッチ
ング回路を介して高周波電源２３が接続されている。こ
の高周波電源２３からシャワーヘッド４に高周波電力が
供給されることにより、シャワーヘッド４と支持テーブ
ル２との間の空間に高周波電界が形成され、これによっ
てその空間に処理ガスのプラズマが形成されて、ＬＣＤ
基板Ｓに形成された膜、例えば酸化膜がエッチングされ
る。
ング回路を介して高周波電源２３が接続されている。こ
の高周波電源２３からシャワーヘッド４に高周波電力が
供給されることにより、シャワーヘッド４と支持テーブ
ル２との間の空間に高周波電界が形成され、これによっ
てその空間に処理ガスのプラズマが形成されて、ＬＣＤ
基板Ｓに形成された膜、例えば酸化膜がエッチングされ
る。
【００２６】このように構成されるエッチング装置にお
いては、まず、図示しない搬送アームによりＬＣＤ基板
Ｓをチャンバー１内に搬入し、このＬＣＤ基板Ｓを吸着
部材１１上に載置する。この場合に、ＬＣＤ基板Ｓの受
け渡しは支持テーブル２の内部を挿通し昇降可能に設け
られたリフターピン（図示せず）によって行われる。
いては、まず、図示しない搬送アームによりＬＣＤ基板
Ｓをチャンバー１内に搬入し、このＬＣＤ基板Ｓを吸着
部材１１上に載置する。この場合に、ＬＣＤ基板Ｓの受
け渡しは支持テーブル２の内部を挿通し昇降可能に設け
られたリフターピン（図示せず）によって行われる。
【００２７】次に、チャンバー１内を気密に保持した状
態で、排気系１６に設けられた真空ポンプを作動させる
ことによりチャンバー１内を圧力１０-6Torrオーダーの
高真空状態とし、その後、処理ガス供給系９から、エッ
チングガスをシャワーヘッド４のガス吐出孔５からチャ
ンバー１内へ供給する。このとき、供給されるガスの流
量によって、チャンバー１内が所定の圧力に調整され
る。
態で、排気系１６に設けられた真空ポンプを作動させる
ことによりチャンバー１内を圧力１０-6Torrオーダーの
高真空状態とし、その後、処理ガス供給系９から、エッ
チングガスをシャワーヘッド４のガス吐出孔５からチャ
ンバー１内へ供給する。このとき、供給されるガスの流
量によって、チャンバー１内が所定の圧力に調整され
る。
【００２８】次に、電極１３にＤＣ電源２１からケーブ
ル１９を通じて所定のＤＣ電圧（例えば、０〜５Ｋｖ）
を印加する。図の例では、スイッチ２０を端子ａ側にセ
ットすることにより電圧を印加する。
ル１９を通じて所定のＤＣ電圧（例えば、０〜５Ｋｖ）
を印加する。図の例では、スイッチ２０を端子ａ側にセ
ットすることにより電圧を印加する。
【００２９】この状態で、高周波電源２３から所定の周
波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）の高周波（ＲＦ）電力
をシャワーヘッド４に供給し、シャワーヘッド４と支持
テーブル２との間の空間に高周波電界を形成する。この
高周波電界によってその空間に処理ガスのプラズマが形
成される。
波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）の高周波（ＲＦ）電力
をシャワーヘッド４に供給し、シャワーヘッド４と支持
テーブル２との間の空間に高周波電界を形成する。この
高周波電界によってその空間に処理ガスのプラズマが形
成される。
【００３０】このように、チャンバー１内にプラズマが
存在する状態で、上述のように電極１３にＤＣ電力が印
加されると、ＬＣＤ基板Ｓと電極１３とには互いの逆電
荷が生起されるため、両者の間でクーロン力が発生す
る。すなわち、電極１３にＤＣ電圧が印加されるとプラ
ズマからＬＣＤ基板Ｓ上に電荷が蓄積され、この電荷と
電圧が印加された電極１３とがコンデンサとして作用
し、プラズマを介して閉回路を構成するため、ＬＣＤ基
板Ｓは吸着部材１１に静電吸着される。
存在する状態で、上述のように電極１３にＤＣ電力が印
加されると、ＬＣＤ基板Ｓと電極１３とには互いの逆電
荷が生起されるため、両者の間でクーロン力が発生す
る。すなわち、電極１３にＤＣ電圧が印加されるとプラ
ズマからＬＣＤ基板Ｓ上に電荷が蓄積され、この電荷と
電圧が印加された電極１３とがコンデンサとして作用
し、プラズマを介して閉回路を構成するため、ＬＣＤ基
板Ｓは吸着部材１１に静電吸着される。
【００３１】なお、この際に、静電吸着力を補助する目
的で額縁状部材２２によって、基板Ｓの周縁を保持する
ようにしてもよい。ただし、この額縁状部材２２はプラ
ズマを集中させる機能が主であり、あくまでもＬＣＤ基
板Ｓを補助的に保持するために使用される。
的で額縁状部材２２によって、基板Ｓの周縁を保持する
ようにしてもよい。ただし、この額縁状部材２２はプラ
ズマを集中させる機能が主であり、あくまでもＬＣＤ基
板Ｓを補助的に保持するために使用される。
【００３２】このように基板が吸着部材１１上に静電吸
着された状態で、処理ガスの流量および高周波電力の条
件を所定の値に設定し、形成された処理ガスのプラズマ
により、ＬＣＤ基板Ｓの所定の層に対してエッチング処
理が施される。このエッチングの際には、基板Ｓを一定
温度に冷却すべく、支持テーブル２に形成された冷媒流
路３に冷媒を通流させて、支持テーブル２を冷却する。
この場合に、チャンバー１内は数mTorr程度の低圧に維
持されているため伝熱効率が悪く、そのままでは基板Ｓ
を有効に冷却することができないため、Ｈｅガス供給系
１８から流通管１７および小通孔１４を介してＬＣＤ基
板Ｓと支持テーブル２との間に熱伝達用のＨｅガスを供
給し、基板Ｓを均一に冷却し、均一なエッチング処理を
実現している。
着された状態で、処理ガスの流量および高周波電力の条
件を所定の値に設定し、形成された処理ガスのプラズマ
により、ＬＣＤ基板Ｓの所定の層に対してエッチング処
理が施される。このエッチングの際には、基板Ｓを一定
温度に冷却すべく、支持テーブル２に形成された冷媒流
路３に冷媒を通流させて、支持テーブル２を冷却する。
この場合に、チャンバー１内は数mTorr程度の低圧に維
持されているため伝熱効率が悪く、そのままでは基板Ｓ
を有効に冷却することができないため、Ｈｅガス供給系
１８から流通管１７および小通孔１４を介してＬＣＤ基
板Ｓと支持テーブル２との間に熱伝達用のＨｅガスを供
給し、基板Ｓを均一に冷却し、均一なエッチング処理を
実現している。
【００３３】このようなエッチング処理が終了した後、
この静電吸着を解除する場合には、スイッチ２０をｂ側
（ＧＮＤ）に切り替える。これによって、ＤＣ電圧供給
部２０からの電圧印加が停止され電極１３の除電が行わ
れるため、ＬＣＤ基板Ｓの移動が可能となる。なお、必
要に応じて、リフターピンをアップして基板Ｓ浮かせた
状態にしてプラズマを印加すればより効果的に除電を行
うこともできる。
この静電吸着を解除する場合には、スイッチ２０をｂ側
（ＧＮＤ）に切り替える。これによって、ＤＣ電圧供給
部２０からの電圧印加が停止され電極１３の除電が行わ
れるため、ＬＣＤ基板Ｓの移動が可能となる。なお、必
要に応じて、リフターピンをアップして基板Ｓ浮かせた
状態にしてプラズマを印加すればより効果的に除電を行
うこともできる。
【００３４】このようにして電極１３を除電してＬＣＤ
基板Ｓの静電吸着を解除した後、高周波電源２３をＯＦ
Ｆにし、チャンバー１のゲートを開けて基板Ｓをチャン
バー１から搬出する。
基板Ｓの静電吸着を解除した後、高周波電源２３をＯＦ
Ｆにし、チャンバー１のゲートを開けて基板Ｓをチャン
バー１から搬出する。
【００３５】本実施形態によれば、ＬＣＤ基板Ｓが静電
吸着により吸着部材１１に吸着されるため、ＬＣＤ基板
Ｓ全体を確実に吸着保持することができ、熱伝達用のＨ
ｅガスを流しても基板の中央部が膨出するといった悪影
響を回避することができる。したがって、ＬＣＤ基板Ｓ
に対する均一な冷却が可能となる。また、Ｈｅガス圧力
をより高く設定して伝熱効率を高めることもできる。
吸着により吸着部材１１に吸着されるため、ＬＣＤ基板
Ｓ全体を確実に吸着保持することができ、熱伝達用のＨ
ｅガスを流しても基板の中央部が膨出するといった悪影
響を回避することができる。したがって、ＬＣＤ基板Ｓ
に対する均一な冷却が可能となる。また、Ｈｅガス圧力
をより高く設定して伝熱効率を高めることもできる。
【００３６】このように、絶縁基板であっても静電吸着
によって基板支持部材上に確実に密着させることができ
るため、大型のＬＣＤ基板の処理装置に特に有効であ
る。
によって基板支持部材上に確実に密着させることができ
るため、大型のＬＣＤ基板の処理装置に特に有効であ
る。
【００３７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形可能である。例えば、被処理体の絶
縁基板としてはＬＣＤ基板に限らず、もちろん他の絶縁
基板であってもよい。また、プラズマ形成についても上
記実施の形態に限らず、例えば支持テーブル２に高周波
電力を供給することにより行ってもよいし、μ波等他の
手段でプラズマを形成してもよい。さらに、本装置はエ
ッチング装置に限らず、他の成膜装置等他のプラズマ処
理装置に適用することができる。また、上記実施の形態
では、吸着部材１１の電極１３に電圧を印加してから、
プラズマを形成したが、その順序は逆でもよい。
ることなく種々変形可能である。例えば、被処理体の絶
縁基板としてはＬＣＤ基板に限らず、もちろん他の絶縁
基板であってもよい。また、プラズマ形成についても上
記実施の形態に限らず、例えば支持テーブル２に高周波
電力を供給することにより行ってもよいし、μ波等他の
手段でプラズマを形成してもよい。さらに、本装置はエ
ッチング装置に限らず、他の成膜装置等他のプラズマ処
理装置に適用することができる。また、上記実施の形態
では、吸着部材１１の電極１３に電圧を印加してから、
プラズマを形成したが、その順序は逆でもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラズマ中の電荷を基板上に蓄積させるので、絶縁基板
であっても静電吸着により吸着させることができ、基板
全体を確実に支持することができる。したがって、ＬＣ
Ｄ基板のような大型の絶縁基板であっても、熱伝達用の
ガスによって基板の中央部が膨出して温度均一性を損な
う等の問題を回避することができる。そして、このよう
に基板の温度を均一にすることができることから、エッ
チングレートのばらつき等を解消することができる。
プラズマ中の電荷を基板上に蓄積させるので、絶縁基板
であっても静電吸着により吸着させることができ、基板
全体を確実に支持することができる。したがって、ＬＣ
Ｄ基板のような大型の絶縁基板であっても、熱伝達用の
ガスによって基板の中央部が膨出して温度均一性を損な
う等の問題を回避することができる。そして、このよう
に基板の温度を均一にすることができることから、エッ
チングレートのばらつき等を解消することができる。
【図１】本発明における静電吸着装置の吸着原理を説明
するための図。
するための図。
【図２】本発明の一実施形態に係る静電吸着装置を示す
断面図。
断面図。
１……チャンバー ２……支持テーブル ４……シャワーヘッド ９……処理ガス供給系 １０……静電吸着装置 １１……吸着部材 １３……電極 ２１……ＤＣ電源 ２３……高周波電源 Ｓ……基板
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマが形成される空間に設けられ、
絶縁基板を吸着するための静電吸着装置であって、 絶縁体とその内部に設けられた電極とを有し、前記絶縁
基板を吸着するための吸着部材と、 前記電極にＤＣ電圧を印加するＤＣ電圧印加手段とを具
備し、 プラズマが形成された状態で前記電極にＤＣ電圧を印加
することにより、プラズマから前記基板上に蓄積された
電荷と前記電極との間に生じる静電力により、前記絶縁
基板が前記吸着部材に吸着されることを特徴とする静電
吸着装置。 - 【請求項２】 絶縁体とその内部に設けられた電極とを
有する吸着部材上に絶縁基板を載置する工程と、 前記電極にＤＣ電圧を印加する工程と、 前記絶縁基板の表面にプラズマを形成する工程とを有
し、 電圧が印加された前記電極と、その電圧によりプラズマ
から前記基板上に蓄積された電荷との間に生じる静電力
により、前記絶縁基板を前記吸着部材に吸着させること
を特徴とする静電吸着方法。 - 【請求項３】 絶縁基板に対して所定の処理が行われる
処理室と、 前記処理室に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、 前記処理室内に処理ガスのプラズマを形成するプラズマ
形成手段と、 前記処理室内において前記絶縁基板を支持する基板支持
部材と、 前記絶縁基板を静電吸着するための静電吸着装置とを具
備し、 前記処理ガスのプラズマにより前記絶縁基板に所定の処
理を施す処理装置であって、 前記静電吸着装置は、 絶縁体とその内部に設けられた電極とを有し前記絶縁基
板を吸着するための吸着部材と、 前記電極にＤＣ電圧を印加するＤＣ電圧印加手段とを有
し、 プラズマが形成された状態で前記電極にＤＣ電圧を印加
することにより、プラズマから前記基板上に蓄積された
電荷と前記電極との間に生じる静電力により、前記絶縁
基板が前記吸着部材に吸着されることを特徴とする処理
装置。 - 【請求項４】 前記絶縁基板と前記吸着部材との間に熱
伝達用のガスを供給する伝熱ガス供給手段をさらに有す
ることを特徴とする請求項３に記載の処理装置。 - 【請求項５】 処理室内の基板支持部材上に設けられ、
絶縁体とその内部に設けられた電極とを有する吸着部材
上に絶縁基板を載置する工程と、 前記処理室に処理ガスを導入する工程と、 前記吸着部材にＤＣ電圧を印加する工程と、 前記処理室内に処理ガスのプラズマを形成する工程とを
有し、 前記処理ガスのプラズマにより前記絶縁基板に所定の処
理を施す処理方法であって、 電力が印加された前記電極と、その電圧によりプラズマ
から前記基板上に蓄積された電荷との間に生じる静電力
により、前記絶縁基板を前記吸着部材に吸着させること
を特徴とする処理方法。 - 【請求項６】 前記絶縁基板と前記吸着シートとの間
に、熱伝達用のガスを供給する工程をさらに有すること
を特徴とする請求項５に記載の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9289236A JPH11111830A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9289236A JPH11111830A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111830A true JPH11111830A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17740554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9289236A Pending JPH11111830A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111830A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144069A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-05-25 | Ulvac Japan Ltd | フィルム状基板のプラズマエッチング装置 |
| KR20030084293A (ko) * | 2002-04-26 | 2003-11-01 | 한동희 | 평판디스플레이용 회로기판 칩본딩기의 로딩장치 |
| JP2006253703A (ja) * | 2006-04-07 | 2006-09-21 | Toto Ltd | 静電チャック及び絶縁性基板静電吸着処理方法 |
| CN100341120C (zh) * | 2002-07-16 | 2007-10-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
| JP2009194194A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ処理方法 |
| JP2014033045A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Samco Inc | 静電吸着方法及び静電吸着装置 |
| KR20180076306A (ko) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 가부시기가이샤 디스코 | 정전 척 장치 및 정전 흡착 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06302551A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 減圧処理装置 |
| JPH08181113A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH08316215A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス伝熱プラズマ処理装置 |
| WO1997012396A1 (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Lam Research Corporation | Electrostatic clamping method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors |
-
1997
- 1997-10-07 JP JP9289236A patent/JPH11111830A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06302551A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 減圧処理装置 |
| JPH08181113A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH08316215A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス伝熱プラズマ処理装置 |
| WO1997012396A1 (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Lam Research Corporation | Electrostatic clamping method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144069A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-05-25 | Ulvac Japan Ltd | フィルム状基板のプラズマエッチング装置 |
| KR20030084293A (ko) * | 2002-04-26 | 2003-11-01 | 한동희 | 평판디스플레이용 회로기판 칩본딩기의 로딩장치 |
| CN100341120C (zh) * | 2002-07-16 | 2007-10-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
| KR100996018B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2010-11-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
| JP2006253703A (ja) * | 2006-04-07 | 2006-09-21 | Toto Ltd | 静電チャック及び絶縁性基板静電吸着処理方法 |
| JP2009194194A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ処理方法 |
| JP2014033045A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Samco Inc | 静電吸着方法及び静電吸着装置 |
| KR20180076306A (ko) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 가부시기가이샤 디스코 | 정전 척 장치 및 정전 흡착 방법 |
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