JPH11116548A - Bissulfonate compound - Google Patents
Bissulfonate compoundInfo
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- JPH11116548A JPH11116548A JP28345297A JP28345297A JPH11116548A JP H11116548 A JPH11116548 A JP H11116548A JP 28345297 A JP28345297 A JP 28345297A JP 28345297 A JP28345297 A JP 28345297A JP H11116548 A JPH11116548 A JP H11116548A
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- phenyl
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、新規化合物である
ビススルフォネート化合物に関する。さらに、詳しく
は、耐熱性、低誘電性、加工性に優れ、有機溶剤に可溶
性のフェニレン基含有重合体の製造用モノマーとして好
適なビススルフォネート化合物に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel compound, a bissulfonate compound. More specifically, the present invention relates to a bissulfonate compound which has excellent heat resistance, low dielectric properties, and processability, and is suitable as a monomer for producing a phenylene group-containing polymer which is soluble in an organic solvent.
【0002】[0002]
【従来の技術】大規模集積回路(LSI)は、微細加工
技術の進歩を反映して、高集積化、多機能化、高性能化
をたどっている。その結果、回路抵抗(以下、「寄生抵
抗」と称する。)や配線間のコンデンサー容量(以下、
「寄生容量」と称する。)が増大して、消費電力が増加
するだけでなく、遅延時間も増大して、デバイスの信号
スピードが低下する大きな要因となっている。そのた
め、寄生抵抗や寄生容量を下げることが求められてお
り、その解決策の一つとして、配線の周辺を層間絶縁膜
で被うことにより、寄生容量を下げてデバイスの高速化
に対応しようとしている。したがって、層間絶縁膜に対
して、実装基板製造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピ
ン付けなどの後工程に耐えられるだけの優れた耐熱性が
必要とされる。2. Description of the Related Art Large-scale integrated circuits (LSIs) have become highly integrated, multifunctional, and high-performance, reflecting the progress of fine processing technology. As a result, the circuit resistance (hereinafter, referred to as “parasitic resistance”) and the capacitance between the wirings (hereinafter, referred to as “parasitic resistance”).
It is called “parasitic capacitance”. ) Increases, the power consumption increases, and the delay time also increases, which is a major factor in reducing the signal speed of the device. Therefore, it is required to reduce the parasitic resistance and the parasitic capacitance. One of the solutions is to cover the periphery of the wiring with an interlayer insulating film to reduce the parasitic capacitance and respond to the speeding up of the device. I have. Therefore, the interlayer insulating film is required to have excellent heat resistance enough to withstand a thin film forming step in manufacturing a mounting substrate, a chip connecting step, a pinning step, and the like.
【0003】そこで、この高耐熱性の有機材料として、
ポリイミドが広く知られているが、極性の高いイミド基
を含むため、低誘電性、低吸水性の面では、満足なもの
は得られていない。一方、極性基を含まない高耐熱性の
有機材料としては、ポリフェニレンが知られている。こ
のポリフェニレンに、可溶性を付与するために、一般に
側鎖を導入することが行われているが、側鎖を導入する
ことにより、耐熱性が低下したり、原料の製造が煩雑に
なるなどの問題がある。[0003] Therefore, as this high heat resistant organic material,
Although polyimides are widely known, satisfactory ones have not been obtained in terms of low dielectric properties and low water absorption since they contain imide groups having high polarity. On the other hand, polyphenylene is known as a high heat-resistant organic material containing no polar group. In order to impart solubility to this polyphenylene, a side chain is generally introduced, but the introduction of the side chain causes problems such as a decrease in heat resistance and a complicated production of raw materials. There is.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
に鑑みなされたものであり、耐熱性、低誘電性および加
工性に優れた有機溶剤に可溶性のフェニレン基含有重合
体を、効率良く、安定的に、しかも安価に製造すること
のできる原料モノマーとしてのビススルフォネート化合
物を提供することを目的とする。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to efficiently provide a phenylene group-containing polymer that is soluble in an organic solvent having excellent heat resistance, low dielectric properties and processability. It is another object of the present invention to provide a bissulfonate compound as a raw material monomer that can be stably and inexpensively produced.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、下記一般式(I)に示すビススル
フォネート化合物が提供される。According to the present invention, there is provided a bissulfonate compound represented by the following general formula (I).
【0006】[0006]
【化4】 Embedded image
【0007】〔式(I)中、R1 およびR2 は、炭素数
1〜3のアルキル基もしくはフルオロアルキル基、また
は下記一般式(II)に示すアリール基、R3 、R4 、R
5 、R6 は、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜3のア
ルキル基、または炭素数2〜5のアルケニル基、フェニ
ル基、R7 は下記一般式(III )に示すアリール基、ま
たは炭素数1〜3のフルオロアルキル基、R8 は水素原
子、フッ素原子、または炭素数1〜3のフルオロアルキ
ル基をそれぞれ示し、R1 とR2 、R3 とR4 およびR
5 とR6 は、それぞれ同一でも異っていてもよく、mは
1〜5の整数である。〕[In the formula (I), R 1 and R 2 are an alkyl group or a fluoroalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an aryl group represented by the following general formula (II), R 3 , R 4 , R
5 and R 6 are a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms, a phenyl group, and R 7 is an aryl group represented by the following general formula (III) or R 1 and R 2 , R 3 and R 4 and R 8 each represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or a C 1 to C 3 fluoroalkyl group;
5 and R 6 may be the same or different, and m is an integer of 1 to 5. ]
【0008】[0008]
【化5】 Embedded image
【0009】〔式(II)中、R9 は、水素原子、フッ素
原子または炭素数1〜3のアルキル基を示す。〕[In the formula (II), R 9 represents a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. ]
【0010】[0010]
【化6】 Embedded image
【0011】〔式(III )中、R10は、水素原子、フッ
素原子または炭素数1〜3のフルオロアルキル基を示
す。〕[In the formula (III), R 10 represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a fluoroalkyl group having 1 to 3 carbon atoms. ]
【0012】[0012]
【本発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具
体的に説明する。本発明のビススルフォネート化合物
は、上記一般式(I)に示される新規な化合物である。Embodiments of the present invention will be described below in detail. The bissulfonate compound of the present invention is a novel compound represented by the above general formula (I).
【0013】具体的には、R1 およびR2 としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、トリフルオロメチル
基、フェニル基、p−トリル基、m−トリル基、o−ト
リル基、p−フルオロフェニル基、m−フルオロフェニ
ル基、o−フルオロフェニル基等を挙げることができ
る。好ましくは、メチル基、トリフルオロメチル基、p
−フルオロフェニル基、p−トリル基、フェニル基であ
る。そして、特に好ましくは、R1 およびR2 は同一の
基である。Specifically, R 1 and R 2 are methyl, ethyl, propyl, trifluoromethyl, phenyl, p-tolyl, m-tolyl, o-tolyl, p-tolyl, Examples include a fluorophenyl group, an m-fluorophenyl group, an o-fluorophenyl group, and the like. Preferably, a methyl group, a trifluoromethyl group, p
-Fluorophenyl group, p-tolyl group and phenyl group. And particularly preferably, R 1 and R 2 are the same group.
【0014】また、R3 、R4 、R5 、R6 としては、
水素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、プロピル
基などの炭素数1〜3のアルキル基、1−プロペニル
基、2−プロペニル基(アリル基)などの炭素数2〜5
のアルケニル基、、およびフェニル基等を挙げることが
できる。これらのうち、R3 、R4 、R5 、R6 として
より好ましくは、水素原子、フッ素原子、メチル基、2
−プロペニル基、フェニル基である。そして、これらの
基は、R1O2SO- 基あるいはR2O2SO- 基に対して
o(オルト)−位に位置することが好ましい。Further, R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are as follows:
A hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group; a carbon atom having 2 to 5 carbon atoms such as a 1-propenyl group and a 2-propenyl group (allyl group);
And an phenyl group, and a phenyl group. Of these, R 3 , R 4 , R 5 , and R 6 are more preferably a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group,
-A propenyl group or a phenyl group. These groups are preferably located at the o (ortho) -position with respect to the R 1 O 2 SO - group or the R 2 O 2 SO - group.
【0015】なお、R3 とR5 、R4 とR6 は、それぞ
れ好ましくは同一の基である。ただし、R3 が2−プロ
ペニル基の場合は、R4 は水素原子であることが好まし
い。R 3 and R 5 , and R 4 and R 6 are preferably the same groups. However, when R 3 is a 2-propenyl group, R 4 is preferably a hydrogen atom.
【0016】R7 としては、フェニル基、p−フルオロ
フェニル基、m−フルオロフェニル基、o−フルオロフ
ェニル基、パーフルオロフェニル基、p−トリフルオロ
メチルフェニル基、m−トリフルオロメチルフェニル
基、o−トリフルオロメチルフェニル基、p−ペンタフ
ルオロエチルフェニル基、m−ペンタフルオロエチルフ
ェニル基、o−ペンタフルオロエチルフェニル基、p−
ヘプタフルオロプロピルフェニル基、m−ヘプタフルオ
ロプロピルフェニル基、o−ヘプタフルオロプロピルフ
ェニル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチ
ル基、ヘプタフルオロプロピル基等を挙げることができ
る。R 7 is phenyl, p-fluorophenyl, m-fluorophenyl, o-fluorophenyl, perfluorophenyl, p-trifluoromethylphenyl, m-trifluoromethylphenyl, o-trifluoromethylphenyl group, p-pentafluoroethylphenyl group, m-pentafluoroethylphenyl group, o-pentafluoroethylphenyl group, p-
Examples include a heptafluoropropylphenyl group, an m-heptafluoropropylphenyl group, an o-heptafluoropropylphenyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, and a heptafluoropropyl group.
【0017】また、R8 としては具体的に、水素原子、
フッ素原子、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、ヘプタフルオロプロピル基等を挙げることがで
きる。また、R9 としては具体的に、水素原子、フッ素
原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロ
ピル基等を挙げることができる。さらに、R10としては
具体的に、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル
基等を挙げることができる。なお、R8 が炭素数1〜3
のパーフルオロアルキル基の場合には、式中nは1であ
る。R 8 is specifically a hydrogen atom,
Examples include a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, and a heptafluoropropyl group. Specific examples of R 9 include a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, and an i-propyl group. Further, specific examples of R 10 include a hydrogen atom, a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a heptafluoropropyl group, and the like. Note that R 8 has 1 to 3 carbon atoms.
In the formula, n is 1.
【0018】本発明のビススルフォネート化合物は、一
般式(1)において有機基または置換基R1 〜R10に、
前記の有機基およびフッ素原子から選ばれたすべての組
合せのものである。この組合せに含まれる好ましい化合
物を次に列記する。すなわち、ビス(4−メチルスルフ
ォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メ
チルスルフォニロキシフェニル)(トリフルオロメチ
ル)(フェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)
(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス(4
−フェニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)
(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス(4
−p−トリルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメ
タン、ビス(4−p−トリルスルフォニロキシフェニ
ル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス
(4−p−フルオロフェニルスルフォニロキシフェニ
ル)ジフェニルメタン、ビス(4−p−フルオロフェニ
ルスルフォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)
(フェニル)メタン、ビス(3−フルオロ−4−メチル
スルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(3−フルオロ−4−メチルスルフォニロキシフェニ
ル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス
(3−フルオロ−4−トリフルオロメチルスルフォニロ
キシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3−フルオロ
−4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)
(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス(3
−フルオロ−4−フェニルスルフォニロキシフェニル)
ジフェニルメタン、ビス(3−フルオロ−4−フェニル
スルフォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)
(フェニル)メタン、ビス(3−フルオロ−4−p−ト
リルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビ
ス(3−フルオロ−4−p−トリルスルフォニロキシフ
ェニル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、
ビス(3−フルオロ−4−p−フルオロフェニルスルフ
ォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3−フ
ルオロ−4−p−フルオロフェニルスルフォニロキシフ
ェニル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、
ビス(3−メチル(4−メチルスルフォニロキシ)フェ
ニル)ジフェニルメタン、ビス(3−メチル(4−メチ
ルスルフォニロキシ)フェニル)(トリフルオロメチ
ル)(フェニル)メタン、ビス(3−メチル−4−トリ
フルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニル
メタン、ビス(3−メチル−4−トリフルオロメチルス
ルフォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フ
ェニル)メタン、ビス(3−メチル−4−フェニルスル
フォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3−
メチル−4−フェニルスルフォニロキシフェニル)(ト
リフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス(3−メ
チル−4−p−トリルスルフォニロキシフェニル)ジフ
ェニルメタン、ビス(3−メチル−4−p−トリルスル
フォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェ
ニル)メタン、ビス(3−メチル−4−p−フルオロフ
ェニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(3−メチル−4−p−フルオロフェニルスルフォ
ニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニ
ル)メタン、ビス(3−アリル−4−メチルスルフォニ
ロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3−アリル
−4−メチルスルフォニロキシフェニル)(トリフルオ
ロメチル)(フェニル)メタン、ビス(3−アリル−4
−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ジフ
ェニルメタン、ビス(3−アリル−4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシフェニル)(トリフルオロメチ
ル)(フェニル)メタン、ビス(3−アリル−4−フェ
ニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビ
ス(3−アリル−4−フェニルスルフォニロキシフェニ
ル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス
(3−アリル−4−p−トリルスルフォニロキシフェニ
ル)ジフェニルメタン、ビス(3−アリル−4−p−ト
リルスルフォニロキシフェニル)(トリフルオロメチ
ル)(フェニル)メタン、ビス(3−アリル−4−p−
フルオロフェニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニ
ルメタン、ビス(3−アリル−4−p−フルオロフェニ
ルスルフォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)
(フェニル)メタン、ビス(3−フェニル−4−メチル
スルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(3−フェニル−4−メチルスルフォニロキシフェニ
ル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス
(3−フェニル−4−トリフルオロメチルスルフォニロ
キシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3−フェニル
−4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)
(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス(3
−フェニル(4−フェニルスルフォニロキシ)フェニ
ル)ジフェニルメタン、ビス(3−フェニル(4−フェ
ニルスルフォニロキシ)フェニル)(トリフルオロメチ
ル)(フェニル)メタン、ビス(3−フェニル−4−p
−トリルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(3−フェニル−4−p−トリルスルフォニロ
キシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メ
タン、ビス(3−フェニル−4−p−フルオロフェニル
スルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(3−フェニル−4−p−フルオロフェニルスルフォニ
ロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニル)
メタン、ビス(3、5−ジフルオロ−4−メチルスルフ
ォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3、5
−ジフルオロ−4−メチルスルフォニロキシフェニル)
(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス
(3、5−ジフルオロ−4−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3、5
−ジフルオロ−4−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メタ
ン、ビス(3、5−ジフルオロ−4−フェニルスルフォ
ニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3、5−
ジフルオロ−4−フェニルスルフォニロキシフェニル)
(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス
(3、5−ジフルオロ−4−p−トリルスルフォニロキ
シフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3、5−ジフル
オロ−4−p−トリルスルフォニロキシフェニル)(ト
リフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス(3、5
−ジフルオロ−4−p−フルオロフェニルスルフォニロ
キシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3、5−ジフ
ルオロ−4−p−フルオロフェニルスルフォニロキシフ
ェニル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、
ビス(3、5−ジメチル(4−メチルスルフォニロキ
シ)フェニル)ジフェニルメタン、ビス(3、5−ジメ
チル(4−メチルスルフォニロキシ)フェニル)(トリ
フルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス(3、5−
ジメチル−4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフ
ェニル)ジフェニルメタン、ビス(3、5−ジメチル−
4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)
(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス
(3、5−ジメチル−4−フェニルスルフォニロキシフ
ェニル)ジフェニルメタン、ビス(3、5−ジメチル−
4−フェニルスルフォニロキシフェニル)(トリフルオ
ロメチル)(フェニル)メタン、ビス(3、5−ジメチ
ル−4−p−トリルスルフォニロキシフェニル)ジフェ
ニルメタン、ビス(3、5−ジメチル−4−p−トリル
スルフォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)
(フェニル)メタン、ビス(3、5−ジメチル−4−p
−フルオロフェニルスルフォニロキシフェニル)ジフェ
ニルメタン、ビス(3、5−ジメチル−4−p−フルオ
ロフェニルスルフォニロキシフェニル)(トリフルオロ
メチル)(フェニル)メタン、ビス(3、5−ジフェニ
ル−4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニル
メタン、ビス(3、5−ジフェニル−4−メチルスルフ
ォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニ
ル)メタン、ビス(3、5−ジフェニル−4−トリフル
オロメチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(3、5−ジフェニル−4−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)
(フェニル)メタン、ビス(3、5−ジフェニル(4−
フェニルスルフォニロキシ)フェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(3、5−ジフェニル(4−フェニルスルフォ
ニロキシ)フェニル)(トリフルオロメチル)(フェニ
ル)メタン、ビス(3、5−ジフェニル−4−p−トリ
ルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(3、5−ジフェニル−4−p−トリルスルフォニロキ
シフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メタ
ン、ビス(3、5−ジフェニル−4−p−フルオロフェ
ニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビ
ス(3、5−ジフェニル−4−p−フルオロフェニルス
ルフォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フ
ェニル)メタン等が挙げられる。The bissulfonate compound of the present invention has an organic group or a substituent R 1 to R 10 in the general formula (1),
All combinations selected from the aforementioned organic groups and fluorine atoms. Preferred compounds included in this combination are listed below. That is, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis ( 4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl)
(Trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (4
-Phenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl)
(Trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (4
-P-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis ( 4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl)
(Phenyl) methane, bis (3-fluoro-4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-methylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-fluoro -4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl)
(Trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3
-Fluoro-4-phenylsulfonyloxyphenyl)
Diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-phenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl)
(Phenyl) methane, bis (3-fluoro-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane,
Bis (3-fluoro-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane,
Bis (3-methyl (4-methylsulfonyloxy) phenyl) diphenylmethane, bis (3-methyl (4-methylsulfonyloxy) phenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-methyl-4- Trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-methyl-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-methyl-4-phenylsulfonyloxyphenyl) Diphenylmethane, bis (3-
Methyl-4-phenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-methyl-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-methyl-4-p-tolylsulfate) Phonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-methyl-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane,
Bis (3-methyl-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-allyl-4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-allyl-4) -Methylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-allyl-4)
-Trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-allyl-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-allyl-4-phenylsulfonyloxyphenyl) ) Diphenylmethane, bis (3-allyl-4-phenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-allyl-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-allyl) -4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-allyl-4-p-
Fluorophenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-allyl-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl)
(Phenyl) methane, bis (3-phenyl-4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-phenyl-4-methylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-phenyl) -4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-phenyl-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl)
(Trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3
-Phenyl (4-phenylsulfonyloxy) phenyl) diphenylmethane, bis (3-phenyl (4-phenylsulfonyloxy) phenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-phenyl-4-p
-Tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-phenyl-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-phenyl-4-p-fluorophenylsulfonyloxy) Phenyl) diphenylmethane, bis (3-phenyl-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl)
Methane, bis (3,5-difluoro-4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5
-Difluoro-4-methylsulfonyloxyphenyl)
(Trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3,5-difluoro-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5
-Difluoro-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3,5-difluoro-4-phenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5-
Difluoro-4-phenylsulfonyloxyphenyl)
(Trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3,5-difluoro-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5-difluoro-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) (tri Fluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3,5
-Difluoro-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5-difluoro-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane,
Bis (3,5-dimethyl (4-methylsulfonyloxy) phenyl) diphenylmethane, bis (3,5-dimethyl (4-methylsulfonyloxy) phenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3, 5-
Dimethyl-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5-dimethyl-
4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl)
(Trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3,5-dimethyl-4-phenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5-dimethyl-
4-phenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3,5-dimethyl-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5-dimethyl-4-p- Tolylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl)
(Phenyl) methane, bis (3,5-dimethyl-4-p
-Fluorophenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5-dimethyl-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3,5-diphenyl-4-methyl) Sulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5-diphenyl-4-methylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3,5-diphenyl-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) ) Diphenylmethane, bis (3,5-diphenyl-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl)
(Phenyl) methane, bis (3,5-diphenyl (4-
Phenylsulfonyloxy) phenyl) diphenylmethane, bis (3,5-diphenyl (4-phenylsulfonyloxy) phenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3,5-diphenyl-4-p-tolylsulfate) Phonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5-diphenyl-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3,5-diphenyl-4-p-fluorophenylsulfoni) Loxyphenyl) diphenylmethane, bis (3,5-diphenyl-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane and the like.
【0019】本発明のビスフルフォネート化合物の、特
に好ましいものを次に列記する。これらは、合成の容易
さと、重合体の誘電率が低いことで優れている。ビス
(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメ
タン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)
(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス(4
−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ジフ
ェニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォ
ニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニ
ル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェ
ニル)ジフェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォ
ニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニ
ル)メタン、ビス(4−p−トリルスルフォニロキシフ
ェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−p−トリルスル
フォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェ
ニル)メタン、ビス(4−p−フルオロフェニルスルフ
ォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−p
−フルオロフェニルスルフォニロキシフェニル)(トリ
フルオロメチル)(フェニル)メタン、ビス(3−フル
オロ−4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニ
ルメタン、ビス(3−フルオロ−4−メチルスルフォニ
ロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニル)
メタン、ビス(3−フルオロ−4−トリフルオロメチル
スルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(3−フルオロ−4−トリフルオロメチルスルフォニロ
キシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メ
タン、ビス(3−フルオロ−4−フェニルスルフォニロ
キシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3−フルオロ
−4−フェニルスルフォニロキシフェニル)(トリフル
オロメチル)(フェニル)メタン、ビス(3−フルオロ
−4−p−トリルスルフォニロキシフェニル)ジフェニ
ルメタン、ビス(3−フルオロ−4−p−トリルスルフ
ォニロキシフェニル)(トリフロオロメチル)(フェニ
ル)メタン、ビス(3−フルオロ−4−p−フルオロフ
ェニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(3−フルオロ−4−p−フルオロフェニルスルフ
ォニロキシフェニル)(トリフロオロメチル)(フェニ
ル)メタン、ビス(3−アリル−4−メチルスルフォニ
ロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3−アリル
−4−メチルスルフォニロキシフェニル)(トリフロオ
ロメチル)(フェニル)メタン、ビス(3−アリル−4
−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ジフ
ェニルメタン、ビス(3−アリル−4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシフェニル)(トリフロオロメチ
ル)(フェニル)メタン、ビス(3−アリル−4−フェ
ニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビ
ス(3−アリル−4−フェニルスルフォニロキシフェニ
ル)(トリフロオロメチル)(フェニル)メタン、ビス
(3−アリル−4−p−トリルスルフォニロキシフェニ
ル)ジフェニルメタン、ビス(3−アリル−4−p−ト
リルスルフォニロキシフェニル)(トリフロオロメチ
ル)(フェニル)メタン、ビス(3−アリル−4−p−
フルオロフェニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニ
ルメタン、ビス(3−アリル−4−p−フルオロフェニ
ルスルフォニロキシフェニル)(トリフロオロメチル)
(フェニル)メタン等が挙げられる。Particularly preferred examples of the bisfluphonate compound of the present invention are listed below. These are excellent in ease of synthesis and low in dielectric constant of the polymer. Bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl)
(Trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (4
-Trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (4-phenyl) Sulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane , Bis (4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (4-p
-Fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-fluoro-4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-methylsulfonyloxyphenyl) (tri Fluoromethyl) (phenyl)
Methane, bis (3-fluoro-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3- Fluoro-4-phenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-phenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-fluoro-4-p-tolylsulfonyloxy) Phenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-fluoro-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane,
Bis (3-fluoro-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-allyl-4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-allyl- 4-methylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-allyl-4)
-Trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-allyl-4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-allyl-4-phenylsulfonyloxy) Phenyl) diphenylmethane, bis (3-allyl-4-phenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-allyl-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3 -Allyl-4-p-tolylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane, bis (3-allyl-4-p-
Fluorophenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-allyl-4-p-fluorophenylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl)
(Phenyl) methane and the like.
【0020】本発明のビススルフォネート化合物は、例
えば以下のようにして調製することができる。すなわ
ち、ビスフェノール化合物として、たとえばビス(4−
ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(3−フ
ルオロ−4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−ヒドロキシフェニル)(トリフルオロメチ
ル)(フェニル)メタン等を用い、そして、必要に応じ
4−ジメチルアミノピリジン等の触媒および塩基を溶媒
に溶かす。なお、ピリジン等を溶媒として用いて、溶媒
と塩基との両方の役割を兼用させてもよい。そして、ス
ルフォン酸クロライド(無水物)、たとえばメタンスル
フォン酸クロライド、トリフルオロメタンスルフォン酸
無水物、p−トルエンスルフォン酸クロライド等を15
℃以下に保持しながら5〜60分かけて窒素気流下に滴
下する。それから、その温度で0〜60分攪拌した後、
室温に戻し、0〜24時間攪拌し、懸濁液を作成する。
得られた懸濁液を3〜20倍量の氷水に再沈澱させ、そ
の沈澱を回収し、再結晶等の操作を繰り返して結晶とし
て得ることができる。The bissulfonate compound of the present invention can be prepared, for example, as follows. That is, as a bisphenol compound, for example, bis (4-
Hydroxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-hydroxyphenyl) diphenylmethane,
Use bis (4-hydroxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane and the like, and if necessary, dissolve a catalyst such as 4-dimethylaminopyridine and a base in a solvent. Note that pyridine or the like may be used as a solvent so that both roles of the solvent and the base may be used. Then, sulfonic acid chloride (anhydride), for example, methanesulfonic acid chloride, trifluoromethanesulfonic anhydride, p-toluenesulfonic acid chloride, etc.
The solution is added dropwise under a nitrogen stream over 5 to 60 minutes while the temperature is kept at or below ° C. Then, after stirring at that temperature for 0-60 minutes,
Return to room temperature and stir for 0-24 hours to make a suspension.
The obtained suspension is reprecipitated in 3 to 20 times the amount of ice water, the precipitate is recovered, and the operation such as recrystallization is repeated to obtain crystals as crystals.
【0021】あるいは、まず、ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)ジフェニルメタン、ビス(3−フルオロ−4−
ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェニ
ル)メタン等を水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水
溶液に溶かす。その一方、スルフォン酸クロライド(無
水物)、たとえばメタンスルフォン酸クロライド、トリ
フルオロメタンスルフォン酸無水物等をトルエン、クロ
ロホルム等の有機溶媒に溶かす。そして、これらに必要
に応じてアセチルトリメチルアンモニウムクロライド等
の相間移動触媒を加えた後、反応させる。そして、反応
して得られた有機層を精製することによっても目的物の
ビススルフォネート化合物を得ることができる。Alternatively, first, bis (4-hydroxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4-
Hydroxyphenyl) diphenylmethane, bis (4-hydroxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane and the like are dissolved in an aqueous alkali solution such as an aqueous sodium hydroxide solution. On the other hand, sulfonic acid chloride (anhydride), for example, methanesulfonic acid chloride, trifluoromethanesulfonic anhydride and the like are dissolved in an organic solvent such as toluene and chloroform. Then, if necessary, a phase transfer catalyst such as acetyltrimethylammonium chloride is added, and the mixture is reacted. Then, the desired bissulfonate compound can also be obtained by purifying the organic layer obtained by the reaction.
【0022】[0022]
【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明する。なお、用いた%および部は特記しない限り
重量基準である。また、実施例、参考例中の各種の測定
項目は、下記のようにして求めた。EXAMPLES The present invention will be described more specifically with reference to the following examples. The percentages and parts used are by weight unless otherwise specified. Various measurement items in Examples and Reference Examples were obtained as follows.
【0023】(H−NMR分析)N、N−ジメチルホル
ムアミド−d7を溶媒とし、90MHzにおいて測定し
た。 (IR分析)KBr法により測定した。 (マススペクトル)直接導入法(イオン化電圧70e
V)により測定した。(H-NMR analysis) Measurement was performed at 90 MHz using N, N-dimethylformamide-d7 as a solvent. (IR analysis) It was measured by the KBr method. (Mass spectrum) direct introduction method (ionization voltage 70e
V).
【0024】(比誘電率)重合体を所定の溶剤に溶かし
SUS基板に、スピンコート法により塗布した後、所定
の条件で焼成し重合体の塗膜を形成させた。その後、マ
スク蒸着により金電極を形成させ、比誘電率測定用サン
プルとした。このサンプルの静電容量をLCRメーター
4284A(横河ヒューレットパッカード社製)により
測定し、下記の式から、比誘電率を求めた。 ε=C・d/(ε0 ・S) ここで、εは比誘電率、Cは静電容量、dは膜厚、ε0
は真空中の誘電率、Sは上部電極面積を表す。(Relative Dielectric Constant) A polymer was dissolved in a predetermined solvent, applied to a SUS substrate by spin coating, and then baked under predetermined conditions to form a polymer coating film. Thereafter, a gold electrode was formed by mask evaporation to obtain a sample for measuring a relative dielectric constant. The capacitance of this sample was measured with an LCR meter 4284A (manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard), and the relative dielectric constant was determined from the following equation. ε = C · d / (ε 0 · S) where ε is a relative permittivity, C is a capacitance, d is a film thickness, ε 0
Represents the dielectric constant in vacuum, and S represents the area of the upper electrode.
【0025】[実施例1] (ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェ
ニルメタンの合成)スリーワンモーター、窒素導入管、
温度計および滴下ロートを備えた4つ口フラスコ中で、
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン3
5.2g(100mmol)および4−ジメチルアミノ
ピリジン0.61g(5mmol)をピリジン70m
l、トルエン210mlの混合溶媒に懸濁させた後、メ
タンスルフォン酸クロライド34.4g(300mmo
l)を10℃以下に保ちながら30分かけて窒素気流下
にて滴下した。そのまま、10℃以下で30分撹拌を続
けた後、室温に戻して一昼夜撹拌して、反応液とした。
この反応液にトルエンを加え、その後、飽和重炭酸ナト
リウム水により2回、飽和食塩水1回洗浄した。そし
て、反応液におけるトルエン層を、無水硫酸マグネシウ
ムを用いて乾燥させた。[Example 1] (Synthesis of bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane) A three-one motor, a nitrogen inlet tube,
In a four-necked flask equipped with a thermometer and a dropping funnel,
Bis (4-hydroxyphenyl) diphenylmethane 3
5.2 g (100 mmol) and 0.61 g (5 mmol) of 4-dimethylaminopyridine were added to 70 m of pyridine.
After suspending in a mixed solvent of 210 ml of toluene and 34.4 g of methanesulfonic acid chloride (300 mmol)
l) was added dropwise over 30 minutes under a nitrogen stream while maintaining the temperature at 10 ° C or lower. After continuing stirring as it is at 10 ° C. or lower for 30 minutes, it was returned to room temperature and stirred for 24 hours to obtain a reaction solution.
Toluene was added to this reaction solution, and then washed twice with saturated aqueous sodium bicarbonate and once with saturated saline. Then, the toluene layer in the reaction solution was dried using anhydrous magnesium sulfate.
【0026】次に、該トルエン層を濃縮、乾燥し、酢酸
エチルにより再結晶し、白色結晶が収率70%で以て得
られた。そして、この結晶のIR、H−NMRスペクト
ルをそれぞれ測定した結果を、図1および図2に示す。
また、この結晶のマススペクトルを測定したところ、親
ピークは508であった。したがって、これらの測定か
ら得られた白色結晶が、ビス(4−メチルスルフォニロ
キシフェニル)ジフェニルメタンであることが確認され
た。Next, the toluene layer was concentrated, dried and recrystallized from ethyl acetate to obtain white crystals in a yield of 70%. The results of measuring the IR and H-NMR spectra of this crystal are shown in FIGS. 1 and 2, respectively.
When the mass spectrum of this crystal was measured, the parent peak was 508. Therefore, it was confirmed that the white crystals obtained from these measurements were bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane.
【0027】[実施例2] (ビス(3−フルオロ−4−メチルスルフォニロキシフ
ェニル)ジフェニルメタンの合成)スリーワンモータ
ー、窒素導入管、温度計および滴下ロートを備えた4つ
口フラスコ中で、ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシ
フェニル)ジフェニルメタン38.8g(100mmo
l)をピリジン350mlに溶かした後、メタンスルフ
ォン酸クロライド34.4g(300mmol)を10
℃以下に保ちながら、30分かけて窒素気流下にて滴下
した。そのまま10℃以下で30分撹拌を続けた後、室
温に戻して5時間撹拌した。得られた乳白色懸濁液を1
0倍量の氷水に再沈殿させ、沈殿を回収し、水、メタノ
ールにより洗浄した。つづいて該沈殿をクロロホルムに
溶かし、飽和重炭酸ナトリウム水により2回、飽和食塩
水1回洗浄した後、クロロホルム層を無水硫酸マグネシ
ウムにより乾燥させた。Example 2 (Synthesis of bis (3-fluoro-4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane) In a four-necked flask equipped with a three-one motor, a nitrogen inlet tube, a thermometer and a dropping funnel, 38.8 g of (3-fluoro-4-hydroxyphenyl) diphenylmethane (100 mmol
l) was dissolved in 350 ml of pyridine, and 34.4 g (300 mmol) of methanesulfonic acid chloride was added to 10 ml of pyridine.
The solution was added dropwise over 30 minutes under a nitrogen stream while maintaining the temperature at not more than ° C. After stirring was continued at 10 ° C. or lower for 30 minutes, the mixture was returned to room temperature and stirred for 5 hours. The resulting milky suspension was added to 1
The precipitate was reprecipitated in 0 volumes of ice water, and the precipitate was collected and washed with water and methanol. Subsequently, the precipitate was dissolved in chloroform, washed twice with a saturated aqueous sodium bicarbonate solution and once with a saturated saline solution, and then the chloroform layer was dried over anhydrous magnesium sulfate.
【0028】次に、該クロロホルム層を濃縮、乾燥し、
白色結晶が収率99%で以て得られた。この結晶のI
R、H−NMRスペクトルを測定した結果をそれぞれ図
3、4に示す。また、該結晶のマススペクトルを測定し
たところ、親ピークは544であった。したがって、こ
れらの測定から得られた白色結晶が、ビス(3−フルオ
ロ−4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニル
メタンであることが確認された。Next, the chloroform layer is concentrated and dried.
White crystals were obtained with a yield of 99%. I of this crystal
The results of measuring the R and H-NMR spectra are shown in FIGS. When the mass spectrum of the crystal was measured, the parent peak was 544. Therefore, it was confirmed that the white crystals obtained from these measurements were bis (3-fluoro-4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane.
【0029】[実施例3] (ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)(トリ
フルオロメチル)(フェニル)メタンの合成)スリーワ
ンモーター、窒素導入管、温度計および滴下ロートを備
えた4つ口フラスコ中でビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)(トリフルオロメチル)(フェニル)メタン34.
4g(100mmol)をピリジン350mlに溶かし
た後、メタンスルフォン酸クロライド34.4g(30
0mmol)を10℃以下に保ちながら30分かけて窒
素気流下にて滴下した。そのまま10℃以下で30分撹
拌を続けた後、室温に戻して5時間撹拌した。得られた
乳白色懸濁液を10倍量の氷水に再沈殿させ、沈殿を回
収し、水、メタノールにより洗浄した。つづいて得られ
た沈殿物をクロロホルムに溶かし、飽和重炭酸ナトリウ
ム水により2回、飽和食塩水により1回洗浄した後、ク
ロロホルム層を無水硫酸マグネシウムにより乾燥させ
た。Example 3 (Synthesis of bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane) Four-necked flask equipped with a three-one motor, a nitrogen inlet tube, a thermometer and a dropping funnel In bis (4-hydroxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane
After dissolving 4 g (100 mmol) in 350 ml of pyridine, 34.4 g (30 ml) of methanesulfonic acid chloride was dissolved.
0 mmol) was added dropwise over 30 minutes under a nitrogen stream while maintaining the temperature at 10 ° C or lower. After stirring was continued at 10 ° C. or lower for 30 minutes, the mixture was returned to room temperature and stirred for 5 hours. The resulting milky white suspension was reprecipitated in a 10-fold amount of ice water, and the precipitate was recovered and washed with water and methanol. Subsequently, the obtained precipitate was dissolved in chloroform, washed twice with a saturated aqueous sodium bicarbonate solution and once with a saturated saline solution, and dried with anhydrous magnesium sulfate.
【0030】次に、クロロホルム層を濃縮、乾固し、酢
酸エチルにより再結晶することによって白色結晶が収率
75%で以て得られた。この白色結晶のIR、H−NM
Rスペクトルを測定した結果を、それぞれ図5および図
6に示す。また、得られた白色結晶のマススペクトルを
測定したところ、親ピークは500であった。したがっ
て、これらの測定から白色結晶がビス(4−メチルスル
フォニロキシフェニル)(トリフルオロメチル)(フェ
ニル)メタンであることが確認された。Next, the chloroform layer was concentrated, dried and recrystallized from ethyl acetate to obtain white crystals in a yield of 75%. IR, H-NM of this white crystal
The results of measuring the R spectrum are shown in FIGS. 5 and 6, respectively. When the mass spectrum of the obtained white crystal was measured, the parent peak was 500. Therefore, these measurements confirmed that the white crystals were bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane.
【0031】[実施例4〜7]メタンスルフォン酸クロ
ライドの代わりに表1に示すスルフォン酸クロライド
(スルフォン酸無水物)類を用いた(ただし実施例5、
6、7においてはピリジン溶液として用いた)こと以外
は全て実施例3と同様の操作で行った。結果を表1に示
す。[Examples 4 to 7] Instead of methanesulfonic acid chloride, sulfonic acid chlorides (sulfonic anhydrides) shown in Table 1 were used.
6 and 7, the same operation as in Example 3 was performed except that the pyridine solution was used). Table 1 shows the results.
【0032】[0032]
【表1】 [Table 1]
【0033】[参考例]アルゴンガス導入管、および温
度計を備えた内容積500mlの三つ口フラスコに、ヨ
ウ化ナトリウム7.5gと、無水塩化ニッケル1.3g
と、トリフェニルホスフィン15.7gと、酢酸により
活性化させた亜鉛粉末45.8gと、実施例3で得られ
たビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)(トリ
フルオロメチル)(フェニル)メタン50.6gとを加
え、一昼夜、真空下で乾燥した。その後、三つ口フラス
コ内をアルゴンガスで以て充填した。そして、引き続
き、乾燥N、N−ジメチルアセトアミド150mlを加
え、70℃でアルゴン気流下に攪拌したところ、反応液
が褐色となった。そのまま、この反応液を70℃で20
時間の条件で反応させた後、この反応液を36%塩酸5
00mlおよびメタノール2000ml混合液中に注い
だ。そして、沈澱物を生成させて、その沈澱物を回収し
た。得られた沈澱物を、クロロホルム中に加えて懸濁さ
せ、それから2規定塩酸水溶液で洗浄した。その後、ク
ロロホルム層をメタノール中に注ぎ、沈澱を回収、乾燥
して、白色粉末状重合体19gを得た。REFERENCE EXAMPLE In a 500 ml three-necked flask equipped with an argon gas inlet tube and a thermometer, 7.5 g of sodium iodide and 1.3 g of anhydrous nickel chloride were placed.
, 15.7 g of triphenylphosphine, 45.8 g of zinc powder activated with acetic acid, and 50% of bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) (trifluoromethyl) (phenyl) methane obtained in Example 3. And dried under vacuum overnight. Thereafter, the inside of the three-necked flask was filled with argon gas. Subsequently, 150 ml of dry N, N-dimethylacetamide was added, and the mixture was stirred at 70 ° C. under an argon stream, whereby the reaction solution turned brown. The reaction solution is kept at 70 ° C. for 20 minutes.
After reacting under the conditions of time, this reaction solution was diluted with 36% hydrochloric acid 5
Poured into a mixture of 00 ml and 2000 ml of methanol. Then, a precipitate was generated, and the precipitate was collected. The resulting precipitate was suspended in chloroform and washed with a 2N aqueous hydrochloric acid solution. Thereafter, the chloroform layer was poured into methanol, and the precipitate was recovered and dried to obtain 19 g of a white powdery polymer.
【0034】この白色粉末状の重合体の分子量をGPC
法で測定したところ、重量平均分子量は16600であ
り、数平均分子量は11400(ポリスチレン換算)で
あった。また、得られた重合体は、シクロヘキサノンに
可溶であり、この溶液をガラス基板にスピンコート、焼
成することによって無色透明な膜が得られた。The molecular weight of this white powdery polymer was determined by GPC.
When measured by the method, the weight average molecular weight was 16,600 and the number average molecular weight was 11,400 (in terms of polystyrene). Moreover, the obtained polymer was soluble in cyclohexanone, and a colorless and transparent film was obtained by spin-coating and baking this solution on a glass substrate.
【0035】さらに、この重合体のガラス転移温度(T
g)をDSC(示差走査熱量計)を用いて窒素雰囲気
中、昇温速度20℃/分の条件で以て測定したところ、
266℃という高い値が得られた。また、TGA(熱天
秤計)を用いて5%重量減少温度(試料重量が、初期重
量から5重量%減少したときのその温度)を窒素雰囲気
中、昇温速度10℃/分の条件で以て測定したところ、
506℃という高い値が得られた。また、この重合体を
ポリイミドフィルムにキャストして成膜した後、このフ
ィルムの比誘電率をLCRメーター4284A(横河ヒ
ューレットパッカード社製)により測定し、比誘電率を
求めた。その結果、このフィルムの比誘電率の値は2.
3であった。したがって、得られた重合体は、優れた耐
熱性および低誘電性を有していることが確認された。な
お、この得られた重合体は、IR測定等から、以下に示
す構造を有していることが確認されている。Further, the glass transition temperature (T
g) was measured using a DSC (differential scanning calorimeter) in a nitrogen atmosphere under the condition of a heating rate of 20 ° C./min.
A high value of 266 ° C. was obtained. Using a TGA (thermal balance), a 5% weight loss temperature (the temperature at which the sample weight was reduced by 5% by weight from the initial weight) was measured in a nitrogen atmosphere under the conditions of a heating rate of 10 ° C./min. Measured
A high value of 506 ° C. was obtained. After casting the polymer on a polyimide film to form a film, the relative dielectric constant of the film was measured with an LCR meter 4284A (manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard Company) to determine the relative dielectric constant. As a result, the relative dielectric constant of this film was 2.
It was 3. Therefore, it was confirmed that the obtained polymer had excellent heat resistance and low dielectric properties. The obtained polymer was confirmed to have the following structure by IR measurement and the like.
【0036】[0036]
【化7】 Embedded image
【0037】〔式中、nは繰り返し数を表す。〕[Where n represents the number of repetitions. ]
【0038】[0038]
【発明の効果】以上説明したように、特定のビススルフ
ォネート化合物を構成することにより、耐熱性、低誘電
性および加工性に優れ、かつ有機溶剤に可溶なフェニレ
ン基含有重合体を効率良く、安定的に、しかも安価に製
造することのできる原料モノマーを提供できるようにな
った。また、本発明のビススルフォネート化合物を用い
て合成されたフェニレン基含有重合体は透明性にも優れ
ているという効果が得られた。As described above, by forming a specific bissulfonate compound, a phenylene group-containing polymer having excellent heat resistance, low dielectric properties and processability and being soluble in an organic solvent can be efficiently produced. It has become possible to provide a raw material monomer that can be produced well, stably, and at low cost. Moreover, the effect that the phenylene group-containing polymer synthesized using the bissulfonate compound of the present invention was also excellent in transparency was obtained.
【図1】実施例1で得られた化合物のIRスペクトルを
示すチャート図である。FIG. 1 is a chart showing an IR spectrum of the compound obtained in Example 1.
【図2】実施例1で得られた化合物のH−NMRスペク
トルを示すチャート図である。FIG. 2 is a chart showing an H-NMR spectrum of the compound obtained in Example 1.
【図3】実施例2で得られた化合物のIRスペクトルを
示すチャート図である。FIG. 3 is a chart showing an IR spectrum of the compound obtained in Example 2.
【図4】実施例2で得られた化合物のH−NMRスペク
トルを示すチャート図である。FIG. 4 is a chart showing an H-NMR spectrum of the compound obtained in Example 2.
【図5】実施例3で得られた化合物のIRスペクトルを
示すチャート図である。FIG. 5 is a chart showing an IR spectrum of the compound obtained in Example 3.
【図6】実施例3で得られた化合物のH−NMRスペク
トルを示すチャート図である。FIG. 6 is a chart showing an H-NMR spectrum of the compound obtained in Example 3.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 幸平 東京都中央区築地2丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Kohei Goto 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Inside Nippon Gosei Rubber Co., Ltd.
Claims (1)
ート化合物。 【化1】 〔式(I)中、R1 およびR2 は、炭素数1〜3のアル
キル基もしくはフルオロアルキル基、または下記一般式
(II)に示すアリール基、R3 、R4 、R5 、R6 は、
水素原子、フッ素原子、炭素数1〜3のアルキル基、ま
たは炭素数2〜5のアルケニル基、フェニル基、R7 は
下記一般式(III )に示すアリール基、または炭素数1
〜3のフルオロアルキル基、R8 は水素原子、フッ素原
子、または炭素数1〜3のフルオロアルキル基をそれぞ
れ示し、R1 とR2 、R3 とR4 およびR5 とR6 は、
それぞれ同一でも異っていてもよく、mは1〜5の整数
である。〕 【化2】 〔式(II)中、R9 は、水素原子、フッ素原子または炭
素数1〜3のアルキル基を示す。〕 【化3】 〔式(III )中、R10は、水素原子、フッ素原子または
炭素数1〜3のフルオロアルキル基を示す。〕1. A bissulfonate compound represented by the following general formula (I). Embedded image [In the formula (I), R 1 and R 2 represent an alkyl group or a fluoroalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an aryl group represented by the following general formula (II), R 3 , R 4 , R 5 , and R 6 Is
A hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms, a phenyl group, and R 7 is an aryl group represented by the following general formula (III),
To 3 fluoroalkyl group, R 8 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or a fluoroalkyl group having 1 to 3 carbon atoms each, R 1 and R 2, R 3 and R 4 and R 5 and R 6,
M may be the same or different, and m is an integer of 1 to 5. [Chemical formula 2] [In the formula (II), R 9 represents a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. [Chemical formula 3] [In the formula (III), R 10 represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a fluoroalkyl group having 1 to 3 carbon atoms. ]
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