JPH10341119A - 差動増幅回路 - Google Patents
差動増幅回路Info
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- JPH10341119A JPH10341119A JP16330297A JP16330297A JPH10341119A JP H10341119 A JPH10341119 A JP H10341119A JP 16330297 A JP16330297 A JP 16330297A JP 16330297 A JP16330297 A JP 16330297A JP H10341119 A JPH10341119 A JP H10341119A
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- Japan
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- transistor
- amplifier circuit
- differential amplifier
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な回路でもって、各増幅トランジスタに
対する印加電圧を小とでき、各増幅トランジスタとし
て、低耐圧のトランジスタを使用可能とする。 【解決手段】 各増幅トランジスタT1,T2のベース
に入力端子1,2が接続され、両エミッタが接続されて
いる。一側の増幅トランジスタT1のコレクタには、制
御トランジスタT3、負荷抵抗R1が、上記の順で直列
に接続され、制御トランジスタT3のエミッタは、増幅
トランジスタT1のコレクタに、又、コレクタは、負荷
抵抗R1に、それぞれ、接続されると共に、制御トラン
ジスタT3のコレクタと負荷抵抗R1の接続点に、出力
端子3が接続されている。他側の増幅トランジスタT2
のコレクタには負荷抵抗R2が接続され、これらコレク
タと負荷抵抗R2の接続点に、制御トランジスタT3の
ベースが接続されている。
対する印加電圧を小とでき、各増幅トランジスタとし
て、低耐圧のトランジスタを使用可能とする。 【解決手段】 各増幅トランジスタT1,T2のベース
に入力端子1,2が接続され、両エミッタが接続されて
いる。一側の増幅トランジスタT1のコレクタには、制
御トランジスタT3、負荷抵抗R1が、上記の順で直列
に接続され、制御トランジスタT3のエミッタは、増幅
トランジスタT1のコレクタに、又、コレクタは、負荷
抵抗R1に、それぞれ、接続されると共に、制御トラン
ジスタT3のコレクタと負荷抵抗R1の接続点に、出力
端子3が接続されている。他側の増幅トランジスタT2
のコレクタには負荷抵抗R2が接続され、これらコレク
タと負荷抵抗R2の接続点に、制御トランジスタT3の
ベースが接続されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は差動増幅回路に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】多段増幅回路の入力回路には、図5〜図
7に示す差動増幅回路が使用されている。図5に示す差
動増幅回路(以下、従来例1と称す。)では、各増幅ト
ランジスタ(差動トランジスタ)T5,T6として、同
一特性のNPN型バイポーラトランジスタが使用され
て、各ベースに入力端子7,8が接続され、又、両エミ
ッタ同士が接続されて、これらエミッタに、定電流源9
を介して、負電圧−Veeが印加されている。両増幅ト
ランジスタT5,T6のコレクタには、負荷抵抗R5,
R6の一端部が接続されると共に、これら負荷抵抗R
5,R6の他端部が接続されて、これら他端部に、正電
圧+Vccが印加されている。そして、各増幅トランジ
スタT5,T6のコレクタと各負荷抵抗R5,R6の接
続点に、それぞれ、出力端子10,11が接続されてい
る。
7に示す差動増幅回路が使用されている。図5に示す差
動増幅回路(以下、従来例1と称す。)では、各増幅ト
ランジスタ(差動トランジスタ)T5,T6として、同
一特性のNPN型バイポーラトランジスタが使用され
て、各ベースに入力端子7,8が接続され、又、両エミ
ッタ同士が接続されて、これらエミッタに、定電流源9
を介して、負電圧−Veeが印加されている。両増幅ト
ランジスタT5,T6のコレクタには、負荷抵抗R5,
R6の一端部が接続されると共に、これら負荷抵抗R
5,R6の他端部が接続されて、これら他端部に、正電
圧+Vccが印加されている。そして、各増幅トランジ
スタT5,T6のコレクタと各負荷抵抗R5,R6の接
続点に、それぞれ、出力端子10,11が接続されてい
る。
【0003】又、図6に示す差動増幅回路(以下、従来
例2と称す。)は、従来例1に示す回路に、更に、一対
の付加トランジスタT7,T8と定電圧源12が備えら
れることで、カスコード増幅回路とされている。具体的
には、各付加トランジスタT7,T8が、NPN型バイ
ポーラトランジスタとされて、各増幅トランジスタT
5,T6と各負荷抵抗R5,R6間に介装され、各エミ
ッタが、各増幅トランジスタT5,T6のコレクタに、
コレクタが各負荷抵抗R5,R6と各出力端子10,1
1に、それぞれ、接続されると共に、両付加トランジス
タT7,T8のベース同士が接続されて、これに定電圧
源12が接続されている。
例2と称す。)は、従来例1に示す回路に、更に、一対
の付加トランジスタT7,T8と定電圧源12が備えら
れることで、カスコード増幅回路とされている。具体的
には、各付加トランジスタT7,T8が、NPN型バイ
ポーラトランジスタとされて、各増幅トランジスタT
5,T6と各負荷抵抗R5,R6間に介装され、各エミ
ッタが、各増幅トランジスタT5,T6のコレクタに、
コレクタが各負荷抵抗R5,R6と各出力端子10,1
1に、それぞれ、接続されると共に、両付加トランジス
タT7,T8のベース同士が接続されて、これに定電圧
源12が接続されている。
【0004】更に、図7に示す差動増幅回路(以下、従
来例3と称す。)は、従来例1に示す回路において、一
方の出力端子11を除去したものである。
来例3と称す。)は、従来例1に示す回路において、一
方の出力端子11を除去したものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来例1の場合、特
に、従来例1の差動増幅回路に次段の増幅回路を直結し
た場合において、出力電圧を大とするときには、負荷抵
抗R5,R6での電圧降下を大とできず、必然的に各増
幅トランジスタT5,T6に高い直流電圧が印加される
ため、増幅トランジスタT5,T6として、高耐圧のト
ランジスタを使用する必要があった。特に、増幅トラン
ジスタT5,T6として、電界効果トランジスタ(FE
T)を使用した場合には、FETに高耐圧の品種が少な
いだけでなく、印加電圧が高くなると、ゲート漏れ電流
が増加して、差動増幅回路の性能の劣化を招来する問題
があった。又、従来例1では、各増幅トランジスタT
5,T6の増幅作用により、そのコレクタ電位が変動す
るため、ミラー効果による、高域でのゲイン低下も問題
となっていた。
に、従来例1の差動増幅回路に次段の増幅回路を直結し
た場合において、出力電圧を大とするときには、負荷抵
抗R5,R6での電圧降下を大とできず、必然的に各増
幅トランジスタT5,T6に高い直流電圧が印加される
ため、増幅トランジスタT5,T6として、高耐圧のト
ランジスタを使用する必要があった。特に、増幅トラン
ジスタT5,T6として、電界効果トランジスタ(FE
T)を使用した場合には、FETに高耐圧の品種が少な
いだけでなく、印加電圧が高くなると、ゲート漏れ電流
が増加して、差動増幅回路の性能の劣化を招来する問題
があった。又、従来例1では、各増幅トランジスタT
5,T6の増幅作用により、そのコレクタ電位が変動す
るため、ミラー効果による、高域でのゲイン低下も問題
となっていた。
【0006】これに対し、従来例2では、増幅トランジ
スタT5,T6への印加電圧が定電圧でクランプされて
いるため、上記印加電圧を低く抑えることができると共
に、各増幅トランジスタT5,T6のコレクタ電位の変
動もないため、ミラー効果による、高域でのゲイン低下
も問題とならない。然しながら、従来例2では、一対の
付加トランジスタT7,T8及び定電圧源12を備える
必要があって、部品点数が大幅に増加し、差動増幅回路
が複雑になる問題があった。
スタT5,T6への印加電圧が定電圧でクランプされて
いるため、上記印加電圧を低く抑えることができると共
に、各増幅トランジスタT5,T6のコレクタ電位の変
動もないため、ミラー効果による、高域でのゲイン低下
も問題とならない。然しながら、従来例2では、一対の
付加トランジスタT7,T8及び定電圧源12を備える
必要があって、部品点数が大幅に増加し、差動増幅回路
が複雑になる問題があった。
【0007】又、従来例3でも、従来例1と同様の問題
があった。
があった。
【0008】本発明は、上記問題を解決できる差動増幅
回路を提供することを目的とする。
回路を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴とするところは、 入力端子が接続
された制御電極と、第1・第2主電極を有し、両第1主
電極が接続された一対の増幅トランジスタと、 各増
幅トランジスタの第2主電極に接続された一対の負荷抵
抗を有し、一側の増幅トランジスタと負荷抵抗の接続点
にのみ、出力端子が接続された差動増幅回路において、
一側の増幅トランジスタと負荷抵抗間に、制御トランジ
スタが介装され、制御トランジスタが、A.他側の増幅
トランジスタと負荷抵抗の接続点に接続される制御電極
と、B.一側の増幅トランジスタの第2主電極に接続さ
れる第1主電極と、C.一側の負荷抵抗と出力端子に接
続される第2主電極を有する点にある。尚、制御トラン
ジスタの制御電極が、コンデンサを介して、接地される
こともある。又、制御トランジスタの制御電極と差動増
幅回路の駆動用電圧源間に、コンデンサが介装されるこ
ともある。
に、本発明の特徴とするところは、 入力端子が接続
された制御電極と、第1・第2主電極を有し、両第1主
電極が接続された一対の増幅トランジスタと、 各増
幅トランジスタの第2主電極に接続された一対の負荷抵
抗を有し、一側の増幅トランジスタと負荷抵抗の接続点
にのみ、出力端子が接続された差動増幅回路において、
一側の増幅トランジスタと負荷抵抗間に、制御トランジ
スタが介装され、制御トランジスタが、A.他側の増幅
トランジスタと負荷抵抗の接続点に接続される制御電極
と、B.一側の増幅トランジスタの第2主電極に接続さ
れる第1主電極と、C.一側の負荷抵抗と出力端子に接
続される第2主電極を有する点にある。尚、制御トラン
ジスタの制御電極が、コンデンサを介して、接地される
こともある。又、制御トランジスタの制御電極と差動増
幅回路の駆動用電圧源間に、コンデンサが介装されるこ
ともある。
【0010】尚、トランジスタとしては、各種バイポー
ラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)が使
用され、制御電極がベース、又は、ゲート、第1主電極
が、エミッタ、又は、ソース、第2主電極が、コレク
タ、又は、ドレインとされている。尚、増幅トランジス
タのみに、バイポーラトランジスタと電界効果トランジ
スタが使用され、制御トランジスタには、バイポーラト
ランジスタのみが使用されることもある。
ラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)が使
用され、制御電極がベース、又は、ゲート、第1主電極
が、エミッタ、又は、ソース、第2主電極が、コレク
タ、又は、ドレインとされている。尚、増幅トランジス
タのみに、バイポーラトランジスタと電界効果トランジ
スタが使用され、制御トランジスタには、バイポーラト
ランジスタのみが使用されることもある。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の第1
例を図1の図面に基づき説明すると、図1は差動増幅回
路を示し、該回路は、例えば、多段増幅回路の入力回路
に使用される。該回路では、各増幅トランジスタ(差動
トランジスタ)T1,T2として、(略)同一特性のN
PN型バイポーラトランジスタが使用されて、各ベース
に入力端子1,2が接続されると共に、両エミッタが接
続されている。
例を図1の図面に基づき説明すると、図1は差動増幅回
路を示し、該回路は、例えば、多段増幅回路の入力回路
に使用される。該回路では、各増幅トランジスタ(差動
トランジスタ)T1,T2として、(略)同一特性のN
PN型バイポーラトランジスタが使用されて、各ベース
に入力端子1,2が接続されると共に、両エミッタが接
続されている。
【0012】一側(出力側)の増幅トランジスタT1の
コレクタには、制御トランジスタ(クランプ用トランジ
スタ)T3、負荷抵抗R1が、上記の順で直列に接続さ
れている。制御トランジスタT3としては、増幅トラン
ジスタT1,T2と同一導電形式のNPN型バイポーラ
トランジスタが使用され、そのエミッタは、増幅トラン
ジスタT1のコレクタに、又、コレクタは、負荷抵抗R
1に、それぞれ、接続されると共に、制御トランジスタ
T3のコレクタと負荷抵抗R1の接続点に、出力端子3
が接続され、これにより、出力側回路が構成されてい
る。尚、出力端子3からの出力電圧を高くするために、
負荷抵抗R1の抵抗値が小さく設定されている。
コレクタには、制御トランジスタ(クランプ用トランジ
スタ)T3、負荷抵抗R1が、上記の順で直列に接続さ
れている。制御トランジスタT3としては、増幅トラン
ジスタT1,T2と同一導電形式のNPN型バイポーラ
トランジスタが使用され、そのエミッタは、増幅トラン
ジスタT1のコレクタに、又、コレクタは、負荷抵抗R
1に、それぞれ、接続されると共に、制御トランジスタ
T3のコレクタと負荷抵抗R1の接続点に、出力端子3
が接続され、これにより、出力側回路が構成されてい
る。尚、出力端子3からの出力電圧を高くするために、
負荷抵抗R1の抵抗値が小さく設定されている。
【0013】他側(非出力側)の増幅トランジスタT2
のコレクタには負荷抵抗R2が接続されて、非出力側回
路が構成されると共に、上記コレクタと負荷抵抗R2の
接続点に、制御トランジスタT3のベースが接続されて
いる。尚、入力端子1,2に入力信号が入力されていな
い状態で(入力信号が入力されている状態でもよ
い。)、非出力側回路に流れる電流をIとした場合に、
非出力側の増幅トランジスタT2のコレクタ電位Vc=
Vcc−R2・Iが適当な小さい値となるように、非出
力側の負荷抵抗R2の抵抗値が大きく設定されている。
のコレクタには負荷抵抗R2が接続されて、非出力側回
路が構成されると共に、上記コレクタと負荷抵抗R2の
接続点に、制御トランジスタT3のベースが接続されて
いる。尚、入力端子1,2に入力信号が入力されていな
い状態で(入力信号が入力されている状態でもよ
い。)、非出力側回路に流れる電流をIとした場合に、
非出力側の増幅トランジスタT2のコレクタ電位Vc=
Vcc−R2・Iが適当な小さい値となるように、非出
力側の負荷抵抗R2の抵抗値が大きく設定されている。
【0014】差動増幅回路には、これを駆動する直流電
圧源(直流電源)が接続されている。具体的には、増幅
トランジスタT1,T2のエミッタに、定電流源5を介
して、負電圧−Veeが印加され(負電圧源、負電源が
接続され)、両負荷抵抗R1,R2に、正電圧+Vcc
が印加されている(正電圧源、正電源が接続されてい
る)。
圧源(直流電源)が接続されている。具体的には、増幅
トランジスタT1,T2のエミッタに、定電流源5を介
して、負電圧−Veeが印加され(負電圧源、負電源が
接続され)、両負荷抵抗R1,R2に、正電圧+Vcc
が印加されている(正電圧源、正電源が接続されてい
る)。
【0015】上記第1例によれば、各入力端子1,2に
入力信号が入力されると、両入力信号の電位差に応じ
て、入力信号が増幅され、この増幅された入力信号が、
出力信号として、出力端子3から出力される。尚、差動
増幅回路における、出力側から見た直流・交流動作特性
は、図7に示す従来例3と同等であり、制御トランジス
タT3が増幅動作に影響を及ぼすことはない。
入力信号が入力されると、両入力信号の電位差に応じ
て、入力信号が増幅され、この増幅された入力信号が、
出力信号として、出力端子3から出力される。尚、差動
増幅回路における、出力側から見た直流・交流動作特性
は、図7に示す従来例3と同等であり、制御トランジス
タT3が増幅動作に影響を及ぼすことはない。
【0016】ところで、非出力側回路では、負荷抵抗2
の抵抗値が大とされているので、増幅トランジスタT2
のコレクタ電位Vcを低くでき、増幅トランジスタT2
への印加電圧を小さくできる。
の抵抗値が大とされているので、増幅トランジスタT2
のコレクタ電位Vcを低くでき、増幅トランジスタT2
への印加電圧を小さくできる。
【0017】又、出力側回路では、増幅トランジスタT
1のコレクタ電位は、制御トランジスタT3によりクラ
ンプされており、その電位は、非出力側の増幅トランジ
スタT1のコレクタ電位Vcから、制御トランジスタT
3のベース・エミッタ間電圧(例えば、約0.6V)を
引いた値となる。この場合において、非出力側の増幅ト
ランジスタT2のコレクタ電位Vcが、上記のように、
低いので、出力側の増幅トランジスタT1のコレクタ電
位も低くでき、出力側の増幅トランジスタT1への印加
電圧を低くできる。
1のコレクタ電位は、制御トランジスタT3によりクラ
ンプされており、その電位は、非出力側の増幅トランジ
スタT1のコレクタ電位Vcから、制御トランジスタT
3のベース・エミッタ間電圧(例えば、約0.6V)を
引いた値となる。この場合において、非出力側の増幅ト
ランジスタT2のコレクタ電位Vcが、上記のように、
低いので、出力側の増幅トランジスタT1のコレクタ電
位も低くでき、出力側の増幅トランジスタT1への印加
電圧を低くできる。
【0018】上記のように、第1例では、各増幅トラン
ジスタT1,T2の印加電圧を低くでき、各増幅トラン
ジスタT1,T2として、高耐圧のトランジスタを使用
する必要をなくすことができて、低耐圧のトランジスタ
を使用できると共に、従来例1,3の差動増幅回路と比
較して、1個の制御トランジスタT3を付加するだけで
よく、簡易な回路とできる。
ジスタT1,T2の印加電圧を低くでき、各増幅トラン
ジスタT1,T2として、高耐圧のトランジスタを使用
する必要をなくすことができて、低耐圧のトランジスタ
を使用できると共に、従来例1,3の差動増幅回路と比
較して、1個の制御トランジスタT3を付加するだけで
よく、簡易な回路とできる。
【0019】図2は本発明の実施の形態の第2例を示
し、増幅トランジスタT1,T2として、Nチャンネル
タイプの接合型電界効果トランジスタ(JFET)を使
用しており、各増幅トランジスタT1,T2のゲート、
ソース、ドレインが、それぞれ、上記第1例の増幅トラ
ンジスタT1,T2のベース、エミッタ、コレクタと対
応している。
し、増幅トランジスタT1,T2として、Nチャンネル
タイプの接合型電界効果トランジスタ(JFET)を使
用しており、各増幅トランジスタT1,T2のゲート、
ソース、ドレインが、それぞれ、上記第1例の増幅トラ
ンジスタT1,T2のベース、エミッタ、コレクタと対
応している。
【0020】上記第2例によれば、第1例と同様に、各
増幅トランジスタT1,T2に対する印加電圧を小とで
きて、低耐圧のトランジスタを使用できると共に、ゲー
ト漏れ電流を小とでき、ゲート漏れ電流に起因する、差
動増幅回路の性能の劣化を防止できる。
増幅トランジスタT1,T2に対する印加電圧を小とで
きて、低耐圧のトランジスタを使用できると共に、ゲー
ト漏れ電流を小とでき、ゲート漏れ電流に起因する、差
動増幅回路の性能の劣化を防止できる。
【0021】図3は本発明の実施の形態の第3例を示
し、第1例の構成において、制御トランジスタT3のベ
ースを、コンデンサCを介して、接地させている。尚、
時定数R2・Cは、入力・出力信号の周波数に対して、
十分に大とされている。
し、第1例の構成において、制御トランジスタT3のベ
ースを、コンデンサCを介して、接地させている。尚、
時定数R2・Cは、入力・出力信号の周波数に対して、
十分に大とされている。
【0022】上記第3例によれば、時定数R2・Cは、
入力・出力信号の周波数に対して、十分に大とされてい
るので、各増幅トランジスタT1,T2のコレクタ電位
を定電圧化でき、各コレクタを定電圧源に接続したと
(略)同等に見做せる。従って、各増幅トランジスタT
1,T2のコレクタ電位の変動がなく、ミラー効果によ
る、高域でのゲイン低下を防止できる。又、差動増幅回
路としても、第1例の構成に、1個のコンデンサCを追
加しただけであって、構成は簡易である。
入力・出力信号の周波数に対して、十分に大とされてい
るので、各増幅トランジスタT1,T2のコレクタ電位
を定電圧化でき、各コレクタを定電圧源に接続したと
(略)同等に見做せる。従って、各増幅トランジスタT
1,T2のコレクタ電位の変動がなく、ミラー効果によ
る、高域でのゲイン低下を防止できる。又、差動増幅回
路としても、第1例の構成に、1個のコンデンサCを追
加しただけであって、構成は簡易である。
【0023】図4は本発明の実施の形態の第4例を示
し、第1例の構成において、制御トランジスタT3のベ
ースと正電源+Vcc間にコンデンサCが介装されてい
る。
し、第1例の構成において、制御トランジスタT3のベ
ースと正電源+Vcc間にコンデンサCが介装されてい
る。
【0024】上記第4例によれば、増幅特性は第3例と
同等であって、上記同様に、ミラー効果による、高域で
のゲイン低下を防止できる。又、電源投入時に、出力側
の増幅トランジスタT1への電流がカットオフされ、全
電流が非出力側の増幅トランジスタT2に流れて、出力
側の増幅トランジスタT1が立ち上がらないという不具
合を防止できる。
同等であって、上記同様に、ミラー効果による、高域で
のゲイン低下を防止できる。又、電源投入時に、出力側
の増幅トランジスタT1への電流がカットオフされ、全
電流が非出力側の増幅トランジスタT2に流れて、出力
側の増幅トランジスタT1が立ち上がらないという不具
合を防止できる。
【0025】尚、上記実施の形態では、第1例の増幅ト
ランジスタをFETに置換したもののみを示したが、上
記第3例及び第4例の増幅トランジスタをFETに置換
することも可能である。
ランジスタをFETに置換したもののみを示したが、上
記第3例及び第4例の増幅トランジスタをFETに置換
することも可能である。
【0026】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
増幅動作に影響を及ぼすことなく、簡易な回路でもっ
て、各増幅トランジスタに対する印加電圧を小とでき、
各増幅トランジスタとして、低耐圧のトランジスタを使
用できる。又、増幅トランジスタが、電界効果トランジ
スタ(FET)の場合には、更に、ゲート漏れ電流を小
とでき、ゲート漏れ電流に起因する、差動増幅回路の性
能の劣化を防止できる。
増幅動作に影響を及ぼすことなく、簡易な回路でもっ
て、各増幅トランジスタに対する印加電圧を小とでき、
各増幅トランジスタとして、低耐圧のトランジスタを使
用できる。又、増幅トランジスタが、電界効果トランジ
スタ(FET)の場合には、更に、ゲート漏れ電流を小
とでき、ゲート漏れ電流に起因する、差動増幅回路の性
能の劣化を防止できる。
【0027】 請求項2によれば、ミラー効果によ
る、高域でのゲイン低下を防止できる。 請求項3によれば、ミラー効果による、高域でのゲ
イン低下を防止できる。 又、電源投入時に、出力側の増幅トランジスタへの電流
がカットオフされ、全電流が非出力側の増幅トランジス
タに流れて、出力側の増幅トランジスタが立ち上がらな
いという不具合を防止できる。
る、高域でのゲイン低下を防止できる。 請求項3によれば、ミラー効果による、高域でのゲ
イン低下を防止できる。 又、電源投入時に、出力側の増幅トランジスタへの電流
がカットオフされ、全電流が非出力側の増幅トランジス
タに流れて、出力側の増幅トランジスタが立ち上がらな
いという不具合を防止できる。
【図1】本発明の実施の形態の第1例を示す回路図であ
る。
る。
【図2】本発明の実施の形態の第2例を示す回路図であ
る。
る。
【図3】本発明の実施の形態の第3例を示す回路図であ
る。
る。
【図4】本発明の実施の形態の第4例を示す回路図であ
る。
る。
【図5】従来例1を示す回路図である。
【図6】従来例2を示す回路図である。
【図7】従来例3を示す回路図である。
1,2 入力端子 3 出力端子 5 定電流源 C コンデンサ R1,R2 負荷抵抗 T1,T2 増幅トランジスタ T3 制御トランジスタ
Claims (3)
- 【請求項1】 入力端子が接続された制御電極と、
第1・第2主電極を有し、両第1主電極が接続された一
対の増幅トランジスタと、 各増幅トランジスタの第2主電極に接続された一対
の負荷抵抗を有し、 一側の増幅トランジスタと負荷抵抗の接続点にのみ、出
力端子が接続された差動増幅回路において、 一側の増幅トランジスタと負荷抵抗間に、制御トランジ
スタが介装され、 制御トランジスタが、 A.他側の増幅トランジスタと負荷抵抗の接続点に接続
される制御電極と、 B.一側の増幅トランジスタの第2主電極に接続される
第1主電極と、 C.一側の負荷抵抗と出力端子に接続される第2主電極
を有することを特徴とする差動増幅回路。 - 【請求項2】 制御トランジスタの制御電極が、コンデ
ンサを介して、接地された請求項1記載の差動増幅回
路。 - 【請求項3】 制御トランジスタの制御電極と差動増幅
回路の駆動用電圧源間に、コンデンサが介装された請求
項1又は2記載の差動増幅回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16330297A JPH10341119A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 差動増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16330297A JPH10341119A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 差動増幅回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10341119A true JPH10341119A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15771253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16330297A Pending JPH10341119A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 差動増幅回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10341119A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007116497A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | オペアンプ |
JP2008015875A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電源回路 |
JP2009253454A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
-
1997
- 1997-06-05 JP JP16330297A patent/JPH10341119A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007116497A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | オペアンプ |
JP2008015875A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電源回路 |
JP2009253454A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
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