JPH10223610A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
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- JPH10223610A JPH10223610A JP2348597A JP2348597A JPH10223610A JP H10223610 A JPH10223610 A JP H10223610A JP 2348597 A JP2348597 A JP 2348597A JP 2348597 A JP2348597 A JP 2348597A JP H10223610 A JPH10223610 A JP H10223610A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板面内のエッチング速度の均一化が
可能なプラズマエッチング装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ４に堆積したポリシリコン
膜をエッチングする際、ヘリコン波エッチング装置１
の、半導体ウェハ４をウェハステージ３０に固定するリ
ング状のクランプ３１を、石英製部材３１ａと、石英製
部材３１ａ上に密着させた多結晶シリコン製部材３１ｂ
とする。
可能なプラズマエッチング装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ４に堆積したポリシリコン
膜をエッチングする際、ヘリコン波エッチング装置１
の、半導体ウェハ４をウェハステージ３０に固定するリ
ング状のクランプ３１を、石英製部材３１ａと、石英製
部材３１ａ上に密着させた多結晶シリコン製部材３１ｂ
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマエッチング
装置に関し、さらに詳しくは、エッチングの均一性を向
上させたプラズマエッチング装置に関する。
装置に関し、さらに詳しくは、エッチングの均一性を向
上させたプラズマエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造工程における加
工装置としてプラズマエッチング装置が多用されてい
る。この加工装置としてのプラズマエッチング装置に
は、等方的エッチングを行って、被処理物を均一にエッ
チングするプラズマエッチング装置や、異方性エッチン
グにより被処理物の微細加工をするプラズマエッチング
装置等があり、それぞれ目的に応じて使用されている。
後者の異方性エッチングを行うプラズマエッチング装置
に要求される性能としては、微細パターンの加工性、半
導体ウェハ全面での加工均一性、加工処理時間が短い等
の生産性、加工時における半導体ウェハへのダメージが
少ないこと等がある。この様な性能の要望を満たすプラ
ズマエッチング装置として、平行平板型ＲＩＥ装置、マ
グネトロン型ＲＩＥ装置、ＥＣＲエッチング装置、マイ
クロ波エッチング装置、ヘリコン波エッチング装置等が
ある。
工装置としてプラズマエッチング装置が多用されてい
る。この加工装置としてのプラズマエッチング装置に
は、等方的エッチングを行って、被処理物を均一にエッ
チングするプラズマエッチング装置や、異方性エッチン
グにより被処理物の微細加工をするプラズマエッチング
装置等があり、それぞれ目的に応じて使用されている。
後者の異方性エッチングを行うプラズマエッチング装置
に要求される性能としては、微細パターンの加工性、半
導体ウェハ全面での加工均一性、加工処理時間が短い等
の生産性、加工時における半導体ウェハへのダメージが
少ないこと等がある。この様な性能の要望を満たすプラ
ズマエッチング装置として、平行平板型ＲＩＥ装置、マ
グネトロン型ＲＩＥ装置、ＥＣＲエッチング装置、マイ
クロ波エッチング装置、ヘリコン波エッチング装置等が
ある。
【０００３】ここでは、プラズマエッチング装置の一つ
であるヘリコン波エッチング装置の例を、図３を参照し
て説明する。まず、ヘリコン波エッチング装置１は、図
３に示すように、ヘリコン波プラズマ発生部２とプラズ
マ処理部３とで概略構成されている。ヘリコン波プラズ
マ発生部２は、ヘリコン波プラズマの発生する石英チャ
ンバ１１と、この石英チャンバ１１を周回する２個のル
ープを有し、ＲＦパワーをプラズマにカップリングさせ
るためのループアンテナ１２と、石英チャンバ１１を周
回するごとく設けられ、石英チャンバ１１の軸方向に磁
界を形成するソレノイドコイル１３とが主要な構成要素
となっている。
であるヘリコン波エッチング装置の例を、図３を参照し
て説明する。まず、ヘリコン波エッチング装置１は、図
３に示すように、ヘリコン波プラズマ発生部２とプラズ
マ処理部３とで概略構成されている。ヘリコン波プラズ
マ発生部２は、ヘリコン波プラズマの発生する石英チャ
ンバ１１と、この石英チャンバ１１を周回する２個のル
ープを有し、ＲＦパワーをプラズマにカップリングさせ
るためのループアンテナ１２と、石英チャンバ１１を周
回するごとく設けられ、石英チャンバ１１の軸方向に磁
界を形成するソレノイドコイル１３とが主要な構成要素
となっている。
【０００４】上述したループアンテナ１２には、プラズ
マ励起用電源１４からインピーダンス整合用のマッチン
グボックス１５を介して、周波数１３．５６ＭＨｚのＲ
Ｆパワーが供給され、上下２個のループには、逆回りの
電流が流れる。なお、この２個のループ間の距離は、所
望のヘリコン波の波数に応じて、最適化がなされてい
る。
マ励起用電源１４からインピーダンス整合用のマッチン
グボックス１５を介して、周波数１３．５６ＭＨｚのＲ
Ｆパワーが供給され、上下２個のループには、逆回りの
電流が流れる。なお、この２個のループ間の距離は、所
望のヘリコン波の波数に応じて、最適化がなされてい
る。
【０００５】上述したソレノイドコイル１３は、ヘリコ
ン波の伝搬に寄与する内周側ソレノイドコイル１３ａ
と、ヘリコン波プラズマの輸送に寄与する外周側ソレノ
イドコイル１３ｂとで構成され、それぞれＤＣ電流源１
６より電流が供給される。
ン波の伝搬に寄与する内周側ソレノイドコイル１３ａ
と、ヘリコン波プラズマの輸送に寄与する外周側ソレノ
イドコイル１３ｂとで構成され、それぞれＤＣ電流源１
６より電流が供給される。
【０００６】プラズマ処理部３は、プロセスチャンバ２
１と、プロセスチャンバ２１内に設けた、被処理基板の
半導体ウェハ４を載置するウェハステージ２２で概略構
成されている。プロセスチャンバ２１部には、エッチン
グガス供給源（図示省略）よりエッチングガスを供給す
るガス配管２３と、プロセスチャンバ２１内の反応ガス
を排気装置（図示省略）により排気する排気管２４と、
プロセスチャンバ２１の外部に設けた、発散磁界を収束
させる補助磁界発生手段としてマルチカスプ磁界を形成
可能なマルチポール磁石２５が設けられている。
１と、プロセスチャンバ２１内に設けた、被処理基板の
半導体ウェハ４を載置するウェハステージ２２で概略構
成されている。プロセスチャンバ２１部には、エッチン
グガス供給源（図示省略）よりエッチングガスを供給す
るガス配管２３と、プロセスチャンバ２１内の反応ガス
を排気装置（図示省略）により排気する排気管２４と、
プロセスチャンバ２１の外部に設けた、発散磁界を収束
させる補助磁界発生手段としてマルチカスプ磁界を形成
可能なマルチポール磁石２５が設けられている。
【０００７】ウェハステージ２２は、プロセスチャンバ
２１より電気的に絶縁されている導電性部材より成り、
ウェハステージ２２内部に被処理基板である半導体ウェ
ハ４を加熱するためのヒータ（図示省略）が内蔵されい
る。また、ウェハステージ２２には、バイアス印加用Ｒ
Ｆ電源２６からブロッキングコンデンサ２７を介して、
周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーが印加される。ウ
ェハステージ２２上面には、半導体ウェハ４を載置した
後、半導体ウェハ４を押圧、固定するリング状の固定
具、例えば石英製のクランプ２２ａが昇降可能に配設さ
れている。
２１より電気的に絶縁されている導電性部材より成り、
ウェハステージ２２内部に被処理基板である半導体ウェ
ハ４を加熱するためのヒータ（図示省略）が内蔵されい
る。また、ウェハステージ２２には、バイアス印加用Ｒ
Ｆ電源２６からブロッキングコンデンサ２７を介して、
周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーが印加される。ウ
ェハステージ２２上面には、半導体ウェハ４を載置した
後、半導体ウェハ４を押圧、固定するリング状の固定
具、例えば石英製のクランプ２２ａが昇降可能に配設さ
れている。
【０００８】上述したヘリコン波エッチング装置１で
は、被処理基板の半導体ウェハ４のエッチング、例えば
ポリシリコン膜を堆積した半導体ウェハ４のポリシリコ
ン膜のエッチングの際に、図４（ａ）に示すように、高
密度のプラズマ化したエッチングガスが、半導体ウェハ
４面上にほぼ均一濃度で輸送されてきて、ポリシリコン
膜のエッチングが行われるが、ポリシリコン膜をエッチ
ングした時に発生する反応生成物、例えばＳｉＣｌx ガ
ス等が放出されると同時に、放出されたＳｉＣｌx ガス
等の一部が再付着しながら、ウェハステージ２２周辺部
より、排気管２４に向かって排気されてゆく。
は、被処理基板の半導体ウェハ４のエッチング、例えば
ポリシリコン膜を堆積した半導体ウェハ４のポリシリコ
ン膜のエッチングの際に、図４（ａ）に示すように、高
密度のプラズマ化したエッチングガスが、半導体ウェハ
４面上にほぼ均一濃度で輸送されてきて、ポリシリコン
膜のエッチングが行われるが、ポリシリコン膜をエッチ
ングした時に発生する反応生成物、例えばＳｉＣｌx ガ
ス等が放出されると同時に、放出されたＳｉＣｌx ガス
等の一部が再付着しながら、ウェハステージ２２周辺部
より、排気管２４に向かって排気されてゆく。
【０００９】このエッチング時の半導体ウェハ４上方に
おける反応生成物濃度分布は、プロセスチャンバ２１内
の気体の流れの関係で、図４（ｂ）に示すように、半導
体ウェハ４の外周に向かうにつれて、反応生成物の濃度
が低下する傾向を示す。反応生成物の被処理基板である
半導体ウェハ４面に再付着する割合は、半導体ウェハ４
上方の反応生成物濃度に依存する。この反応生成物が半
導体ウェハ４のポリシリコン膜面に再付着すると、ポリ
シリコン膜のエッチング速度が低下するので、図４
（ｂ）に示すような反応生成物濃度分布が存在すると、
図４（ｃ）に示すようなエッチング速度分布となる。
おける反応生成物濃度分布は、プロセスチャンバ２１内
の気体の流れの関係で、図４（ｂ）に示すように、半導
体ウェハ４の外周に向かうにつれて、反応生成物の濃度
が低下する傾向を示す。反応生成物の被処理基板である
半導体ウェハ４面に再付着する割合は、半導体ウェハ４
上方の反応生成物濃度に依存する。この反応生成物が半
導体ウェハ４のポリシリコン膜面に再付着すると、ポリ
シリコン膜のエッチング速度が低下するので、図４
（ｂ）に示すような反応生成物濃度分布が存在すると、
図４（ｃ）に示すようなエッチング速度分布となる。
【００１０】上記のようなエッチング速度分布となる
と、半導体ウェハ４面内のエッチング量に不均一性が出
て、パターニング不良箇所の発生、過剰エッチング箇所
の発生、エッチング不足箇所の発生等の問題が発生し
て、半導体装置の製造歩留を低下させる虞がある。
と、半導体ウェハ４面内のエッチング量に不均一性が出
て、パターニング不良箇所の発生、過剰エッチング箇所
の発生、エッチング不足箇所の発生等の問題が発生し
て、半導体装置の製造歩留を低下させる虞がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したプ
ラズマエッチング装置における問題点を解決することを
その目的とする。即ち本発明の課題は、被処理基板面内
のエッチング速度の均一化が可能なプラズマエッチング
装置を提供することを目的とする。
ラズマエッチング装置における問題点を解決することを
その目的とする。即ち本発明の課題は、被処理基板面内
のエッチング速度の均一化が可能なプラズマエッチング
装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマエッチ
ング装置は、上述の課題を解決するために提案するもの
であり、被処理基板を載置する基板ステージと、基板ス
テージに前記被処理基板を固定するリング状の固定部材
とを有するプラズマエッチング装置において、固定部材
の少なくとも表面部の材質を、前記被処理基板の被処理
対象物の材質と同じにすることを特徴とするものであ
る。
ング装置は、上述の課題を解決するために提案するもの
であり、被処理基板を載置する基板ステージと、基板ス
テージに前記被処理基板を固定するリング状の固定部材
とを有するプラズマエッチング装置において、固定部材
の少なくとも表面部の材質を、前記被処理基板の被処理
対象物の材質と同じにすることを特徴とするものであ
る。
【００１３】本発明によれば、プラズマエッチング装置
の被処理基板のリング状の固定部材の少なくとも表面部
の材質を、被処理基板の被処理対象物の材質と同じにす
ることで、エッチング時に発生する反応生成物の被処理
基板上方における濃度分布をより均一化し、この反応生
成物濃度分布に依存した反応生成物の再付着の被処理基
板面内分布を均一化することで、エッチング速度の被処
理基板面内均一性を図ることができる。
の被処理基板のリング状の固定部材の少なくとも表面部
の材質を、被処理基板の被処理対象物の材質と同じにす
ることで、エッチング時に発生する反応生成物の被処理
基板上方における濃度分布をより均一化し、この反応生
成物濃度分布に依存した反応生成物の再付着の被処理基
板面内分布を均一化することで、エッチング速度の被処
理基板面内均一性を図ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図３中の構成部分と同様の構成部分に
は、同一の参照符号を付すものとする。
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図３中の構成部分と同様の構成部分に
は、同一の参照符号を付すものとする。
【００１５】本実施の形態例は、プラズマエッチング装
置の一つであるヘリコン波エッチング装置に本発明を適
用した例であり、これを図１〜図２を参照して説明す
る。まず、ヘリコン波エッチング装置１の基本的構成
は、図１に示すように、従来例のヘリコン波エッチング
装置１と同様なので、同様の構成部分の説明は省略す
る。ヘリコン波エッチング装置１の被処理基板、例えば
半導体ウェハ４を載置する基板ステージ、例えば半導体
ウェハ４のウェハステージ３０は、プロセスチャンバ２
１より電気的に絶縁されている導電性部材より成り、ウ
ェハステージ３０内部に被処理基板である半導体ウェハ
４を加熱するためのヒータ（図示省略）が内蔵されい
る。ウェハステージ３０上面には、半導体ウェハ４を載
置した後、半導体ウェハ４を押圧、固定するリング状の
固定部材、例えば石英製部材３１ａと、この石英製部材
と密着させた多結晶シリコン製部材３１ｂとで構成され
たクランプ３１が昇降可能に配設されている。
置の一つであるヘリコン波エッチング装置に本発明を適
用した例であり、これを図１〜図２を参照して説明す
る。まず、ヘリコン波エッチング装置１の基本的構成
は、図１に示すように、従来例のヘリコン波エッチング
装置１と同様なので、同様の構成部分の説明は省略す
る。ヘリコン波エッチング装置１の被処理基板、例えば
半導体ウェハ４を載置する基板ステージ、例えば半導体
ウェハ４のウェハステージ３０は、プロセスチャンバ２
１より電気的に絶縁されている導電性部材より成り、ウ
ェハステージ３０内部に被処理基板である半導体ウェハ
４を加熱するためのヒータ（図示省略）が内蔵されい
る。ウェハステージ３０上面には、半導体ウェハ４を載
置した後、半導体ウェハ４を押圧、固定するリング状の
固定部材、例えば石英製部材３１ａと、この石英製部材
と密着させた多結晶シリコン製部材３１ｂとで構成され
たクランプ３１が昇降可能に配設されている。
【００１６】次に、このヘリコン波エッチング装置１を
用いた被処理基板のエッチング状態、例えばポリシリコ
ン膜が堆積された半導体ウェハ４の、ポリシリコン膜の
エッチング状態を説明する。ヘリコン波エッチング装置
１により半導体ウェハ４のポリシリコン膜をエッチング
すると、半導体ウェハ４のポリシリコン膜や、クランプ
３１表面部に配置された多結晶シリコン製部材３１ｂが
エッチングされ、図２（ａ）に示すように、エッチング
時の反応生成物、例えばＳｉＣｌX ガスが半導体ウェハ
４面およびクランプ３１面より放出される。一方、半導
体ウェハ４面およびクランプ３１面より放出された反応
生成物の一部は、排気される過程で、半導体ウェハ４面
およびクランプ３１面に再付着する現象が起きる。
用いた被処理基板のエッチング状態、例えばポリシリコ
ン膜が堆積された半導体ウェハ４の、ポリシリコン膜の
エッチング状態を説明する。ヘリコン波エッチング装置
１により半導体ウェハ４のポリシリコン膜をエッチング
すると、半導体ウェハ４のポリシリコン膜や、クランプ
３１表面部に配置された多結晶シリコン製部材３１ｂが
エッチングされ、図２（ａ）に示すように、エッチング
時の反応生成物、例えばＳｉＣｌX ガスが半導体ウェハ
４面およびクランプ３１面より放出される。一方、半導
体ウェハ４面およびクランプ３１面より放出された反応
生成物の一部は、排気される過程で、半導体ウェハ４面
およびクランプ３１面に再付着する現象が起きる。
【００１７】このエッチング時の半導体ウェハ４上方に
おける反応生成物濃度分布は、プロセスチャンバ２１の
気体の流れの関係で、図２（ｂ）に示すように、半導体
ウェハ４の外周に向かうにつれて、反応生成物の濃度が
低下する傾向を示す。図２（ｂ）に示す反応生成物濃度
分布は、反応生成物がクランプ３１面からも放出される
ために、従来例（図４（ｂ）参照）と異なって、半導体
ウェハ４の周辺部に向かって緩やかな濃度減少を示す濃
度分布となる。
おける反応生成物濃度分布は、プロセスチャンバ２１の
気体の流れの関係で、図２（ｂ）に示すように、半導体
ウェハ４の外周に向かうにつれて、反応生成物の濃度が
低下する傾向を示す。図２（ｂ）に示す反応生成物濃度
分布は、反応生成物がクランプ３１面からも放出される
ために、従来例（図４（ｂ）参照）と異なって、半導体
ウェハ４の周辺部に向かって緩やかな濃度減少を示す濃
度分布となる。
【００１８】反応生成物の半導体ウェハ４面に再付着す
る割合は、半導体ウェハ４上方の反応生成物濃度に依存
し、反応生成物が半導体ウェハ４のポリシリコン膜面に
再付着すると、ポリシリコン膜のエッチング速度が低下
する。そのため、図２（ｂ）に示すように、緩やかな濃
度減少を示す反応生成物濃度分布になると、半導体ウェ
ハ４のポリシリコン膜のエッチング速度分布は、図２
（ｃ）に示すように、従来例のエッチング速度分布（図
４（ｃ）参照）に比べて緩やかなエッチング速度分布と
なる。
る割合は、半導体ウェハ４上方の反応生成物濃度に依存
し、反応生成物が半導体ウェハ４のポリシリコン膜面に
再付着すると、ポリシリコン膜のエッチング速度が低下
する。そのため、図２（ｂ）に示すように、緩やかな濃
度減少を示す反応生成物濃度分布になると、半導体ウェ
ハ４のポリシリコン膜のエッチング速度分布は、図２
（ｃ）に示すように、従来例のエッチング速度分布（図
４（ｃ）参照）に比べて緩やかなエッチング速度分布と
なる。
【００１９】上記のようなヘリコン波エッチング装置１
を用いると、ポリシリコン膜を堆積した半導体ウェハ４
のポリシリコン膜をエッチングする際、半導体ウェハ４
面内で均一なエッチングが可能となる。
を用いると、ポリシリコン膜を堆積した半導体ウェハ４
のポリシリコン膜をエッチングする際、半導体ウェハ４
面内で均一なエッチングが可能となる。
【００２０】以上、本発明を実施の形態例により説明し
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、上述した本実施の形態例では、ヘリ
コン波エッチング装置で半導体ウェハのポリシリコン膜
をエッチングする場合について説明したが、ヘリコン波
エッチング装置で半導体ウェハの配線膜、例えば１％Ｓ
ｉを含むＡｌ合金膜や、タングステン膜等の高融点金属
膜等のエッチングにおいては、クランプの少なくとも表
面部材を配線膜と同じ材質であるＡｌ製部材や、高融点
金属部材を用いればよい。
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、上述した本実施の形態例では、ヘリ
コン波エッチング装置で半導体ウェハのポリシリコン膜
をエッチングする場合について説明したが、ヘリコン波
エッチング装置で半導体ウェハの配線膜、例えば１％Ｓ
ｉを含むＡｌ合金膜や、タングステン膜等の高融点金属
膜等のエッチングにおいては、クランプの少なくとも表
面部材を配線膜と同じ材質であるＡｌ製部材や、高融点
金属部材を用いればよい。
【００２１】また、上述した本実施の形態例では、プラ
ズマエッチング装置としてヘリコン波エッチング装置を
用いて説明したが、被処理基板をウェハステージに固定
させるクランプ部がリング状をした、平行平板型ＲＩＥ
装置、マグネトロン型ＲＩＥ装置、ＥＣＲエッチング装
置、ＩＣＰ型エッチング装置等のプラズマエッチング装
置でもよい。
ズマエッチング装置としてヘリコン波エッチング装置を
用いて説明したが、被処理基板をウェハステージに固定
させるクランプ部がリング状をした、平行平板型ＲＩＥ
装置、マグネトロン型ＲＩＥ装置、ＥＣＲエッチング装
置、ＩＣＰ型エッチング装置等のプラズマエッチング装
置でもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のプラズマエッチング装置は、半導体ウェハを基板ステ
ージに固定するリング状のクランプ部の少なくとも表面
部材を被処理基板の被処理物の材質と同じにすること
で、半導体ウェハ面内のプラズマエッチング速度をほぼ
一定にすることができる。従って、半導体装置の製造に
おけるプラズマエッチング工程でのパターニング不良箇
所の発生、過剰エッチング箇所の発生、エッチング不足
箇所の発生等が抑止でき、半導体装置の製造歩留が向上
する。
のプラズマエッチング装置は、半導体ウェハを基板ステ
ージに固定するリング状のクランプ部の少なくとも表面
部材を被処理基板の被処理物の材質と同じにすること
で、半導体ウェハ面内のプラズマエッチング速度をほぼ
一定にすることができる。従って、半導体装置の製造に
おけるプラズマエッチング工程でのパターニング不良箇
所の発生、過剰エッチング箇所の発生、エッチング不足
箇所の発生等が抑止でき、半導体装置の製造歩留が向上
する。
【図１】本発明を適用した実施の形態例におけるヘリコ
ン波エッチング装置の概略断面図である。
ン波エッチング装置の概略断面図である。
【図２】本発明を適用した実施の形態例のヘリコン波エ
ッチング装置による、エッチング時の状態を説明する図
で、（ａ）はエッチング時のウェハステージ近傍を示す
概略断面図、（ｂ）は半導体ウェハ上方の反応生成物の
濃度分布図、（ｃ）は半導体ウェハ面内のエッチング速
度分布図である。
ッチング装置による、エッチング時の状態を説明する図
で、（ａ）はエッチング時のウェハステージ近傍を示す
概略断面図、（ｂ）は半導体ウェハ上方の反応生成物の
濃度分布図、（ｃ）は半導体ウェハ面内のエッチング速
度分布図である。
【図３】従来例のヘリコン波エッチング装置の概略断面
図である。
図である。
【図４】従来例のヘリコン波エッチング装置による、エ
ッチング時の状態を説明する図で、（ａ）はエッチング
時のウェハステージ近傍を示す概略断面図、（ｂ）は半
導体ウェハ上方の反応生成物の濃度分布図、（ｃ）は半
導体ウェハ面内のエッチング速度分布図である。
ッチング時の状態を説明する図で、（ａ）はエッチング
時のウェハステージ近傍を示す概略断面図、（ｂ）は半
導体ウェハ上方の反応生成物の濃度分布図、（ｃ）は半
導体ウェハ面内のエッチング速度分布図である。
１…ヘリコン波エッチング装置、２…ヘリコン波プラズ
マ発生部、３…プラズマ処理部、４…半導体ウェハ、１
１…石英チャンバ、１２…ループアンテナ、１３…ソレ
ノイドコイル、１３ａ…内周側ソレノイドコイル、１３
ｂ…外周側ソレノイドコイル、１４…プラズマ励起用電
源、１５…マッチングボックス、１６…ＤＣ電流源、２
１…プロセスチャンバ、２２，３０…ウェハステージ、
２２ａ，３１…クランプ、２３…ガス配管、２４…排気
管、２５…マルチポール磁石、２６…バイアス印加用Ｒ
Ｆ電源、２７…ブロッキングコンデンサ、３１ａ…石英
製部材、３１ｂ…多結晶シリコン製部材
マ発生部、３…プラズマ処理部、４…半導体ウェハ、１
１…石英チャンバ、１２…ループアンテナ、１３…ソレ
ノイドコイル、１３ａ…内周側ソレノイドコイル、１３
ｂ…外周側ソレノイドコイル、１４…プラズマ励起用電
源、１５…マッチングボックス、１６…ＤＣ電流源、２
１…プロセスチャンバ、２２，３０…ウェハステージ、
２２ａ，３１…クランプ、２３…ガス配管、２４…排気
管、２５…マルチポール磁石、２６…バイアス印加用Ｒ
Ｆ電源、２７…ブロッキングコンデンサ、３１ａ…石英
製部材、３１ｂ…多結晶シリコン製部材
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理基板を載置する基板ステージと、
前記基板ステージに前記被処理基板を固定するリング状
の固定部材とを有するプラズマエッチング装置におい
て、 前記固定部材の少なくとも表面部の材質が、前記被処理
基板の被処理対象物の材質と同じであることを特徴とす
るプラズマエッチング装置。 - 【請求項２】 前記被処理基板の前記被処理対象物が多
結晶膜シリコン膜で、前記固定部材の表面部の材質が多
結晶シリコンであることを特徴とする、請求項１に記載
のプラズマエッチング装置。 - 【請求項３】 前記被処理基板の前記被処理対象物の材
質により、前記固定部材の少なくとも表面の材質は交換
可能であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズ
マエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2348597A JPH10223610A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2348597A JPH10223610A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223610A true JPH10223610A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12111837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2348597A Pending JPH10223610A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223610A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222795A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Anelva Corp | ドライエッチング装置 |
| JP2003506865A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | ソフトエッチングシステムのバックグランド酸素制御によるエッチング速度増強法 |
-
1997
- 1997-02-06 JP JP2348597A patent/JPH10223610A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506865A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | ソフトエッチングシステムのバックグランド酸素制御によるエッチング速度増強法 |
| JP2002222795A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Anelva Corp | ドライエッチング装置 |
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