JPH1022422A - ２層樹脂封止型集積回路装置及びその製造方法 - Google Patents
２層樹脂封止型集積回路装置及びその製造方法Info
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- JPH1022422A JPH1022422A JP8175236A JP17523696A JPH1022422A JP H1022422 A JPH1022422 A JP H1022422A JP 8175236 A JP8175236 A JP 8175236A JP 17523696 A JP17523696 A JP 17523696A JP H1022422 A JPH1022422 A JP H1022422A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形しやすくかつパッケージクラックの発生
を確実に防止することのできる樹脂封止型集積回路装置
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 この装置は、集積回路が形成されたＩＣ
チップ１と、チップの端子に接続されるリード（２ａ，
２ｂ）とを含む集積回路装置であり、チップ及びリード
のチップ側端部を包埋する低応力性内部樹脂層４と、こ
の内部樹脂層を包埋する高強度及び低吸湿性外部樹脂層
５とを有し、両樹脂層は互いに略相似形である。また、
この集積回路装置の製造方法は、所定形状の第１キャビ
ティを有する金型を用いて低応力性樹脂によりチップ及
びリードのチップ側端部を包埋する内部樹脂層を形成す
る第１モールド工程と、その所定形状に相似しかつそれ
より大なる形状の第２キャビティを有する金型を用いて
高強度及び低吸湿性樹脂により内部樹脂層を包埋する外
部樹脂層を形成する第２モールド工程とを含む。
を確実に防止することのできる樹脂封止型集積回路装置
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 この装置は、集積回路が形成されたＩＣ
チップ１と、チップの端子に接続されるリード（２ａ，
２ｂ）とを含む集積回路装置であり、チップ及びリード
のチップ側端部を包埋する低応力性内部樹脂層４と、こ
の内部樹脂層を包埋する高強度及び低吸湿性外部樹脂層
５とを有し、両樹脂層は互いに略相似形である。また、
この集積回路装置の製造方法は、所定形状の第１キャビ
ティを有する金型を用いて低応力性樹脂によりチップ及
びリードのチップ側端部を包埋する内部樹脂層を形成す
る第１モールド工程と、その所定形状に相似しかつそれ
より大なる形状の第２キャビティを有する金型を用いて
高強度及び低吸湿性樹脂により内部樹脂層を包埋する外
部樹脂層を形成する第２モールド工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子及び／
またはその他の素子により形成される集積回路に関し、
特に、集積回路を搭載するチップが樹脂封止される集積
回路装置及びその製造方法に関する。
またはその他の素子により形成される集積回路に関し、
特に、集積回路を搭載するチップが樹脂封止される集積
回路装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路が形成されたＩＣチップと、こ
れを封止、包埋するパッケージとを含む集積回路装置の
プリント基板への表面実装に際して、しばしば当該パッ
ケージボディに生じるクラックが問題になる。一般に、
樹脂封止型の集積回路装置においては、パッケージクラ
ックの発生原因として、表面実装に至るまでの当該装置
の保存期間中、環境雰囲気によって樹脂が吸湿すること
が最大の原因と考えられている。
れを封止、包埋するパッケージとを含む集積回路装置の
プリント基板への表面実装に際して、しばしば当該パッ
ケージボディに生じるクラックが問題になる。一般に、
樹脂封止型の集積回路装置においては、パッケージクラ
ックの発生原因として、表面実装に至るまでの当該装置
の保存期間中、環境雰囲気によって樹脂が吸湿すること
が最大の原因と考えられている。
【０００３】クラック対策として、間接的にはリードフ
レームのダイパッド部のパッケージボディに対する占有
面積を小さくしてパッケージボディの内部応力を低下さ
せる方法もあるが、コスト高になりやすい。他方、一般
的には封止樹脂を直接改善の対象とした対策が採られ、
この対策は大きく分けて次の２つがあり、目的に応じて
どちらか１つが選ばれる。
レームのダイパッド部のパッケージボディに対する占有
面積を小さくしてパッケージボディの内部応力を低下さ
せる方法もあるが、コスト高になりやすい。他方、一般
的には封止樹脂を直接改善の対象とした対策が採られ、
この対策は大きく分けて次の２つがあり、目的に応じて
どちらか１つが選ばれる。
【０００４】（１） 封止樹脂の高強度化及び低吸湿化 これは、充填剤（フィラー）として低吸湿の物質が採用
されかつ主剤（ベースレジン）への充填率を高くした封
止樹脂を採用することにより、パッケージボディの機械
的強度の増加を図るものである。 （２） 封止樹脂を低応力化 これは、シリコーン等の可とう剤を封止樹脂中に分散さ
せることにより、パッケージボディの内部応力緩和を図
るものである。
されかつ主剤（ベースレジン）への充填率を高くした封
止樹脂を採用することにより、パッケージボディの機械
的強度の増加を図るものである。 （２） 封止樹脂を低応力化 これは、シリコーン等の可とう剤を封止樹脂中に分散さ
せることにより、パッケージボディの内部応力緩和を図
るものである。
【０００５】これら対策の効果は、パッケージ形態によ
って一長一短であり、全ての場合に適する訳ではない。
その理由は、大チップ化、狭リードピッチ化及びパッケ
ージ薄型化の要求が一層高まってきている昨今の背景に
ある。すなわち、上記パッケージクラック対策を講ずる
と、これらの要求を満たすパッケージ形成のための樹脂
モールド自体が非常に困難になるのである。
って一長一短であり、全ての場合に適する訳ではない。
その理由は、大チップ化、狭リードピッチ化及びパッケ
ージ薄型化の要求が一層高まってきている昨今の背景に
ある。すなわち、上記パッケージクラック対策を講ずる
と、これらの要求を満たすパッケージ形成のための樹脂
モールド自体が非常に困難になるのである。
【０００６】順に詳しく説明すると、上記（１）の如き
高強度及び低吸湿性の封止樹脂を使用した場合、耐パッ
ケージクラック性は高くなるが樹脂粘度が高いので、モ
ールド工程における金型への樹脂注入の際に、チップと
内部リード端とを接続するボンディングワイヤが流れて
しまったり（ワイヤー流れ）、リードフレームのダイパ
ッドが傾斜或いは偏倚してしまったりする（ダイパッド
シフト）などの問題が生じやすい。また、上記（２）の
如き低応力化を奏する封止樹脂を使用した場合は、その
樹脂粘度を低く抑えることができるので、ワイヤー流れ
やダイパッドシフトの問題は緩和されるが、耐パッケー
ジクラック性能は上記（１）の対策に比べて劣る。
高強度及び低吸湿性の封止樹脂を使用した場合、耐パッ
ケージクラック性は高くなるが樹脂粘度が高いので、モ
ールド工程における金型への樹脂注入の際に、チップと
内部リード端とを接続するボンディングワイヤが流れて
しまったり（ワイヤー流れ）、リードフレームのダイパ
ッドが傾斜或いは偏倚してしまったりする（ダイパッド
シフト）などの問題が生じやすい。また、上記（２）の
如き低応力化を奏する封止樹脂を使用した場合は、その
樹脂粘度を低く抑えることができるので、ワイヤー流れ
やダイパッドシフトの問題は緩和されるが、耐パッケー
ジクラック性能は上記（１）の対策に比べて劣る。
【０００７】このように封止樹脂の物性だけによるパッ
ケージクラック対策には、モールド上の問題が課題とし
て残されている。一方、上記（１）及び（２）の対策の
双方を同時に適用した例として、特開昭６２−１２８１
５８号公報に記載の技術がある。これによれば、回路素
子を形成した半導体チップが搭載されているステージ
（ダイパッド）の下部に板状の絶縁性部材が設置され、
該ステージ近傍が第１の低応力の樹脂にてポッティング
成形され、該ポッティング成形された樹脂の周囲が、第
２の高耐湿でかつ高応力の樹脂にてトランスファ成形さ
れていることを特徴とする半導体装置が開示されてい
る。
ケージクラック対策には、モールド上の問題が課題とし
て残されている。一方、上記（１）及び（２）の対策の
双方を同時に適用した例として、特開昭６２−１２８１
５８号公報に記載の技術がある。これによれば、回路素
子を形成した半導体チップが搭載されているステージ
（ダイパッド）の下部に板状の絶縁性部材が設置され、
該ステージ近傍が第１の低応力の樹脂にてポッティング
成形され、該ポッティング成形された樹脂の周囲が、第
２の高耐湿でかつ高応力の樹脂にてトランスファ成形さ
れていることを特徴とする半導体装置が開示されてい
る。
【０００８】しかしながら、この開示技術においては、
ステージ近傍に形成された低応力の内側樹脂部は、ポッ
ティング成形によるものなので、頂部が丸みを帯び底面
が平板状の絶縁性部材に沿って平坦となった丘陵状を呈
している。従って内側樹脂部は上下非対称の形であり、
高応力の外側樹脂をトランスファ成形するに際し、対応
する金型キャビティ内にその丘陵状の内側樹脂部を配し
て樹脂注入を行うと、当該キャビティ内で注入樹脂が乱
流を起こす可能性が高い。この乱流によって内側樹脂部
は、押し下げられたり引き上げられたり、或いは傾けら
れたりしてしまい、最終的に成形される外側樹脂におい
て、チップ及び内側樹脂部が均一に包埋されない結果と
なることが予想される。このような外部樹脂の不均一性
は、パッケージボディにおける局部的な強度過多及び強
度不足を与え、もって耐パッケージクラック性を大きく
損なうこととなる。
ステージ近傍に形成された低応力の内側樹脂部は、ポッ
ティング成形によるものなので、頂部が丸みを帯び底面
が平板状の絶縁性部材に沿って平坦となった丘陵状を呈
している。従って内側樹脂部は上下非対称の形であり、
高応力の外側樹脂をトランスファ成形するに際し、対応
する金型キャビティ内にその丘陵状の内側樹脂部を配し
て樹脂注入を行うと、当該キャビティ内で注入樹脂が乱
流を起こす可能性が高い。この乱流によって内側樹脂部
は、押し下げられたり引き上げられたり、或いは傾けら
れたりしてしまい、最終的に成形される外側樹脂におい
て、チップ及び内側樹脂部が均一に包埋されない結果と
なることが予想される。このような外部樹脂の不均一性
は、パッケージボディにおける局部的な強度過多及び強
度不足を与え、もって耐パッケージクラック性を大きく
損なうこととなる。
【０００９】また、内側樹脂部が上下非対称の形である
こと及びその底面側に板状の絶縁性部材が配されている
ことに起因して、外側樹脂の成形収縮によってパッケー
ジ全体に反りが発生する可能性もある。これも耐パッケ
ージクラック性を損なう要因となる。
こと及びその底面側に板状の絶縁性部材が配されている
ことに起因して、外側樹脂の成形収縮によってパッケー
ジ全体に反りが発生する可能性もある。これも耐パッケ
ージクラック性を損なう要因となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した点
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、成形しやすくかつパッケージクラックの発生を確実
に防止することのできる樹脂封止型集積回路装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、成形しやすくかつパッケージクラックの発生を確実
に防止することのできる樹脂封止型集積回路装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による２層樹脂封
止型集積回路装置は、集積回路が形成されたＩＣチップ
と、前記チップの端子に接続されるリードとを含む集積
回路装置であって、前記チップ及び前記リードのチップ
側端部を包埋する低応力性内部樹脂層と、前記内部樹脂
層を包埋する高強度及び低吸湿性外部樹脂層とを有し、
前記内部樹脂層と前記外部樹脂層とは互いに略相似形で
あることを特徴としている。
止型集積回路装置は、集積回路が形成されたＩＣチップ
と、前記チップの端子に接続されるリードとを含む集積
回路装置であって、前記チップ及び前記リードのチップ
側端部を包埋する低応力性内部樹脂層と、前記内部樹脂
層を包埋する高強度及び低吸湿性外部樹脂層とを有し、
前記内部樹脂層と前記外部樹脂層とは互いに略相似形で
あることを特徴としている。
【００１２】本発明による２層樹脂封止型集積回路装置
の製造方法は、集積回路が形成されたＩＣチップと、前
記チップの端子に接続されるリードとを含む集積回路装
置の製造方法であって、所定形状の第１キャビティを有
する金型を用いて低応力性樹脂により前記チップ及び前
記リードのチップ側端部を包埋する内部樹脂層を形成す
る第１モールド工程と、前記所定形状に相似しかつそれ
より大なる形状の第２キャビティを有する金型を用いて
高強度及び低吸湿性樹脂により前記内部樹脂層を包埋す
る外部樹脂層を形成する第２モールド工程とを含むこと
を特徴としている。
の製造方法は、集積回路が形成されたＩＣチップと、前
記チップの端子に接続されるリードとを含む集積回路装
置の製造方法であって、所定形状の第１キャビティを有
する金型を用いて低応力性樹脂により前記チップ及び前
記リードのチップ側端部を包埋する内部樹脂層を形成す
る第１モールド工程と、前記所定形状に相似しかつそれ
より大なる形状の第２キャビティを有する金型を用いて
高強度及び低吸湿性樹脂により前記内部樹脂層を包埋す
る外部樹脂層を形成する第２モールド工程とを含むこと
を特徴としている。
【００１３】本発明による２層樹脂封止型集積回路装置
の製造方法は、集積回路が形成されたＩＣチップをリー
ドフレームのダイパッドに固着するダイボンディング工
程と、前記チップのパッドと前記リードフレームの内部
リード先端との間を個々にワイヤー接続するワイヤーボ
ンディング工程と、ワイヤーボンディングの施された前
記チップ並びに前記リードフレームのダイパッド及び前
記内部リード先端部を所定形状の第１キャビティを有す
る金型を用いて低応力性樹脂により包埋する内部樹脂層
を形成する第１モールド工程と、前記所定形状に相似し
かつそれより大なる形状の第２キャビティを有する金型
を用いて高強度及び低吸湿性樹脂により前記内部樹脂層
を包埋する外部樹脂層を形成する第２モールド工程と、
前記外部樹脂層の形成後において前記リードフレームか
ら不要部分を除去しかつ前記リードフレームの外部リー
ドを整形する整形工程と、を含むことを特徴としてい
る。
の製造方法は、集積回路が形成されたＩＣチップをリー
ドフレームのダイパッドに固着するダイボンディング工
程と、前記チップのパッドと前記リードフレームの内部
リード先端との間を個々にワイヤー接続するワイヤーボ
ンディング工程と、ワイヤーボンディングの施された前
記チップ並びに前記リードフレームのダイパッド及び前
記内部リード先端部を所定形状の第１キャビティを有す
る金型を用いて低応力性樹脂により包埋する内部樹脂層
を形成する第１モールド工程と、前記所定形状に相似し
かつそれより大なる形状の第２キャビティを有する金型
を用いて高強度及び低吸湿性樹脂により前記内部樹脂層
を包埋する外部樹脂層を形成する第２モールド工程と、
前記外部樹脂層の形成後において前記リードフレームか
ら不要部分を除去しかつ前記リードフレームの外部リー
ドを整形する整形工程と、を含むことを特徴としてい
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明による一実
施例のＱＦＰ（Quad Flat Package ）半導体集積回路装
置の概略断面図である。図１において、半導体集積回路
が形成されたＩＣチップ１は、リードフレームのダイパ
ッド２０に載置され、両者の接合部において例えば共晶
合金を形成することによって、或いは塗布された銀ペー
ストにてダイパッド２０に固着される。チップ１の表面
には、図示せぬＰＳＧ（リンガラス）膜の如き表面保護
膜が被覆されるも、当該チップ外縁近傍において電極或
いは入出力端子たる例えばアルミ性のパッドが複数、露
出形成される。これらパッドとリードフレームのインナ
ーリード２ａの先端部との間は、ボンディングワイヤー
３によって接続される。インナーリード２ａは、チップ
１の各パッドと対応しており、個々に延出してアウター
リード２ｂへと導かれる。アウターリード２ｂは、表面
実装用に、すなわちプリント基板の配線パターン表面に
接触させて固着するためにガルウィング形状に整形され
る。
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明による一実
施例のＱＦＰ（Quad Flat Package ）半導体集積回路装
置の概略断面図である。図１において、半導体集積回路
が形成されたＩＣチップ１は、リードフレームのダイパ
ッド２０に載置され、両者の接合部において例えば共晶
合金を形成することによって、或いは塗布された銀ペー
ストにてダイパッド２０に固着される。チップ１の表面
には、図示せぬＰＳＧ（リンガラス）膜の如き表面保護
膜が被覆されるも、当該チップ外縁近傍において電極或
いは入出力端子たる例えばアルミ性のパッドが複数、露
出形成される。これらパッドとリードフレームのインナ
ーリード２ａの先端部との間は、ボンディングワイヤー
３によって接続される。インナーリード２ａは、チップ
１の各パッドと対応しており、個々に延出してアウター
リード２ｂへと導かれる。アウターリード２ｂは、表面
実装用に、すなわちプリント基板の配線パターン表面に
接触させて固着するためにガルウィング形状に整形され
る。
【００１５】本実施例の特徴は、チップ１及びその周辺
部を低応力化樹脂層４にて封止し、この低応力化樹脂層
４を高強度及び低吸湿化樹脂層５にてさらに封止する２
層構造を有する点だけでなく、低応力化樹脂層４と高強
度及び低吸湿化樹脂層５とを互いに略相似形状とした
点、低応力化樹脂層４を上下左右に対称形とした点にあ
る。
部を低応力化樹脂層４にて封止し、この低応力化樹脂層
４を高強度及び低吸湿化樹脂層５にてさらに封止する２
層構造を有する点だけでなく、低応力化樹脂層４と高強
度及び低吸湿化樹脂層５とを互いに略相似形状とした
点、低応力化樹脂層４を上下左右に対称形とした点にあ
る。
【００１６】より詳しく説明すると、低応力化樹脂（以
下、内部樹脂層と呼ぶ）４の材料としては、例えばフェ
ノールノボラック型エポキシ系樹脂が採用され得、チッ
プ１，ボンディングワイヤ３，インナーリード２ａの端
部及びダイパッド２０を包埋する。高強度及び低吸湿化
樹脂（以下、外部樹脂層と呼ぶ）５の材料としては、例
えばビフェニィル系エポキシ系樹脂が採用され得、内部
樹脂層４を包埋し、完成品におけるパッケージボディの
外形を担う。そして外部樹脂層５の外形が、側面或いは
断面において概ね図示の如き等しい２つの台形を互いに
その底辺どうしを合わせて作られる形を呈し、平面にお
いて例えば略正四角形を呈するものであれば、内部樹脂
層４も、その側面或いは断面においてやはり概ね図示の
如き等しい２つの台形を互いにその底辺どうしを合わせ
て作られる形を呈し、平面において例えば略正四角形を
呈する。但し図１より理解できるように、内部樹脂層４
の側面或いは断面における台形は、外部樹脂層５のそれ
よりも一回り小さく、また、内部樹脂層４の平面におけ
る正四角形は、外部樹脂層５のそれよりも一回り小さ
い。また、内部及び外部樹脂層４，５は共に、側面或い
は断面において概ね上下及び左右対称の形を呈するよう
形成される。
下、内部樹脂層と呼ぶ）４の材料としては、例えばフェ
ノールノボラック型エポキシ系樹脂が採用され得、チッ
プ１，ボンディングワイヤ３，インナーリード２ａの端
部及びダイパッド２０を包埋する。高強度及び低吸湿化
樹脂（以下、外部樹脂層と呼ぶ）５の材料としては、例
えばビフェニィル系エポキシ系樹脂が採用され得、内部
樹脂層４を包埋し、完成品におけるパッケージボディの
外形を担う。そして外部樹脂層５の外形が、側面或いは
断面において概ね図示の如き等しい２つの台形を互いに
その底辺どうしを合わせて作られる形を呈し、平面にお
いて例えば略正四角形を呈するものであれば、内部樹脂
層４も、その側面或いは断面においてやはり概ね図示の
如き等しい２つの台形を互いにその底辺どうしを合わせ
て作られる形を呈し、平面において例えば略正四角形を
呈する。但し図１より理解できるように、内部樹脂層４
の側面或いは断面における台形は、外部樹脂層５のそれ
よりも一回り小さく、また、内部樹脂層４の平面におけ
る正四角形は、外部樹脂層５のそれよりも一回り小さ
い。また、内部及び外部樹脂層４，５は共に、側面或い
は断面において概ね上下及び左右対称の形を呈するよう
形成される。
【００１７】このように略相似形及び対称形の２層樹脂
封止構造を有する集積回路装置によれば、上記公開公報
に記載の技術とは異なり、内部樹脂層４に対しても外部
樹脂層５に対してもパッケージにおける均一性が非常に
高く、耐パッケージクラック性が向上する。また、内部
樹脂層４が対称形状であることにより、外部樹脂層５を
トランスファ成形するに際して上述したような乱流を起
こす可能性が少ない。これに付言すれば、内部樹脂層４
は、ボンディングワイヤ３，インナーリード２ａの端部
及びダイパッド２０だけでなく、リードフレームの外枠
とダイパッド２０との間を橋絡するためのパターン（完
成品においてはダイパッド２０を例えば四方において支
えるパターン）、すなわち図１に破線にて示されたいわ
ゆる吊りピン２ｃの内側をも包埋していることにより、
外部樹脂層５のトランスファ成形に際し内部樹脂層４全
体の安定化がより一層促進され、もって外部樹脂層５の
均一性が増進する結果を生んでいる。
封止構造を有する集積回路装置によれば、上記公開公報
に記載の技術とは異なり、内部樹脂層４に対しても外部
樹脂層５に対してもパッケージにおける均一性が非常に
高く、耐パッケージクラック性が向上する。また、内部
樹脂層４が対称形状であることにより、外部樹脂層５を
トランスファ成形するに際して上述したような乱流を起
こす可能性が少ない。これに付言すれば、内部樹脂層４
は、ボンディングワイヤ３，インナーリード２ａの端部
及びダイパッド２０だけでなく、リードフレームの外枠
とダイパッド２０との間を橋絡するためのパターン（完
成品においてはダイパッド２０を例えば四方において支
えるパターン）、すなわち図１に破線にて示されたいわ
ゆる吊りピン２ｃの内側をも包埋していることにより、
外部樹脂層５のトランスファ成形に際し内部樹脂層４全
体の安定化がより一層促進され、もって外部樹脂層５の
均一性が増進する結果を生んでいる。
【００１８】次に、この集積回路装置の製造方法につい
て叙述する。先ず全体的な製造の流れを明らかにするた
めに、図２を参照する。図２は、いわゆるアセンブリ工
程を主としたフローチャートを示しており、ウェハに形
成されたチップを個々に分割するダイシング（工程Ｓ１
０）から始まる。そして、このダイシングにより得られ
たチップ１をリードフレーム２のダイパッド上に銀ペー
ストを介して載置するためのダイボンディング（工程Ｓ
１１）が施される。
て叙述する。先ず全体的な製造の流れを明らかにするた
めに、図２を参照する。図２は、いわゆるアセンブリ工
程を主としたフローチャートを示しており、ウェハに形
成されたチップを個々に分割するダイシング（工程Ｓ１
０）から始まる。そして、このダイシングにより得られ
たチップ１をリードフレーム２のダイパッド上に銀ペー
ストを介して載置するためのダイボンディング（工程Ｓ
１１）が施される。
【００１９】リードフレーム２の形態の一例は、図３に
示される。この図３から分かるように、正方形ダイパッ
ド２０は、リードフレーム２の中央に配され、その各対
角線方向に延出する吊りピン２ｃによってリードフレー
ムの外枠２１と連結される。ダイパッド２０の縁端近傍
には、インナーリード２ａの先端が当該縁端に沿って配
列され、インナーリード２ａは、当該各先端から概ね放
射状に延出しかつダムバー或いはタイバーと呼ばれる樹
脂の流れ止め用パターン２ｄを挟んで外部リード２ｂへ
と導かれる。外部リード２ｂは、それぞれ外枠２１に結
合する。
示される。この図３から分かるように、正方形ダイパッ
ド２０は、リードフレーム２の中央に配され、その各対
角線方向に延出する吊りピン２ｃによってリードフレー
ムの外枠２１と連結される。ダイパッド２０の縁端近傍
には、インナーリード２ａの先端が当該縁端に沿って配
列され、インナーリード２ａは、当該各先端から概ね放
射状に延出しかつダムバー或いはタイバーと呼ばれる樹
脂の流れ止め用パターン２ｄを挟んで外部リード２ｂへ
と導かれる。外部リード２ｂは、それぞれ外枠２１に結
合する。
【００２０】工程Ｓ１１によるダイボンディングの後
は、ダイパッド上の熱硬化性樹脂たる銀ペーストを固め
るために例えば１７５゜Ｃの雰囲気中に、かかるダイボ
ンディングされたリードフレーム２を９０分だけ置くキ
ュアー（工程Ｓ１２）処理が行われる。次いで、固着さ
れたチップ１のパッドとこれに対応するインナーリード
２ａの先端とを個々に接続するワイヤボンディング（工
程Ｓ１３）が行われる。そしてこのボンディングが全て
終了すると、本実施例の特徴である２重封止工程Ｓ１４
に移行する。この２重封止工程Ｓ１４では、既述した内
部及び外部樹脂層４，５の成形がなされる。その詳細は
後述することにする。
は、ダイパッド上の熱硬化性樹脂たる銀ペーストを固め
るために例えば１７５゜Ｃの雰囲気中に、かかるダイボ
ンディングされたリードフレーム２を９０分だけ置くキ
ュアー（工程Ｓ１２）処理が行われる。次いで、固着さ
れたチップ１のパッドとこれに対応するインナーリード
２ａの先端とを個々に接続するワイヤボンディング（工
程Ｓ１３）が行われる。そしてこのボンディングが全て
終了すると、本実施例の特徴である２重封止工程Ｓ１４
に移行する。この２重封止工程Ｓ１４では、既述した内
部及び外部樹脂層４，５の成形がなされる。その詳細は
後述することにする。
【００２１】２重封止工程Ｓ１４が終了すると、熱硬化
性樹脂たる内部及び外部樹脂４，５を固めるべく、例え
ば１７５゜Ｃの雰囲気中に、かかる封止の施されたリー
ドフレーム２を５時間だけ置くキュアー（工程Ｓ１５）
処理が行われる。その後、ダムバー２ｄをカットし（工
程Ｓ１６）、アウターリード２ｂにメッキを施し（工程
Ｓ１７）、リード整形工程Ｓ１８に移行する。リード整
形工程では、吊りピン２ｃの露出部など、リードフレー
ム２から不要なものが除去される。さらにこの整形工程
では、アウターリード２ｂをガルウィング状に整形して
仕上げを行う。
性樹脂たる内部及び外部樹脂４，５を固めるべく、例え
ば１７５゜Ｃの雰囲気中に、かかる封止の施されたリー
ドフレーム２を５時間だけ置くキュアー（工程Ｓ１５）
処理が行われる。その後、ダムバー２ｄをカットし（工
程Ｓ１６）、アウターリード２ｂにメッキを施し（工程
Ｓ１７）、リード整形工程Ｓ１８に移行する。リード整
形工程では、吊りピン２ｃの露出部など、リードフレー
ム２から不要なものが除去される。さらにこの整形工程
では、アウターリード２ｂをガルウィング状に整形して
仕上げを行う。
【００２２】工程Ｓ１８により外部リードが整形される
と、検査（工程Ｓ１９）、梱包（工程Ｓ２０）を経て出
荷（工程Ｓ２１）の運びとなる。次に、上記２重封止工
程Ｓ１４の態様を詳しく説明する。図４は、いわゆる低
圧トランスファーモールド法にて本集積回路装置のパッ
ケージングを行うためのトランスファー金型及びこれを
含む製造装置、並びにこの製造装置にセットされるボン
ディング済みチップ１搭載のリードフレーム２の変遷形
態を示す概略断面図である。
と、検査（工程Ｓ１９）、梱包（工程Ｓ２０）を経て出
荷（工程Ｓ２１）の運びとなる。次に、上記２重封止工
程Ｓ１４の態様を詳しく説明する。図４は、いわゆる低
圧トランスファーモールド法にて本集積回路装置のパッ
ケージングを行うためのトランスファー金型及びこれを
含む製造装置、並びにこの製造装置にセットされるボン
ディング済みチップ１搭載のリードフレーム２の変遷形
態を示す概略断面図である。
【００２３】図４において、内部樹脂層４を成形するた
めの第１製造部は、主として、合わせ金型たる上側の金
型（上型）６１及び下側の金型（下型）７１と、これら
金型によるキャビティに液状樹脂を注入するための注入
機構と、そのキャビティにおける注入樹脂から気泡ない
しは空隙（ボイド）を抜き去るためのボイド抜き機構と
からなる。かかる注入機構は、カル穴８１、トランスフ
ァプランジャ９１、ランナＲ１、及びゲートＧ１によっ
て構成され、ボイド抜き機構は、エアーベントＶ１から
なる。
めの第１製造部は、主として、合わせ金型たる上側の金
型（上型）６１及び下側の金型（下型）７１と、これら
金型によるキャビティに液状樹脂を注入するための注入
機構と、そのキャビティにおける注入樹脂から気泡ない
しは空隙（ボイド）を抜き去るためのボイド抜き機構と
からなる。かかる注入機構は、カル穴８１、トランスフ
ァプランジャ９１、ランナＲ１、及びゲートＧ１によっ
て構成され、ボイド抜き機構は、エアーベントＶ１から
なる。
【００２４】上型６１及び下型７１は、予め所定温度に
加熱され、所定位置に固定された封止対象のリードフレ
ーム２を挟み込む（型締め）。一方、内部樹脂層４の原
料として予めタブレット状に成形した上述の如き低応力
化樹脂４０を高周波加熱しておき、これをカル穴８１に
充填する。或いは、予め所定温度に加熱された金型のカ
ル穴に原料（タブレット）を入れて予備加熱し、充填す
る。そうして、トランスファプランジャ９１を作動させ
原料樹脂４０を圧搾しランナＲ１及びゲートＧ１を通じ
て上型６１のキャビティ６１０及び下型７１のキャビテ
ィ７１０に溶融加圧注入する。
加熱され、所定位置に固定された封止対象のリードフレ
ーム２を挟み込む（型締め）。一方、内部樹脂層４の原
料として予めタブレット状に成形した上述の如き低応力
化樹脂４０を高周波加熱しておき、これをカル穴８１に
充填する。或いは、予め所定温度に加熱された金型のカ
ル穴に原料（タブレット）を入れて予備加熱し、充填す
る。そうして、トランスファプランジャ９１を作動させ
原料樹脂４０を圧搾しランナＲ１及びゲートＧ１を通じ
て上型６１のキャビティ６１０及び下型７１のキャビテ
ィ７１０に溶融加圧注入する。
【００２５】このときの下型７１とリードフレーム２と
の配置関係の詳細が図５に示される。リードフレーム２
は、ダイパッド２０が下型キャビティ７１０の中心に位
置するよう固定される。リードフレーム２のパッケージ
底面側は、ゲートＧ１を通じて下型キャビティ７１０に
注入された樹脂により図３及び図５の破線により囲まれ
る領域において内部樹脂層４が形成される。上型キャビ
ティ６１０も、下型キャビティ７１０とほぼ同じ形状で
あり、リードフレーム２のパッケージ底面側と同時に、
リードフレーム２のパッケージ頂面側も、ゲートＧ１を
通じて上型キャビティ６１０に注入された樹脂により同
破線により囲まれた領域において内部樹脂層４が形成さ
れる。
の配置関係の詳細が図５に示される。リードフレーム２
は、ダイパッド２０が下型キャビティ７１０の中心に位
置するよう固定される。リードフレーム２のパッケージ
底面側は、ゲートＧ１を通じて下型キャビティ７１０に
注入された樹脂により図３及び図５の破線により囲まれ
る領域において内部樹脂層４が形成される。上型キャビ
ティ６１０も、下型キャビティ７１０とほぼ同じ形状で
あり、リードフレーム２のパッケージ底面側と同時に、
リードフレーム２のパッケージ頂面側も、ゲートＧ１を
通じて上型キャビティ６１０に注入された樹脂により同
破線により囲まれた領域において内部樹脂層４が形成さ
れる。
【００２６】樹脂注入初期の上型及び下型キャビティへ
６１０，７１０内においては、注入樹脂中にボイドが入
り混じることとなる。エアーベントＶ１は、かかるボイ
ドを外部へ押し出し若しくは抜き出す溝であって、最終
的な封止樹脂中の混入ボイドを消失せしめる。外部樹脂
層５を成形するための第２製造部も、同様に構成されか
つ動作する。
６１０，７１０内においては、注入樹脂中にボイドが入
り混じることとなる。エアーベントＶ１は、かかるボイ
ドを外部へ押し出し若しくは抜き出す溝であって、最終
的な封止樹脂中の混入ボイドを消失せしめる。外部樹脂
層５を成形するための第２製造部も、同様に構成されか
つ動作する。
【００２７】すなわち、第２製造部は、主として、合わ
せ金型たる上側の金型（上型）６２及び下側の金型（下
型）７２と、これら金型のキャビティに液状樹脂を注入
するための注入機構と、そのキャビティにおける注入樹
脂から気泡ないしは空隙（ボイド）を抜き去るためのボ
イド抜き機構とからなる。かかる注入機構は、カル穴８
２、トランスファプランジャ９２、ランナＲ２、及びゲ
ートＧ２によって構成され、ボイド抜き機構は、エアー
ベントＶ２からなる。
せ金型たる上側の金型（上型）６２及び下側の金型（下
型）７２と、これら金型のキャビティに液状樹脂を注入
するための注入機構と、そのキャビティにおける注入樹
脂から気泡ないしは空隙（ボイド）を抜き去るためのボ
イド抜き機構とからなる。かかる注入機構は、カル穴８
２、トランスファプランジャ９２、ランナＲ２、及びゲ
ートＧ２によって構成され、ボイド抜き機構は、エアー
ベントＶ２からなる。
【００２８】上型６２及び下型７２は、予め所定温度に
加熱され、所定位置に固定された封止対象のリードフレ
ーム２を挟み込む（型締め）。一方、外部樹脂層５の原
料は、内部樹脂４０と同様の処理が施されてカル穴８２
に充填される。そうして、トランスファプランジャ９２
を作動させ原料樹脂５０を圧搾しランナＲ２及びゲート
Ｇ２を通じて上型６２のキャビティ６２０及び下型７２
のキャビティ７２０に溶融加圧注入する。
加熱され、所定位置に固定された封止対象のリードフレ
ーム２を挟み込む（型締め）。一方、外部樹脂層５の原
料は、内部樹脂４０と同様の処理が施されてカル穴８２
に充填される。そうして、トランスファプランジャ９２
を作動させ原料樹脂５０を圧搾しランナＲ２及びゲート
Ｇ２を通じて上型６２のキャビティ６２０及び下型７２
のキャビティ７２０に溶融加圧注入する。
【００２９】このときの下型７２とリードフレーム２と
の配置関係の詳細が図６に示される。リードフレーム２
は、内部樹脂層４が下型キャビティ７２０の中心に位置
するよう固定される。リードフレーム２のパッケージ底
面側は、ゲートＧ２を通じて下型キャビティ７２０に注
入された樹脂により図３及び図６の一点鎖線により囲ま
れる領域において外部樹脂層５が形成される。上型キャ
ビティ６２０も、下型キャビティ７２０とほぼ同じ形状
であり、リードフレーム２のパッケージ底面側と同時
に、リードフレーム２のパッケージ頂面側も、ゲートＧ
２を通じて上型キャビティ６２０に注入された樹脂によ
り同一点鎖線により囲まれた領域において外部樹脂層５
が形成される。
の配置関係の詳細が図６に示される。リードフレーム２
は、内部樹脂層４が下型キャビティ７２０の中心に位置
するよう固定される。リードフレーム２のパッケージ底
面側は、ゲートＧ２を通じて下型キャビティ７２０に注
入された樹脂により図３及び図６の一点鎖線により囲ま
れる領域において外部樹脂層５が形成される。上型キャ
ビティ６２０も、下型キャビティ７２０とほぼ同じ形状
であり、リードフレーム２のパッケージ底面側と同時
に、リードフレーム２のパッケージ頂面側も、ゲートＧ
２を通じて上型キャビティ６２０に注入された樹脂によ
り同一点鎖線により囲まれた領域において外部樹脂層５
が形成される。
【００３０】エアーベントＶ２も、エアーベントＶ１と
同様の機能を果たす。ここで注記すべきは、第１製造部
から第２製造部へと封止対象のリードフレーム２を連係
して処理する点である。つまり、第１製造部における一
対の合わせ金型６１，７１と、第２製造部における一対
の合わせ金型６２，７２とを並設しておき、第１製造部
の処理が終了すると、直ちに第２製造部における金型６
２，７２に当該リードフレームをセットするようにして
いる。前段の金型対６１，７１と後段の金型対６２，７
２との間は、例えばバキューム搬送機によって簡単に封
止対象のリードフレーム２を搬送することができる。
同様の機能を果たす。ここで注記すべきは、第１製造部
から第２製造部へと封止対象のリードフレーム２を連係
して処理する点である。つまり、第１製造部における一
対の合わせ金型６１，７１と、第２製造部における一対
の合わせ金型６２，７２とを並設しておき、第１製造部
の処理が終了すると、直ちに第２製造部における金型６
２，７２に当該リードフレームをセットするようにして
いる。前段の金型対６１，７１と後段の金型対６２，７
２との間は、例えばバキューム搬送機によって簡単に封
止対象のリードフレーム２を搬送することができる。
【００３１】このような製造形態によれば、品質上も経
済的にも有利である。すなわち、どちらの樹脂層もトラ
ンスファー成形であるので寸法精度が極めて高く、不良
品の発生を防止することができ、また、金型を替えるだ
けで他の工程ルーチンは通常のトランスファー成形と何
ら変わるところがないので、既存のトランスファー成形
機構を利用することが可能であり、本発明実現のための
設備投資を節約することができるという、利点がある。
済的にも有利である。すなわち、どちらの樹脂層もトラ
ンスファー成形であるので寸法精度が極めて高く、不良
品の発生を防止することができ、また、金型を替えるだ
けで他の工程ルーチンは通常のトランスファー成形と何
ら変わるところがないので、既存のトランスファー成形
機構を利用することが可能であり、本発明実現のための
設備投資を節約することができるという、利点がある。
【００３２】また、前段の上型キャビティ６１０と下型
キャビティ７１０は、縦，横，高さ及び奥行きにおいて
対称な形状であり、しかもこれらを合わせて形成される
キャビティは、チップ１すなわちダイパッド２０を中央
に配する。よってかかる合わせキャビティによって成形
される内部樹脂層４もチップ１を中心に包埋する縦，
横，高さ及び奥行きにおいて対称な形状となる。そして
後段の上型キャビティ６２０と下型キャビティ７２０も
縦，横，高さ及び奥行きにおいて対称なしかも前段キャ
ビティと相似する形状でありその合わせキャビティも内
部樹脂層４を中央に配する。よって外部樹脂原料５０が
後段の上型及び下型キャビティ６２０，７２０に注入さ
れる際に当該キャビティ内において内部樹脂層４を大き
く振動させるような乱流を起こす可能性が少ない。
キャビティ７１０は、縦，横，高さ及び奥行きにおいて
対称な形状であり、しかもこれらを合わせて形成される
キャビティは、チップ１すなわちダイパッド２０を中央
に配する。よってかかる合わせキャビティによって成形
される内部樹脂層４もチップ１を中心に包埋する縦，
横，高さ及び奥行きにおいて対称な形状となる。そして
後段の上型キャビティ６２０と下型キャビティ７２０も
縦，横，高さ及び奥行きにおいて対称なしかも前段キャ
ビティと相似する形状でありその合わせキャビティも内
部樹脂層４を中央に配する。よって外部樹脂原料５０が
後段の上型及び下型キャビティ６２０，７２０に注入さ
れる際に当該キャビティ内において内部樹脂層４を大き
く振動させるような乱流を起こす可能性が少ない。
【００３３】しかも、内部樹脂層４は、図３に点線で囲
まれる領域においてボンディングワイヤ３，インナーリ
ード２ａの端部及びダイパッド２０の他にも、リードフ
レーム２の枠２１とダイパッド２０との間を橋絡する吊
りピン２ｃの内側（ダイパッド担持パターン）をも包埋
していることにより、リードフレーム２に対する固定化
及び外部樹脂成形の際の固定化が図られている。
まれる領域においてボンディングワイヤ３，インナーリ
ード２ａの端部及びダイパッド２０の他にも、リードフ
レーム２の枠２１とダイパッド２０との間を橋絡する吊
りピン２ｃの内側（ダイパッド担持パターン）をも包埋
していることにより、リードフレーム２に対する固定化
及び外部樹脂成形の際の固定化が図られている。
【００３４】故に粘度の高い外部樹脂原料５０が高い注
入圧力で後段の上型及び下型キャビティ６２０，７２０
に注入されても、当該キャビティ内における内部樹脂層
４の振動は抑制されることとなる。かくして成形される
外部樹脂層５は高い均一性を得ることとなる。また別の
側面から言えば、内部樹脂層４は、低粘度を呈する低応
力樹脂により成形されるので、上述したようなワイヤー
流れやダイパッドシフトの発生を抑制することができ
る。そして、外部樹脂層５を成形するときは、当該ワイ
ヤやダイパッドが内部樹脂層４に包埋されている訳であ
るから、ワイヤー流れやダイパッドシフトの問題を気に
することなく高粘度の高強度及び低吸湿性樹脂をキャビ
ティへの高い注入圧力にてトランスファ成形することが
できる。このように、内部樹脂層４の存在により、外部
樹脂層５の成形の際の注入圧力を高くすることが可能で
あるので、外部樹脂層５として、より一層高いフィラー
充填率の樹脂（つまり、より高強度かつ低吸湿性の樹
脂）を採用することができるのである。
入圧力で後段の上型及び下型キャビティ６２０，７２０
に注入されても、当該キャビティ内における内部樹脂層
４の振動は抑制されることとなる。かくして成形される
外部樹脂層５は高い均一性を得ることとなる。また別の
側面から言えば、内部樹脂層４は、低粘度を呈する低応
力樹脂により成形されるので、上述したようなワイヤー
流れやダイパッドシフトの発生を抑制することができ
る。そして、外部樹脂層５を成形するときは、当該ワイ
ヤやダイパッドが内部樹脂層４に包埋されている訳であ
るから、ワイヤー流れやダイパッドシフトの問題を気に
することなく高粘度の高強度及び低吸湿性樹脂をキャビ
ティへの高い注入圧力にてトランスファ成形することが
できる。このように、内部樹脂層４の存在により、外部
樹脂層５の成形の際の注入圧力を高くすることが可能で
あるので、外部樹脂層５として、より一層高いフィラー
充填率の樹脂（つまり、より高強度かつ低吸湿性の樹
脂）を採用することができるのである。
【００３５】さらに本実施例における耐パッケージクラ
ック性につき述べれば、一般に、パッケージングされた
集積回路装置のプリント基板への表面実装においては、
赤外線リフロー加熱による、ダイパッド、チップ及び樹
脂の間に発生する線膨張係数の差によってせん断応力が
発生する。しかし、本実施例装置は、内部樹脂層４が低
応力なので応力緩和効果が大きい。また、外部樹脂層５
は高強度化及び低吸湿化された樹脂を使用しているので
パッケージ内部への吸湿を抑えられる。そして、赤外線
リフロー加熱によってパッケージ内部にクラックが発生
しても、高強度の外部樹脂層５がそのクラックをパッケ
ージ外部へ伸長させることを抑止する効果を奏する。
ック性につき述べれば、一般に、パッケージングされた
集積回路装置のプリント基板への表面実装においては、
赤外線リフロー加熱による、ダイパッド、チップ及び樹
脂の間に発生する線膨張係数の差によってせん断応力が
発生する。しかし、本実施例装置は、内部樹脂層４が低
応力なので応力緩和効果が大きい。また、外部樹脂層５
は高強度化及び低吸湿化された樹脂を使用しているので
パッケージ内部への吸湿を抑えられる。そして、赤外線
リフロー加熱によってパッケージ内部にクラックが発生
しても、高強度の外部樹脂層５がそのクラックをパッケ
ージ外部へ伸長させることを抑止する効果を奏する。
【００３６】なお、上記実施例においては、ＱＦＰ型の
パッケージを挙げたが、これに限らずＤＩＰ型等様々な
形態のものにも適用可能であるし、外部リードの形態も
ガルウィング状に限定されるものではない。この他に
も、上記実施例では種々の手段及び工程を説明したが、
当業者の設計可能な範囲で適宜改変することは可能であ
る。
パッケージを挙げたが、これに限らずＤＩＰ型等様々な
形態のものにも適用可能であるし、外部リードの形態も
ガルウィング状に限定されるものではない。この他に
も、上記実施例では種々の手段及び工程を説明したが、
当業者の設計可能な範囲で適宜改変することは可能であ
る。
【００３７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
成形しやすくかつパッケージクラックの発生を確実に防
止することのできる樹脂封止型集積回路装置及びその製
造方法を提供することができる。
成形しやすくかつパッケージクラックの発生を確実に防
止することのできる樹脂封止型集積回路装置及びその製
造方法を提供することができる。
【図１】本発明による一実施例の集積回路装置の概略構
造を示す断面図。
造を示す断面図。
【図２】図１の集積回路装置の製造方法を示すフローチ
ャート。
ャート。
【図３】図１の集積回路装置に適用されるリードフレー
ムの形態を示す図。
ムの形態を示す図。
【図４】低圧トランスファーモールド法にて本実施例集
積回路装置のパッケージングを行うためのトランスファ
ー金型及びこれを含む製造装置、並びにこの製造装置に
セットされるボンディング済みチップ１搭載のリードフ
レーム２の変遷形態を示す概略断面図。
積回路装置のパッケージングを行うためのトランスファ
ー金型及びこれを含む製造装置、並びにこの製造装置に
セットされるボンディング済みチップ１搭載のリードフ
レーム２の変遷形態を示す概略断面図。
【図５】第１製造部において内部樹脂層を形成する際の
下型とリードフレームとの配置関係を示す斜視図。
下型とリードフレームとの配置関係を示す斜視図。
【図６】第２製造部において外部樹脂層を形成する際の
下型とリードフレームとの配置関係を示す斜視図。
下型とリードフレームとの配置関係を示す斜視図。
１ ＩＣチップ ２ リードフレーム ２０ ダイパッド ２１ 外枠 ２ａ インナーリード ２ｂ アウターリード ２ｃ 吊りピン ２ｄ ダムバー ３ ボンディングワイヤ ４ 内部樹脂層 ５ 外部樹脂層 ６１，６２ 上型 ７１，７２ 下型 ６１０，６２０ 上型キャビティ ７１０，７２０ 下型キャビティ ８１，８２ カル部 ９１，９２ プランジャ Ｒ１，Ｒ２ ランナ Ｇ１，Ｇ２ ゲート Ｖ１，Ｖ２ エアーベント ９１，９２ 樹脂タブレット
Claims (12)
- 【請求項１】 集積回路が形成されたＩＣチップと、前
記チップの端子に接続されるリードとを含む集積回路装
置であって、 前記チップ及び前記リードのチップ側端部を包埋する低
応力性内部樹脂層と、 前記内部樹脂層を包埋する高強度及び低吸湿性外部樹脂
層とを有し、前記内部樹脂層と前記外部樹脂層とは互い
に略相似形であることを特徴とする２層樹脂封止型集積
回路装置。 - 【請求項２】 前記内部樹脂層の断面は、上下及び左右
略対称形であることを特徴とする請求項１記載の集積回
路装置。 - 【請求項３】 前記チップを搭載するダイパッドをさら
に有し、前記内部樹脂層は、前記ダイパッドをも包埋す
ることを特徴とする請求項１または２記載の集積回路装
置。 - 【請求項４】 前記ダイパッドを支持する担持パターン
をさらに有し、前記内部樹脂層は、前記担持パターンを
も包埋することを特徴とする請求項３記載の集積回路装
置。 - 【請求項５】 集積回路が形成されたＩＣチップと、前
記チップの端子に接続されるリードとを含む集積回路装
置の製造方法であって、 所定形状の第１キャビティを有する金型を用いて低応力
性樹脂により前記チップ及び前記リードのチップ側端部
を包埋する内部樹脂層を形成する第１モールド工程と、
前記所定形状に相似しかつそれより大なる形状の第２キ
ャビティを有する金型を用いて高強度及び低吸湿性樹脂
により前記内部樹脂層を包埋する外部樹脂層を形成する
第２モールド工程とを含むことを特徴とする２層樹脂封
止型集積回路装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記第１キャビティの断面は、上下及び
左右略対称形であることを特徴とする請求項５記載の製
造方法。 - 【請求項７】 前記集積回路装置は、前記チップを搭載
するダイパッドをさらに有し、前記第１モールド工程
は、前記ダイパッドをも包埋するよう前記内部樹脂層を
形成することを特徴とする請求項５または６記載の製造
方法。 - 【請求項８】 前記集積回路装置は、前記ダイパッドを
支持する担持パターンをさらに有し、前記第１モールド
工程は、前記担持パターンをも包埋するよう前記内部樹
脂層を形成することを特徴とする請求項７記載の製造方
法。 - 【請求項９】 集積回路が形成されたＩＣチップをリー
ドフレームのダイパッドに固着するダイボンディング工
程と、前記チップのパッドと前記リードフレームの内部
リード先端との間を個々にワイヤー接続するワイヤーボ
ンディング工程と、ワイヤーボンディングの施された前
記チップ並びに前記リードフレームのダイパッド及び前
記内部リード先端部を所定形状の第１キャビティを有す
る金型を用いて低応力性樹脂により包埋する内部樹脂層
を形成する第１モールド工程と、前記所定形状に相似し
かつそれより大なる形状の第２キャビティを有する金型
を用いて高強度及び低吸湿性樹脂により前記内部樹脂層
を包埋する外部樹脂層を形成する第２モールド工程と、
前記外部樹脂層の形成後において前記リードフレームか
ら不要部分を除去しかつ前記リードフレームの外部リー
ドを整形する整形工程と、を含むことを特徴とする２層
樹脂封止型集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記第１モールド工程は、一対の合わ
せ金型により前記第１キャビティを形成し前記第１キャ
ビティ内に溶融した低応力性樹脂を注入するトランスフ
ァ成形を行うことを特徴とする請求項９記載の製造方
法。 - 【請求項１１】 前記第２モールド工程は、一対の合わ
せ金型により前記第２キャビティを形成し前記第２キャ
ビティ内に溶融した高強度及び低吸湿性樹脂を注入する
トランスファ成形を行うことを特徴とする請求項９また
は１０記載の製造方法。 - 【請求項１２】 前記第１モールド工程は、第１の合わ
せ金型対により前記第１キャビティを形成し前記第１キ
ャビティに溶融した低応力性樹脂を注入するトランスフ
ァ成形を行い、前記第２モールド工程は、第２の合わせ
金型対により前記第２キャビティを形成し前記第２キャ
ビティに溶融した高強度及び低吸湿性樹脂を注入するト
ランスファ成形を行い、 前記第１の合わせ金型対と前記第２の合わせ金型対とは
並設されていることを特徴とする請求項９記載の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8175236A JPH1022422A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | ２層樹脂封止型集積回路装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8175236A JPH1022422A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | ２層樹脂封止型集積回路装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022422A true JPH1022422A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15992648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8175236A Pending JPH1022422A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | ２層樹脂封止型集積回路装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022422A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6682331B1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-01-27 | Agilent Technologies, Inc. | Molding apparatus for molding light emitting diode lamps |
| US6818968B1 (en) * | 2000-10-12 | 2004-11-16 | Altera Corporation | Integrated circuit package and process for forming the same |
| KR100762913B1 (ko) | 2006-11-21 | 2007-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 |
| JP2009259913A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Sharp Corp | チップ部品型ｌｅｄ |
| US7635912B2 (en) | 2007-04-19 | 2009-12-22 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device |
| JP2010522994A (ja) * | 2007-03-29 | 2010-07-08 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 集積回路パッケージの多段成形の方法および装置 |
| US7759807B2 (en) | 2006-11-21 | 2010-07-20 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor package having structure for warpage prevention |
| JP2015108558A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 樹脂封止型センサ装置 |
| US9411025B2 (en) | 2013-04-26 | 2016-08-09 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet |
| US9494660B2 (en) | 2012-03-20 | 2016-11-15 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
| US9666788B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-05-30 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
| CN107275236A (zh) * | 2016-04-05 | 2017-10-20 | 东和株式会社 | 树脂封装装置及树脂封装方法 |
| US9812588B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US10234513B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US10725100B2 (en) | 2013-03-15 | 2020-07-28 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having an externally accessible coil |
-
1996
- 1996-07-04 JP JP8175236A patent/JPH1022422A/ja active Pending
Cited By (21)
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| US11444209B2 (en) | 2012-03-20 | 2022-09-13 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with an integrated coil enclosed with a semiconductor die by a mold material |
| US9494660B2 (en) | 2012-03-20 | 2016-11-15 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
| US11961920B2 (en) | 2012-03-20 | 2024-04-16 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package with magnet having a channel |
| US11828819B2 (en) | 2012-03-20 | 2023-11-28 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US9812588B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US10230006B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-12 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with an electromagnetic suppressor |
| US10234513B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US11677032B2 (en) | 2012-03-20 | 2023-06-13 | Allegro Microsystems, Llc | Sensor integrated circuit with integrated coil and element in central region of mold material |
| US10916665B2 (en) | 2012-03-20 | 2021-02-09 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with an integrated coil |
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