JPH06232195A - 半導体装置の製造方法およびリードフレーム - Google Patents
半導体装置の製造方法およびリードフレームInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 モールド時の未充填やダイパッドの浮き沈み
を防止することができる半導体装置の製造方法およびこ
れに使用するリードフレームを提供する。 【構成】 半導体装置のパッケージ本体をモールドする
方法であって、上下モールド金型２０Ａ，２０Ｂの下型
２０Ｂに形成された樋状凹部（ランナ）を介して、下型
キャビティ２１Ｂに連通した第１ゲート２２に封止用樹
脂を流入させるとともに、第１ゲート２２に流入した封
止用樹脂の一部を、リードフレーム１０に形成された開
口部１１を介して、上型２０Ａに形成した第２ゲート２
３に導き、第１および第２ゲート２２，２３を介して、
封止用樹脂を上下キャビティ２１Ａ，２１Ｂに同時注入
する。
を防止することができる半導体装置の製造方法およびこ
れに使用するリードフレームを提供する。 【構成】 半導体装置のパッケージ本体をモールドする
方法であって、上下モールド金型２０Ａ，２０Ｂの下型
２０Ｂに形成された樋状凹部（ランナ）を介して、下型
キャビティ２１Ｂに連通した第１ゲート２２に封止用樹
脂を流入させるとともに、第１ゲート２２に流入した封
止用樹脂の一部を、リードフレーム１０に形成された開
口部１１を介して、上型２０Ａに形成した第２ゲート２
３に導き、第１および第２ゲート２２，２３を介して、
封止用樹脂を上下キャビティ２１Ａ，２１Ｂに同時注入
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
およびそれに使用するリードフレームに係り、特に、半
導体装置のパッケージ本体をモールドする技術に関す
る。
およびそれに使用するリードフレームに係り、特に、半
導体装置のパッケージ本体をモールドする技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体素子の封止法とし
て代表的なトランスファーモールド法は、予めリードフ
レームに半導体素子をワイヤーボンディングにより組み
込んでおき、これをモールド金型に入れて、粉末状また
はタブレット状のエポキシ樹脂等の封止用樹脂を温度と
圧力をかけて溶融させ、粘度の低い状態にして金型内に
注入し、熱硬化させている。
て代表的なトランスファーモールド法は、予めリードフ
レームに半導体素子をワイヤーボンディングにより組み
込んでおき、これをモールド金型に入れて、粉末状また
はタブレット状のエポキシ樹脂等の封止用樹脂を温度と
圧力をかけて溶融させ、粘度の低い状態にして金型内に
注入し、熱硬化させている。
【０００３】以下、図３，図４を参照して具体的に説明
する。図３は、図４に示したリードフレームに組み込ま
れた半導体素子をモールドする状態を示した部分断面
図、図４は、ＱＦＰ（Quad Flat Package)と呼ばれる表
面実装型半導体装置の組み立てに使用されるリードフレ
ームの部分平面図である。
する。図３は、図４に示したリードフレームに組み込ま
れた半導体素子をモールドする状態を示した部分断面
図、図４は、ＱＦＰ（Quad Flat Package)と呼ばれる表
面実装型半導体装置の組み立てに使用されるリードフレ
ームの部分平面図である。
【０００４】図３、図４に示すように、リードフレーム
１の中央部にあるダイパッド２に、半導体素子３がダイ
ボンディングされ、この半導体素子３の電極と、ダイパ
ッド２の周囲に配設されたリード端子４とが金属細線５
によって接続される。半導体素子３が組み込まれたリー
ドフレーム１は、図３に示すように、上下モールド金型
６Ａ，６Ｂの間にセッティングされる。モールド金型６
Ａ，６Ｂには、図４に鎖線で示したパッケージ本体７を
形成するためのキャビティ８Ａ，８Ｂが形成されてい
る。また、下型６Ｂには、加熱溶融された封止用樹脂を
キャビティ８Ａ，８Ｂに導くための図示しない樋状凹部
（ランナ）が形成されている。ランナを通って流動する
封止用樹脂は、ゲート９と呼ばれる分岐流路を介して、
キャビティ８Ｂ内に供給される。下型６Ｂのキャビティ
８Ｂ内に供給された封止用樹脂は、キャビティ内のリー
ド端子４間の隙間を通って、上型６Ａのキャビティ８Ａ
内に流れ込む。このようにして上下のキャビティ８Ａ，
８Ｂが封止用樹脂で充填されることにより、パッケージ
本体７が形成される。
１の中央部にあるダイパッド２に、半導体素子３がダイ
ボンディングされ、この半導体素子３の電極と、ダイパ
ッド２の周囲に配設されたリード端子４とが金属細線５
によって接続される。半導体素子３が組み込まれたリー
ドフレーム１は、図３に示すように、上下モールド金型
６Ａ，６Ｂの間にセッティングされる。モールド金型６
Ａ，６Ｂには、図４に鎖線で示したパッケージ本体７を
形成するためのキャビティ８Ａ，８Ｂが形成されてい
る。また、下型６Ｂには、加熱溶融された封止用樹脂を
キャビティ８Ａ，８Ｂに導くための図示しない樋状凹部
（ランナ）が形成されている。ランナを通って流動する
封止用樹脂は、ゲート９と呼ばれる分岐流路を介して、
キャビティ８Ｂ内に供給される。下型６Ｂのキャビティ
８Ｂ内に供給された封止用樹脂は、キャビティ内のリー
ド端子４間の隙間を通って、上型６Ａのキャビティ８Ａ
内に流れ込む。このようにして上下のキャビティ８Ａ，
８Ｂが封止用樹脂で充填されることにより、パッケージ
本体７が形成される。
【０００５】モールド後、ランナおよびゲート９内で硬
化した不要樹脂は、パッケージ７との連結部で破断され
て、リードフレーム１から取り除かれる。前記不要樹脂
の除去を容易にするために、ランナおよびゲート９は、
モールド金型の下型または上型の一方（図３の例では下
型６Ｂ）に設けられ、リードフレーム１を不要樹脂で挟
み込まない構造になっている。
化した不要樹脂は、パッケージ７との連結部で破断され
て、リードフレーム１から取り除かれる。前記不要樹脂
の除去を容易にするために、ランナおよびゲート９は、
モールド金型の下型または上型の一方（図３の例では下
型６Ｂ）に設けられ、リードフレーム１を不要樹脂で挟
み込まない構造になっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。最近の半導体素子の高集積化に伴い、封止用パッ
ケージのリード端子の多ピン化、およびファインピッチ
化が進められ、パッケージ本体７内に配置されるリード
端子（インナーリード）４の間隔も極めて狭くなってい
る。その結果、上下モールド金型６Ａまたは６Ｂの一方
側からキャビティ内に供給された封止用樹脂が、インナ
ーリードの隙間を通って、反対側のキャビティに流動し
難くなり、未充填が発生し易い。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。最近の半導体素子の高集積化に伴い、封止用パッ
ケージのリード端子の多ピン化、およびファインピッチ
化が進められ、パッケージ本体７内に配置されるリード
端子（インナーリード）４の間隔も極めて狭くなってい
る。その結果、上下モールド金型６Ａまたは６Ｂの一方
側からキャビティ内に供給された封止用樹脂が、インナ
ーリードの隙間を通って、反対側のキャビティに流動し
難くなり、未充填が発生し易い。
【０００７】また、上述したように、キャビティ内で封
止用樹脂の流通性が悪いために、例えば下型６Ｂからキ
ャビティ内に注入された封止用樹脂によって、ダイパッ
ド２が上方に持ち上げられ、金属細線５が半導体素子３
の端縁に接触して電気的短絡不良等を引き起こすことも
ある。
止用樹脂の流通性が悪いために、例えば下型６Ｂからキ
ャビティ内に注入された封止用樹脂によって、ダイパッ
ド２が上方に持ち上げられ、金属細線５が半導体素子３
の端縁に接触して電気的短絡不良等を引き起こすことも
ある。
【０００８】なお、キャビティ内の封止用樹脂の流通性
を改善するために、例えば特公昭５９−９６９号公報に
は、次のようなリードフレームが提案されている。この
リードフレームは、その外枠の内縁側に切り込みを設
け、このリードフレームが上下モールド型で挟持された
際に、前記切り込み部分を封止用注入口（ゲート）とし
て利用するものである。しかし、このようなリードフレ
ーム構造を、ＱＦＰ用のリードフレームのような、ダイ
パッドをその四隅から支持する支持リードがパッケージ
本体の各角部に導出され、かつ、前記角部の一つにゲー
トが設けられたパッケージに適用すると、ゲート側に導
出された支持リードのために、注入された封止用樹脂の
流れが遮られて乱されるので、樹脂内に気泡を巻き込む
など、成型不良が生じ易くなる。
を改善するために、例えば特公昭５９−９６９号公報に
は、次のようなリードフレームが提案されている。この
リードフレームは、その外枠の内縁側に切り込みを設
け、このリードフレームが上下モールド型で挟持された
際に、前記切り込み部分を封止用注入口（ゲート）とし
て利用するものである。しかし、このようなリードフレ
ーム構造を、ＱＦＰ用のリードフレームのような、ダイ
パッドをその四隅から支持する支持リードがパッケージ
本体の各角部に導出され、かつ、前記角部の一つにゲー
トが設けられたパッケージに適用すると、ゲート側に導
出された支持リードのために、注入された封止用樹脂の
流れが遮られて乱されるので、樹脂内に気泡を巻き込む
など、成型不良が生じ易くなる。
【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、モールド時の未充填やダイパッドの浮
き沈みを防止することができる半導体装置の製造方法お
よびこれに使用するリードフレームを提供することを目
的としている。
たものであって、モールド時の未充填やダイパッドの浮
き沈みを防止することができる半導体装置の製造方法お
よびこれに使用するリードフレームを提供することを目
的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、半導体装置のパッケージ
本体をモールドする方法であって、上下モールド金型の
一方の金型に形成された樋状凹部（ランナ）を介して、
パッケージ本体成型用の上下キャビティの内の一方のキ
ャビティに連通した第１ゲートに封止用樹脂を流入させ
るとともに、前記第１ゲートに流入した封止用樹脂の一
部を、リードフレーム内のゲート位置にあたる部分に形
成された開口部を介して、上下モールド金型の他方の金
型に形成した第２ゲートに導き、前記第１および第２ゲ
ートを介して、封止用樹脂を前記上下キャビティに同時
注入するものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、半導体装置のパッケージ
本体をモールドする方法であって、上下モールド金型の
一方の金型に形成された樋状凹部（ランナ）を介して、
パッケージ本体成型用の上下キャビティの内の一方のキ
ャビティに連通した第１ゲートに封止用樹脂を流入させ
るとともに、前記第１ゲートに流入した封止用樹脂の一
部を、リードフレーム内のゲート位置にあたる部分に形
成された開口部を介して、上下モールド金型の他方の金
型に形成した第２ゲートに導き、前記第１および第２ゲ
ートを介して、封止用樹脂を前記上下キャビティに同時
注入するものである。
【００１１】請求項２に記載の発明は、半導体素子がダ
イボンディングされるダイパッドが、その四隅に連結さ
れた４つの支持リードで吊り下げ支持されているリード
フレームであって、前記リードフレームは、半導体装置
のパッケージ本体の角部にあたる部分で、モールド金型
の樹脂注入用のゲートが設けられる位置に、前記樹脂を
流通させるための開口部を備え、かつ、前記４つ支持リ
ードのうち、前記開口部側へ導出される支持リードは、
その導出端が前記開口部を避けるように屈曲形成された
ものである。
イボンディングされるダイパッドが、その四隅に連結さ
れた４つの支持リードで吊り下げ支持されているリード
フレームであって、前記リードフレームは、半導体装置
のパッケージ本体の角部にあたる部分で、モールド金型
の樹脂注入用のゲートが設けられる位置に、前記樹脂を
流通させるための開口部を備え、かつ、前記４つ支持リ
ードのうち、前記開口部側へ導出される支持リードは、
その導出端が前記開口部を避けるように屈曲形成された
ものである。
【００１２】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。請求項１に
記載の方法によれば、上下モールド金型の一方の金型に
形成された第１ゲートに流入した封止用樹脂の一部は、
請求項２に記載のリードフレームに形成された開口部を
介して、他方の金型に形成された第２ゲートに流入し、
前記第１および第２ゲートを介して、封止用樹脂が上下
キャビティに同時注入されるので、封止用樹脂の未充填
やダイパッドの浮き沈みが防止される。
記載の方法によれば、上下モールド金型の一方の金型に
形成された第１ゲートに流入した封止用樹脂の一部は、
請求項２に記載のリードフレームに形成された開口部を
介して、他方の金型に形成された第２ゲートに流入し、
前記第１および第２ゲートを介して、封止用樹脂が上下
キャビティに同時注入されるので、封止用樹脂の未充填
やダイパッドの浮き沈みが防止される。
【００１３】また、請求項２に記載のリードフレームに
よれば、前記開口部側へ導出されるダイパッドの支持リ
ードの導出端が、前記開口部を避けるように屈曲形成さ
れているので、前記各ゲートから注入される樹脂の流れ
が、支持リードによって遮られることもない。
よれば、前記開口部側へ導出されるダイパッドの支持リ
ードの導出端が、前記開口部を避けるように屈曲形成さ
れているので、前記各ゲートから注入される樹脂の流れ
が、支持リードによって遮られることもない。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図１は、図２に示したリードフレームに組み込
まれた半導体素子をモールドする状態を示した部分断面
図、図２は、実施例に係る方法に使用されるＱＦＰ用の
リードフレームの部分平面図である。
明する。図１は、図２に示したリードフレームに組み込
まれた半導体素子をモールドする状態を示した部分断面
図、図２は、実施例に係る方法に使用されるＱＦＰ用の
リードフレームの部分平面図である。
【００１５】図２に示すように、このリードフレーム１
０は、半導体素子３がダイボンディングされるダイパッ
ド２と、金属細線５によって半導体素子３の電極と電気
的に接続される多数のリード端子４とを備えている。各
リード端子４の中間部位はタイバー１１によって相互に
連結され、また、各リード端子４の導出端は連結部材１
２によって連結されている。連結部材１２は、屈曲形成
された支片１３を介して外枠１４に連結支持されてい
る。外枠１４には、モールド工程などにおいて、リード
フレーム１０を位置決めするための基準となるガイド孔
１５が形成されている。以上の構成は、図４に示した従
来のリードフレーム１の構成と同様である。
０は、半導体素子３がダイボンディングされるダイパッ
ド２と、金属細線５によって半導体素子３の電極と電気
的に接続される多数のリード端子４とを備えている。各
リード端子４の中間部位はタイバー１１によって相互に
連結され、また、各リード端子４の導出端は連結部材１
２によって連結されている。連結部材１２は、屈曲形成
された支片１３を介して外枠１４に連結支持されてい
る。外枠１４には、モールド工程などにおいて、リード
フレーム１０を位置決めするための基準となるガイド孔
１５が形成されている。以上の構成は、図４に示した従
来のリードフレーム１の構成と同様である。
【００１６】本実施例に係るリードフレーム１０の特徴
は、図１に示したモールド金型に形成される第１および
第２ゲート２２，２３の位置にあたる部分に、パッケー
ジ本体７側へ向かって先細り状の開口部１６を形成した
点にある。なお、上記ゲート２２，２３は、パッケージ
本体７の角部に相当する位置にある。また、リードフレ
ーム１０の他の特徴は、ダイパッド２の四隅に連結され
てダイパッド２を吊り下げ支持する４本の支持リード１
７ａ〜１７ｄのうち、開口部１６側へ導出される支持リ
ード１７ａの導出端１８が、開口部１６を避けるように
屈曲されて、タイバー１１に連結して終端していること
にある。
は、図１に示したモールド金型に形成される第１および
第２ゲート２２，２３の位置にあたる部分に、パッケー
ジ本体７側へ向かって先細り状の開口部１６を形成した
点にある。なお、上記ゲート２２，２３は、パッケージ
本体７の角部に相当する位置にある。また、リードフレ
ーム１０の他の特徴は、ダイパッド２の四隅に連結され
てダイパッド２を吊り下げ支持する４本の支持リード１
７ａ〜１７ｄのうち、開口部１６側へ導出される支持リ
ード１７ａの導出端１８が、開口部１６を避けるように
屈曲されて、タイバー１１に連結して終端していること
にある。
【００１７】以下、図２に示したリードフレーム１０を
用いたモールド法を、図１を参照して説明する。本実施
例に係る上下モールド金型２０Ａ，２０Ｂは、半導体装
置のパッケージ本体７を形成するための上下キャビティ
２１Ａ，２１Ｂを備えている。また、下型２８Ｂには、
加熱溶融された封止用樹脂が加圧されることにより流通
する図示しない樋状凹部（ランナ）と、前記ランナから
分岐されてキャビティ２１Ｂに連通する第１ゲート２２
が形成されている。一方、上型２０Ａには、位置決め装
填されたリードフレーム１０の開口部１１を挟んで、前
記第１ゲート２２の末端部分に対向するように、第２ゲ
ート２３が形成されている。この第２ゲート２３は、キ
ャビティ２１Ａに連通している。
用いたモールド法を、図１を参照して説明する。本実施
例に係る上下モールド金型２０Ａ，２０Ｂは、半導体装
置のパッケージ本体７を形成するための上下キャビティ
２１Ａ，２１Ｂを備えている。また、下型２８Ｂには、
加熱溶融された封止用樹脂が加圧されることにより流通
する図示しない樋状凹部（ランナ）と、前記ランナから
分岐されてキャビティ２１Ｂに連通する第１ゲート２２
が形成されている。一方、上型２０Ａには、位置決め装
填されたリードフレーム１０の開口部１１を挟んで、前
記第１ゲート２２の末端部分に対向するように、第２ゲ
ート２３が形成されている。この第２ゲート２３は、キ
ャビティ２１Ａに連通している。
【００１８】上述したようなモールド金型２０Ａ，２０
Ｂにおいて、溶融状態の封止用樹脂は、下型２０Ｂのラ
ンナを通って第１ゲート２２に流入する。第１ゲート２
２に流入した封止用樹脂の一部は、図１に矢印で示すよ
うに、リードフレーム１０の開口部１６を通って上型２
０Ａの第２ゲート２３に流入する。そして、第１および
第２ゲート２２，２３を介して、封止用樹脂が上下キャ
ビティ２１Ａ，２１Ｂに同時注入されることにより、パ
ッケージ本体７が形成される。
Ｂにおいて、溶融状態の封止用樹脂は、下型２０Ｂのラ
ンナを通って第１ゲート２２に流入する。第１ゲート２
２に流入した封止用樹脂の一部は、図１に矢印で示すよ
うに、リードフレーム１０の開口部１６を通って上型２
０Ａの第２ゲート２３に流入する。そして、第１および
第２ゲート２２，２３を介して、封止用樹脂が上下キャ
ビティ２１Ａ，２１Ｂに同時注入されることにより、パ
ッケージ本体７が形成される。
【００１９】以上のように上下キャビティ２１Ａ，２１
Ｂに封止用樹脂が同時注入されるので、リード端子４が
高密度に配置されたリードフレーム１０であって、キャ
ビティ２１Ａ，２１Ｂ内に封止用樹脂が確実に充填され
る。また、封止用樹脂が上下から同時に注入されるの
で、ダイパッド２が注入された封止用樹脂によって持ち
上げられることもない。さらに、上述したランナおよび
第１，第２ゲート２２，２３内で硬化した不要樹脂は、
リードフレーム１０を挟み込まないので、モールド後の
不要樹脂の破断・除去を容易に行うこともできる。
Ｂに封止用樹脂が同時注入されるので、リード端子４が
高密度に配置されたリードフレーム１０であって、キャ
ビティ２１Ａ，２１Ｂ内に封止用樹脂が確実に充填され
る。また、封止用樹脂が上下から同時に注入されるの
で、ダイパッド２が注入された封止用樹脂によって持ち
上げられることもない。さらに、上述したランナおよび
第１，第２ゲート２２，２３内で硬化した不要樹脂は、
リードフレーム１０を挟み込まないので、モールド後の
不要樹脂の破断・除去を容易に行うこともできる。
【００２０】また、開口部１６側へ導出さている支持リ
ード１７ｄの導出端１８は、開口部１６を避けるように
屈曲しているので、ゲート２２，２３から上下キャビテ
ィ２１Ａ，２１Ｂに注入される樹脂の流れが、支持リー
ド１７ｄによって遮られたり、乱されることもない。
ード１７ｄの導出端１８は、開口部１６を避けるように
屈曲しているので、ゲート２２，２３から上下キャビテ
ィ２１Ａ，２１Ｂに注入される樹脂の流れが、支持リー
ド１７ｄによって遮られたり、乱されることもない。
【００２１】なお、上述の実施例では、ＱＦＰを例に採
って説明したが、本発明はこれに限らず、リード端子が
高密度に配置される各種の半導体装置のパッケージ本体
をモールドする際にも適用することが可能である。
って説明したが、本発明はこれに限らず、リード端子が
高密度に配置される各種の半導体装置のパッケージ本体
をモールドする際にも適用することが可能である。
【００２２】また、実施例では、ランナおよびこれから
分岐された第１ゲート２２を下型２０Ｂに、第２ゲート
２３を上型２０Ａに設けたが、これらを各々上下逆に設
けるようにしてもよい。
分岐された第１ゲート２２を下型２０Ｂに、第２ゲート
２３を上型２０Ａに設けたが、これらを各々上下逆に設
けるようにしてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、封止用樹脂が上下キャビティ
に同時注入されるので、リード端子が高密度に配置され
たリードフレームであっても、キャビティ内に封止用樹
脂を確実に充填することができ、また、モールド時のダ
イパッドの浮き沈みを有効に防止することができる。
１に記載の発明によれば、封止用樹脂が上下キャビティ
に同時注入されるので、リード端子が高密度に配置され
たリードフレームであっても、キャビティ内に封止用樹
脂を確実に充填することができ、また、モールド時のダ
イパッドの浮き沈みを有効に防止することができる。
【００２４】請求項２に記載のリードフレームによれ
ば、ダイパッドを支持する支持リードのうち、開口部側
へ導出された支持リードの導出端を、前記開口部を避け
るように屈曲形成しているので、前記開口部にあたるゲ
ート部分に樹脂の流れを遮るような障害物がなくなる。
したがって、パッケージ本体の角部に相当するゲートか
ら注入された樹脂は、支持リードによって乱されること
がないで、気泡等を生じることなくモールドすることが
できる。
ば、ダイパッドを支持する支持リードのうち、開口部側
へ導出された支持リードの導出端を、前記開口部を避け
るように屈曲形成しているので、前記開口部にあたるゲ
ート部分に樹脂の流れを遮るような障害物がなくなる。
したがって、パッケージ本体の角部に相当するゲートか
ら注入された樹脂は、支持リードによって乱されること
がないで、気泡等を生じることなくモールドすることが
できる。
【図１】実施例に係る製造方法を示すモールド時の部分
断面図である。
断面図である。
【図２】実施例で使用されるリードフレームの部分平面
図である。
図である。
【図３】従来例に係る製造方法を示すモールド時の部分
断面図である。
断面図である。
【図４】従来例で使用されるリードフレームの部分平面
図である。
図である。
１０…リードフレーム １６…開口部 １７ａ〜１７ｄ…支持リード ２０Ａ…モールド金型（上型） ２０Ｂ…モールド金型（下型） ２１Ａ…上型キャビティ ２１Ｂ…下型キャビティ ２２…第１ゲート ２３…第２ゲート
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置のパッケージ本体をモールド
する方法であって、上下モールド金型の一方の金型に形
成された樋状凹部（ランナ）を介して、パッケージ本体
成型用の上下キャビティの内の一方のキャビティに連通
した第１ゲートに封止用樹脂を流入させるとともに、前
記第１ゲートに流入した封止用樹脂の一部を、リードフ
レーム内のゲート位置にあたる部分に形成された開口部
を介して、上下モールド金型の他方の金型に形成した第
２ゲートに導き、前記第１および第２ゲートを介して、
封止用樹脂を前記上下キャビティに同時注入することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体素子がダイボンディングされるダ
イパッドが、その四隅に連結された４つの支持リードで
吊り下げ支持されているリードフレームであって、前記
リードフレームは、半導体装置のパッケージ本体の角部
にあたる部分で、モールド金型の樹脂注入用のゲートが
設けられる位置に、前記樹脂を流通させるための開口部
を備え、かつ、前記４つ支持リードのうち、前記開口部
側へ導出される支持リードは、その導出端が前記開口部
を避けるように屈曲形成されていることを特徴とするリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3461493A JPH06232195A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 半導体装置の製造方法およびリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3461493A JPH06232195A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 半導体装置の製造方法およびリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232195A true JPH06232195A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12419258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3461493A Pending JPH06232195A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 半導体装置の製造方法およびリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232195A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020043398A (ko) * | 2000-12-04 | 2002-06-10 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 패키지 제조용 인쇄회로기판 |
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| JPH04133453A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP3461493A patent/JPH06232195A/ja active Pending
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