JPH03283644A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
度のリードフレームの製造方法に関する。
フォトエツチング法またはプレス加工のいずれかの方法
によって、0.25m5あるいは0゜15m5の板厚の
金属条材の不要部分を除去することによって形状加工し
たのち、所定部分にめっきを行うめっき工程、テープを
貼着しインナーリード相互間を固定する固定工程等を経
て形成される。
、チップ面積が増大すると共にリードピン数が増加する
ものの、パッケージは従来通りかもしくは小型化の傾向
にある。
加すれば、当然ながらインナーリードの幅および隣接す
るインナーリードとの間隔は狭くなる。このため、強度
の低下によるインナーリドの変形およびその変形による
インナーリード間の短絡等の不良が問題となっている。
的な面からリード間隔りと板厚TはD≧Tの関係を持た
せるのが望ましいことがで良く知られている。
であり、リード間隔が板厚以下となり、さらにリード幅
も微細なものが要求されるようになってきている。この
ように、板厚以下であるようなリード間隔のプレス打ち
抜きに際しては、押さえ面積が狭くなり、抑圧が低トし
てインナーリードおよびアウターリートに捩じれが働き
、残留応力が滞留する。そしてこの傾向は、DOTの関
係とリード幅とが狭くなるとともに増大する。
経ると残留応力の影響を受けてリードの変形やより等が
発生し、上述したような強度の低ドののならず、変形か
生じ易く、短絡等の不良が!1゛じ易いという問題かあ
った。
大およびリード幅が狭くなると、アンダカット現象の影
響が顕著となり、寸法精度および強度の低下が問題とな
る。この現象は、加工深さと共に増大し、腐蝕係数をF
5深さをD、開孔幅をW1加工幅(リード幅)をWとし
たとき、これらの間に次のような関係がある事が知られ
ている。
ましいことがわかる。しかしながら、板厚を小さくした
場合、機械的強度が小さくなり、枠部で支持も困難とな
る。このため工程間およびJ−程中における搬送や位置
決めに際して基準ビンの挿入、抜き出し等で折れや曲が
り等の損傷が生じ昌くリードフレームの歩留まりや信頼
性を低下させるという問題があった。
るように、インナーリード間をプレス加工【二した後に
コイニングを施して肉薄部を形成し、さらにコイニング
によって生じた余肉を除去して肉薄のインナーリードを
形成する方法も提案されている。
トの上昇のみならず、コイニングによって生じた残留応
力によるインナーリード先端の変形に起因するリードフ
レームの信頼性及び歩留まり低下並びに残留歪を除去す
るための熱処理を必要とする等の問題がある。
よびリード幅は小さくなる一方であり、加]′、粘度の
向上か大きな問題となっていた。
る。しかしながら、リードフレーム全体を肉薄にすると
、全体の強度が低下して搬送、取扱いおよび位置決めの
際にリードフレームの変形、11目14か生じ゛1′−
導体装置の信頼性および歩留まり低]パの原因となって
いた。
フレームの所要の強度を維持し、製造が容品て高精度で
かつ信頼性の高いリードフレームをIII!(3%する
ことを[1的とする。
パターンを有するレジス:・パターンを形成すると共に
、裏面には肉薄部形成領域に開口をaするレジストパタ
ーンを形成しておき、この状態で両面からエツチングを
行うようにし、肉薄部の形成と、インナーリード、アウ
ターリードなどの形状加工とを同時に行うようにしてい
る。
なくともインナーリードおよびアウターリード形成領域
にPdまたはPd−Ni等のめっきを施し、この後肉薄
部の形成および形状加工をおこなうようにしている。
力のない肉薄部を選択的に形成すると同時に、形状加工
を行うようにしているため、外枠は、肉厚で強固である
一方、寸法精度の厳しいインナーリード部等の領域は肉
薄部からの加工であり、アンダーカットが少なく、高精
度の微細パターンの形成が可能となる。
を有するように加工される。
に形成し、またダムバー、アウターリードをも含むよう
に形成しても良い。
なくともインナーリードおよびアウターリート゛形成領
域にPdまたはPd−Ni等のめっきを施し、形状加工
をおこなうようにすれば、従来のように形状加工後めっ
きを行う必要がないため、インナーリード側面へのめっ
き金属の付着もなく、まためっき工程中のインナーリー
ド先端の麦形を防止することができる。
に説明する。
は、第1図(a)に平面図、第1図(b)にそのA−A
断面図、第2図に斜視図を示す如く、パッケージライン
Pよりも内側を、サポートパー17およびダイパッド1
1を除いて、サイドパーなどの外側領域の肉厚の1/2
程度としたことを特徴とするものである。
12が放射状に配列されたパッケージラインPの内側領
域Q1と、ダムバー13、アウターリード14、サイド
パー15.16などの形成された外側領域Q2とから構
成されている。ここでサポートパー17およびダイパッ
ド11は支持を強固にするために肉〃となるように形成
されている。18は支持用のポリイミドテープである。
。
dまたはPd−Niめっきを施しめっき層(図示せず)
を形成した後、フォトリソ法を用いて帯条材料M裏面の
インナーリード12形成領域を除く領域をレジストパタ
ーンR1で被覆すると」(に、帯条材料M表面に所望の
形状のインナーリード12、ダムバー13、アウターリ
ード14などを有するレジストパターンR2を形成する
。ここでは、第4図(a)に示すように、帯条材料Mを
巻きだし装置21、間欠送り装Wt22、巻き取り装置
23を用いてレジストパターン形成装置24内を走行せ
しめることによって形成する。
ーンR1,R2をマスクとしてエツチング1ルに浸17
2 L、両面からエツチングし、所望の形状の肉薄のイ
ンナーリード12、ダムバー13、肉厚のアウターリー
ド14などを有するパターンを形成する。ここでも第4
図(b)に示すようにレジストパターンの形成された帯
条材料Mを巻きだし装置21および巻き取り装置23を
用いてエツチング装置&25内を走行仕しめることによ
ってエツチングが連続的に施されるようになっている。
18を貼着して第1図(a)および第2図に示したリー
ドフレームか完成する(第2図ではポリイミドテープ1
8は省略した)。
肉薄部の形成と形状加工とがエツチングにより同時に行
われるため、アンダーカットが少なく高精度のパターン
形成が可能となる。
んどなく高精度のパターン形成が可能となる。
ディング、樹脂封止などの工程を経て半導体素子として
完成されるが、極めて信頼性の高いものとなっている。
、めっきを行うようにしているため、インナーリード側
部全体にわたるめっき金属の付着を防止することができ
るため、寸法精度を良好に維持することができる。また
、銀めっきを形成する場りには、パターン形成後めっき
をおこなうとインナーリード側部にめっき金属が付着し
、1法帖度が低下するのみならず、エレクトロマイグレ
ーシランが発生するが、このようにレジストパターンの
形成前に、めっきを行う方法を用いることにより、この
ような不都合を防止することができ信頼性の極めて高い
リードフレームを得ることが可能となる。しかしながら
、肉薄部および形状加工のためのエツチング工程後、素
子搭載領域をはじめインナーリード先端部に相当する領
域にめっきを行うようにしてもよい。
としたがアウターリード部等他の領域も肉薄部とするよ
うにしてもよい。
エツチングにより肉薄部の形成と、形状加工とを同時に
行うようにしているため、外枠は、肉厚で強固である一
方、寸法精度の厳しいインナーリード部等の領域は肉薄
部を形成しつつ形状加工を行うようにしているため、ア
ンダーカットが小さく高精度で信頼性の高い微細パター
ンの形成が可能となる。
示す図、第3図(a)乃至第3図(b)は同リードフレ
ームの製造工程を示す図、第4図(a)および第4図e
(b)はそれぞれリードフレームの製造装置を示す図で
ある。 11・・・ダイパッド、12・・・インナーリード、1
3・・・ダムバー 14・・・アウターリード、15.
16・・・サイドパー 17・・・サポートパー 18
・・・ポリイミドテープ、T・・・タイバー、M・・・
帯条材料、21・・・巻きだし装置、22・・・間欠送
り装置、23・・・巻き取り装置、24・・・レジスト
パターン形成装置、25・・・エツチング装置、R1,
R2・・・レジストパターン。 第3図 24 第4図
Claims (3)
- (1)金属条材表面の所定の領域を残して、表面に選択
的にレジストパターンを形成する第1のレジストパター
ン形成工程と、 前記金属条材裏面に、インナーリード、アウターリード
などのパターンを有する第2のレジストパターンを形成
する第2のレジストパターン形成工程と、 これら第1および第2のレジストパターンをマスクとし
て前記金属条材の表面および裏面から同時にエッチング
を行い、肉薄部を形成すると共に形状加工を行う両面エ
ッチング工程とを含むようにしたことを特徴とするリー
ドフレームの製造方法。 - (2)前記第1のレジストパターン形成工程は、インナ
ーリード相当領域に開口を有し、アウターリードは被覆
せしめられるようにレジストパターンを形成する工程で
あることを特徴とする請求項(1)記載のリードフレー
ムの製造方法。 - (3)第2のレジストパターンの形成に先立ち、第2の
レジストパターンの形成面側の条材表面の少なくともイ
ンナーリードおよびアウターリード形成領域にめっき層
を形成するめっき工程を含むようにしたことを特徴とす
る請求項(1)または請求項(2)記載のリードフレー
ムの製造方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2085385A JPH0834275B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|
JPH03283644A true JPH03283644A (ja) | 1991-12-13 |
JPH0834275B2 JPH0834275B2 (ja) | 1996-03-29 |
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ID=13857275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2085385A Expired - Fee Related JPH0834275B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | リードフレームの製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH0834275B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07176669A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電子機器用金属薄板の内部応力低減方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6240862A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Canon Inc | 電子表示記録装置 |
JPS63265453A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
JPH0245967A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2085385A patent/JPH0834275B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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JPS6240862A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Canon Inc | 電子表示記録装置 |
JPS63265453A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
JPH0245967A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
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---|---|---|---|---|
JPH07176669A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電子機器用金属薄板の内部応力低減方法 |
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JPH0834275B2 (ja) | 1996-03-29 |
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