JPH03247536A - 全フッ素ドープ光ファイバ - Google Patents
全フッ素ドープ光ファイバInfo
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- JPH03247536A JPH03247536A JP2044411A JP4441190A JPH03247536A JP H03247536 A JPH03247536 A JP H03247536A JP 2044411 A JP2044411 A JP 2044411A JP 4441190 A JP4441190 A JP 4441190A JP H03247536 A JPH03247536 A JP H03247536A
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Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コアとクラッドの双方にフッ素をドープした
、いわゆる全フッ素ドープ光ファイバに関するものであ
る。
、いわゆる全フッ素ドープ光ファイバに関するものであ
る。
今日、光通信システムの応用分野は非常に多岐にわたっ
ており、それに伴い光ファイバの特性、具体的には光フ
ァイバの伝送損失や強度に対する要求も益々多岐にわた
り、かつ厳しいものになっできている。
ており、それに伴い光ファイバの特性、具体的には光フ
ァイバの伝送損失や強度に対する要求も益々多岐にわた
り、かつ厳しいものになっできている。
例えば最も光ファイバの低損失性が求められる海底ケー
ブルの分野では今日、単一モード光ファイバが使用され
ており、この単一モード光ファイバにおいては急速な低
損失化が進んでいる。従来この分野ではコア／クラッド
の組成がＳｉＯ□−Ｇｅｍ。
ブルの分野では今日、単一モード光ファイバが使用され
ており、この単一モード光ファイバにおいては急速な低
損失化が進んでいる。従来この分野ではコア／クラッド
の組成がＳｉＯ□−Ｇｅｍ。
／ＳｉＯ□で、Δ（コアとクラッド間の屈折率差）＝０
．３％ものが主流であったが、最近ではこれに代わって
より低損失なＳｉＯ□／ＳｉＯ□−Ｆで、Δ＝０．３％
の、いわゆるフッ素ドープ光ファイバが導入されようと
している。
．３％ものが主流であったが、最近ではこれに代わって
より低損失なＳｉＯ□／ＳｉＯ□−Ｆで、Δ＝０．３％
の、いわゆるフッ素ドープ光ファイバが導入されようと
している。
さらにまた、このフッ素ドープ光ファイバの一歩進んだ
ものとして、クラッドだけでなくコアにもフッ素をドー
プした光ファイバも検討されている。これは図−１に示
すように、コア１、クラッド２が共にフッ素を含有し、
その結果、双方とも純粋石英ガラスの屈折率より低い屈
折率になっているものである。このようにコアにフッ素
をドープすると、コア部分の軟化温度が下がり、線引時
にコアに集中する応力（損失増を起こす）を軽減するこ
とができる。
ものとして、クラッドだけでなくコアにもフッ素をドー
プした光ファイバも検討されている。これは図−１に示
すように、コア１、クラッド２が共にフッ素を含有し、
その結果、双方とも純粋石英ガラスの屈折率より低い屈
折率になっているものである。このようにコアにフッ素
をドープすると、コア部分の軟化温度が下がり、線引時
にコアに集中する応力（損失増を起こす）を軽減するこ
とができる。
しかし従来、全フッ素ドープ光ファイバにおいて検討さ
れているコアへのフッ素ドープ量は、純粋石英ガラスと
の屈折率差Δ−で０．０７％程度である。コアの屈折率
がこの程度とすると、単一モード光ファイバの場合、コ
アとクラッドの屈折率差Δを０．３０％以上とる必要が
あるから、必然的にクラッドのΔ−は０．３７％以上に
することが必要となり、その結果としてフッ素の使用量
が増大し、コスト高になるという問題があった。コスト
の面を詳述すると、フッ素のドープ量はフン化物ガス分
圧の１７４乗に比例するため、例えばΔ−を０．３２か
ら０．３７に下げようとすると、ドープガスとして使用
される５ｉＦｚ等の高価なフン化物ガスの使用量が２倍
も多く必要となるのである。
れているコアへのフッ素ドープ量は、純粋石英ガラスと
の屈折率差Δ−で０．０７％程度である。コアの屈折率
がこの程度とすると、単一モード光ファイバの場合、コ
アとクラッドの屈折率差Δを０．３０％以上とる必要が
あるから、必然的にクラッドのΔ−は０．３７％以上に
することが必要となり、その結果としてフッ素の使用量
が増大し、コスト高になるという問題があった。コスト
の面を詳述すると、フッ素のドープ量はフン化物ガス分
圧の１７４乗に比例するため、例えばΔ−を０．３２か
ら０．３７に下げようとすると、ドープガスとして使用
される５ｉＦｚ等の高価なフン化物ガスの使用量が２倍
も多く必要となるのである。
そこで本発明者等は、コアへのフッ素ドープ量を種々検
討した結果、フッ素ドープ量をかなり低くしても良好な
伝送特性を有する光ファイバが得られることを見出した
。
討した結果、フッ素ドープ量をかなり低くしても良好な
伝送特性を有する光ファイバが得られることを見出した
。
すなわち本発明は、コアとクラッドの双方にフッ素をド
ープしてなる光ファイバにおいて、コアのフッ素濃度を
０．１原子％以下にしたことを特徴とするものである。
ープしてなる光ファイバにおいて、コアのフッ素濃度を
０．１原子％以下にしたことを特徴とするものである。
フッ素濃度０．１原子％以下は純粋石英ガラスとの屈折
率差Δ−で０．０３％以下になる。コアの屈折率をこの
程度とすると、クラッドの屈折率はΔで０．３３％以上
でよく、高価なフン化物ガスの使用量が少なくて済む。
率差Δ−で０．０３％以下になる。コアの屈折率をこの
程度とすると、クラッドの屈折率はΔで０．３３％以上
でよく、高価なフン化物ガスの使用量が少なくて済む。
またフッ素濃度を０．１原子％より高くすると、コア中
に気泡が残存する場合があり、このため波長に依存しな
いロス増が見出される場合のあることも分かった。
に気泡が残存する場合があり、このため波長に依存しな
いロス増が見出される場合のあることも分かった。
また前記のようにコアに０．１原子％以下のフッ素をド
ープする場合、これに合わせて０．１分子％以下のＧｅ
ＯｘまたはＰｇＯｓをドープすることが好ましい、この
ようにすると室温における水素ロス増に関連した欠陥の
発生を防止できる。
ープする場合、これに合わせて０．１分子％以下のＧｅ
ＯｘまたはＰｇＯｓをドープすることが好ましい、この
ようにすると室温における水素ロス増に関連した欠陥の
発生を防止できる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
コア／クラッドの組成がＳｉｇｈ Ｆ／ＳｉＯ□−Ｆ
で、コアのＦ濃度０．１原子％の単一モード光ファイバ
を製造した。コアの屈折率はΔ−で０．０３％、クラッ
ドの屈折率はΔ−で０．３３％であった。
で、コアのＦ濃度０．１原子％の単一モード光ファイバ
を製造した。コアの屈折率はΔ−で０．０３％、クラッ
ドの屈折率はΔ−で０．３３％であった。
なお、この光ファイバのしゃ断波長λＣは１．４５μ−
、クラッド外径は１２５μ−、プラスチック被覆（ウレ
タンアクリレート）外径は２５０ μ蒙、条長は８〜９
に−であり、製造時の線引速度は１８０ｍ／分とした。
、クラッド外径は１２５μ−、プラスチック被覆（ウレ
タンアクリレート）外径は２５０ μ蒙、条長は８〜９
に−であり、製造時の線引速度は１８０ｍ／分とした。
この光ファイバの特性は表−１のとおりである。
実施例２
コア／クラッドの組成が５ｉｆｔ Ｆ−ＧｅＯ１／Ｓ
ｔｏｗ−Ｆで、コアのＦｆｆ１度０．１原子％、Ｇｅ０
１濃度０．１分子％の単一モード光ファイバを製造した
。コアの屈折率はΔ−で０．０２％、クラッドの屈折率
はΔ−で０．３３％であった。
ｔｏｗ−Ｆで、コアのＦｆｆ１度０．１原子％、Ｇｅ０
１濃度０．１分子％の単一モード光ファイバを製造した
。コアの屈折率はΔ−で０．０２％、クラッドの屈折率
はΔ−で０．３３％であった。
λＣ以下は実施例１と同じである。この光ファイバの特
性は表−１のとおりである。
性は表−１のとおりである。
実施例３
コア／クラッドの組成がＳｉＯ□−Ｆ −Ｐ！ｏｓ／５
ｉ（ｈ−Ｆｔ’、：ｌ７（７）Ｆ濃度０，１原子％、Ｐ
ｔｏｓＴＩＡ度０．１分子％の単一モード光ファイバを
製造した。コアの屈折率はΔ−で０．０２％、クラッド
の屈折率はΔで０．３３％であった。
ｉ（ｈ−Ｆｔ’、：ｌ７（７）Ｆ濃度０，１原子％、Ｐ
ｔｏｓＴＩＡ度０．１分子％の単一モード光ファイバを
製造した。コアの屈折率はΔ−で０．０２％、クラッド
の屈折率はΔで０．３３％であった。
λＣ以下は実施例１と同じである。この光ファイバの特
性は表−１のとおりである。
性は表−１のとおりである。
表−１
表＝１に示すように、０．６３μ−の光吸収ピーク高さ
が大きいと、室温におけるＨ８処理後、１．５２μｍに
吸収ピーク （Ｈｚ ロス増）が現れる。これに対しＧ
ｅＯ２またはＰ、０．をドープすると、０．６３μ霧に
光吸収ピークを持つ構造欠陥の生成を抑制できることが
分かる。これは、線引時に発生する構造欠陥をＧｅ０１
またはＰ□０．の微量ドープにより抑制できることを示
している。
が大きいと、室温におけるＨ８処理後、１．５２μｍに
吸収ピーク （Ｈｚ ロス増）が現れる。これに対しＧ
ｅＯ２またはＰ、０．をドープすると、０．６３μ霧に
光吸収ピークを持つ構造欠陥の生成を抑制できることが
分かる。これは、線引時に発生する構造欠陥をＧｅ０１
またはＰ□０．の微量ドープにより抑制できることを示
している。
ＧｅＯ□またはＰ、０．の濃度はＦ濃度０．１原子％に
対して０．１分子％の割合である。Ｆは０．１原子％ド
ープすると屈折率を０．０３％低くする作用があり、Ｇ
ｅＯ２またはＰｔＯｓは０．１分子％ドープすると屈折
率を０．０１％高める作用があることも分かった。
対して０．１分子％の割合である。Ｆは０．１原子％ド
ープすると屈折率を０．０３％低くする作用があり、Ｇ
ｅＯ２またはＰｔＯｓは０．１分子％ドープすると屈折
率を０．０１％高める作用があることも分かった。
これらの原子または分子は、濃度が０．１原子または分
子％以下であっても、構造欠陥濃度（ｐｐｌＩのオーダ
ーと推定されている）に対しては大過剰であるので、添
加効果がある。ＦＳＧｅＯ□またはＰ２Ｏ。
子％以下であっても、構造欠陥濃度（ｐｐｌＩのオーダ
ーと推定されている）に対しては大過剰であるので、添
加効果がある。ＦＳＧｅＯ□またはＰ２Ｏ。
の濃度の最小値は、構造欠陥濃度の１０倍必要とすれば
、各々約１００ｐｐ＋ｗ （０，０１原子または分子％
）である、よって水素ロス増に関連した構造欠陥の発生
を防止するには、Ｆ、ＧｅＯ□またはＰ２Ｏ，が０．１
原子または分子％未満であっても十分である。
、各々約１００ｐｐ＋ｗ （０，０１原子または分子％
）である、よって水素ロス増に関連した構造欠陥の発生
を防止するには、Ｆ、ＧｅＯ□またはＰ２Ｏ，が０．１
原子または分子％未満であっても十分である。
なお前記のようなフッ素トープ量のきわめて少ないコア
を製造するには、例えば次のような方法を採用するとよ
い、すなわち、石英ガラス微粒子を主成分とする光フア
イバ用多孔質体を、少なくとも塩素と不活性ガスとを含
む雰囲気中で、かつ前記光フアイバ用多孔質体が完全に
ガラス化しない温度（例えば約１１００℃）にて加熱し
て脱水処理を施した後、前記脱水処理温度より低い温度
（例えば約９００℃）で、少な（とも塩素と不活性ガス
とフン化物ガスとを含む雰囲気中に晒して前記光フアイ
バ用多孔質体内にフッ素をトープし、しかる後生なくと
も塩素と不活性ガスとを含む雰囲気中で加熱して透明ガ
ラス化するという方法である。
を製造するには、例えば次のような方法を採用するとよ
い、すなわち、石英ガラス微粒子を主成分とする光フア
イバ用多孔質体を、少なくとも塩素と不活性ガスとを含
む雰囲気中で、かつ前記光フアイバ用多孔質体が完全に
ガラス化しない温度（例えば約１１００℃）にて加熱し
て脱水処理を施した後、前記脱水処理温度より低い温度
（例えば約９００℃）で、少な（とも塩素と不活性ガス
とフン化物ガスとを含む雰囲気中に晒して前記光フアイ
バ用多孔質体内にフッ素をトープし、しかる後生なくと
も塩素と不活性ガスとを含む雰囲気中で加熱して透明ガ
ラス化するという方法である。
また以上の実施例では１．３μ−帯用単一モード光ファ
イバを試作したが、１．５５μ−帯へ分散をシフトした
ものも本発明によるコアの組成で作ることができる。
イバを試作したが、１．５５μ−帯へ分散をシフトした
ものも本発明によるコアの組成で作ることができる。
以上説明したように本発明に係る全フッ素ドープ光ファ
イバは、コアのフッ素トープ量が少ないためクラッドの
フッ素ドープ量が少なくて済み、低コストであると共に
、伝送特性にも優れているという利点がある。
イバは、コアのフッ素トープ量が少ないためクラッドの
フッ素ドープ量が少なくて済み、低コストであると共に
、伝送特性にも優れているという利点がある。
図−１は全フッ素ドープ光ファイバの屈折率分布を示す
説明図である。 １：コア ：屈折率 図− コア
説明図である。 １：コア ：屈折率 図− コア
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、コアとクラッドの双方にフッ素をドープしてなる光
ファイバにおいて、コアのフッ素濃度を０．１原子％以
下にしたことを特徴とする全フッ素ドープ光ファイバ。 ２、請求項１記載の光ファイバであって、コアに、フッ
素と共に０．１分子％以下のＧｅＯ＿２又はＰ＿２Ｏ＿
５をドープしたことを特徴とするもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044411A JP2721260B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 全フッ素ドープ光ファイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044411A JP2721260B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 全フッ素ドープ光ファイバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03247536A true JPH03247536A (ja) | 1991-11-05 |
| JP2721260B2 JP2721260B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=12690767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2044411A Expired - Lifetime JP2721260B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 全フッ素ドープ光ファイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2721260B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7440673B2 (en) | 2006-04-14 | 2008-10-21 | Fujikura Ltd. | Radiation resistant single-mode optical fiber and method of manufacturing thereof |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6131328A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ |
| JPS6163543A (ja) * | 1984-09-01 | 1986-04-01 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | 石英系光フアイバ |
| JPS61222940A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ |
| JPS61281046A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-11 | Fujikura Ltd | 光フアイバ |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP2044411A patent/JP2721260B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6131328A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ |
| JPS6163543A (ja) * | 1984-09-01 | 1986-04-01 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | 石英系光フアイバ |
| JPS61222940A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ |
| JPS61281046A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-11 | Fujikura Ltd | 光フアイバ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7440673B2 (en) | 2006-04-14 | 2008-10-21 | Fujikura Ltd. | Radiation resistant single-mode optical fiber and method of manufacturing thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2721260B2 (ja) | 1998-03-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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