JPH03120775A - 埋め込み構造半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、埋め込み構造半導体レーザ、特にメサストラ
イプ領域の両側なＦｅを含有したｒｎＰで埋め込む構造
の埋め込み構造半導体レーザにかかり、その閾値電流の
低減、並びに発光効率の向上に関するものである。

［従来の技術］ 光通信用光源としてすでに実用化されているＩｎＰ系長
波長波長帯半導体レーザって、高速変調が可能であるこ
とは、大容量光伝送を実現するうえで、極めて重要であ
る。

この光通信用半導体レーザの構造としては、発振閾値電
流の低減、および単一モードの安定化のため、一般に、
埋め込みへテロ構造が採られる。

この構造では、活性層を２ミクロン程度幅のストライプ
とし、その両側を電流ブロック層で挟む。

電流ブロック層は、例えばｎ型基板の場合、基板上にＰ
型ＩｎＰ、ｎ型ＩｎＰを順次積層し、ｐｎｐｎのサイリ
スタ構造としている。

しかしながら、この構造では、電流ブロック層を構成す
るｐｎ接合の逆バイアス印加部分に寄生容量が存在し、
このため、高速変調時において変調度が低下してしまう
という問題があった。

この問題点を解決するために、従来、電流ブロック層と
して、ＦｅドープＩｎＰ半導体結晶を用いる方法が試み
られている。第４図に、代表的なＦｅ埋め込み構造半導
体レーザの断面図を示す。この構造は、ｎ＋型ＩｎＰ基
板４上にｎ型ＩｎＰクラッド層３、ＩｎＧａＡｓＰ活性
層８．Ｐ型ＩｎＰクラッド層７およびＰ″″ＴｎＧａＡ
ｓＰ電極層６が順次形成され、活性層の両側なＦｅドー
プ半絶縁性ＩｎＰ電流ブロック層で挟み、さらにｎ型電
極５およびＰ型電極１を設けたものである。この構造を
有する半導体レーザでは、変調光強度が、３ｄＢ低下す
る遮断周波数も１０ＧＨｚ以上の高帯域の特性が得られ
ている。

しかしながら、このＦｅ埋め込み構造半導体レーザには
、以下に掲げる２つの問題点があった。

１）一般にＦｅはｒｎＰ系の半導体結晶中においては、
比較的拡散しやすく、また、深い準位を形成するため、
非発光再結合中心になる。その結果、たとえば、第４図
に示すような構造においては、Ｆｅが活性層中へ拡散し
、長期的に動作させる場合、発光効率の低下をまねく。

また、Ｆｅが活性層側面においてパイルアップし、これ
が閾値電流の上昇、ならびに信頼性の低下をまねく。

２）　　Ｆｅ埋め込み構造半導体レーザでは、素子容量
低減のため、電流ブロック層の厚さが、２〜３ミクロン
と厚くなる。このため、活性層を含むメサ部分のストラ
イプ幅が２ミクロンと狭い場合、メサ部分の抵抗、した
がってＲｅ時定数が大きくなり、高周波数特性を損なう
。また、電流ブロック層にかかる電圧が高くなり、ダブ
ルインジェクションによるリーク電流の増大を招き、閾
値電流の低減や、高出力動作が困難となる。この問題は
、Ｐ型ＩｎＰクラッド層のストライプ幅が狭くなる程顕
著になる。

上記問題点ｌ）を解決するためには、基本的には、Ｆｅ
ドープＩｎＰ層と活性層を第三の半導体層によって分離
し、活性層中へのＦｅの拡散、あるいは活性層側面にお
けるＦｅのパイルアップを防げばよい。この観点から、
以下に掲げる２つの方法が提案されている。

ｊ）　活性層３を含むメサ部分側面に、ＩｎＰからなる
メサ保護層９を形成し、これにより活性層８とＦｅドー
プＩｎＰ電流ブロック層２を分離する（第５図：特公昭
［１４−７７９７９号公報参照）。

ｉｆ）　　活性層の両脇に、半導体スペーサ層を形成し
、これにより活性層とＦｅドープＩｎＰ層を分離する。

第６図はそのような構造の半導体レーザの一例を示すも
ので、ｎ−ＩｎＰ基板１１上にｎ−ＩｎＰバッファ層１
２．　ｒｎｏ、５９Ｇａｏ４＋ＡＳｏ、ｔ＋Ｐｏ、＋か
らなる活性層１３．　Ｐ−ＩｎＰクラッド層１４．　Ｐ
”−１ｎｏ５＋Ｇａｏ、　４７八Ｓコンタクト層１５お
よび高抵抗ＩｎＰ層１６が形成され、さらに活性層１３
の両脇にＩｎＰスペーサ層１７が形成されている。１８
は５ｉｎ２膜。

１９および２０はそれぞれ電極である（特開昭６３−１
２８７８６号参照）。

一方、上記問題点２）を解決するためには、メサ部分の
ストライプ幅を４〜５ミクロンと広くすることで、低抵
抗化を図ればよい。このとき、活性層のみを幅２ミクロ
ンまで選択的にエツチングし、エツチングされた部分を
、結晶成長、あるいは、マストランスポートによって閉
塞する。この後にＦｅを含有したＩｎＰによって埋め込
みを行［発明が解決しようとする課題］ しかし、上述したｉ）、ｉｆ）の方法により形成される
埋め込み構造においては、以下に掲げる幾つかの問題点
があった。

ｉ）　メサ保護層を形成する場合、メサ保護層を通した
リーク電流を極力抑えなければならない。

このためには、メサ保護層の薄層化が必要である。液相
成長法によってメサ保護層を形成した場合、第７図に示
すようにメサ保護層９が厚くなる。これに対して、有機
金属気相成長法では、第８図に示すようにメサ部分側面
において、薄いメサ保護層９を形成することかできる。

しかし、この成長法では、メサ保護層９がメサ部分側面
全面に形成され、上部電極と基板の間が接続される。こ
のため、メサ保護層が電流リークバスとなって、閾値電
流の増大、発光効率の低下をまねく。

ｉｔ）　　スペーサ層がＰ型ＩｎＰの場合、Ｐ型ドーパ
ントが活性層中に拡散、あるいは、埋め込み界面にパイ
ルアップし、これが発光効率の低下や、閾値電流の上昇
をまねく。

Ｎｉ）　　上記ｉｆ）の理由により、活性層の脇に位置
するスペーサ層はｎ型ＩｎＰが望ましい。

しかし、ｎ型ＩｎＰは、Ｐ型ＩｎＰに比べて抵抗が小さ
いため、特に、上記２）の問題点を解決するためにスト
ライプ幅を広くとると、選択エツチングされた部分を埋
め込むスペーサ層幅が大となり、リーク電流の増大をま
ねく。

本発明は、上述した従来の欠点を解決し、低閾値電流、
高効率、ならびに高高周波特性を備えた埋め込み構造半
導体レーザを提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段１ 本発明半導体レーザはストライプ状に形成され、少なく
とも活性層および該活性層を挟み、互いに導電型の異な
る二つのクラッド層を含むメサ部分と、該メサ部分の両
側を埋め込むＦｅを含有した半絶縁性ＩｎＰ電流阻止層
を備えた埋め込み構造半導体レーザにおいて、前記メサ
部分は、前記活性層より上部に位置する（１１１）Ａ面
からなる逆メサ形状部と、前記メサ部分の側面に設けら
れたＰ型ＩｎＰからなるメサ保護層と、前記活性層と同
一平面上で前記二つのクラッド層間に挟まれ、前記活性
層に接するｎ型ＩｎＰおよび該ｎ型ＩｎＰに接するＰ型
ＩｎＰからなる二種類の半導体層より構成されたスペー
サ層を、有することを特徴とする。

本発明方法は第１の導電型を有する基板上に同じ導電型
を有するクラッド層、活性層、第１の埋め込み構造半導
体レーザ。４）第１の導電型のクラッド層および第２の
導電型の電極層を順次積層する工程、のクラッド層およ
び第２の形状のマスクを設ける工程、前記マスクを介し
て前記積層を介して前記電極層を逆メサ形状に、前記第
２の導電型のクラッド層、前記活性層および前記第１の
導電型のクラッド層をメサ形状に加工してメサ部を形成
する工程、前記活性層を選択的に介して、その幅を規定
する工程、前記活性層の両側に、該活性層と接して第２
の導電型を有するスペーサ層を形成する工程、前記二つ
のクラッド層および前記スペーサ層の側面にメサ保護層
を形成する工程および前記メサ部の両側に電流阻止層を
形成する工程を有することを特徴とする。

［作　用］ Ｆｅ埋め込み構造半導体レーザでは、その高効率化、閾
値電流の低下等を図るため、ＦｅドープＩｎＰ電流ブロ
ック層と活性層を、第三の半導体層により分離すること
が有効である。メサ保護層の形成には、メサ部分の側面
においてメサ保護層の薄層化が可能である有機金属気相
成長法を用いること１ が望ましい。しかし、従来、同成長法によって活性層を
含むメサ部分側面にＩｎＰ半導体のメサ保護層を形成し
た場合、上部電極と基板がメサ保護層により接続されて
いた。

一般に有機金属気相成長法では、（１１１）Ａ面におけ
るＩｎＰの成長速度は遅い。したがって、メサ部分の一
部を（１１１）Ａ面からなる逆メサ形状とすることによ
り、逆メサ形状側面におけるＩｎＰ結晶の成長を抑制す
ることができる。また、有機金属気相成長法によってメ
サストライプ領域の両側を埋め込む場合、メサ部分の最
上部に、選択埋め込み成長のために設けられるマスクに
庇を形成する（Ｋ、Ｎａｋａｉ　ｅｔ、ａｌ、Ｊｏｕｒ
ｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　９３（
１９８８）　２４８−２５３）。これにより、結晶成長
時における庇直下のメサ部分側面における原料濃度を低
減し、成長速度を低減することができる。さらに、（１
１１）Ａ面における成長速度の低さとマスクの庇による
原料濃度の低下の双方を利用して逆メサ形状側面部への
ＩｎＰの成長を抑制することができる。

　２ 第１図は本発明によるＦｅ埋め込みのためのメサ構造を
示したものである。例えば、ｎ型ＩｎＰ基板２６上に、
ｎ型ＩｎＰクラッド層２５．　ＩｎＧａＡｓＰ活性層、
Ｐ型ＩｎＰクラッド層２３．　ＩｎＧａＡｓＰ電極層２
２からなるメサ構造が形成される。上部のＩｎＧａＡｓ
Ｐ電極層２２はＰ型ＩｎＰクラッド層２３．活性層２４
．ｎ型ＩｎＰクラッド層２５とは逆の、逆メサ形状をな
し、その側面は（１１１）Ａ面である。２１は５ｉ０２
からなるマスクで、その端部は電極層より突出して庇状
となっている。このように、マスク直下のメサ部分の側
面を（１１１）　Ａ面からなる逆メサ形状にすることに
より、逆メサ部分側面におけるＩｎＰ結晶の成長を、著
しく抑制することができる。このようなメサ構造は、Ｉ
ｎＧａＡｓＰからなる電極層を備えることにより再現性
良く作製することができる。

これらの点を利用して、電極層を（１１１）Ａ面からな
る逆メサ形状とし、電極層側面におけるメサ保護層を極
めて薄くし、あるいは、電極層側面にメサ保護層を形成
しないことにより、上部電極とメサ保護層との接続を絶
った構造を有するＦｅ埋め込み構造半導体レーザはこれ
まで知られていない。

また、メサ保護層は一般にＰ型ＩｎＰにより構成される
が、Ｐ型ＩｎＰから活性層へのＰ型ドーパントの拡散を
防ぐため、ｎ型ＩｎＰ層からなるスペーサ層をクラッド
層の間に有するＦｅ埋め込み構造半導体レーザもこれま
で知られていない。

一方、スペーサ層のみをクラッド層間に形成することに
より、ＦｅドープＩｎＰ電流ブロック層と活性層を分離
する方法も、従来、提案されていた。

この場合、スペーサ層はｎ型ＩｎＰが望ましいが、スペ
ーサ層幅が広くなると、リーク電流が大となるため、ス
ペーサ層の一部をＰ型ＩｎＰに置き換え、活性層側面の
みをｎ型ＩｎＰにする必要がある。しかしながら、活性
層脇をｎ型ＩｎＰ層、ｎ型ＩｎＰ層脇をＰ型ＩｎＰ層と
し、これら二種類の半導体層より構成されるスペーサ層
を、クラッド層間に有する埋め込み構造半導体レーザは
これまでなかった。

また、リーク電流低減のため、ｎ型ＩｎＰスペーサ層の
幅をできるだけ狭くする必要がある。そのためには、Ｐ
型ドーパントは、一般に用いられるＺｎよりも拡散の遅
い、したがってｎ型ＩｎＰスペーサ層を通して活性層脇
におけるパイルアップのおこりにくいＭｎを用いること
が望ましい。しかしＭｎをＰ型ドーパントとしたスペー
サ層、さらには、ＭｎをＰ型ドーパントとしたメサ保護
層を備えた埋め込み構造半導体レーザはなかった。

本発明による埋め込み構造半導体レーザは、電極層を（
１１１）Ａ面からなる逆メサ形状とし、電極層芯におい
てのみ極めて薄い、あるいは形成されないメサ保護層と
、活性層側面が、少なくともｎ型ＩｎＰであるスペーサ
層をクラッド層の間において有するので、低閾値電流、
高効率、ならびに高高周波特性を実現できる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。

第２図は本発明の一実施例であるＦｅ埋め込み構造半導
体レーザの断面図である。

５ 活性層４０は、発光波長１．３０μｍに相当するＩｎＧ
ａＡｓＰ半導体結晶である。活性層４ｏは、ど−ＩｎＰ
基板３５上において、ｎ型ＩｎＰクラッド層３８、Ｐ型
ＩｎＰクラッド層３４に上下から挟まれている。ｎ型Ｉ
ｎＰクラッド層３８の上には、ｎ型電極３１と良好なコ
ンタクトが得られるように、ｎ”−ＩｎＧａＡｓＰから
なる電極層３７が設けられている。活性層４ｏを含むメ
サ部分において、電極層３７とｎ型ＩｎＰクラッド層３
８の境界４１の付近から基板にかけた部分にのみ、Ｐ型
ＩｎＰからなるメサ保護層３９が形成される。メサ保護
層を有するメサ部分４２は、ＦｅをドーピングしたＩｎ
Ｐである半絶縁性結晶の電流ブロック層３３によフて、
両側か挟まれている。注入された電流が、活性層４０を
含むメサ部分４２に選択的に流れるよう、電流ブロック
層３３の上面には、５ｉｚ２１ｅ！３２が設けられてい
る。Ｐ型電極３６はＰ型基板３５の全面に、またｎ型電
極３１は素子上面の全面に形成されている。

次に、第３図に本実施例の製造工程の、各段階において
形成される製品の断面図を示す。先ず、６ （１００）面Ｐ型ＩｎＰ基板３５（キャリア濃度２ｘ１
０１８ｃｍ’−３）上に、ＺｎをドーパントとするＰ型
ＩｎＰバッファ層３４（キャリア濃度１ｘ１０１８ｃｍ
−”、厚さ１μｍｌ、発光波長１．３０μｍに相当する
ノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層４０（厚さ０．１　μ
ｍ）、Ｓをドーパントとするｎ型ＩｎＰクラッド層３８
（キャリア濃度５ｘ１０”ｃｍ””、厚さ１．５　μｍ
）　、　Ｓをドーパントとするｎ”−ＩｎＧａＡｓＰ電
極層３７（キャリア濃度２ｘｌＯ′８ｃ＋Ｎ’、厚さ０
．５μｍ）を順次積層させる（第３図（ａ））。次に電
極層３７の側面のみが（１１１）Ａ面からなる逆メサ形
状であり、電極層３７とｎ型ＩｎＰクラッド層３８の境
界４１付近から基板３５にかけては、徐々にストライプ
幅が広くなり、活性層４０の幅が３．５μｍであるメサ
構造を５ｉｎ２マスク４５を用いてエツチングによって
形成する（第３図（ｂ））。このようなメサ構造の作製
法の一例について説明する。まず電極層３７上に５ｉ０
２マスク４５を形成する。次にドライエツチングによっ
て、５ｉｎ２マスク４５が所定の形状となるようにエツ
チングする。この際、電極層３７はマスクの下部だけで
なく、全面にわたって一定の厚さが残るようにエッチさ
れる。次に１（２Ｓ　０４をエッチャントとするウェッ
トエツチングによって、電極層の残された厚さ部分を完
全に除去する。この時、マスク４５の下部の電極部分は
サイドエッチされ、マスク４５は庇状となる。さらにド
ライエツチングによって、ｎ型ＩｎＰクラッド層３８、
活性層４０およびＰ型ＩｎＰバッファ層３４をマスクの
下部を残して除去する。ただしバッファ層３４はその一
部が基板上に残されてもよい。その後プロメタノールに
よるウェットエツチングを行うと、電極層３７は側面が
（１１１）Ａ面を有する逆メサ形状となり、ＩｎＰクラ
ッド層３８以下はメサ状となる。さらに活性層４０の両
脇を選択的にＨ２ＳＯ４を用いてエツチングし、活性層
４０の幅を１．５μｍとする（第３図（Ｃ））。次に減
圧ＭＯＶＰＥ法によって、選択エツチングされた部分の
一部を、アンドープｎ型ＩｎＰ　（キャリア濃度１ｘｌ
Ｏ１６ｃｍ−’　）スペーサ層４４によって、閉塞しく
第３図（ｄ））、続いてスペーサ層４３であるＭｎをド
ーパントとするＰ型ＩｎＰ（キャリア濃度１ｘｌＯ”ｃ
ｎ＋−３）を順次形成する（第３図（ｅ））。このとき
、図に示すように、電極層３７の側面である（１１１）
入面においては、メサ保護層３９は殆ど形成されず、電
極層３７とｎ型ＩｎＰクラッド層３８の境界付近から基
板にかけての湾曲部においてのみ、厚さ０．１μｍ程度
のメサ保護層が形成される（第３図（ｅ））。引き続き
、ＦｅドープＩｎＰ電流阻止層３３をメサ部分の両側に
成長させる（第３図（ｆ））。最後に５ｊ０２膜３２、
ならびに電極３１および３６を形成し、個々のレーザチ
ップに切り出して、第２図に示すような、所望のＦｅ埋
め込み構造レーザな得た。

製作された半導体レーザの室温における特性は、発振閾
値電流７１ＩＡ　％外部微分効率０．２５ｍＷ／ｍＡ　
、最高出力３０ｍＷ、素子全体の容量は、１ｐＦ程度で
あり、高周波特性も１０ＧＨｚ以上と優れている。また
、本実施例では、注入電流の増加に伴う効率の低下はほ
とんどみられない。

さらに、−枚のウェハより、特性の揃った半導体レーザ
な歩留り良く得ることができた。

９ ［発明の効果］ 本発明による埋め込み構造半導体レーザにおいては、活
性層を含み、ストライプ状に形成されたメサ部分が、（
１１１）入面からなる逆メサ形状を有する電極層と、メ
サ部分側面において、電極層側面においてのみ、極めて
薄いか、形成されないＭｎをドーパントとするＰ型Ｉｎ
Ｐからなるメサ保護層と、クラッド層間において、活性
層脇が少なくともｎ型ＩｎＰであるスペーサ層を備え、
これらにより構成されるメサ部分が、Ｆｅを含有したＩ
ｎＰによって、埋め込まれている。

このような構成を採ることにより、メサ保護層を通した
リーク電流が低減された。また、活性層へのＦｅの拡散
が抑止され、活性層側面においてＦｅがパイルアップす
ることが皆無となった。さらには、スペーサ層構造を最
適化することにより、メサ保護層から活性層へのＰ型ド
ーパントの拡散が抑制されるとともに、ストライプ幅を
広げることが可能となり、これにより、メサ部分におけ
る抵抗を低減することができた。

　０ 以上の結果、閾値電流の低減、高出力動作、さらには、
長時間にわたる安定動作が可能となつた。

第８図は有機金属気相成長法により形成されたメサ保護
層を有する従来のＦｅ埋め込み構造半導体レーザの断面
図である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるＦｅ埋め込みのためのメサ構造を
示す図、 第２図は本発明の一実施例であるＦｅ埋め込み構造半導
体レーザの断面図、 第３図は本発明による製造工程の各段階において形成さ
れる製品の断面図、 第４図は従来のＦｅ埋め込み構造半導体レーザの断面図
、 第５図はメサ側面においてメサ保護層を有する従来のＦ
ｅ埋め込み構造半導体レーザの断面図、第６図は活性層
脇にスペーサ層を有する従来のＦｅ埋め込み構造半導体
レーザの断面図、第７図は液相成長法により形成された
メサ保護層を有する従来のＦｅ埋め込み構造半導体レー
ザの断面図、 １・・・Ｐ型電極、 ２・・・半絶縁性ＩｎＰ電流ブロック層、３・・・ｎ型
ＴｎＰクラッド層、 ４・・・ｎ＋型ＩｎＰ基板、 ５・・・ｎ型電極、 ６−　Ｐ”１ｎＧａＡｓＰ電極層、 ７・・・Ｐ型ＩｎＰクラッド層 ８　・＝　ＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ９・・・メサ保護層、 １ｌ−ｎ−ＩｎＰ基板、 １２・・・ｎ−ＩｎＰｎシバ９フフ １４・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層、 １５・＝　Ｐ”−１ｎｏ５ｓＧａ。、　４７ＡＳコンタ
クト層、１６・・・高抵抗ＩｎＰ層、 １７・・・ＩｎＰスペーサ層、 １Ｂ・・・５ｉ０２膜、 １９．２０・・・電極、 ２１・・・マスク、 ２２＝−１ｎＧａ八ｓＰへ極層、 ２３・・・Ｐ型ＴｎＰクラッド層、 ２４−１ｎＧａ八ｓＰへ性層、 ２６−ｎ型ＩｎＰ基板、 ３１・・・ｎ型電極、 ３２・・・５ｉ０２膜、 ３３・・・半絶縁性ＩｎＰ電流ブロツク層、３４・・・
Ｐ型■ロＰクラッド層、 ３５・・・Ｐ１型Ｉ口Ｐ基板、 ３６・・・Ｐ型電極、 ３７・＝　ｎ”１ｎＧａ八ｓＰへ極層、３８・・・ｎ型
ＩｎＰクラッド層、 ３９・・・メサ保護層、 ４０・−ＩｎＧａ八ｓＰへ性層、 ４１・・・電極層とｎ型ＩｎＰクラッド層との境界、４
２・・・メサ保護層を有するメサ部分、４３・・・Ｐ型
ＩｎＰスペーサ層、 ３ ４４・・・　ｎ　型１口Ｐ スペーサ層、 ４５・・・５ｉ０２マスク。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ストライプ状に形成され、少なくとも活性層および
   該活性層を挟み、互いに導電型の異なる二つのクラッド
   層を含むメサ部分と、該メサ部分の両側を埋め込むＦｅ
   を含有した半絶縁性ＩｎＰ電流阻止層を備えた埋め込み
   構造半導体レーザにおいて、 前記メサ部分は、前記活性層より上部に位置する（１１
   １）Ａ面からなる逆メサ形状部と、前記メサ部分の側面
   に設けられたＰ型ＩｎＰからなるメサ保護層と、 前記活性層と同一平面上で前記二つのクラッド層間に挟
   まれ、前記活性層に接するｎ型ＩｎＰおよび該ｎ型Ｉｎ
   Ｐに接するＰ型ＩｎＰからなる二種類の半導体層より構
   成されたスペーサ層を、 有することを特徴とする埋め込み構造半導体レーザ。 ２）前記逆メサ形状部が、ＩｎＧａＡｓＰ組成からなる
   電極層であることを特徴とする請求項１に記載の埋め込
   み構造半導体レーザ。 ３）前記メサ保護層およびＰ型ＩｎＰからなるスペーサ
   層がそれぞれＭｎを含有するＩｎＰからなることを特徴
   とする請求項１または２に記載の埋め込み構造半導体レ
   ーザ。 ４）第１の導電型を有する基板上に同じ導電型を有する
   バッファ層、活性層、第１の導電型と異なる導電型を有
   する第２の導電型のクラッド層および第２の導電型の電
   極層を順次積層する工程、前記電極層上に所定の形状の
   マスクを設ける工程、 前記マスクを介して前記積層をエッチングして前記電極
   層を逆メサ形状に、前記第２の導電型のクラッド層、前
   記活性層および前記第１の導電型のバッファ層をメサ形
   状に加工してメサ部を形成する工程、 前記活性層を選択的にエッチングして、その幅を規定す
   る工程、 前記活性層の両側に、該活性層と接して第２の導電型を
   有するスペーサ層を形成する工程、前記二つのクラッド
   層および前記スペーサ層の側面にメサ保護層を形成する
   工程および前記メサ部の両側に電流阻止層を形成する工
   程 を有することを特徴とする埋め込み構造半導体レーザの
   製造方法。