JPH0271122A - 赤外線イメージセンサ - Google Patents
赤外線イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0271122A JPH0271122A JP63223154A JP22315488A JPH0271122A JP H0271122 A JPH0271122 A JP H0271122A JP 63223154 A JP63223154 A JP 63223154A JP 22315488 A JP22315488 A JP 22315488A JP H0271122 A JPH0271122 A JP H0271122A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intensity distribution
- film
- image sensor
- luminous intensity
- erbium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野１
光通信用に使用される波長１．５５μｍの半導体レーザ
からの光ビームの強度分布を測定する赤外線イメージセ
ンサに関する。 ［発明の概要］ この発明は、波長１．５５μｍの半導体レーザからの光
ビームの強度分布を安価に計測・記録することを目的と
して、固体撮像素子とファイバープレートとエルビウム
系蛍光体とから構成した安価なイメージセンサを得たも
のである。
からの光ビームの強度分布を測定する赤外線イメージセ
ンサに関する。 ［発明の概要］ この発明は、波長１．５５μｍの半導体レーザからの光
ビームの強度分布を安価に計測・記録することを目的と
して、固体撮像素子とファイバープレートとエルビウム
系蛍光体とから構成した安価なイメージセンサを得たも
のである。
従来、この種の発明に関してはＰｔＳｉショットキーバ
リアーダイオードアレイを液体窒素で冷却した赤外線イ
メージセンサが使用されていた。 〔発明が解決しようとする課題１ 上記従来技術においては、ＰｔＳｉショットキーバリア
ーダイオードアレイが高価であるという欠点があった。 １課題を解決するための手段］ 本発明は上記の欠点をなくすためになされたもので、可
視および近赤外領域の一部に感度をもつ安価な固体撮像
素子とファイバープレートとエルビウム系蛍光膜とから
構成したので安価な赤外線イメージセンサを得ることが
できた。 〔作用ｌ 上記構成の作用は先ず、エルビウム系蛍光膜が波長１．
５５μｍの近赤外線像を可視光像に変換する。エルビウ
ムを多量に含有した蛍光体が１゜５５μｍの近赤外線を
可視光に変換することは以前より知られている。（オー
ム社 蛍光体ハンドブック １９８７） エルビウム系蛍光膜上の可視光像は、光ファイバーの束
であるファイバープレートによって、固体撮像素子の入
力面に伝送され、画像信号に変換される。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明す
る。 第１図は１本発明による赤外線イメージセンサ。 の一実施例を示す側断面図である。 基板７上に、可視光撮像用の２５万画素のＣＯＤ素子か
らなる固体撮像素子３を配置する。固体撮像素子３の人
力面には、ファイバープレート２が光学接着剤を用いて
接着されている。ファイバープレート２の他面には、エ
ルビウム系蛍光膜ｌが、高周波スパッタリング法により
形成されている。このエルビウム系蛍光体としては、Ｂ
ａＥｒ２Ｆｓ 、Ｙｏ、ａ Ｅｒｏ、ａ Ｆｓ等が用い
られる。 更に、エルビウム系蛍光膜ｌの近赤外線入射面に、蒸着
によりシリコン膜４が形成されている。 半導体レーザからの１．５５μｍの光ビームが、シリコ
ン膜４を透過してエルビウム系蛍光膜１に入射する。エ
ルビウム系蛍光膜１上には、１８５５μｍの近赤外線の
強度分布に対応した赤色の光強度分布が得られる。 エルビウム系蛍光膜ｌ上の赤色の光強度分布が、ファイ
バープレート２を介して、固体撮像素子３の入力面に伝
送される。 固体撮像素子３は、赤色の光に感応し、入力した赤色の
光強度分布に対応する画像信号を、つまり、半導体レー
ザからの１．５５μｍの光ビームの情報に対応する画像
信号を出力するものである。 本実施例では、シリコン膜４を配置しており、このシリ
コン膜４が、１．２μｍより短かい波長の光を通さない
ので、蛍光灯の照明の下でも、半導体レーザの１．５５
ＬＬｍの光ビームの光強度分布を、効率よく測定できる
ものである。 ［発明の効果］ この発明は以上説明したように、固体撮像素子とファイ
バープレートとエルビウム系蛍光膜とから構成すること
により、安価な１．５５μｍ用の赤外線イメージセンサ
を得たものである。
リアーダイオードアレイを液体窒素で冷却した赤外線イ
メージセンサが使用されていた。 〔発明が解決しようとする課題１ 上記従来技術においては、ＰｔＳｉショットキーバリア
ーダイオードアレイが高価であるという欠点があった。 １課題を解決するための手段］ 本発明は上記の欠点をなくすためになされたもので、可
視および近赤外領域の一部に感度をもつ安価な固体撮像
素子とファイバープレートとエルビウム系蛍光膜とから
構成したので安価な赤外線イメージセンサを得ることが
できた。 〔作用ｌ 上記構成の作用は先ず、エルビウム系蛍光膜が波長１．
５５μｍの近赤外線像を可視光像に変換する。エルビウ
ムを多量に含有した蛍光体が１゜５５μｍの近赤外線を
可視光に変換することは以前より知られている。（オー
ム社 蛍光体ハンドブック １９８７） エルビウム系蛍光膜上の可視光像は、光ファイバーの束
であるファイバープレートによって、固体撮像素子の入
力面に伝送され、画像信号に変換される。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明す
る。 第１図は１本発明による赤外線イメージセンサ。 の一実施例を示す側断面図である。 基板７上に、可視光撮像用の２５万画素のＣＯＤ素子か
らなる固体撮像素子３を配置する。固体撮像素子３の人
力面には、ファイバープレート２が光学接着剤を用いて
接着されている。ファイバープレート２の他面には、エ
ルビウム系蛍光膜ｌが、高周波スパッタリング法により
形成されている。このエルビウム系蛍光体としては、Ｂ
ａＥｒ２Ｆｓ 、Ｙｏ、ａ Ｅｒｏ、ａ Ｆｓ等が用い
られる。 更に、エルビウム系蛍光膜ｌの近赤外線入射面に、蒸着
によりシリコン膜４が形成されている。 半導体レーザからの１．５５μｍの光ビームが、シリコ
ン膜４を透過してエルビウム系蛍光膜１に入射する。エ
ルビウム系蛍光膜１上には、１８５５μｍの近赤外線の
強度分布に対応した赤色の光強度分布が得られる。 エルビウム系蛍光膜ｌ上の赤色の光強度分布が、ファイ
バープレート２を介して、固体撮像素子３の入力面に伝
送される。 固体撮像素子３は、赤色の光に感応し、入力した赤色の
光強度分布に対応する画像信号を、つまり、半導体レー
ザからの１．５５μｍの光ビームの情報に対応する画像
信号を出力するものである。 本実施例では、シリコン膜４を配置しており、このシリ
コン膜４が、１．２μｍより短かい波長の光を通さない
ので、蛍光灯の照明の下でも、半導体レーザの１．５５
ＬＬｍの光ビームの光強度分布を、効率よく測定できる
ものである。 ［発明の効果］ この発明は以上説明したように、固体撮像素子とファイ
バープレートとエルビウム系蛍光膜とから構成すること
により、安価な１．５５μｍ用の赤外線イメージセンサ
を得たものである。
第１図は本発明による赤外線イメージセンサの一実施例
を示す側断面図である。 エルビウム系蛍光体 ファイバープレート 固体撮像素子 シリコン膜 ボンディングワイヤー リード 基板 第 １ 図
を示す側断面図である。 エルビウム系蛍光体 ファイバープレート 固体撮像素子 シリコン膜 ボンディングワイヤー リード 基板 第 １ 図
Claims (2)
- （１）固体撮像素子とファイバープレートとエルビウム
系蛍光膜とから構成されることを特徴とする赤外線イメ
ージセンサ。 - （２）エルビウム系蛍光膜の近赤外線入射側にシリコン
膜を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の赤外線イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63223154A JPH0271122A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 赤外線イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63223154A JPH0271122A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 赤外線イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271122A true JPH0271122A (ja) | 1990-03-09 |
Family
ID=16793638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63223154A Pending JPH0271122A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 赤外線イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0271122A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354870A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 不可視光イメージ検出装置 |
| US7326119B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-02-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Boot for constant velocity universal joint |
| US7338383B2 (en) | 2004-02-27 | 2008-03-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Constant velocity joint boot |
| JP2011163867A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Sony Corp | 撮像デバイス、撮像装置、スペクトル置換デバイス |
| CN108489948A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-09-04 | 哈尔滨工程大学 | 一种u型双向光纤荧光辐射传感探头 |
-
1988
- 1988-09-06 JP JP63223154A patent/JPH0271122A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354870A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 不可視光イメージ検出装置 |
| US7338383B2 (en) | 2004-02-27 | 2008-03-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Constant velocity joint boot |
| US7326119B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-02-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Boot for constant velocity universal joint |
| JP2011163867A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Sony Corp | 撮像デバイス、撮像装置、スペクトル置換デバイス |
| CN108489948A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-09-04 | 哈尔滨工程大学 | 一种u型双向光纤荧光辐射传感探头 |
| CN108489948B (zh) * | 2018-03-23 | 2020-12-22 | 哈尔滨工程大学 | 一种u型双向光纤荧光辐射传感探头 |
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