JPH0230125A - Plasma treatment device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、プラズマ処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a plasma processing apparatus.
（従来の技術）
文字・数字・図形・画像等を電気的手段を利用して表示
する表示装置として、軽量小型、低消費電力、長寿命化
等の見地から、例えばＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ ：液晶表示）装置が実用され
ている。(Prior Art) As a display device that displays characters, numbers, figures, images, etc. using electrical means, for example, LCD (Liquid Crys
tal Display (liquid crystal display) devices are in practical use.
上記ＬＣＤの製造には、半導体ウェハ製造技術が用いら
れ、蒸着した透明導電膜を選択的にエツチングすること
により電極パターンが形成される。Semiconductor wafer manufacturing technology is used to manufacture the above LCD, and electrode patterns are formed by selectively etching a deposited transparent conductive film.
上記エツチングにおいては、品質の安定性・生産性・経
済性の而で優れているウェットエツチングが行なわれて
いる６しかし、セグメント表示するＬＣＤの場合、上記
電極パターンの精度は３００〜５００ｐ程度であるが、
ＴＶ両画像どをマトリクス表示するＬＣＤの場合は電極
パターンの精度を１０〜２０ρに設定する場合がある。In the above etching, wet etching is used, which is superior in terms of quality stability, productivity, and economy.6However, in the case of an LCD that displays segments, the accuracy of the electrode pattern is about 300 to 500p. but,
In the case of an LCD that displays both TV images in a matrix, the accuracy of the electrode pattern may be set to 10 to 20 ρ.
更に、近年上記電極パターンの微細化が進み、上記ウェ
ットエツチングでは上記電極パターンの微細化に対応す
ることが困難となって来ており、上記ウェットエツチン
グに代わりドライエツチングが注目されている。Furthermore, as the electrode patterns have become finer in recent years, it has become difficult for the wet etching to cope with the finer electrode patterns, so dry etching has been attracting attention as an alternative to the wet etching.
このドライエツチングは、減圧処理室内に対向配置され
た電極の一方に上記ＬＣＤ用ガラス基板を設置し、上記
電極間に電力を印加することにより、導入したエツチン
グガスをプラズマ化し、このプラズマ化したエツチング
ガスにより′電極パターンを形成するものである。In this dry etching, the glass substrate for LCD is placed on one side of the electrodes arranged opposite to each other in a reduced pressure processing chamber, and by applying electric power between the electrodes, the introduced etching gas is turned into plasma, and the etching gas turned into plasma is turned into plasma. An electrode pattern is formed using gas.
（発明が解決しようとする課題）
上記エツチングガスをプラズマ化するためには、当然上
記電極間に放電を発生させるが、この放電は上記電極間
に限らず、一方の高圧電極と上記処理室内壁凸部との間
にも放電が発生する。この高圧電極と処理室内壁凸部間
の放電は、アーク放電となり、このアーク放電はエネル
ギーが強いため。(Problem to be Solved by the Invention) In order to turn the etching gas into plasma, a discharge is naturally generated between the electrodes, but this discharge is not limited to between the electrodes, but also between one high-voltage electrode and the inner wall of the processing chamber. Electric discharge also occurs between the protrusions and the protrusions. The discharge between this high-voltage electrode and the convex part of the processing chamber wall becomes an arc discharge, and this arc discharge has strong energy.
薄い絶縁膜程度のものは破壊して放電が発生する。Something as thin as an insulating film will be destroyed and a discharge will occur.
通常、上記処理室内壁には、耐腐食対策のためアルマイ
ト処理により絶縁膜が形成されている。しかし、この絶
縁膜が上記放電により破壊されて剥離し、これが塵とな
って上記ＬＣＤ基板を汚染してしまう他、上記放電によ
り絶縁膜が破壊されると、その部分がエツチングガス等
により腐食され、これも汚染の原因となる。Usually, an insulating film is formed on the inner wall of the processing chamber by alumite treatment to prevent corrosion. However, this insulating film is destroyed and peeled off by the discharge, which turns into dust and contaminates the LCD substrate.When the insulating film is destroyed by the discharge, the part is corroded by etching gas, etc. , which also causes pollution.
又、エツチングに寄与する放電が不安定になったり、不
均一になってエツチング特性に悪影響をおよぼす。Furthermore, the discharge that contributes to etching becomes unstable or non-uniform, which adversely affects etching characteristics.
本発明は上記点に対処してなされたもので、処理室内壁
凸部への放電の発生を抑止することにより、被処理体の
歩留まりの低下を防ぐことを可能としたプラズマ処理装
置を提供しようとするものである。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus that is capable of preventing a decrease in the yield of objects to be processed by suppressing the occurrence of electrical discharge on the convex portion of the processing chamber wall. That is.
（課題を解決するための手段）
本発明は、処理室内に設定された被処理体をプラズマ処
理する装置において、上記処理室内壁の凸部を絶縁体に
より被覆することを特徴とするプラズマ処理装置を提供
しようとするものである。(Means for Solving the Problems) The present invention provides a plasma processing apparatus for plasma processing an object to be processed set in a processing chamber, characterized in that a convex portion of the inner wall of the processing chamber is covered with an insulator. This is what we are trying to provide.
（作用効果）
即ち、本発明は、処理室内壁の凸部を絶縁体により被覆
することにより、電極及び処理室内壁凸部間の放電を抑
止し、被処理体のプラズマ処理に寄与する放電の効率低
下を防止し、放電の安定を計ることができる。そのため
、上記電極及び処理室内壁凸部間の放電による塵の発生
はなく、上記被処理体及び処理室内の汚染を防止するこ
とができる。(Operation and Effect) That is, the present invention suppresses the discharge between the electrode and the protrusion on the processing chamber wall by covering the convex portion on the inner wall of the processing chamber with an insulator, thereby suppressing the discharge that contributes to the plasma processing of the object to be processed. This prevents efficiency from decreasing and stabilizes discharge. Therefore, no dust is generated due to discharge between the electrode and the convex portion of the processing chamber wall, and contamination of the object to be processed and the inside of the processing chamber can be prevented.
（実施例）
以下、本発明装置をＬＣＤ基板のエツチング処理工程に
適用した一実施例につき１図面を参照して説明する。(Example) Hereinafter, an example in which the apparatus of the present invention is applied to an etching process of an LCD substrate will be described with reference to one drawing.
まず、プラズマ処理装置の構成を説明する。First, the configuration of the plasma processing apparatus will be explained.
エツチング処理が行なわれる処理室■は、材質例えばア
ルミニウム製で、耐腐食対策例えば表面にアルミナの被
膜が形成されている。この処理室■は、立方体形状で、
メンテナンスを容易にする等の理由から上記処理室（ト
）上面が開閉可能とされている。更に、上記処理室（１
）の側壁には開口■が設けられており、この間口■を開
閉可能とする開閉機構■が、上記処理室■側壁の外面に
設けられている。この開閉機構■が上記開口■を閉じる
ことにより、上記処理室（１）内を気密に設定可能とし
ている。また、上記処理室ω内の下方には、昇降機構（
イ）に連設した下部電極■が昇降自在に設けられ、この
昇降に対応して材質例えばステンレススチール製のベロ
ーズ０により気密が保たれている。The processing chamber (2) in which the etching process is performed is made of a material such as aluminum, and has a corrosion-resistant measure such as an alumina coating formed on the surface. This processing chamber ■ has a cubic shape,
For reasons such as ease of maintenance, the upper surface of the processing chamber (G) can be opened and closed. Furthermore, the processing chamber (1
) is provided with an opening (2) on the side wall of the processing chamber (2), and an opening/closing mechanism (2) for opening and closing this opening (2) is provided on the outer surface of the side wall of the processing chamber (2). By closing the opening (2) with this opening/closing mechanism (2), the inside of the processing chamber (1) can be made airtight. In addition, a lifting mechanism (
A lower electrode (2) connected to (a) is provided so as to be movable up and down, and airtightness is maintained by a bellows (0) made of a material such as stainless steel in response to this up and down movement.
上記下部電極■は、例えばアルミニウム製で表面にアル
マイト処理を施しである平板状に形成されている。この
下部電極０の上面には、被処理体例えばＬＣＤＣＤ基板
膜置可能となっており、このＬＣＤ基板の設置を容易と
するために、上記下部電極０表面に出没自在なリフター
ビン（図示せず）が設けられている。また、上記ＬＣＤ
基板をプラズマ処理例えばプラズマエツチングする際に
発生させる放電即ちグロー放電を、上記ＬＣＤ基板表面
に集中させるため、上記下部電極■の上面周縁部には、
上記ＬＣＤ基板■の外周形状とほぼ同形状の開口を有す
る絶縁材質からなるフォーカス体（ハ）が設けられてい
る。更に、上記下部電極■下面も絶縁体０で覆われ、こ
の下部電極■はアース（１０）されている。The lower electrode (2) is made of aluminum, for example, and is formed into a flat plate whose surface is subjected to an alumite treatment. On the upper surface of the lower electrode 0, an object to be processed, such as an LCDCD substrate film, can be placed.In order to facilitate the installation of this LCD substrate, a lift turbine (not shown) that can freely appear on the surface of the lower electrode 0 is provided. ) is provided. In addition, the above LCD
In order to concentrate the discharge, that is, glow discharge, generated when the substrate is subjected to plasma processing, such as plasma etching, on the surface of the LCD substrate, a peripheral edge of the upper surface of the lower electrode (2) is provided.
A focus body (c) made of an insulating material and having an opening having substantially the same shape as the outer circumferential shape of the LCD board (c) is provided. Furthermore, the lower surface of the lower electrode (2) is also covered with an insulator 0, and this lower electrode (2) is grounded (10).
また、上記処理室（１）内の上方即ち上記下部゛電極０
の対向位置には、導電性様質例えばグラファイト製の上
部電極（１１）が設けられている。この上部電極（１１
）は上記ＬＣＤ基板０表面と同形状を露出させ、それ以
外の部分に絶縁体（１２）を覆設して、上記上部電極（
１１）の露出下面と上記下部電極■上面のみにグロー放
電が発生する如く構成されている。上記絶縁体（１２）
は、上記上部電極（１１）を支持し、上記処理室（］）
側壁上端に固定可能となっている。また、上記上部電極
（１１）には電［（１３）が接続しており、上記上部電
極（１１）及び下部電極０間で放電可能とされている。Further, the upper part in the processing chamber (1), that is, the lower part' electrode 0
An upper electrode (11) made of a conductive substance, for example graphite, is provided at the opposite position. This upper electrode (11
) exposes the same shape as the surface of the LCD substrate 0, and covers the other parts with an insulator (12) to form the upper electrode (
The structure is such that glow discharge occurs only on the exposed lower surface of 11) and the upper surface of the lower electrode 1. The above insulator (12)
supports the upper electrode (11) and the processing chamber (])
It can be fixed to the upper end of the side wall. Further, an electric current (13) is connected to the upper electrode (11), and discharge is possible between the upper electrode (11) and the lower electrode 0.
この場合、・下部電極（ハ）側が接地され、この下部電
極■に上記ＬＣＤ基板■を載置するため、ラジカルによ
りエツチングされるプラズマエツチングモードに設定さ
れているが、イオンによりエツチングされるＲＩＥ （
リアクティブ・イオン・エツチング）モードにも対応す
る如く、下部電極■に電源（１３）を接続し５上部電極
（１１）を接地することもできる。また、上記上部電極
（１１）には、所定の口径の孔（図示せず）が複数個形
成されており、この孔からプラズマ処理用反応ガス例え
ばエツチングガスを流通可能としている。このエツチン
グガスは、上記上部電極（１１）上部に設けられた空間
（１４）に接続したガス供給管（１５）から供給される
如く構成されている。このガス供給管（１５）は、図示
しないガス供給源に連設し、上記空間（１４）内へ所定
の処理ガスを所定量で供給可能とされている。上記空間
（１４）内に供給された処理ガスを上記ＬＣＤ基板０表
面に均一に供給するために、上記空間（１４）内には複
数枚のバッフル（１６）が設けられている。このバッフ
ル（１６）には。In this case, the lower electrode (C) side is grounded, and in order to place the LCD substrate (2) on this lower electrode (2), the plasma etching mode is set in which the etching is performed by radicals, but the RIE (etching by ions) is set.
In order to support the reactive ion etching (reactive ion etching) mode, it is also possible to connect the power supply (13) to the lower electrode (1) and ground the upper electrode (5). Further, a plurality of holes (not shown) having a predetermined diameter are formed in the upper electrode (11), through which a reactive gas for plasma processing, such as an etching gas, can flow. This etching gas is supplied from a gas supply pipe (15) connected to a space (14) provided above the upper electrode (11). This gas supply pipe (15) is connected to a gas supply source (not shown) and is capable of supplying a predetermined amount of a predetermined processing gas into the space (14). In order to uniformly supply the processing gas supplied into the space (14) to the surface of the LCD substrate 0, a plurality of baffles (16) are provided within the space (14). In this baffle (16).
複数個の開孔が形成されており、上記処理ガスが上記開
孔を有するバッフル（１６）を複数枚通過することによ
り広面積に均一に拡散されるようになっている。A plurality of openings are formed, and the processing gas is uniformly diffused over a wide area by passing through the plurality of baffles (16) having the openings.
また、上記処理室（１）の下方周縁部には、上記処理室
ω内のガスが均一に排気される如く、各点で異なる所定
の開孔率に設定した整流体（１７）が、取付台（１８）
に着脱自在に設けられている。このような整流体（１７
）を介して上記処理室ω内のガスを排気する如く排気管
（１９）が接続し、この排気管（１９）は図示しない排
気機構例えばロータリーポンプやターボ分子ポンプ等に
連設している。In addition, a fluid regulator (17) is installed at the lower peripheral edge of the processing chamber (1) so that the gas in the processing chamber ω is uniformly exhausted, and the opening ratio is set to be different at each point. Stand (18)
It is removably installed on the. Such a rectifier (17
), an exhaust pipe (19) is connected to exhaust the gas in the processing chamber ω, and this exhaust pipe (19) is connected to an exhaust mechanism (not shown), such as a rotary pump or a turbomolecular pump.
また、上記上部電極（１１）及び下部電極０間に放電を
発生させる場合、高圧電極である上記電極（１１）と接
地電極である下部電極０との間のみらなず、上記上部電
極（１１）及び上記処理室の内壁の凸部間にも放電が発
生してしまう。そのため、上記処理室■内壁の凸部例え
ば処理室■側壁に形成された開口■のエッチに着脱自在
な絶縁体（２０）が取着され、上記エッチを被覆してい
る。この絶縁体（２０）は、第２図に示すように、上記
開口■エッヂを覆うように断面り字型の角型リング形状
で、低誘電率の絶縁材質例えばテフロン或いはセラミッ
クで形成されており、この絶縁体（２０）のＬ字型突出
部を上記開口■に嵌合可能となっている。このようにし
てプラズマ処理装置が構成されている。In addition, when generating a discharge between the upper electrode (11) and the lower electrode 0, not only the discharge between the upper electrode (11), which is a high voltage electrode, and the lower electrode 0, which is a ground electrode, but also the discharge between the upper electrode (11) and the lower electrode 0, which is a high voltage electrode, ) and between the convex portions of the inner wall of the processing chamber. Therefore, a removable insulator (20) is attached to the convex portion of the inner wall of the processing chamber (1), for example, the etching of the opening (2) formed on the side wall of the processing chamber (2), to cover the etching. As shown in FIG. 2, this insulator (20) has a rectangular ring shape with a cross section so as to cover the edge of the opening, and is made of an insulating material with a low dielectric constant, such as Teflon or ceramic. The L-shaped protrusion of this insulator (20) can be fitted into the opening (2). The plasma processing apparatus is configured in this way.
次に、上述したプラズマ処理装置の動作作用を説明する
。Next, the operation of the plasma processing apparatus described above will be explained.
まず、処理：す（υ内を所定の減圧状態に設定し。First, process: Set the inside of υ to a predetermined reduced pressure state.
処理室（１）側壁に形成されている開口■を開閉機構（
３）の動作により開け、図示しない搬送機構例えばハン
ドリングアームにより、被処理体例えばＬＣＤＣＤ基板
上記処理室ω内へ搬入する。上記開閉機構（■により上
記開口■を開けても、上記処理室（υの圧力を保持可能
とするように、上記開口■の外部空間をロードロック室
としておく。そして、上記ＬＣＤ基板■を下部電極０表
面の予め定められた位置に設置する。この時、上記ＬＣ
Ｄ基板の設置を容易に行なえるように、リフタービン（
図示せず）により中継している。そして、上記ハンドリ
ングアームを処理室ω内から搬出した後、上記開口■を
閉じ、処理室の内部を気密に設定する。Opening/closing mechanism (
It is opened by the operation 3), and the object to be processed, such as an LCDCD substrate, is carried into the processing chamber ω by a transport mechanism (not shown), such as a handling arm. The external space of the opening (■) is set as a load lock chamber so that even if the opening (2) is opened by the opening/closing mechanism (■), the pressure of the processing chamber (υ) can be maintained. Install it at a predetermined position on the surface of electrode 0. At this time, the above LC
A lift turbine (
(not shown). After carrying out the handling arm from inside the processing chamber ω, the opening ② is closed to make the inside of the processing chamber airtight.
そして、上記下部電極０を昇降機構（イ）により上昇さ
せ、上記ＬＣＤ基板０表面と上部電極（１１）表面との
間隔を所定の間隔に設定する。この後、上記上部電極（
１１）及び下部電極０間に電源（１３）により電力を印
加し、グロー放電を発生させる。これと同時に、ガス供
給源（図示せず）から所定の処理ガス即ちエツチングガ
スをガス供給管（１５）を介して空間（１４）に流入す
る。そして、この空間（１４）内に流入されたガスは、
上記空間（１４）内に設けられているバッフル（１６）
により広範囲に拡散され、上記上部電極（１１）に形成
されている複数の開孔から上ＬＣＤ基板表面に供給する
。ここで、この供給されたエツチングガスが上記グロー
放電によりプラズマ化され、これにより発生したラジカ
ルにより、上記ＬＣＤ基板０表面に被着している例えば
、α−５ｉｎ＆！、ＳｉＮｇ膜、Ａβ膜等を選択的に除
去する。Then, the lower electrode 0 is raised by the lifting mechanism (a), and the distance between the surface of the LCD substrate 0 and the surface of the upper electrode (11) is set to a predetermined distance. After this, the upper electrode (
11) and the lower electrode 0 from a power source (13) to generate glow discharge. At the same time, a predetermined processing gas, ie, etching gas, flows from a gas supply source (not shown) into the space (14) through the gas supply pipe (15). The gas flowed into this space (14) is
Baffle (16) provided in the space (14)
It is diffused over a wide range and supplied to the surface of the upper LCD substrate through a plurality of openings formed in the upper electrode (11). Here, the supplied etching gas is turned into plasma by the glow discharge, and the radicals generated thereby adhere to the surface of the LCD substrate 0, for example, α-5in&! , SiNg film, Aβ film, etc. are selectively removed.
この時、上記放電により上部電極（１１）及び下部電極
■が加熱されてしまうため、上記上部電極（１１）及び
下部電極■は夫々冷却されている。これは、上部電極（
１１）が加熱されると、電極やその他の電極部構成部品
が破損してしまうことや、熱輻射によりレジストにダメ
ージを与えること等がある。At this time, since the upper electrode (11) and the lower electrode (2) are heated by the discharge, the upper electrode (11) and the lower electrode (2) are cooled, respectively. This is the upper electrode (
If 11) is heated, the electrode and other electrode component parts may be damaged, and the resist may be damaged due to thermal radiation.
また、上記下部電極■が加熱されると、この下部電極０
表面に設定されたＬＣＤ基板■が加熱され、特に、この
ＬＣＤ基板０表面に被着されたレジストが１８０℃付近
で変異し、必要以上にキユアリングしたり、選択比が悪
くなる等の問題があるため。Moreover, when the lower electrode (■) is heated, this lower electrode (0)
The LCD substrate 2 set on the surface is heated, and in particular, the resist adhered to the surface of the LCD substrate 0 changes at around 180°C, causing problems such as unnecessarily curing and poor selectivity. For.
夫々冷却を必要としている。そして、エツチング廃ガス
等は、上記処理室ω白下方縁部に設けられた整流体（１
７）を介して排気管（１９）より排気される。Each requires cooling. Etching waste gas, etc., is removed from a rectifier (1) provided at the lower edge of the processing chamber ω white.
7) and is exhausted from the exhaust pipe (19).
このようにしてエツチング処理が行なわれるが、上記エ
ツチングの際には放電が行なわれる。通常。Etching processing is performed in this manner, and discharge is performed during the etching. usually.
エツチング処理に寄与する放電は、上記上部電極（１１
）及び下部電極０間で均一に発生するグロー放電である
が、上記上部電極（１１）及び上記処理室中内壁凸部間
にも放電が発生する。この放電はアーク放電であり、こ
のアーク放電はエネルギー密度が高く、薄い絶縁膜程度
のものは破壊して放電が発生してしまう。これは、上記
処理室■内壁も接地されていることから、この処理室（
１）内壁と上記下部電極０が同電位となり、上記放電が
発生してしまう。特に、上記放電は、電界集中を起こし
やすい尖塔的形状をした凸部やエッチ部に発生する場合
が多い。この凸部やエッチ部としては、例えば上記ＬＣ
Ｄ基板■を上記処理室０）内へ搬入量する開口■や、上
記処理室の内壁に形成された図示しない目視窓の凸部や
、更に、図示はしないが上記処理室（υ内の圧力をモニ
ターするための圧力計用に上記処理室α）内壁に形成さ
れた貫通穴の凸部等が考えられる。これらの凸部に、絶
縁体を取着することにより、上記アーク放電の発生を防
止することができる。例えば、上記ＬＣＤ基板■をＩＩ
ＸＩ入出するための開口■の凸部に、角型の絶縁体（２
０）を取着することで、上記開口■凸部へのアーク放電
を防止することができる。The discharge contributing to the etching process is caused by the upper electrode (11
) and the lower electrode 0, but discharge also occurs between the upper electrode (11) and the convex portion of the inner wall of the processing chamber. This discharge is an arc discharge, and this arc discharge has a high energy density, and something as thin as an insulating film will be destroyed and the discharge will occur. This is because the inner wall of the processing chamber (■) above is also grounded, so this processing chamber (
1) The inner wall and the lower electrode 0 have the same potential, and the discharge occurs. In particular, the discharge often occurs in spire-shaped convex portions or etched portions that tend to cause electric field concentration. This convex portion or etched portion may be, for example, the above-mentioned LC.
The opening ■ through which the D substrate ■ is carried into the processing chamber 0), the convex part of the viewing window (not shown) formed on the inner wall of the processing chamber, and the pressure inside the processing chamber (υ A convex portion of a through hole formed on the inner wall of the processing chamber α) may be used as a pressure gauge for monitoring the pressure. By attaching an insulator to these protrusions, it is possible to prevent the above-mentioned arc discharge from occurring. For example, the above LCD board
A square insulator (2
By attaching 0), it is possible to prevent arc discharge to the convex portion of the opening 1 above.
上記実施例では、ラジカルによりエツチングするプラズ
マエツチングモードで説明したが、ＲＩＥモードでも同
様であり、このＲＩＥモードの場合、接地電極が異なる
ため、当然上記処理室■内壁凸部と放電する電極も異な
る。In the above embodiment, the plasma etching mode in which etching is performed using radicals was explained, but the same applies to the RIE mode. In this RIE mode, since the ground electrode is different, the electrodes that discharge from the protrusions on the inner wall of the processing chamber are also different. .
また、上記実施例では、被処理体としてＬＣＤ基板を例
に上げて説明したが、これに限定するものではなく、例
えば半導体ウェハでも同様な効果が得られる。更に、被
処理体のプラズマ処理としてエツチング処理について説
明したが、これに限定するものではなく、例えばＣＶＤ
処理・アッシング処理・スパッタ処理・クリーニング処
理等に適用しても同様な効果が得られる。Further, in the above embodiments, an LCD substrate was used as an example of the object to be processed, but the object is not limited to this, and similar effects can be obtained with a semiconductor wafer, for example. Furthermore, although etching processing has been described as plasma processing of the object to be processed, the invention is not limited to this, and for example, CVD
Similar effects can be obtained even when applied to processing, ashing processing, sputtering processing, cleaning processing, etc.
以上述べたようにこの実施例によれば、処理室内壁の凸
部を絶縁体により被覆することにより、電極及び処理室
内壁凸部間のアーク放電を抑止し、被処理体のプラズマ
処理に寄与する放電の効率低下を防止すること及び放電
の安定性の向上を計ることができる。そのため、上記電
極及び処理室内壁凸部間の放電による塵の発生はなく、
上記被処理体及び処理室内の汚染を防止することができ
、歩留まりの低下を抑止することが可能となる。As described above, according to this embodiment, by covering the convex portion of the processing chamber wall with an insulator, arc discharge between the electrode and the convex portion of the processing chamber wall is suppressed, contributing to plasma processing of the object to be processed. Therefore, it is possible to prevent a decrease in discharge efficiency and improve the stability of discharge. Therefore, there is no generation of dust due to electrical discharge between the electrode and the convex part of the processing chamber wall.
Contamination within the object to be processed and the processing chamber can be prevented, and a decrease in yield can be suppressed.
第１図は本発明装置の一実施例を説明するためのプラズ
マ処理装置の構成図、第２図は第１図の絶縁体説明図で
ある。
１・・・処理室 ２・・・開口５・・・下部
電極 １１・・・上部電極２０・・・絶縁体FIG. 1 is a configuration diagram of a plasma processing apparatus for explaining one embodiment of the apparatus of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram of the insulator shown in FIG. 1. 1... Processing chamber 2... Opening 5... Lower electrode 11... Upper electrode 20... Insulator
Claims (1)
において、上記処理室内壁の凸部を絶縁体により被覆す
ることを特徴とするプラズマ処理装置。What is claimed is: 1. A plasma processing apparatus for plasma processing an object to be processed set within a processing chamber, characterized in that a convex portion of the inner wall of the processing chamber is covered with an insulator.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP63180548A JP2804762B2 (en) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | Plasma processing equipment |
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| JP09084337A Division JP3113836B2 (en) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | Plasma processing equipment |
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1988
- 1988-07-19 JP JP63180548A patent/JP2804762B2/en not_active Expired - Fee Related
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