JPH02305207A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
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- JPH02305207A JPH02305207A JP12732589A JP12732589A JPH02305207A JP H02305207 A JPH02305207 A JP H02305207A JP 12732589 A JP12732589 A JP 12732589A JP 12732589 A JP12732589 A JP 12732589A JP H02305207 A JPH02305207 A JP H02305207A
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- Japan
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- wafer
- acoustic wave
- blade
- surface acoustic
- chipping
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 13
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は弾性表面波素子の製造方法に関するものである
。
。
(ロ)従来の技術
一般に、弾性表面波素子はLITaOl、LIN’ l
) () z等の一枚のウェハ表面上に同一電極パター
ンを複数個形成し、各素子(チップ)ごとに切断分割(
ダイシング)される。この際、ウェハの結晶方位により
割れや欠け(以下、チッピングと称す)が発生し、歩留
りが低下するという問題がある。この問題を解消するた
めに、例えば、特開昭59−151.5.4号公報(、
HO3H3108)に示されるような方法がある。これ
はL INl〕Or単結晶の襞開面とウェハ表面との交
線方向にダイシング加工を行いチッピングの発生を防止
するというものである。しかしながら、チンピングを皆
無にすることは不可能であり、又、L i T a O
r結晶の場合、弾性表面波の伝播方向と結晶の襞間方向
とは必ずしも一致しない。
) () z等の一枚のウェハ表面上に同一電極パター
ンを複数個形成し、各素子(チップ)ごとに切断分割(
ダイシング)される。この際、ウェハの結晶方位により
割れや欠け(以下、チッピングと称す)が発生し、歩留
りが低下するという問題がある。この問題を解消するた
めに、例えば、特開昭59−151.5.4号公報(、
HO3H3108)に示されるような方法がある。これ
はL INl〕Or単結晶の襞開面とウェハ表面との交
線方向にダイシング加工を行いチッピングの発生を防止
するというものである。しかしながら、チンピングを皆
無にすることは不可能であり、又、L i T a O
r結晶の場合、弾性表面波の伝播方向と結晶の襞間方向
とは必ずしも一致しない。
又、特開昭62−122405号公報(+1031(3
108)にはチップ端面を研摩する方法が提案されてい
るが製造工数が増し、製造作業上問題がある。
108)にはチップ端面を研摩する方法が提案されてい
るが製造工数が増し、製造作業上問題がある。
さらに、チッピングにより生じたウェハの欠けらがウェ
ハ表面に形成されている電極パターンを傷つけるという
間組もある(第3図参照)6(ハ)発明が解決しようと
する課題 本発明は上述の問題に鑑み為されたものであり、ウェハ
のダイシング加工において、チッピングの発生を防止し
、又、チンピングにより生じる欠けらによる電極パター
ンの損傷を減少させる弾性表面波素子の製造方法を提供
することを目的とするものである。
ハ表面に形成されている電極パターンを傷つけるという
間組もある(第3図参照)6(ハ)発明が解決しようと
する課題 本発明は上述の問題に鑑み為されたものであり、ウェハ
のダイシング加工において、チッピングの発生を防止し
、又、チンピングにより生じる欠けらによる電極パター
ンの損傷を減少させる弾性表面波素子の製造方法を提供
することを目的とするものである。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は弾性表面波素子の製造方法であり、複数の弾性
表面波素子の電極が形成されるウェハの一方の主面から
第1のブレードにより切込溝を形成する工程と、第】の
ブレードより輻狭の第2のブレードにより切込溝にそっ
てウェハの他方の主面まで切1析する工程とを具備する
ものである。
表面波素子の電極が形成されるウェハの一方の主面から
第1のブレードにより切込溝を形成する工程と、第】の
ブレードより輻狭の第2のブレードにより切込溝にそっ
てウェハの他方の主面まで切1析する工程とを具備する
ものである。
又、本発明は複数の弾性表面波素子の電極が形成される
ウェハの電極形成面にアルカリ可溶性樹脂等の保護膜を
形成する工程と、ウェハ切断後、該保護膜を除去する工
程とを具備するものである。
ウェハの電極形成面にアルカリ可溶性樹脂等の保護膜を
形成する工程と、ウェハ切断後、該保護膜を除去する工
程とを具備するものである。
(ホ)作 用
」−気の如き製造方法により、ウニ/\の切断時におけ
るチッピングの発生が押さえられ、又電極パターンの損
傷が防止される。
るチッピングの発生が押さえられ、又電極パターンの損
傷が防止される。
(へ)実施例
本発明の第1の実施例を図面に従い説明する。
第1図は本発明によるウエノ1の切断工程を説明するた
めのウェハの断面図である。第1図において、(1)は
L i T a Os、I−i N b O+等のウニ
l凡てあり、その厚み(1)は400−500I1mで
ある。(2)はウェハ(1)上に形成されるA J2等
の電極である。
めのウェハの断面図である。第1図において、(1)は
L i T a Os、I−i N b O+等のウニ
l凡てあり、その厚み(1)は400−500I1mで
ある。(2)はウェハ(1)上に形成されるA J2等
の電極である。
ウェハの切断工程を説明すると、まず、幅広(150μ
m)の第1のブレード(図示せず)にて深さくcl)3
0〜50μmの切込溝(3)を形成する。この時チッピ
ングは発生しない。即ち、通常のダイシング加工におい
て、チッピングが発生する原因として、ブレードの切込
みによる機械的な歪みがあり、この機械的な歪みはウェ
ハ内部で起る。ウェハ内部ではクラ・シフを結晶の結合
力により防いでいるが、ウェハ表面ではこの結合力が弱
いので、チッピングが発生する。従って、ブレードにま
りウェハを深く切断する程チッピンダの発生は増加する
。
m)の第1のブレード(図示せず)にて深さくcl)3
0〜50μmの切込溝(3)を形成する。この時チッピ
ングは発生しない。即ち、通常のダイシング加工におい
て、チッピングが発生する原因として、ブレードの切込
みによる機械的な歪みがあり、この機械的な歪みはウェ
ハ内部で起る。ウェハ内部ではクラ・シフを結晶の結合
力により防いでいるが、ウェハ表面ではこの結合力が弱
いので、チッピングが発生する。従って、ブレードにま
りウェハを深く切断する程チッピンダの発生は増加する
。
それ故、上述の如く、最初に第1のブレードによりウェ
ハ(1)の表面に浅く幅広の切込溝(3)を形成すると
、切込溝(3)の深さくd)はウェハの厚み(1)に比
べて非常に小さいので、チッピングは生じない。
ハ(1)の表面に浅く幅広の切込溝(3)を形成すると
、切込溝(3)の深さくd)はウェハの厚み(1)に比
べて非常に小さいので、チッピングは生じない。
そして、この後、切込溝(3)の内側においてこの溝に
平行に第1のブレードより輻狭(80μm)の第2のブ
レード(図示せず)゛により、電極(2)が形成されて
いない主面(1a)まで切断する[第1図(C)]。こ
のときにはウウニの切l析部の表面端部(4)にはチッ
ピングは発生しない。
平行に第1のブレードより輻狭(80μm)の第2のブ
レード(図示せず)゛により、電極(2)が形成されて
いない主面(1a)まで切断する[第1図(C)]。こ
のときにはウウニの切l析部の表面端部(4)にはチッ
ピングは発生しない。
次に、チッピングにより発生した欠けらによる電極(2
)パターンの損傷を防止する第2の実施例を第2図に従
い説明する。
)パターンの損傷を防止する第2の実施例を第2図に従
い説明する。
第2図(a)に示されるような所定の電極(2)バタ一
ンが形成されたウェハ(1)表面にアルカリ可溶性樹脂
(5)をスピンコーター(図示せす)にて膜厚が約2μ
mになるよう塗布する[第2図(b)]。
ンが形成されたウェハ(1)表面にアルカリ可溶性樹脂
(5)をスピンコーター(図示せす)にて膜厚が約2μ
mになるよう塗布する[第2図(b)]。
そして、990℃5分間ベーキングを行い乾燥させる。
これによりウェハ(1)表面には保護膜(5)が形成さ
れる。この状態でウェハ(1)を切断分離する[第2図
(C)]。この後、アルカリ性溶液(図示せず)に浸し
、保護膜(5)を除去する[第2図(cl)] 、、こ
のようにすると、ダイシング時の電極(2)の損傷を防
止できる。
れる。この状態でウェハ(1)を切断分離する[第2図
(C)]。この後、アルカリ性溶液(図示せず)に浸し
、保護膜(5)を除去する[第2図(cl)] 、、こ
のようにすると、ダイシング時の電極(2)の損傷を防
止できる。
尚、この実施例ではウェハ(1)の電極が形成されない
主面(1a)には、切断分割後、各チンプが四散しない
ように粘着性のシート(図示せず)が貼付けられており
、このシートの特性によりアルカリ性水溶液にて除去さ
れるアルカリ可溶性膚脂を使用したが、シートによって
は保護膜(5)はアルカリ可溶性樹脂に限るものではな
い。
主面(1a)には、切断分割後、各チンプが四散しない
ように粘着性のシート(図示せず)が貼付けられており
、このシートの特性によりアルカリ性水溶液にて除去さ
れるアルカリ可溶性膚脂を使用したが、シートによって
は保護膜(5)はアルカリ可溶性樹脂に限るものではな
い。
又、上記二つの実施例による方法を併用することにより
、更に効果が高められる。
、更に効果が高められる。
(ト)発明の効果 □
辺上説明したように、本発明によれば、二種の異なる幅
のブレードを用いて切I析することによりデツピングの
発生が防止され、また電極パターンが形成されたウェハ
表面を保護膜で覆って切断することにより、チッピング
によ)フ生じた欠けらによる電極パターンの損傷を防ぐ
ことができるので、歩留りが向上する。
のブレードを用いて切I析することによりデツピングの
発生が防止され、また電極パターンが形成されたウェハ
表面を保護膜で覆って切断することにより、チッピング
によ)フ生じた欠けらによる電極パターンの損傷を防ぐ
ことができるので、歩留りが向上する。
第1図及び第2図は本発明による弾性表面波素子の製造
方法を説明するためのウェハの断面図であり、第3図は
損傷を受けた状態の電極を示すウェハの断面図である。 (1)・・ウェハ、(2)・・電極、(3)・・切込溝
、(5)・・保護膜(アルカリ可溶性樹脂)。
方法を説明するためのウェハの断面図であり、第3図は
損傷を受けた状態の電極を示すウェハの断面図である。 (1)・・ウェハ、(2)・・電極、(3)・・切込溝
、(5)・・保護膜(アルカリ可溶性樹脂)。
Claims (2)
- (1)複数の弾性表面波素子の電極が形成されるウェハ
の一方の主面から第1のブレードにより切込溝を形成す
る工程と、前記第1のブレードより輻狭の第2のブレー
ドにより前記切込溝にそって前記ウェハの他方の主面ま
で切断する工程とを具備する弾性表面波素子の製造方法
。 - (2)複数の弾性表面波素子の電極が形成されるウェハ
の電極形成面にアルカリ可溶性樹脂等の保護膜を形成す
る工程と、前記ウェハ切断後、該保護膜を除去する工程
とを具備する弾性表面波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1127325A JPH06103820B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1127325A JPH06103820B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12144694A Division JPH07135441A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02305207A true JPH02305207A (ja) | 1990-12-18 |
JPH06103820B2 JPH06103820B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=14957140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1127325A Expired - Lifetime JPH06103820B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06103820B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6637087B1 (en) | 1999-03-18 | 2003-10-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing edge reflection type surface acoustic wave device |
KR100431181B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-05-12 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 |
KR100443665B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2004-08-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 단면 반사형 표면파 장치 및 그 제조방법 |
WO2011065499A1 (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
JP2013093791A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Kyocera Corp | 電子部品の実装構造体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58182241A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Clarion Co Ltd | 単結晶のウエハの切断方法 |
JPH02230809A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1127325A patent/JPH06103820B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58182241A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Clarion Co Ltd | 単結晶のウエハの切断方法 |
JPH02230809A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
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WO2011065499A1 (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
CN102577119A (zh) * | 2009-11-27 | 2012-07-11 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置及其制造方法 |
JP5339313B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2013-11-13 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
US8963655B2 (en) | 2009-11-27 | 2015-02-24 | Kyocera Corporation | Acoustic wave device and method for producing same |
US9584095B2 (en) | 2009-11-27 | 2017-02-28 | Kyocera Corporation | Acoustic wave device and method for producing same |
JP2013093791A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Kyocera Corp | 電子部品の実装構造体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06103820B2 (ja) | 1994-12-14 |
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