JPH02242521A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH02242521A JPH02242521A JP1062414A JP6241489A JPH02242521A JP H02242521 A JPH02242521 A JP H02242521A JP 1062414 A JP1062414 A JP 1062414A JP 6241489 A JP6241489 A JP 6241489A JP H02242521 A JPH02242521 A JP H02242521A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title abstract description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 14
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 Ha203 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910002637 Pr6O11 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019402 calcium peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好
塵Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンザへの利用においては、内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好塵Ｑの低下を
防ぎ、静電容量と良好塵Ｑのバラツキを小さくできる誘
電体磁器組成物に関するものである。
塵Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンザへの利用においては、内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好塵Ｑの低下を
防ぎ、静電容量と良好塵Ｑのバラツキを小さくできる誘
電体磁器組成物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率、絶縁抵抗が高く、良好塵Ｑに３ヶ−７
すぐれ、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物と
して下記のような系が知られている。
して下記のような系が知られている。
Ｂａ０−ＴｉＯ２−Ｎｄ２ｏ３系
ＢａＯ−ＴｉＯ２−８ｍ２０３系
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの組成は、例えば０．０９ Ｂａ０Ｏ，
５６ＴｉＯ２０，３５Ｎ ｄ Ｏ３／２の組成比からな
る誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み４μ
ｍ、誘電体厚み１２μｍ、内部電極の重なり寸法１．２
麗Ｘ ０．７ ｒｍｎ、誘電体層数１９の積層構造をも
つ積層セラミックコンデンサを作製すると、静電容量の
平均値ニア４２ｐＦ、良好度Ｑの平均値：８７００、静
電容量温度係数の平均値：ＮＮ３５ｐｐ／℃、絶縁抵抗
の平均値：６．０Ｘ１０ Ω、絶縁破壊強度の平均値
：１１アｋｖ／ｍ＋＋＋であり、絶縁抵抗と絶縁破壊強
度において満足のできる値ではない。
５６ＴｉＯ２０，３５Ｎ ｄ Ｏ３／２の組成比からな
る誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み４μ
ｍ、誘電体厚み１２μｍ、内部電極の重なり寸法１．２
麗Ｘ ０．７ ｒｍｎ、誘電体層数１９の積層構造をも
つ積層セラミックコンデンサを作製すると、静電容量の
平均値ニア４２ｐＦ、良好度Ｑの平均値：８７００、静
電容量温度係数の平均値：ＮＮ３５ｐｐ／℃、絶縁抵抗
の平均値：６．０Ｘ１０ Ω、絶縁破壊強度の平均値
：１１アｋｖ／ｍ＋＋＋であり、絶縁抵抗と絶縁破壊強
度において満足のできる値ではない。
捷た、積層セラミックコンデンサのコスＩ−ダウンを行
うため、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーシ
ョンの発生を防ぐため、ノくラジウムの内部電極厚みを
４７４ ｍから２μｍに薄Ｘすると、上記の組成比の誘
電体材料を使用し、上記の誘電体厚み、内部電極型なり
寸法、誘電体層数の積層構造をもつ積層セラミックコン
デンサの静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さく々ると
ともに静電容量のバラツキが２５６〜７１３ｐＦと大き
くなる。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くな
るとともに良好度Ｑのバラツキが６００〜８８００と大
きくなるという課題があった。
うため、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーシ
ョンの発生を防ぐため、ノくラジウムの内部電極厚みを
４７４ ｍから２μｍに薄Ｘすると、上記の組成比の誘
電体材料を使用し、上記の誘電体厚み、内部電極型なり
寸法、誘電体層数の積層構造をもつ積層セラミックコン
デンサの静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さく々ると
ともに静電容量のバラツキが２５６〜７１３ｐＦと大き
くなる。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くな
るとともに良好度Ｑのバラツキが６００〜８８００と大
きくなるという課題があった。
課題を解決するだめの手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式ｘ Ｂ
ａ Ｏｙ Ｔ １０２ ｚ （Ｒｅ （１−ｃ）
Ｍ ｅｃ ） ０ｓ７２と表した時、（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１．ｏｏ。
ａ Ｏｙ Ｔ １０２ ｚ （Ｒｅ （１−ｃ）
Ｍ ｅｃ ） ０ｓ７２と表した時、（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１．ｏｏ。
０．０１≦Ｃ≦０．２０、Ｒｅは、Ｌａ 、 Ｐｒ 、
Ｎｄ。
Ｎｄ。
Ｓｍから選ばれる少なくとも一種以上の希土類元素。Ｍ
ｅは、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍを除く希土類元素から選
ばれる少々くとも一種以上の希土類元素）。
ｅは、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍを除く希土類元素から選
ばれる少々くとも一種以上の希土類元素）。
ｘ＋ Ｙ ＊ ｚが以下に表す各点ａ、ｂ、ｃ、ｄ。
ｅ、ｆで囲まれるモル比の範囲からなる主成分５／、−
７ １００重量部に対し、副成分としてニオブ酸化物をＮｂ
２ｏ５に換算して０．３〜８．０重量部含有したことを
特徴とする誘電体磁器組成物を提案するものである。
７ １００重量部に対し、副成分としてニオブ酸化物をＮｂ
２ｏ５に換算して０．３〜８．０重量部含有したことを
特徴とする誘電体磁器組成物を提案するものである。
作用
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であｐ、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照し力から説明する。す々わち、大領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、ＪＤ領領域は静電容量
温度係数が６、−７ マイナス側に犬きくなシすぎて実用的でなくなる。
す三元図であｐ、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照し力から説明する。す々わち、大領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、ＪＤ領領域は静電容量
温度係数が６、−７ マイナス側に犬きくなシすぎて実用的でなくなる。
そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス方向に移
行するが、誘電率が小さく実用的で々くなる。また、Ｒ
ｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ぶことにより、Ｌａ
、Ｐｒ 、Ｎｄ 、Ｓｍの順で誘電率を大きく下げる
ことなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行するこ
とが可能であり、Ｌａ。
行するが、誘電率が小さく実用的で々くなる。また、Ｒ
ｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ぶことにより、Ｌａ
、Ｐｒ 、Ｎｄ 、Ｓｍの順で誘電率を大きく下げる
ことなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行するこ
とが可能であり、Ｌａ。
Ｐｒ 、Ｎｄ 、Ｓｍの１種あるいは組合せにより静電
容量温度係数の調節が可能である。
容量温度係数の調節が可能である。
また、後述する第１表と第２表から明らかなように、Ｌ
ａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる少なくとも一種以上
の希土類元素の一部を、Ｌａ。
ａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる少なくとも一種以上
の希土類元素の一部を、Ｌａ。
Ｐｒ、Ｎ＋ｉ、Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる少な
くとも一種以上の希土類元素で置換することにより、良
好度Ｑを大幅に改善する効果を有し、その置換量が０．
０１未満では置換効果はなく、０．２０を越えると誘電
率が低下し実用的でなくなる。
くとも一種以上の希土類元素で置換することにより、良
好度Ｑを大幅に改善する効果を有し、その置換量が０．
０１未満では置換効果はなく、０．２０を越えると誘電
率が低下し実用的でなくなる。
第２図は本発明にかかる組成物の主成分に対し、副成分
Ｎｂ２Ｏ５の含有効果を積層セラミソクコンγへ−７ デンザの特性で示すグラフであり、Ｎｂ２Ｏ５の含有範
囲を限定した理由をグラフを参照しながら説明する。第
２図に示すようにＮｂ２Ｏ５を含有することにより、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度が向上し、また静電容量と良好塵
Ｑを高め、静電容量と良好塵Ｑのバラツキを小さくする
効果を有する。そして、Ｎｂ２Ｏ５の含有により、絶縁
抵抗、絶縁破壊強度は向上するが、Ｎｂ２Ｏ５の含有量
が主成分１００重量部に対し、０．３重量部未満はそれ
ほど絶縁破壊強度が大きくなく、静電容量と良好塵Ｑが
低く、才だ静電容量と良好塵Ｑのバラツキが太きいため
、この発明の範囲から除外した。一方、Ｎｂ２Ｏ５の含
有量が主成分に対し、８．０重量部を越えると良好塵Ｑ
、絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数がマイナス側に
大きくなシ、さらに静電容量の温度変化の直線性が失わ
れ実用的でなくなる。
Ｎｂ２Ｏ５の含有効果を積層セラミソクコンγへ−７ デンザの特性で示すグラフであり、Ｎｂ２Ｏ５の含有範
囲を限定した理由をグラフを参照しながら説明する。第
２図に示すようにＮｂ２Ｏ５を含有することにより、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度が向上し、また静電容量と良好塵
Ｑを高め、静電容量と良好塵Ｑのバラツキを小さくする
効果を有する。そして、Ｎｂ２Ｏ５の含有により、絶縁
抵抗、絶縁破壊強度は向上するが、Ｎｂ２Ｏ５の含有量
が主成分１００重量部に対し、０．３重量部未満はそれ
ほど絶縁破壊強度が大きくなく、静電容量と良好塵Ｑが
低く、才だ静電容量と良好塵Ｑのバラツキが太きいため
、この発明の範囲から除外した。一方、Ｎｂ２Ｏ５の含
有量が主成分に対し、８．０重量部を越えると良好塵Ｑ
、絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数がマイナス側に
大きくなシ、さらに静電容量の温度変化の直線性が失わ
れ実用的でなくなる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例によシ説明する。
（実施例１）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３，ＴｉＯ２゜
Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１，Ｈａ２０３ 、Ｓｍ２Ｏ３
、ＣａＯ２゜Ｇｄ２Ｏ３，Ｄｙ、、０３およびＮｂ２Ｏ
５粉末を下記の第１表に示す組成比になるように秤量し
、めのうボールを備えたゴム内張シのボールミルに純水
とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉
末を高アルミナ質のルツボに入れ、空気中で１１００℃
にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボールを
備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿
式粉砕後、脱水乾燥した。
Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１，Ｈａ２０３ 、Ｓｍ２Ｏ３
、ＣａＯ２゜Ｇｄ２Ｏ３，Ｄｙ、、０３およびＮｂ２Ｏ
５粉末を下記の第１表に示す組成比になるように秤量し
、めのうボールを備えたゴム内張シのボールミルに純水
とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉
末を高アルミナ質のルツボに入れ、空気中で１１００℃
にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボールを
備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿
式粉砕後、脱水乾燥した。
この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後
、３２メツシユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プ
レスを用いて成形圧力１ ｔｏｎ ／ｃ４で直径１５ｍ
ｍ、厚み０．４ｍｎに成形した。次いで成形円板をジル
コニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中に
て下記の第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
、３２メツシユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プ
レスを用いて成形圧力１ ｔｏｎ ／ｃ４で直径１５ｍ
ｍ、厚み０．４ｍｎに成形した。次いで成形円板をジル
コニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中に
て下記の第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、良好塵Ｑ、静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度９ベー。
を測定し、誘電率、良好塵Ｑ、静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度９ベー。
測定用試料は、誘電体磁器円板の外周よシ内側に１ｍｍ
の幅で銀電極の無い部分を設け、銀電極を焼き付けた。
の幅で銀電極の無い部分を設け、銀電極を焼き付けた。
そして、誘電率、良好塵Ｑ、静電容量温度係数は、ＹＨ
Ｐ社製デジタルＬＣＲメータのモデル４２７５Ａを使用
し、測定温度２０℃、測定電圧１．○Ｖｒｍｓ 、測定
周波数１ＭＨｚでの測定より求めた。なお、静電容量の
温度変化は、−５５℃、−２５℃、２０℃、８５℃、１
２５℃の静電容量を測定し、直線性を確認するとともに
、静電容量温度係数は、２０°Ｃと８５°Ｃの静電容量
を用いて、次式により求めた。
Ｐ社製デジタルＬＣＲメータのモデル４２７５Ａを使用
し、測定温度２０℃、測定電圧１．○Ｖｒｍｓ 、測定
周波数１ＭＨｚでの測定より求めた。なお、静電容量の
温度変化は、−５５℃、−２５℃、２０℃、８５℃、１
２５℃の静電容量を測定し、直線性を確認するとともに
、静電容量温度係数は、２０°Ｃと８５°Ｃの静電容量
を用いて、次式により求めた。
Ｔ Ｏ＝ （Ｃ−Ｇｏ） ／Ｇｏ ｘ １ ／６５ Ｘ
１０６ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／Ｔ；）Ｇｏ
：２０°Ｃでの静電容量（ｐＦ） Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＦ） 捷だ、誘電率は次式よシ求めた。
１０６ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／Ｔ；）Ｇｏ
：２０°Ｃでの静電容量（ｐＦ） Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＦ） 捷だ、誘電率は次式よシ求めた。
Ｋ −＝ １４３．８ Ｘ Ｇｏ Ｘ ｔ／Ｄ２Ｋ ：
誘電率 ＣＯ：２Ｑ０Ｃでの静電容量（ｐＦ） Ｄ ＝誘電体磁器の直径（ｒＬｒＩｎ ）１ｏへ一／ ｌ ：誘電体磁器の厚み（ｍｍ ） さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４
３２９Ａを使用し、測定電圧５０ｖ、Ｉｌ、ｃ測定時間
１分間による測定より求めた。
誘電率 ＣＯ：２Ｑ０Ｃでの静電容量（ｐＦ） Ｄ ＝誘電体磁器の直径（ｒＬｒＩｎ ）１ｏへ一／ ｌ ：誘電体磁器の厚み（ｍｍ ） さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４
３２９Ａを使用し、測定電圧５０ｖ、Ｉｌ、ｃ測定時間
１分間による測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業（株）堰高電圧
電源ＰＨ３３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃによシ求めた絶縁
破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１配当たシの絶縁破壊
強度とした。
電源ＰＨ３３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃによシ求めた絶縁
破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１配当たシの絶縁破壊
強度とした。
試験条件を第１表に併せて示し、試験結果を下記の第２
表に示す。
表に示す。
（以下余白）
１１ノ＼−７
１３・＼−７
（実施例２）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３，Ｔｉｅ２Ｎ
ｄ２０３．ＣｅＯ２およびＮｂ２Ｏ５粉末を使用し、主
成分０．０９ ＢａＯ−０，５６Ｔ１０２−０．３５Ｃ
（Ｎｄ０３／２ ）０．９５ （”０２）ｏ、ｏ５１に
対し・Ｎｂ２Ｏ５を０ 、０．１ 、０．３ 、 Ｏ，
Ｅ５ 、１．０ 、５．０’、 ８．０ 。
ｄ２０３．ＣｅＯ２およびＮｂ２Ｏ５粉末を使用し、主
成分０．０９ ＢａＯ−０，５６Ｔ１０２−０．３５Ｃ
（Ｎｄ０３／２ ）０．９５ （”０２）ｏ、ｏ５１に
対し・Ｎｂ２Ｏ５を０ 、０．１ 、０．３ 、 Ｏ，
Ｅ５ 、１．０ 、５．０’、 ８．０ 。
１ｏ、ｏｗｔｑ６含有した仮焼粉砕粉を実施例１と同様
の方法で作製する。ただし、Ｎｂ２Ｏ、含有量０゜０．
１，１０．ｃ）ｗｔ％は、この発明の範囲外であり、０
．３ 、０．５ 、１．０ 、５．０ 、８．Ｏｗｔ％
は、コノ発明の範囲内である。
の方法で作製する。ただし、Ｎｂ２Ｏ、含有量０゜０．
１，１０．ｃ）ｗｔ％は、この発明の範囲外であり、０
．３ 、０．５ 、１．０ 、５．０ 、８．Ｏｗｔ％
は、コノ発明の範囲内である。
この仮焼粉砕粉末に、有機バインダー、可塑剤−分散剤
、有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポリエチレ
ン製ポットで混合し、スラリーを作製した。混合後、３
００メツシユのナイロン布を使用し、ろ過した。ろ過後
のスラリーは、ドクターブレードによシ、焼結後の誘電
体厚みが１２μｍとなるように、離型処理をしたポリエ
ステルフィルム上にシートを成形した。
、有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポリエチレ
ン製ポットで混合し、スラリーを作製した。混合後、３
００メツシユのナイロン布を使用し、ろ過した。ろ過後
のスラリーは、ドクターブレードによシ、焼結後の誘電
体厚みが１２μｍとなるように、離型処理をしたポリエ
ステルフィルム上にシートを成形した。
次に、ポリエステルフィルムから剥したシート１４／、
１ｏ枚を支持台の上に積層した。この上に、昭栄化学（
株）表内部電極パラジウムペース）ＭＬ３７２４を焼結
後の内部電極厚みが２μｍとなるようにスクリーン印刷
し、乾燥した。この上にポリエステルフィルムから剥し
たシー１−１枚を積層した。この上に、焼結後の内部電
極型なり寸法が１．２ ａｍ Ｘ Ｏ，７閣となるよう
に印刷位置をずらして内部電極パラジウムペーストを印
刷し、乾燥後、ポリエステルフィルムから剥したシート
１枚を積層した。これらの操作を、誘電体層数が１９と
なるまで繰シ返した。この上に、ポリエステルフィルム
から剥したシー１−１０枚を積層した。この積層体を焼
結後、内部電極型なり寸法が１．２ｍｍＸ０．７ｍ、誘
電体厚みが１２μｍ、誘電体層数が１９の積層構造をも
つ積層セラミソクコンデンザとなるように切断した。こ
の切断した試料は、ジルコニア粉末を敷いたアルミナ質
のサヤニ入れ、空気中にて室温から３５０’ｃｔでを５
°Ｃ／ｈｒで昇温し、３５０℃より１００℃／ ｈ ｒ
で昇温し、１２７０℃で２時間焼成後、１００℃／ｈｒ
で室１５ ヶ−７ 温まで降温した。次いで、焼成後の試料は、耐水サント
／＜ −バー ヲ内側に貼ったポリエチレンボットに純
水とともに入れ、ポリエチレンボットを回転させ焼成後
の試料面を研磨し、外部電極と接合する内部電極部分を
充分露出させた。この試料はポリエチレンボットよシ取
り出し乾燥後、内部電極露出部分に銀の外部電極を焼き
付け、内部電極と導通させ、積層セラミックコンデンサ
を作製した。
株）表内部電極パラジウムペース）ＭＬ３７２４を焼結
後の内部電極厚みが２μｍとなるようにスクリーン印刷
し、乾燥した。この上にポリエステルフィルムから剥し
たシー１−１枚を積層した。この上に、焼結後の内部電
極型なり寸法が１．２ ａｍ Ｘ Ｏ，７閣となるよう
に印刷位置をずらして内部電極パラジウムペーストを印
刷し、乾燥後、ポリエステルフィルムから剥したシート
１枚を積層した。これらの操作を、誘電体層数が１９と
なるまで繰シ返した。この上に、ポリエステルフィルム
から剥したシー１−１０枚を積層した。この積層体を焼
結後、内部電極型なり寸法が１．２ｍｍＸ０．７ｍ、誘
電体厚みが１２μｍ、誘電体層数が１９の積層構造をも
つ積層セラミソクコンデンザとなるように切断した。こ
の切断した試料は、ジルコニア粉末を敷いたアルミナ質
のサヤニ入れ、空気中にて室温から３５０’ｃｔでを５
°Ｃ／ｈｒで昇温し、３５０℃より１００℃／ ｈ ｒ
で昇温し、１２７０℃で２時間焼成後、１００℃／ｈｒ
で室１５ ヶ−７ 温まで降温した。次いで、焼成後の試料は、耐水サント
／＜ −バー ヲ内側に貼ったポリエチレンボットに純
水とともに入れ、ポリエチレンボットを回転させ焼成後
の試料面を研磨し、外部電極と接合する内部電極部分を
充分露出させた。この試料はポリエチレンボットよシ取
り出し乾燥後、内部電極露出部分に銀の外部電極を焼き
付け、内部電極と導通させ、積層セラミックコンデンサ
を作製した。
これらの試料の静電容量、良好度Ｑ、静電容量温度係数
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件で
の測定により求めた。また、積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンサの長さ方向および幅方向の約≠の研
磨断面を、内部電極重なり寸法は倍率１００、誘電体厚
みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡観察より
求めた。
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件で
の測定により求めた。また、積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンサの長さ方向および幅方向の約≠の研
磨断面を、内部電極重なり寸法は倍率１００、誘電体厚
みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡観察より
求めた。
この測定結果を第２図に示す。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
ＣＯ３，ＴｉＯ２，Ｌａ２Ｏ５，Ｐｒ６Ｃｍ ＋Ｎｄ２
０６． Ｓ＋ｎ２０５． ＣｅＯ２，Ｇｄ２Ｏ３，Ｄ
ｙ、、Ｏ。
ＣＯ３，ＴｉＯ２，Ｌａ２Ｏ５，Ｐｒ６Ｃｍ ＋Ｎｄ２
０６． Ｓ＋ｎ２０５． ＣｅＯ２，Ｇｄ２Ｏ３，Ｄ
ｙ、、Ｏ。
およびＮｂ２Ｏ５を使用したが、この方法に限定される
ものではなく、所望の組成比になるように、ＢａＴ１０
３などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中
での加熱により、ＢａＯ、ＴｉＯ□・Ｌａ２Ｏ３，Ｐｒ
６Ｏ１１，Ｎｄ２Ｏ５，Ｓｍ、、０５． ＣｅＯ２゜Ｇ
ｃ１２０６． ”７２０５およびＮｂ２Ｏ５となる化合
物を使用しても実施例と同程度の特性を得ることができ
る。
ものではなく、所望の組成比になるように、ＢａＴ１０
３などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中
での加熱により、ＢａＯ、ＴｉＯ□・Ｌａ２Ｏ３，Ｐｒ
６Ｏ１１，Ｎｄ２Ｏ５，Ｓｍ、、０５． ＣｅＯ２゜Ｇ
ｃ１２０６． ”７２０５およびＮｂ２Ｏ５となる化合
物を使用しても実施例と同程度の特性を得ることができ
る。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、誘電体磁器用として一般に使用される工業用原料
の二酸化チタン、例えばチタン工業（株）製二酸化チタ
ンＫ Ａ −１０、古河鉱業（株）製二酸化チタンＦＡ
−６５Ｗには最大０．４５重量係のＮｂ２ｏ５が含まれ
るが、これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体
磁器を作製しても、主成分１００重量部に対してＮｂ２
Ｏ５の含有量は最大０．２３重量部であシ、この発明の
範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中のＮｂ２
Ｏ，量を考慮し、不１７ページ 足労のＮｂ２Ｏ，を含有させることにょｐ、実施例と同
程度の特性を得ることができる。
の二酸化チタン、例えばチタン工業（株）製二酸化チタ
ンＫ Ａ −１０、古河鉱業（株）製二酸化チタンＦＡ
−６５Ｗには最大０．４５重量係のＮｂ２ｏ５が含まれ
るが、これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体
磁器を作製しても、主成分１００重量部に対してＮｂ２
Ｏ５の含有量は最大０．２３重量部であシ、この発明の
範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中のＮｂ２
Ｏ，量を考慮し、不１７ページ 足労のＮｂ２Ｏ，を含有させることにょｐ、実施例と同
程度の特性を得ることができる。
また、実施例ではＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍを除く希土類
元素Ｍｅとして、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｇｄについて説明したが
、その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度の特
性を得ることができる。
元素Ｍｅとして、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｇｄについて説明したが
、その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度の特
性を得ることができる。
捷だ、上述の基本組成のほかに、Ｓｉｎ、、 、 Ｍｎ
Ｏ２゜Ｆｅ２ｏ３．ＺｎＯなど、一般にフラツクスと考
えられている塩類、酸化物などを、特性を損なわない範
囲で加えることもできる。
Ｏ２゜Ｆｅ２ｏ３．ＺｎＯなど、一般にフラツクスと考
えられている塩類、酸化物などを、特性を損なわない範
囲で加えることもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に改善し、静電容量温
度係数が小さく、かつ積層セラミックコンデンサへの利
用においては、内部電極の厚みを薄くしたときの静電容
量と良好度Ｑの低下を防き、静電容量と良好度Ｑのバラ
ツキを小さくできるため、内部電極の厚みを薄くして、
積層セラミックコンデンサのコストダウンが行えるとと
もに内部構造欠陥であるデラミネーションの発生１８ノ
＼−７ を防ぐことができる。寸だ、絶縁破壊電圧が高いため、
誘電体層の厚みを薄くし、製品の小型化、大容量化が可
能である。
破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に改善し、静電容量温
度係数が小さく、かつ積層セラミックコンデンサへの利
用においては、内部電極の厚みを薄くしたときの静電容
量と良好度Ｑの低下を防き、静電容量と良好度Ｑのバラ
ツキを小さくできるため、内部電極の厚みを薄くして、
積層セラミックコンデンサのコストダウンが行えるとと
もに内部構造欠陥であるデラミネーションの発生１８ノ
＼−７ を防ぐことができる。寸だ、絶縁破壊電圧が高いため、
誘電体層の厚みを薄くし、製品の小型化、大容量化が可
能である。
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を説
明する三元図、第２図は本発明にかかる主成分０．０９
ＢａＯ−０，５６ＴｉＯ２−０，３５〔（ＮｄＯｓ／
２）ｏ９５ （Ｃｅ０２）０．０５ 〕に対する副成分
Ｎｂ２Ｏ５の含有効果を、誘電体厚み：１２μｍ、内部
電極重なり寸法：１．２ｍ＋ｎＸ０．７咽、誘電体層数
＝１９の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサの電
気特性で示すグラフである。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名（７
Σノ ■璋栢Ｗ （櫂ψ／ハ巧） 喫廟白町堅覧
明する三元図、第２図は本発明にかかる主成分０．０９
ＢａＯ−０，５６ＴｉＯ２−０，３５〔（ＮｄＯｓ／
２）ｏ９５ （Ｃｅ０２）０．０５ 〕に対する副成分
Ｎｂ２Ｏ５の含有効果を、誘電体厚み：１２μｍ、内部
電極重なり寸法：１．２ｍ＋ｎＸ０．７咽、誘電体層数
＝１９の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサの電
気特性で示すグラフである。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名（７
Σノ ■璋栢Ｗ （櫂ψ／ハ巧） 喫廟白町堅覧
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ＿２−ｚ（Ｒｅ＿（＿１＿−＿Ｃ＿
）Ｍｅ＿Ｃ）Ｏ＿３＿／＿２と表した時、（ただし、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１．００，０．０１≦Ｃ≦０．２０，Ｒｅは
、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる少なくとも一種
以上の希土類元素。Ｍｅは、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを
除く希土類元素から選ばれる少なくとも一種以上の希土
類元素）。 ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆで
囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部に対
し、副成分としてニオブ酸化物をＮｂ＿２Ｏ＿５に換算
して０．３〜８．０重量部含有したことを特徴とする誘
電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1062414A JP2928260B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1062414A JP2928260B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02242521A true JPH02242521A (ja) | 1990-09-26 |
| JP2928260B2 JP2928260B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=13199469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1062414A Expired - Fee Related JP2928260B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2928260B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59154703A (ja) * | 1983-02-20 | 1984-09-03 | 株式会社村田製作所 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS61173408A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-05 | 沖電気工業株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPS61291457A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-22 | タム・セラミックス・インコーポレイテッド | 誘電体組成物 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1062414A patent/JP2928260B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59154703A (ja) * | 1983-02-20 | 1984-09-03 | 株式会社村田製作所 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS61173408A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-05 | 沖電気工業株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPS61291457A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-22 | タム・セラミックス・インコーポレイテッド | 誘電体組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2928260B2 (ja) | 1999-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |