JPH02205014A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02205014A JPH02205014A JP2423389A JP2423389A JPH02205014A JP H02205014 A JPH02205014 A JP H02205014A JP 2423389 A JP2423389 A JP 2423389A JP 2423389 A JP2423389 A JP 2423389A JP H02205014 A JPH02205014 A JP H02205014A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子の特性を劣化させることな（、微
細なシリコン膜パターンを形成することができる半導体
装置の製造方法に関するものである。
細なシリコン膜パターンを形成することができる半導体
装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置の高集積化が急速に進められて胆り、
これに伴い、より微細なパターン形成を可能にする技術
が求められている。
これに伴い、より微細なパターン形成を可能にする技術
が求められている。
絶縁膜上に微細にパターニングされたシリコン膜を得よ
うとした場合、従来、第２図（ａ） 、 （ｂ）に示す
ような工程を用いていた。まず、第２図（ａ）のように
、絶縁膜５の上にシリコン膜６を堆積し、次に、第２図
（ｂ）のように、パターニングしたフォトレジスト７を
用いてウェットエツチングあるいはドライエツチングに
よってパターン形成を行っていた。
うとした場合、従来、第２図（ａ） 、 （ｂ）に示す
ような工程を用いていた。まず、第２図（ａ）のように
、絶縁膜５の上にシリコン膜６を堆積し、次に、第２図
（ｂ）のように、パターニングしたフォトレジスト７を
用いてウェットエツチングあるいはドライエツチングに
よってパターン形成を行っていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら１．このような従来の方法では、堆積した
シリコン膜６を微細なパターンにエツチング加工するに
は寸法限界があった。すなわち２、つニットエツチング
を用いた方法では、等方的なエツチング特性のため、堆
積したシリコン膜６の膜厚と同程度の寸法だけサイドエ
ッチされるので、この膜厚と比較して小さい寸法でパタ
ーンを形成することは不可能であった。一方、ドライエ
ツチングを用いた方法では、サイドエッチをほとんど無
くせるので微細な加工が可能であるが、プラズマ中に存
在する高エネルギー荷電粒子が衝突し、半導体素子（図
示せず）の電気的特性を劣化させてしまう欠点があった
。
シリコン膜６を微細なパターンにエツチング加工するに
は寸法限界があった。すなわち２、つニットエツチング
を用いた方法では、等方的なエツチング特性のため、堆
積したシリコン膜６の膜厚と同程度の寸法だけサイドエ
ッチされるので、この膜厚と比較して小さい寸法でパタ
ーンを形成することは不可能であった。一方、ドライエ
ツチングを用いた方法では、サイドエッチをほとんど無
くせるので微細な加工が可能であるが、プラズマ中に存
在する高エネルギー荷電粒子が衝突し、半導体素子（図
示せず）の電気的特性を劣化させてしまう欠点があった
。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、半導体素子
特性を劣化させることなく、微細なシリコン膜パターン
の形成を可能にする半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
特性を劣化させることなく、微細なシリコン膜パターン
の形成を可能にする半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明は、シリコン膜を直
接エツチング加工せず、まず、酸化シリコン膜上に窒化
シリコン膜を形成し、これをウェットエツチングにより
所望のパターンに加工した後、この窒化シリコン膜のパ
ターン上に水素とジグロールシランと塩酸とを用いた気
相選択成長技術により、シリコン膜を選択的に堆積する
工程をそなえたものである。
接エツチング加工せず、まず、酸化シリコン膜上に窒化
シリコン膜を形成し、これをウェットエツチングにより
所望のパターンに加工した後、この窒化シリコン膜のパ
ターン上に水素とジグロールシランと塩酸とを用いた気
相選択成長技術により、シリコン膜を選択的に堆積する
工程をそなえたものである。
作用
本発明によれば、シリコンを選択成長させるための核と
なる窒化シリコン膜・の厚さは極薄いものでよく、十分
に厚みの薄い窒化シリコン膜を用いることで、次のウェ
ットエツチングによる加工において微細なパターンを形
成することができ、この窒化シリコン膜のパターン上に
のみ選択的にシリコン膜を堆積することで、微細なシリ
コン膜パターンの形成が可能になる。また、ドライエツ
チングを用いる場合のようにプラズマに晒されることが
なく、半導体素子特性を劣化させることがない。
なる窒化シリコン膜・の厚さは極薄いものでよく、十分
に厚みの薄い窒化シリコン膜を用いることで、次のウェ
ットエツチングによる加工において微細なパターンを形
成することができ、この窒化シリコン膜のパターン上に
のみ選択的にシリコン膜を堆積することで、微細なシリ
コン膜パターンの形成が可能になる。また、ドライエツ
チングを用いる場合のようにプラズマに晒されることが
なく、半導体素子特性を劣化させることがない。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例による半導体
装置の製造方法を示している。まず、第１図（ａ）のよ
うに、酸化シリコンＮｉｌ上に、気相成長法を用いて、
５〜５００ｎｍの窒化シリコン膜２を堆積し、次に、第
１図（ｂ）のように、これをフォトレジスト３を用いて
所望のパターンにウェットエツチングし、さらに、第１
図（Ｃ）のように、水素毫ジグロールシランと塩酸とを
用いた気相選択成長技術により、１００〜５００ｎｍの
シリコン膜４を窒化シリコン膜２の上に選択的に堆積す
る。
装置の製造方法を示している。まず、第１図（ａ）のよ
うに、酸化シリコンＮｉｌ上に、気相成長法を用いて、
５〜５００ｎｍの窒化シリコン膜２を堆積し、次に、第
１図（ｂ）のように、これをフォトレジスト３を用いて
所望のパターンにウェットエツチングし、さらに、第１
図（Ｃ）のように、水素毫ジグロールシランと塩酸とを
用いた気相選択成長技術により、１００〜５００ｎｍの
シリコン膜４を窒化シリコン膜２の上に選択的に堆積す
る。
このように、酸化シリコン膜１の表面をプラズマに晒す
ことな（、窒化シリコン膜２のパターンにより決定され
る寸法精度の高いシリコン膜４のパターンを形成するこ
とが出来る。
ことな（、窒化シリコン膜２のパターンにより決定され
る寸法精度の高いシリコン膜４のパターンを形成するこ
とが出来る。
発明の効果
以上のように本発明によれば、窒化シリコン膜のウェッ
トエツチングによるパターン形成と、この窒化シリコン
膜パターン上へのシリコンの気相選択成長を行うことで
、窒化シリコン膜上べ微細なシリコシ膜パターンを形成
することができ、従来方法の欠点であるウェットエツチ
ングによる寸法変換や、ドライエツチング時のプラズマ
照射による半導体素子特性の劣化の問題を解決し、半導
体素子特性を劣化させることなく、微細なシリコン膜パ
ターンを形成することを可能にしている。
トエツチングによるパターン形成と、この窒化シリコン
膜パターン上へのシリコンの気相選択成長を行うことで
、窒化シリコン膜上べ微細なシリコシ膜パターンを形成
することができ、従来方法の欠点であるウェットエツチ
ングによる寸法変換や、ドライエツチング時のプラズマ
照射による半導体素子特性の劣化の問題を解決し、半導
体素子特性を劣化させることなく、微細なシリコン膜パ
ターンを形成することを可能にしている。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を示す工程順
断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は従来の技術による
製造方法の説明のための工程順断面図である。 １・・・酸化シリコン膜、２・・・窒化シリコン膜、３
・・・フォトレジスト、４・・・シリコン膜。
断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は従来の技術による
製造方法の説明のための工程順断面図である。 １・・・酸化シリコン膜、２・・・窒化シリコン膜、３
・・・フォトレジスト、４・・・シリコン膜。
Claims (3)
- （１）酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を付設する第
１の工程と、前記窒化シリコン膜を所望のパターンに加
工する第２の工程と、パターンに加工された前記窒化シ
リコン膜上に選択的にシリコン膜を付設する第３の工程
とを備える半導体装置の製造方法。 - （２）第２の工程は、フォトレジストによるウェットエ
ッチング技術を用いることを特徴とする請求項（１）記
載の半導体装置の製造方法。 - （３）第３の工程は、水素とジグロールシランと塩酸と
を用いた気相選択成長技術により、シリコンを窒化シリ
コン膜上に選択的に堆積することを特徴とする請求項（
１）または（２）記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2423389A JPH02205014A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2423389A JPH02205014A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205014A true JPH02205014A (ja) | 1990-08-14 |
Family
ID=12132539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2423389A Pending JPH02205014A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205014A (ja) |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP2423389A patent/JPH02205014A/ja active Pending
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