JPH02194518A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH02194518A JPH02194518A JP1013370A JP1337089A JPH02194518A JP H02194518 A JPH02194518 A JP H02194518A JP 1013370 A JP1013370 A JP 1013370A JP 1337089 A JP1337089 A JP 1337089A JP H02194518 A JPH02194518 A JP H02194518A
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Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体電解コンテ！ンサの製造方法、特に薄形、
積層形ダ適し２、た量体電解コンデンサの裳造〕ｂ法に
関するものであノ）。
積層形ダ適し２、た量体電解コンデンサの裳造〕ｂ法に
関するものであノ）。
従来の技術
従来、弁金属箔を用いた固体心解−ンデン″ｊ−↓よ落
回形が多く薄形、低背化を図るため二こ巻回素子を扁平
加工しで構成されていた。
回形が多く薄形、低背化を図るため二こ巻回素子を扁平
加工しで構成されていた。
発明が解決しようとする問題点
しかし上述のようなコンデンサは扁平加工の際に酸化皮
膜を損傷させ、漏れ電流の増大、短絡事故が生じており
、小形化に限界があった。
膜を損傷させ、漏れ電流の増大、短絡事故が生じており
、小形化に限界があった。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上述の問題を解消したもので、表面に酸化皮膜
を形成した弁金属箔（こ所定の間隔をおいてスリン（・
を形成し７、上記弁金属箔上に格子状の絶縁、層を形成
すると共に該絶縁層で上記スリ、・トを埋設した後、上
記酸化皮膜上に固体電解ｎ層および陰）へ導電層を形成
し１、上記スリットおよび絶縁層より切断して弁金属箔
を分υ１し、コンデンサ素子を形成することを特徴とす
る■１体電解コンデンサの製造方法である。
を形成した弁金属箔（こ所定の間隔をおいてスリン（・
を形成し７、上記弁金属箔上に格子状の絶縁、層を形成
すると共に該絶縁層で上記スリ、・トを埋設した後、上
記酸化皮膜上に固体電解ｎ層および陰）へ導電層を形成
し１、上記スリットおよび絶縁層より切断して弁金属箔
を分υ１し、コンデンサ素子を形成することを特徴とす
る■１体電解コンデンサの製造方法である。
作用
、−Ｅ発明の製！方法ζ、“よれば２、熱’Ｔ ｕｔｉ
工が不要で弁金属量を分別丈る際、上述の絶縁層より切
断されるので、量体電解質が弁金属箔の切断端面まで（
：Ｊ、入−１ｐず２、固体電解コンデンサの漏れ電流の
増大、短絡事故などを生ぜず、安定した品質を維持でき
る。
工が不要で弁金属量を分別丈る際、上述の絶縁層より切
断されるので、量体電解質が弁金属箔の切断端面まで（
：Ｊ、入−１ｐず２、固体電解コンデンサの漏れ電流の
増大、短絡事故などを生ぜず、安定した品質を維持でき
る。
実施例
以下、本発明を第１図〜第７図に示す実施例により説明
する。
する。
まず、第２図および第３図のように表面に酸化皮膜を形
成したアルミニウムからなる弁金属箔１に所定の間隔を
おいてスリット２を形成する。次いで第４図および第５
図に示すように上記弁金属箔１の表裏両面に格子状の絶
縁層３を形成する。
成したアルミニウムからなる弁金属箔１に所定の間隔を
おいてスリット２を形成する。次いで第４図および第５
図に示すように上記弁金属箔１の表裏両面に格子状の絶
縁層３を形成する。
このとき同時に上記スリット２は絶縁層３によって埋設
される。この後上記誘電体皮膜上に、導電性の電解質で
あるポリピロールを電解重合法によって付着させ、固体
電解質層４を形成し、その上にカーボンおよび銀塗料な
どの陰極導電層５を形成する。
される。この後上記誘電体皮膜上に、導電性の電解質で
あるポリピロールを電解重合法によって付着させ、固体
電解質層４を形成し、その上にカーボンおよび銀塗料な
どの陰極導電層５を形成する。
そして上記スリット２および絶縁層３より切断して弁金
属箔を分割し、第６図のようにコンデンサ素子６を形成
する。以後公知の方法で弁金属箔１の切断端面より陽極
端子を導出し、陰極導電層５より陰極端子を導出し、モ
ールド樹脂を被覆し、チップ形固体電解コンデンナを完
成する。なお、上述の実施例では弁金属箔１が１枚の場
合について述べたが複数枚重ねて積層形に形成してもよ
い。
属箔を分割し、第６図のようにコンデンサ素子６を形成
する。以後公知の方法で弁金属箔１の切断端面より陽極
端子を導出し、陰極導電層５より陰極端子を導出し、モ
ールド樹脂を被覆し、チップ形固体電解コンデンナを完
成する。なお、上述の実施例では弁金属箔１が１枚の場
合について述べたが複数枚重ねて積層形に形成してもよ
い。
またスリット２の位置形状は実施例に限定されるもので
なく、第７図のように一列でもよい。そして陽極端子、
陰極端子もチップ形に限定するものでもない。
なく、第７図のように一列でもよい。そして陽極端子、
陰極端子もチップ形に限定するものでもない。
発明の効果
本発明法によれば、弁金属箔の切断箇所にスリットおよ
び絶！！層が形成されているので、固体電解質層が弁金
属箔の切断端面まで侵入せず、固体電解コンデンサの漏
れ電流が低減し、薄形で信頼性が著しく向上し工業的な
らびに実用的価値の大なるものである。
び絶！！層が形成されているので、固体電解質層が弁金
属箔の切断端面まで侵入せず、固体電解コンデンサの漏
れ電流が低減し、薄形で信頼性が著しく向上し工業的な
らびに実用的価値の大なるものである。
第１図〜第７図は本発明の実施例で、第１図および第６
図はコンデンサ素子の要部切断斜視図、第２図、第４図
、第７図は製造過程における弁金属箔要部の平面図、第
３図および第５図は製造過程における弁金属箔要部の断
面図である。 １：弁金属箔 ２ニスリツト ３：絶縁層４：固体電解
質層 ５：陰極導電層 ６：コンデンサ素子
図はコンデンサ素子の要部切断斜視図、第２図、第４図
、第７図は製造過程における弁金属箔要部の平面図、第
３図および第５図は製造過程における弁金属箔要部の断
面図である。 １：弁金属箔 ２ニスリツト ３：絶縁層４：固体電解
質層 ５：陰極導電層 ６：コンデンサ素子
Claims (1)
- 表面に酸化皮膜を形成した弁金属箔に所定の間隔をおい
てスリットを形成し、上記弁金属箔上に格子状の絶縁層
を形成すると共に該絶縁層で上記スリットを埋設した後
、上記酸化皮膜上に固体電解質層および陰極導電層を形
成し、上記スリットおよび絶縁層より切断して弁金属箔
を分割し、コンデンサ素子を形成することを特徴とする
固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1013370A JPH02194518A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1013370A JPH02194518A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194518A true JPH02194518A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11831203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1013370A Pending JPH02194518A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194518A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04119623A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-21 | Rubycon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| KR100449142B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2004-09-18 | 일진나노텍 주식회사 | 탄소 나노튜브를 이용하는 마이크로 수퍼 커패시터 및이를 제조하는 방법 |
| JP2009182273A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2009194257A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2009194258A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2009246234A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2009246236A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2010520647A (ja) * | 2007-03-07 | 2010-06-10 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 基板内に埋め込み可能な薄型固体電解コンデンサ |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1013370A patent/JPH02194518A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04119623A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-21 | Rubycon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| KR100449142B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2004-09-18 | 일진나노텍 주식회사 | 탄소 나노튜브를 이용하는 마이크로 수퍼 커패시터 및이를 제조하는 방법 |
| JP2010520647A (ja) * | 2007-03-07 | 2010-06-10 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 基板内に埋め込み可能な薄型固体電解コンデンサ |
| JP2013243392A (ja) * | 2007-03-07 | 2013-12-05 | Kemet Electronics Corp | 基板内に埋め込み可能な薄型固体電解コンデンサを含む電気デバイスの形成方法 |
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| JP2009194257A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2009194258A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2009246234A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2009246236A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
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