JPH02179708A - 半導体ウエハの破折分離方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体ウェハに形成した多数の半導体素子を個
々の素子に分割する方法に関するものであり、特にダイ
シング溝を形成した後、半導体ウェハに機械的応力を加
えることによってダイシング溝に沿って個々の半導体素
子に破折分割する際のブレーキングにより発生する恐れ
のある半導体素子の欠陥や素子特性の劣化を極力軽減す
るようにした半導体ウェハの破折分離方法に関するもの
である。

（従来の技術） 第８図および第８図のＡ−Ａ線に沿って切った断面を示
す第９図は従来の半導体ウェハの破折分離方法を示すも
のである。すなわち、ウェハプロセスを完了した半導体
ウェハ１を個々の半導体素子２に分割するに当たっては
、半導体ウェハを粘着シート３に貼付した後、半導体ウ
ェハに形成した個々の半導体素子を区画するように半導
体ウェハの厚みの半分以上の深さのダイシング溝４を形
成した後、剛体のローラで半導体ウェハを加圧してダイ
シング溝に沿って個々の半導体素子２に破折分離し、そ
の後粘着シート３を展張することによって各半導体素子
の間に間隔を形成するようにしていた。このような半導
体ウェハの破折分離方法は、例えば特開昭６３−４２１
４３号公報、同６３−１４８６５５号公報に開示されて
いる。

（発明が解決しようとする課題） 上述した従来の半導体ウェハの破折分離方法においては
、ダイシング溝４を形成した後、その切り残し部分を破
折分離するとき、切り残し部分の破折分離が容易に起こ
らないため、半導体ウェハに相当大きな応力が加わり、
極端な場合には、半導体素子に割れや欠けが発生して使
用不能になったり、このような機械的な欠陥が発生しな
いまでも素子特性の劣化が発生する欠点があった。

このような欠点を除去するために、半導体ウェハの厚さ
全体に亘ってダイシング溝を形成することが前記特開昭
６３−１４８６５５号公報に記載されているが、この場
合には粘着シートまで切断することになり、この粘着シ
ートの切り滓が半導体素子やダイシング・ソウ（ダイシ
ング溝形成用鋸）に付着して、素子不良やダイシング不
良が発生するという新たな問題が発生することになる。

また、ダイシング溝の残りの部分の厚さを薄くするため
には、ダイシング・ソウにかける荷重を大きくしなけれ
ばならないが、そのようにするとダイシング時にウェハ
が破折分離し、ダイシング・ソウにより損傷される事故
の頻度が高くなる欠点がある。さらに、ダイシング・ソ
ウの幅（肉厚）をＷとすると、ダイシング溝の幅はＷ＋
αとなる。

この差αはダイシング溝が深くなればなるほど、すなわ
ち残りの部分の厚さを薄くすればするほど大きくなる。

したがって、半導体素子を傷付けずに残りの部分を薄く
するためには、ダイシング溝の幅をより大きく取る必要
があるが、そうするとウェハ当りの半導体素子取得数が
減少してしまう欠点がある。

本発明の目的は、上述した従来の方法の欠点を除去し、
ダイシング溝を形成した後、半導体ウェハに応力を加え
て破折分離する際に、半導体ウェハに過大な応力が加わ
らず、したがって分離された半導体素子に欠陥が発生す
ることがないとともに素子特性の不良を引き起こすこと
なく半導体ウェハをダイシング溝に沿って正確かつ容易
に分離することができる方法を提供しようとするもので
ある。

（課題を解決するための手段） 本発明は、半導体ウェハに形成した多数の半導体素子を
個々に分割するに当たり、個々の半導体素子を分離する
ダイシング溝を半導体ウェハの厚さの一部分に亘って形
成し、これらダイシング溝の少なくとも交点の位置に半
導体ウェハを貫通する孔をあけた後、半導体ウェハを加
圧してダイシング溝に沿って個々の半導体素子に破折分
離することを特徴とするものである。

すなわち、本発明の半導体ウェハの破折分離方法によれ
ば、半導体ウェハに所定の半導体素子を形成した後、半
導体ウェハを粘着シートに貼付し、個々の半導体素子を
区画するようにダイシング溝を半導体ウェハの厚みのほ
ぼ半分以上の深さに形成し、さらに少なくともダイシン
グ溝の交点において半導体ウェハを貫通するように孔を
あけ、半導体ウェハに加圧ローラを押しつけて加圧して
個々の半導体素子に破折分離し、その後粘着シートを展
張して個々の半導体素子を相互に離間させる。

このような本発明の方法によれば、ダイシング溝を形成
した後、ダイシング溝の中に半導体ウェハを貫通する貫
通孔を形成するため、加圧ローラによって加圧すると半
導体ウェハは容易に破折分離されることになり、半導体
ウェハに過度の応力が加わることがなく、したがって半
導体素子が破損したり、素子特性が不良になったりする
ことはない。

本発明の方法を実施するに当たっては、ダイシング溝に
貫通孔を形成するが、これは通常のドリル加工によって
行うことができるが、その他の方法を採用することもで
きる。また、貫通孔を形成する位置はダイシング溝の交
点だけでなくダイシング溝の他の部分にもあけることが
できる。さらに、貫通孔の大きさはダイシング溝の幅よ
りも小さくてもよいが、破折分離を一層容易とするため
にはダイシング溝の幅よりも大きくて半導体素子を傷付
けない範囲とするのが良い。ダイシング溝の交点の位置
では大きな貫通孔をあけることができるので、本発明で
は少なくともダイシング溝の交点の位置で貫通孔をあけ
る。

（実施例） 以下、本発明の半導体ウェハの破折分離方法の実施例を
、図面を参照して説明する。

第１図に示すように、ウェハプロセスにより所望の半導
体素子を形成した厚さ６２５μｍの半導体ウェハ１１を
展張可能な粘着シート１２に貼付する。

第２図に示すように、半導体ウェハ１１には多数の半導
体素子１３が縦横に配列して形成されており、隣接する
半導体素子の間はスクライブライン１４によって区画さ
れている。

次に、第３図に示すように、半導体ウェハ１１のスクラ
イブライン１４に沿って幅５０μｍのダイシング溝１５
をダイシング・ソウを用いて形成する。第３図の一部分
を拡大して示す第４図および第４図のＡ−Ａ綿に沿って
切った断面である第５図に示すように、ダイシング溝１
５は、半導体ウェハ１１の厚さの半分以上の深さに形成
するが、半導体ウェハは貫通しないようにする。すなわ
ち、ダイシング溝１５の下部の半導体ウェハ１１の残り
の部分の厚さは１００μｍとする。本実施例においては
、ダイシング溝１５の各交点において、直径が０．１ｍ
ｍの貫通孔１６を形成する。この貫通孔１６の直径はダ
イシング溝１５の幅よりも大きいが、スクライブライン
１４の幅よりも小さいので、貫通孔が半導体素子１３を
損傷したり素子特性を劣化させるようなことはない。貫
通孔１６は通常のドリル加工によって簡単に形成するこ
とができる。

次に、第６図に示すように、半導体ウェハ１１の上で剛
体ローラ１７を加圧しながら転動させ、半導体ウェハ１
１をダイシング溝１５に沿って破折分離する。この際、
ダイシング溝１５にはその交点において貫通孔１６が形
成されているので、半導体ウェハ１１は比較的小さい応
力で破折するため過大な応力が半導体ウェハに加わるこ
とはなく、したがって半導体ウェハが損傷したり素子特
性が劣化したりすることはない。

最後に、粘着シート１２を展張して隣接する半導体素子
１３の間陽を拡げる。

上述した本発明の方法を１００枚の半導体ウェハについ
て実施するとともにダイシング溝に貫通孔を形成しない
従来の方法を同じ＜１００枚の半導体ウェハについて実
施したところ、従来の方法では３２個の半導体素子に割
れや欠けが発生したり、素子特性が劣化したのに対し本
発明の方法では割れや欠けは勿論破折分離による素子特
性の劣化も現れなかった。

本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、種
々の変更や変形が可能である。例えば、前記の実施例で
は貫通孔はダイシング溝の交点だけに形成したが、第７
図に示すように、順次の交点の中間にも貫通孔１６を形
成することもできる。

このように貫通孔１６の個数を増やして１００枚の半導
体ウェハについて破折分離を行ったところ、分離された
半導体素子には欠陥が生しなかったとともに素子特性の
劣化も生じなかった。

また、上述した実施例では、貫通孔の直径をダイシング
溝の幅よりも大きくしたが、ダイシング溝の幅と同じか
またはそれよりも小さ（することもできる。

（発明の効果） 上述したように、本発明による半導体ウェハの破折分離
方法によれば、半導体ウェハに形成した半導体素子を区
画するスクライブラインに沿ってダイシング溝を形成し
、さらにこれらのダイシング溝の少なくとも交点におい
て半導体ウェハを貫通する貫通孔を形成した後、半導体
ウェハを加圧して破折分離するようにしたため、半導体
ウェハに過大な応力が加わることがなくなり、したがっ
て半導体素子に機械的な欠陥が発生することがないとと
もに応力による素子特性の劣化が発生するようなことも
ない。また、貫通孔は通常のドリル加工等によって簡単
に形成することができるので製造工程が複雑になること
もない。

【図面の簡単な説明】

第１図−第６図は本発明の半導体装置の製造方法の一実
施例の順次の工程を説明するもので、第１図は半導体素
子を形成した半導体ウェハを示す平面図、 第２図は半導体ウェハを粘着シートに貼付した状態を示
す断面図、 第３図は半導体ウェハにダイシング溝および貫通孔を形
成した状態を示す平面図、 第４図は同じ（その拡大図、 第５図は第４図のＡ−Ａ線に沿って切った断面図、 第６凹は半導体ウェハを破折分離している状況を示す斜
視図である。 第７図は本発明の方法の他の実施例における半導体ウェ
ハに形成したダイシング溝および貫通孔を示す平面図で
ある。 第８図および第９図は従来の半導体ウェハの破折分離方
法を示す平面図および断面図である。 １１・・・半導体ウェハ　　１２・・・粘着シート１３
・・・半導体素子　　　　１４・・・スクライブライン
１５・・・ダイシング溝　　　１６・・・貫通孔１７・
・・剛体ローラ 第３図 第４図 第５図 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体ウェハに形成した多数の半導体素子を個々に
   分割するに当たり、個々の半導体素子を分離するダイシ
   ング溝を半導体ウェハの厚さの一部分に亘って形成し、
   これらダイシング溝の少なくとも交点に半導体ウェハを
   貫通する孔をあけた後、半導体ウェハを加圧してダイシ
   ング溝に沿って個々の半導体素子に破折分離することを
   特徴とする半導体ウェハの破折分離方法。