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JPH0952859A - ナフタレン誘導体並びにそれらを含む液晶組成物 - Google Patents

ナフタレン誘導体並びにそれらを含む液晶組成物

Info

Publication number
JPH0952859A
JPH0952859A JP7222723A JP22272395A JPH0952859A JP H0952859 A JPH0952859 A JP H0952859A JP 7222723 A JP7222723 A JP 7222723A JP 22272395 A JP22272395 A JP 22272395A JP H0952859 A JPH0952859 A JP H0952859A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
liquid crystal
embedded image
phenylene
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7222723A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Suzuki
賢治 鈴木
Kenji Kuroiwa
健次 黒岩
Kazuhiko Tsuchiya
和彦 土屋
Atsushi Sugiura
淳 杉浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanto Chemical Co Inc
Original Assignee
Kanto Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kanto Chemical Co Inc filed Critical Kanto Chemical Co Inc
Priority to JP7222723A priority Critical patent/JPH0952859A/ja
Publication of JPH0952859A publication Critical patent/JPH0952859A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 強誘電性液晶材料、特にτ−Vminモード用
液晶材料として有用な液晶化合物及びこれらの化合物を
含有する液晶組成物を提供する。 【解決手段】 一般式Iの新規なナフタレン骨格を有す
る液晶化合物及びこれらの化合物を含有する液晶組成
物。 (R1及びR2は独立してC1〜14のアルキル基を、X
は水素、フッ素、またはシアノ基を、 を表す。但しXが水素原子である場合には

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は、新規な液晶性化合物並びにこれ
らの液晶性化合物の少なくとも一種を含有することを
特徴とする液晶組成物に関する。さらに、本発明は、強
誘電性液晶組成物に関するものであり、特に、τ−V
minモードに用いる液晶組成物成分として有用でかつ化
学的安定性に優れた新規なナフタレン骨格を有する液晶
性化合物並びにこれらの液晶性化合物の少なくとも一種
を含有することを特徴とする液晶組成物に関する。
【0002】
【背景技術】時計、電卓、パーソナルワープロ、ポケッ
トテレビ用の表示素子として、液晶表示素子は、広く用
いられている。これは、受光型で目が疲れない、消費電
力が少ない、薄型である等の優れた特徴を有しているた
めであるが、ネマティック液晶組成物においては、応答
速度が遅い、メモリー性がない等から応用面において制
限があった。
【0003】応用面の拡大を図るため、従来用いられて
きたツイステッドネマティック(TN)型表示方式を改
良したスーパーツイステッドネマティック(STN)型
表示素子も見いだされている。
【0004】しかし、これらは、CRT等の表示方式と
比較して応答速度が遅い、視野角が十分でないことから
これらに代わる液晶表示素子の研究が活発に行われ、そ
の一つに、強誘電性液晶[R.B. Meyerら ;J. Phys.(Fra
nce) 36 L-69 (1975)] を利用した表示方式 [N.A. Clar
k ら; Applied Phy. Lett., 36 899 (1980)] が提案さ
れている。この方式は、従来方式に比べて100〜10
00倍もの高速応答であること及びメモリー性があるこ
と等の優れた特徴を有しているため液晶表示素子の用途
拡大が期待されている。強誘電性液晶とは、液晶分子長
軸が層法線方向とある角度を有する一連のスメクティッ
ク液晶をさすが、実用的には、キラルSmC相が用いら
れる。表示素子作成用の強誘電性液晶組成物としては、
種々のキラルSmC相を有する化合物どうしを混合し
た液晶組成物の方式、または、SmC相を有する液晶
化合物あるいは液晶組成物と光学活性化合物とを混合し
てキラルSmC相を有する液晶組成物とする方式[L.A.
Bersnev et al. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 89 327 (19
82)] の二つの方式がある。強誘電性液晶表示素子の研
究開発は、当初、の方式で得られる液晶組成物を用い
ていたが、研究が進展し、SmC相を有する化合物に光
学活性化合物を添加することにより強誘電性液晶が得ら
れることが判明して以来、の方式で得られる組成物を
用いる方向が漸増する傾向にある。
【0005】実用的な強誘電性液晶組成物には、キラル
SmC相の広い温度範囲、適切な相系列、キラルSmC
相における長いラセンピッチ、適切なチルト角、適切な
自発分極、高速応答等さまざまな性質が要求される。こ
れらの性質は、自発分極、ラセンピッチを除けば、液晶
組成物の大部分を占めるホスト液晶に依存するものであ
り、これらの特性を最適化するために、多種多様の化合
物の混合が試みられている。混合成分としては、SmC
相を有するものはより良いものであるが、上記の目的が
果たせるものであれば必ずしもSmC相を有していると
いう必要はない。
【0006】近年、強誘電性液晶表示素子の駆動法とし
て、τ−Vminモードが注目されている。このモード
は、高速スイッチング、高コントラスト、ラインアドレ
スタイムにおいて広い駆動範囲が得られる等の長所を有
しており、マルチプレックス駆動に有効であるとされる
[J.R. Hughes ら;Liq. Cryst., 13 (4) 597 (199
3)]。このモードにおける応答時間は、電圧Vを印加し
た時に、その電圧で液晶分子が完全にスイッチングし、
メモリー状態を取るために必要な最小パルス幅(τ)で
定義されるが、このVとτとの関係は、τ−V特性と呼
ばれる[P.W.H. Surguyら;Ferroelectrics, 122 63 (1
991)]。τ−Vminモードでは、τ−V特性は、最小値
(Vmin,τmin)を有することが必要であり、素子にV
minを印加したとき、メモリー状態をスイッチングさ
せ、この電圧よりも高い電圧を印加したときには、スイ
ッチングさせないことになる。
【0007】このことは、駆動電圧は、Vminによって
決まり、Vminを低く抑えることは、駆動電圧を低くす
ることができることを示している。Vminは、使用する
液晶化合物に大きく依存するが、現状では、τ−Vmin
モード用の液晶化合物が少ないこともあり、駆動電圧
は、実用レベルまでには至っていない。例えば、Surguy
らは、先に示した文献の中で、市販の強誘電性液晶組成
物 SCE-8(メルク社)を用いて実験を行っているが、そ
のVminは、40Vである。
【0008】またτ−Vminモード用材料としては下記
トラン系化合物(1)〜(3)が報告されているが(K.
Tanaka et al., 1994, Bull. Chem. Soc. Jpn, 67, 25
50)、トラン系化合物は、光、熱などの化学的安定性に
問題があることが指摘される。
【0009】
【化7】
【0010】一方、M.J. Towlerらは、Liq. Cryst., 11
(3) 665 (1992) の中で、液晶組成物の誘電二軸性(δ
ε=ε2−ε1 ε2は、C2対称軸に平行な双極子モーメ
ント、ε1は、分子長軸及びε2に垂直な双極子モーメン
トを表す)が正に大きければVminを低電圧化すること
ができることを示している。δεと液晶化合物の分子構
造との相関は、まだ、明らかにされていないが、δε
は、分子長軸に垂直な二つの双極子モーメントの差であ
ることから、分子短軸方向に極性基を導入することによ
りδεを大きくし、Vminを低電圧化させる液晶化合物
が得られることが推察される。この場合も液晶化合物
は、液晶組成物の一成分となるものであり、先に述べた
ように、必ずしもSmC相を有している必要はない。
【0011】このような知見を基に、本発明者らは、τ
−Vminモード用液晶組成物調製の際に有効な液晶化合
物、特に、Vminの低電圧化に有効な液晶化合物を提供
することを目的として鋭意研究を行った結果、フェニル
ナフタレン骨格の側方に、電子吸引性のフッ素原子、シ
アノ基を導入した有望な液晶化合物を見いだすに至っ
た。
【0012】なお、フェニルナフタレン骨格の側方にフ
ッ素原子を導入した液晶化合物としては、特開平6−4
0985号公報、特開平6−25060号公報、特開平
6−25059号公報に記載されたものを挙げることが
できるが、上記各公報には、該液晶化合物がτ−Vmin
モード法に適用されることやδεやτ−V特性などの物
性について何ら言及されていない。また本願発明の化合
物はこれら各公報に開示された化合物を包含していな
い。
【0013】
【発明の開示】本発明は、 一般式(I)
【化8】 (式中、R1及びR2は、それぞれ独立して、炭素原子数
1から14のアルキル基を表し、Xは、水素原子、フッ
素原子、またはシアノ基を表し、
【化9】 を表す。但し、Xが水素原子である場合には、
【化10】 でない。)で表される新規なナフタレン誘導体を提供す
るものであり、また、それらの液晶化合物の少なくとも
一種を含有することを特徴とする液晶組成物を提供する
ものである。
【0014】以下に、本発明に係わる液晶性化合物の合
成経路について説明し、さらに、実施例等により、本発
明を詳細に説明する。以下に、合成経路を式示し、説明
するが、それらは、一例を示したものであり、実施例と
ともにそれらの例により、本発明は、制約されるもので
はない。
【0015】[合成経路図]式中の記号は、前述の定義
を有する。
【化11】
【0016】
【化12】
【0017】
【化13】
【0018】
【化14】
【0019】
【化15】
【0020】
【化16】
【0021】
【化17】
【0022】
【化18】
【0023】
【化19】
【0024】以下に、式示した合成経路について説明す
る。式
【化20】 の化合物は、化合物
【化21】 (Y=ハロゲンあるいはOSO2CF3)と化合物
【化22】 とのパラジウム触媒下におけるカップリング反応、ある
いは、化合物
【化23】 と化合物
【化24】 (Y=ハロゲンあるいはOSO2CF3)とのパラジウム
触媒下におけるカップリング反応により得られる。
【0025】次に、化合物
【化25】 の合成経路について説明する。なお、下記の記述中、各
化合物の表示は、前掲の合成経路図中において表示され
た各化合物の式に付けられた番号をもってそのまま各化
合物の表示とする。
【0026】化合物(1)、(4)、(10)は、市販
されている。化合物(1)をアルキルブロマイド(R1
Br)を用い、常法によりエーテル化することにより、
化合物(2)が得られ、このものを、ブチルリチウム
[C9Li]でリチオ化した後、硼酸トリメチル
[B(OCH3)3]を作用させ、希硫酸で加水分解するこ
とにより化合物(3)が得られる。
【0027】化合物(4)のグリニャール試薬を調製
し、銅触媒下、アルキルブロマイド(R1Br)とカッ
プリング反応させることにより化合物(5)が得られ
る。このものに、臭化水素酸を作用させ、メトキシ基を
開裂させた後、無水トリフルオロメタンスルホン酸を作
用させることにより化合物(7)が得られる。また、化
合物(6)をジブロモトリフェニルホスホラン[(C6
5)3PBr3]で臭素化することにより化合物(8)が得
られ、このものを、ブチルリチウム[C49Li]でリ
チオ化した後、硼酸トリメチルを作用させ、希硫酸で加
水分解することにより化合物(9)が得られる。
【0028】化合物(10)をアルキルブロマイド(R
1Br)でエーテル化することにより化合物(11)が
得られ、この化合物または化合物(6)にテトラブチル
アンモニウムトリブロマイド[(C49)4NBr3]作用
させれば化合物(12)が得られる。化合物(12)を
アセチル化して化合物(13)を得た後、シアン化銅を
作用させれば化合物(14)が得られ、このものを加水
分解すれば化合物(15)が得られる。
【0029】化合物(15)に無水トリフルオロメタン
スルホン酸を作用させれば化合物(16)が得られ、化
合物(15)にジブロモトリフェニルホスホランを作用
させれば化合物(17)が得られる。化合物(17)を
ブチルリチウム[C49Li]でリチウム塩とした後、
硼酸トリメチルを作用させ、希硫酸で加水分解すれば化
合物(18)が得られる。
【0030】化合物(6)あるいは化合物(11)を
3,5−ジクロロ−1−フルオロピリジニウムトリフレ
ートでフッ素化して化合物(19)を得、このものに無
水トリフルオロメタンスルホン酸を作用させれば化合物
(20)が得られ、化合物(19)にジブロモトリフェ
ニルホスホランを作用させれば化合物(21)が得られ
る。化合物(21)をブチルリチウム[C49Li]で
リチオ化した後、これに硼酸トリメチルを作用させ、希
硫酸で加水分解すれば化合物(22)が得られる。
【0031】次に、
【化26】 の合成経路について説明する。化合物(23)、(26)、
(27)、(30)、(33)、(36)、(43)、(47)、
(50)、(54)、(59)、(66)、(72)は市販されて
いる。
【0032】化合物(23)をアルキルブロマイド(R
2Br)を用い、常法によりエーテル化することにより
化合物(24)が得られ、化合物(24)または化合物
(26)のグリニャール試薬を調製した後、硼酸トリメ
チルを作用させ、希硫酸で加水分解すれば化合物(2
5)が得られる。
【0033】化合物(27)をアルキルブロマイド(R
2Br)でエーテル化して化合物(28)が得られる。
化合物(30)をパラジウム触媒下、1−アルキン(R
C≡CH)とカップリング反応させることにより化合物
(31)が得られ、さらに、プラチナ触媒下、水素添加
すれば化合物(32)が得られる。化合物(28)また
は化合物(32)のグリニャール試薬を調製した後、硼
酸トリメチルを作用させ、希硫酸で加水分解すれば化合
物(29)が得られる。
【0034】化合物(33)をアルキルブロマイド(R
2Br)でエーテル化して化合物(34)が得られる。
化合物(36)を無水酢酸[(CH3CO)2O]を作用さ
せ化合物(37)を得た後、臭素により臭素化して化合
物(38)を、さらに脱アセチル化すれば化合物(3
9)が得られる。このものを亜硝酸ソーダ[NaN
2]でジアゾニウム塩とした後、ヨウ化カリウム[K
I]と反応させれば化合物(40)が得られる。化合物
(40)をパラジウム触媒下、1−アルキン[RC≡C
H]とカップリング反応させれば化合物(41)が得ら
れ、さらに、プラチナ触媒下、水素添加すれば化合物
(42)が得られる。化合物(34)または化合物(4
2)をブチルリチウム[C49Li]でリチオ化し、硼
酸トリメチルを作用させた後、希硫酸で加水分解すれば
化合物(35)が得られる。
【0035】化合物(43)をアルキルブロマイド[R
2Br]でエーテル化して化合物(44)が得られる。
化合物(47)にアルキルマグネシウムブロマイド[R
MgBr]作用させ、さらに、脱水反応を行って化合物
(48)をえた後、パラジウム触媒下、水素添加すれば
化合物(49)が得られる。化合物(44)または化合
物(49)をブチルリチウムでリチオ化した後、硼酸ト
リメチルを作用させ、希硫酸で加水分解すれば化合物
(46)が得られる。また、リチオ化後、ヨウ素を作用
させれば化合物(45)が得られる。
【0036】化合物(50)をアルキルブロマイド[R
2Br]でエーテル化して化合物(51)を得た後、こ
のものを臭素で臭素化すれば化合物(52)が得られ
る。化合物(54)のN−ブロモこはく酸イミドによる
臭素化により化合物(55)が得られ、このものを亜硝
酸ソーダによるジアゾ化後、ヨウ化カリを作用させるこ
とにより化合物(56)が得られる。化合物(56)を
パラジウム触媒下、1−アルキン[RC≡CH]とカッ
プリング反応させれば化合物(57)が得られ、さら
に、プラチナ触媒下、水素添加すれば化合物(58)が
得られる。化合物(52)または化合物(58)をブチ
ルリチウムでリチオ化し、硼酸トリメチルを作用させ、
希硫酸で加水分解すれば化合物(53)が得られる。
【0037】化合物(59)に塩化チオニル[SOCl
2]を作用させ化合物(60)を得た後、アンモニア水
と反応させれば化合物(61)が得られ、さらに塩化チ
オニルで脱水反応を行えば化合物(62)が得られる。
このものをブチルリチウムでリチオ化した後、硼酸トリ
メチルを作用させ、加水分解して得られる化合物(6
3)を過酸化水素水で酸化すれば化合物(64)が得ら
れる。化合物(64)をアルキルブロマイド[R2
r]でエーテル化して化合物(65)が得られる。化合
物(66)を臭素で臭素化して化合物(67)を得た
後、シアン化銅を作用させれば化合物(68)が得られ
る。このものに無水トリフルオロメタンスルホン酸を作
用させれば化合物(69)が得られ、化合物(68)
に、ジブロモトリフェニルホスホランを作用させれば化
合物(70)が得られる。化合物(70)をブチルリチ
ウムでリチオ化し、硼酸トリメチルを作用後、希硫酸で
加水分解すれば化合物(71)が得られる。
【0038】化合物(72)をアルキルブロマイド[R
2Br]でエーテル化することにより化合物(73)が
得られ、このものに無水トリフルオロメタンスルホン酸
を作用させれば化合物(74)が得られる。
【0039】化合物(34)または(42)をリチウム
ジイソプロピルアミド[LiN(C37)2]でリチオ化
し、ジメチルホルムアミド[HCON(CH3)2]を作用
させれば化合物(75)が得られ、このものをヒドロキ
シルアミン塩酸塩[HONH 2・HCl]でオキシムと
した後、脱水反応を行うことにより化合物(76)が得
られる。化合物(76)をブチルリチウムでリチオ化
し、硼酸トリメチルを作用させ、加水分解することによ
り化合物(77)が得られる。
【0040】化合物(28)または(32)をリチウム
ジイソプロピルアミド[LiN(C37)2]でリチオ化
し、ジメチルホルムアミド[HCON(CH3)2]を作用
させれば化合物(78)が得られ、このものをヒドロキ
シルアミン塩酸塩[HONH2・HCl]でオキシムと
した後、脱水反応を行うことにより化合物(79)が得
られる。化合物(79)をブチルリチウムでリチオ化
し、硼酸トリメチルを作用させ、加水分解することによ
り化合物(80)が得られる。
【0041】以下に、実施例等により、さらに詳しく本
発明を説明する。なお、本明細書中に記載されている略
記号は、下記に示す意味を有する。 GLC:ガスクロマトグラフィー HPLC:高速液体クロマトグラフィー m.p:融点 b.p:沸点 C:結晶 Sx:判別不明なスメクティック相 SC:スメクティックC相 SA:スメクティックA相 Ne:ネマティック相 I:等方性液体
【0042】
【実施例】
実施例1
【化27】
【0043】
【化28】 1リットルフラスコに、2−クロロ−5−ブロモ安息香
酸 100g、ベンゼン 500mlを仕込み、還流させな
がら、塩化チオニル 76gを滴下し、12時間撹拌し
た。過剰の塩化チオニルとベンゼンを弱減圧下に留去
し、残留分を減圧蒸留して2−クロロ−5−ブロモ安息
香酸クロライドを得た。収量 95.7g b.p:108℃/5torr
【0044】
【化29】 1リットルビーカーに、アンモニア水 700mlを仕込
み、これに、2−クロロ−5−ブロモ安息香酸クロライ
ド 95.7gを滴下し、室温下、5時間撹拌した。結晶
を濾集、水洗した後、ヘキサン−テトラヒドロフラン混
合溶媒より再結晶して2−クロロ−5−ブロモベンズア
ミドを得た。収量 87g GLC:98% m.p:161.5〜163.0℃
【0045】
【化30】 500mlフラスコに、2−クロロ−5−ブロモベンズア
ミド 87g、ベンゼン 250mlを仕込み、還流下に、
塩化チオニル 100gを滴下し、同温度で40時間撹
拌した。反応液を濃縮し、残留分を冷希水酸化ナトリウ
ム水溶液に注加し、析出した結晶をトルエンで抽出し
た。トルエン層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を
留去した。残留分をアセトンより再結晶して2−クロロ
−5−ブロモベンゾニトリルを得た。収量 40.8g GLC:98.2% m.p:129〜132℃
【0046】
【化31】 内部をアルゴン置換した1リットルフラスコに、2−ク
ロロ−5−ブロモベンゾニトリル 40g、乾燥テトラ
ヒドロフラン 300mlを仕込み、−90〜−100℃
まで冷却した後、1.6Mブチルリチウム−ヘキサン溶
液 175mlを添加し、同温度で5分間撹拌した。続い
て、硼酸トリメチル 58gを添加し、室温にもどして
5時間撹拌した後、反応液を冷希硫酸に注加した。有機
層をエーテルで抽出し、エーテル層を水洗した後、溶媒
を留去した。残留分をテトラヒドロフラン 100mlに
溶解させ、0℃で10%過酸化水素水 100mlを滴下
し、2時間撹拌した。反応液にトルエンを加え、トルエ
ン層を水洗した後、芒硝で乾燥させた。溶媒を留去し、
残留分にトルエン−酢酸エチルの混合溶媒を加え、結晶
化物を濾集した。濾集物をヘキサンで浸積洗浄して2−
クロロ−5−ヒドロキシベンゾニトリルを得た。収量
11.6g GLC:99% m.p:168〜168.8℃
【0047】
【化32】 300mlフラスコに、2−クロロ−5−ヒドロキシベン
ゾニトリル 11.5g、無水炭酸カリ 17g、1−ブ
ロモノナン 17.6g、メチルエチルケトン 200ml
を仕込み、還流温度で15時間撹拌した。反応液を水に
注加し、有機層をトルエンで抽出した。トルエン層を水
洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分を
減圧蒸留して2−クロロ−5−ノニルオキシベンゾニト
リルを得た。収量 19.1g GLC:99% b.p:163〜166℃/0.2t
orr
【0048】
【化33】 内部をアルゴン置換した100mlフラスコに、水酸化ナ
トリウム 1.7gの水溶液25ml、硼酸ナトリウム[N
247]1g、6−オクチルオキシナフタレン−2
−イルボロン酸 3gのトルエン懸濁液 30mlを仕込
み、しばらく撹拌した。次に、2−クロロ−5−ノニル
オキシベンゾニトリル 2.8g、塩化パラジウム[Pd
Cl2] 0.04g、30%トリシクロヘキシルホスフ
ィン−トルエン溶液 0.2gを添加し、還流下に5時間
撹拌した。反応液を水に注加し、有機層をトルエンで抽
出した。トルエン層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶
媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(溶離液 トルエン/ヘキサン=1/1)にて精製
し、アセトンより再結晶して6−オクチルオキシ−2−
(2−シアノ−4−ノニルオキシフェニル)ナフタレンを
得た。収量 0.7g HPLC:99.4% 得られた化合物のIR測定の結果及びMass分析に
て、499に分子イオンピークが認められたこと並びに
用いた原料の関係から得られた化合物は、標記化合物で
あることを確認した。この化合物をメトラー社製ホット
ステージFP−82を用い、偏向顕微鏡下に相変化を観
察した。その結果を表1に示す。
【0049】実施例2
【化34】
【0050】
【化35】 500mlフラスコに、4−ヘプチルフェノール 65
g、塩化メチレン 250mlを仕込み、この溶液に、0
〜5℃で臭素 54gを滴下した。同温度で1時間撹拌
した後、反応液を水に注加し、しばらく撹拌した。塩化
メチレン層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去
し、残留分を減圧蒸留して2−ブロモ−4−ヘプチルフ
ェノールを得た。収量 78.2g GLC:97% b.p:113℃/0.25torr
【0051】
【化36】 300mlフラスコに、2−ブロモ−4−ヘプチルフェノ
ール 78g、シアン化銅[CuCN] 31g、ジメチ
ルホルムアミド 50mlを仕込み、180〜185℃で
3時間撹拌した。反応液を塩化第二鉄を溶かした希塩酸
に注加し、60〜70℃で30分間撹拌した後、有機層
をトルエンで抽出した。トルエン層を水洗し、芒硝で乾
燥させた後、溶媒を留去した。残留分を減圧蒸留し、ヘ
キサン−アセトン混合溶媒より再結晶して2−ヒドロキ
シ−5−ヘプチルベンゾニトリルを得た。収量 9g GLC:99.7% b.p:144℃/0.3torr
m.p:79〜84℃
【0052】
【化37】 100mlフラスコに、2−ヒドロキシ−5−ヘプチルベ
ンゾニトリル 9g、ピリジン 40mlを仕込み、0〜5
℃で無水トリフルオロメタンスルホン酸 17.5gを滴
下した。室温にもどして一夜撹拌した後、反応液を水に
あけ、有機層をトルエンで抽出した。トルエン層を水、
希塩酸、水の順で洗浄し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を
留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶離液 トルエン)にて精製して2−シアノ−4−ヘ
プチルフェニル トリフレートを得た。収量 12g
GLC:98.1%
【0053】
【化38】 内部をアルゴン置換した100mlフラスコに、テトラキ
ストリフェニルホスフィンパラジウム[Pd(PP
3)4] 0.4g、2−シアノ−4−ヘプチルフェニル
トリフレート 3gのジメトキシエタン溶液 30ml、2
M炭酸ナトリウム水溶液 9ml、6−オクチルオキシナ
フタレン−2−イルボロン酸 2.8gのジメトキシエタ
ン溶液 20mlを仕込み、還流下に、6時間撹拌した。
反応液を水にあけ、有機層をトルエンで抽出した。トル
エン層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去し
た。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
離液 トルエン/ヘキサン=1/1)にて精製し、アセ
トンより再結晶して6−オクチルオキシ−2−(2−シ
アノ−4−ヘプチルフェニル)ナフタレンを得た。 収量 2.7g HPLC:99%
【0054】得られた化合物のIR測定の結果及びMa
ss分析にて、455に分子イオンピークが認められた
こと並びに用いた原料の関係から得られた化合物は、標
記化合物であることを確認した。この化合物をメトラー
社製ホットステージFP−82を用い、偏向顕微鏡下に
相変化を観察した。その結果を表1に示す
【0055】実施例3
【化39】
【0056】
【化40】 内部をアルゴン置換した1リットルフラスコに、マグネ
シウム 12gと少量のヨウ素を仕込み、これに、6−
ブロモ−2−メトキシナフタレン 95gのテトラヒド
ロフラン溶液 600mlを40〜50℃で滴下してグリ
ニャール試薬を調製した。別の2リットルフラスコに、
1−ブロモオクタン 116g、ヘキサメチルホスホリ
ックトリアミド[{(CH3)2N}3PO] 145ml、臭
化銅[CuBr] 6gを仕込み、これに、50〜60
℃で、先に調製したグリニャール試薬を滴下した。還流
温度で5時間撹拌した後、反応液を希塩酸にあけ、有機
層をトルエンで抽出した。トルエン層を水洗し、芒硝で
乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分を減圧蒸留し、
アセトンより再結晶して6−オクチル−2−メトキシナ
フタレンを得た。収量 94g GLC:99.7% b.p:170〜178℃/0.5
5torr m.p:53〜54.6℃
【0057】
【化41】 1リットルフラスコに、6−オクチル−2−メトキシナ
フタレン 94g、酢酸 300ml、48%臭化水素酸
200mlを仕込み、還流下に、20時間撹拌した。反応
液を水にあけ、有機層をトルエンで抽出し、トルエン層
を水洗した後、芒硝で乾燥させた。溶媒を留去し、残留
分をヘキサン−アセトン混合溶媒より再結晶して6−オ
クチル−2−ナフトールを得た。収量 81g GLC:99.7% m.p:97.0〜99.3℃
【0058】
【化42】 100mlフラスコに、6−オクチル−2−ナフトール
15g、ジブロモトリフェニルホスホラン[Ph3PB
2] 32gを仕込み、300℃まで徐々に加熱し、同
温度で1時間撹拌した。100℃付近まで冷却し、トル
エンを投入し、不溶物を濾過により除いた。トルエン層
を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留
分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液 ヘ
キサン)にて精製し、減圧蒸留して6−オクチル−2−
ブロモナフタレンを得た。収量7.2g GLC:98% b.p:130〜135℃/0.1to
rr m.p:42〜44℃
【0059】
【化43】 内部をアルゴン置換した100mlフラスコに、6−オク
チル−2−ブロモナフタレン 7.2g、乾燥テトラヒド
ロフラン 30mlを仕込み、これに、−50〜−60℃
で1.6Mブチルリチウム−ヘキサン溶液 18mlを滴下
し、同温度で1時間撹拌した。次に、硼酸トリメチル
6gを滴下し、室温にもどして一夜撹拌した後、反応液
を希硫酸に注加した。有機層をエーテルで抽出し、エー
テル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去し、
残留分をヘキサンより再結晶して6−オクチルナフタレ
ン−2−イルボロン酸を得た。 収量 3.9g HPLC:90%
【0060】
【化44】 実施例2−(d)において、6−オクチルオキシナフタレ
ン−2−イルボロン酸2.8gに代えて、6−オクチル
ナフタレン−2−イルボロン酸 2.6gを用い、他は、
実施例2−(d)と同様に操作することにより6−オクチ
ル−2−(2−シアノ−4−ヘプチルフェニル)ナフタ
レンを得た。 収量 3.3g HPLC:99.0%
【0061】得られた化合物のIR測定の結果及びMa
ss分析にて、439に分子イオンピークが認められた
こと並びに用いた原料の関係から得られた化合物は、標
記化合物であることを確認した。この化合物をメトラー
社製ホットステージFP−82を用い、偏向顕微鏡下に
相変化を観察した。その結果を表1に示す。
【0062】実施例4
【化45】
【0063】
【化46】 200mlフラスコに、実施例3−(b)で得られた6−オ
クチル−2−ナフトール 13.5g、塩化メチレン 1
50mlを仕込み、これに、3,5−ジクロロ−1−フル
オロピリジニウムトリフレート 15gを10〜15℃
で徐々に投入した。室温にもどして5時間撹拌した後、
反応液を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去し
た。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
離液 トルエン)にて精製して1−フルオロ−6−オク
チル−2−ナフトールを得た。 収量 6.5g GLC:99% m.p:40〜4
2℃
【0064】
【化47】 100mlフラスコに、1−フルオロ−6−オクチル−2
−ナフトール 6.5g、ピリジン 40mlを仕込み、こ
れに0〜5℃で無水トリフルオロメタンスルホン酸 8
gを滴下し、室温にもどして6時間撹拌した。反応液を
水にあけ、有機層をエーテルで抽出し、エーテル層を希
塩酸、水に順で洗浄したのち、芒硝で乾燥させ、溶媒を
留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(溶離液 ヘキサン)にて精製して1−フルオロ−6
−オクチルナフタレン−2−イルトリフレートを得た。 収量 7.9g GLC:92.2%
【0065】
【化48】 内部をアルゴン置換した100mlフラスコに、テトラキ
ストリフェニルホスフィンパラジウム[Pd(PP
3)4] 0.4g、1−フルオロ−6−オクチルナフタ
レン−2−イル トリフレート 3.9gのジメトキシエ
タン溶液 30ml、2M炭酸ナトリウム水溶液 8ml、4
−オクチルオキシフェニルボロン酸 2.4gのジメトキ
シエタン溶液 20mlを仕込み、還流下に、6時間撹拌
した。反応液を水にあけ、有機層をトルエンで抽出し、
トルエン層を水洗した後、芒硝で乾燥させ、溶媒を留去
した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶離液ヘキサン/トルエン=12/1)にて精製した
後、アセトンで再結晶して1−フルオロ−6−オクチル
−2−(4−オクチルオキシフェニル)ナフタレンを得
た。 収量 3.5g HPLC:99.9%
【0066】得られた化合物のIR測定の結果及びMa
ss分析にて、462に分子イオンピークが認められた
こと並びに用いた原料の関係から得られた化合物は、標
記化合物であることを確認した。この化合物をメトラー
社製ホットステージFP−82を用い、偏向顕微鏡下に
相変化を観察した。その結果を表1に示す。
【0067】実施例5
【化49】 実施例4−(c)において、4−オクチルオキシフェニル
ボロン酸 2.4gに代えて、2,3−ジフルオロ−4−
オクチルオキシフェニルボロン酸 2.7gを用い、他
は、実施例4−(c)と同様に操作することにより、1−
フルオロ−6−オクチル−2−(2,3−ジフルオロ−
4−オクチルオキシフェニル)ナフタレンを得た。 収量 2.3g HPLC:99.9%
【0068】得られた化合物のIR測定の結果及びMa
ss分析にて、498に分子イオンピークが認められた
こと並びに用いた原料の関係から得られた化合物は、標
記化合物であることを確認した。この化合物をメトラー
社製ホットステージFP−82を用い、偏向顕微鏡下に
相変化を観察した。その結果を表1に示す。
【0069】実施例6
【化50】
【0070】
【化51】 300mlフラスコに、実施例3−(b)で得られた6−オ
クチル−2−ナフトール 20g、塩化メチレン 200
mlを仕込み、これに、0℃でテトラブチルアンモニウム
トリブロマイド[(C49)4NBr3] 38gを投入
し、1時間撹拌した。反応液を水、炭酸水素ナトリウム
水溶液、水の順で洗浄し芒硝で乾燥させた。溶媒を留去
後、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
離液 トルエン)にて精製し、1−ブロモ−6−オクチ
ル−2−ナフトールを得た。 収量 24g GLC:83%
【0071】
【化52】 300mlフラスコに、1−ブロモ−6−オクチル−2−
ナフトール 24g、ピリジン 6.9g、ベンゼン 12
0mlを仕込み、これに、室温下、塩化アセチル 6.8g
を滴下した後、還流下に、5時間撹拌した。反応液を水
にあけ、ベンゼン層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶
媒を留去し、残留分を減圧蒸留して1−ブロモ−2−ア
セトキシ−6−オクチルナフタレンを得た。収量 22
g GLC:90.4% b.p:176〜179℃/0.
15torr
【0072】
【化53】 200mlフラスコに、1−ブロモ−2−アセトキシ−6
−オクチルナフタレン22g、シアン化銅[CuCN]
6.3g、ジメチルホルムアミド 40mlを仕込み、1
60〜170℃で3時間撹拌した後、反応液を塩化第二
鉄 25gを溶かした希塩酸50mlに注加し、60〜7
0℃で30分撹拌した。有機層をトルエンで抽出し、ト
ルエン層を水洗し、溶媒を留去した後、残留分にメタノ
ール 50ml、水酸化ナトリウム 2.7g、水 100ml
を加え、40〜50℃で1時間撹拌した。反応液に塩酸
を注加し、有機層をエーテルで抽出し、エーテル層を水
洗した後、芒硝で乾燥させ、溶媒を留去した。残留分を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液 トルエ
ン/酢酸エチル=2/1)にて精製し、ヘキサン−アセ
トン混合溶媒より再結晶して1−シアノ−6−オクチル
−2−ナフトールを得た。収量 12.3g GLC:99.8% m.p:111〜112℃
【0073】
【化54】 100mlフラスコに、1−シアノ−6−オクチル−2−
ナフトール 8.5g、ピリジン 40mlを仕込み、これ
に、0〜5℃で無水トリフルオロメタンスルホン酸 1
0.2gを滴下し、室温にもどして6時間撹拌した。反
応液を水にあけ、有機層をエーテルで抽出し、エーテル
層を希塩酸、水の順で洗浄した後、芒硝で乾燥させ、溶
媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(溶離液 トルエン/ヘキサン=1/2)にて精
製し、ヘキサンより再結晶して1−シアノ−6−オクチ
ルナフタレン−2−イルトリフレートを得た。収量 1
1g GLC:96.9% m.p:39〜41℃
【0074】
【化55】 実施例4−(c)において、1−フルオロ−6−オクチル
ナフタレン−2−イルトリフレート 3.9gに代えて、
1−シアノ−6−オクチルナフタレン−2−イル トリ
フレート 4.1gを用い、また、カラムクロマトグラフ
ィーの精製における溶離液をヘキサン/トルエン=12
/1に代えて、ヘキサン/トルエン=1/1を用い、他
は、実施例4−(c)と同様に操作することにより1−シ
アノ−6−オクチル−2−(4−オクチルオキシフェニ
ル)ナフタレンを得た。 収量 3.1g HPLC:100%
【0075】得られた化合物のIR測定の結果及びMa
ss分析にて、469に分子イオンピークが認められた
こと並びに用いた原料の関係から得られた化合物は、標
記化合物であることを確認した。この化合物をメトラー
社製ホットステージFP−82を用い、偏向顕微鏡下に
相変化を観察した。その結果を表1に示す。
【0076】実施例7
【化56】 実施例4−(c)において、1−フルオロ−6−オクチル
ナフタレン−2−イルトリフレート 3.9gに代えて、
1−シアノ−6−オクチルナフタレン−2−イル トリ
フレート 4.1gを、4−オクチルオキシフェニルボロ
ン酸 2.4gに代えて、2,3−ジフルオロ−4−オク
チルオキシフェニルボロン酸 2.8gを用い、また、カ
ラムクロマトグラフィーの精製における溶離液をヘキサ
ン/トルエン=12/1に代えて、ヘキサン/トルエン
=3/2を用い、他は、実施例4−(c)と同様に操作す
ることにより1−シアノ−6−オクチル−2−(2,3−
ジフルオロ−4−オクチルオキシフェニル)ナフタレン
を得た。 収量 2.7g HPLC:99.5%
【0077】得られた化合物のIR測定の結果及びMa
ss分析にて、505に分子イオンピークが認められた
こと並びに用いた原料の関係から得られた化合物は、標
記化合物であることを確認した。この化合物をメトラー
社製ホットステージFP−82を用い、偏向顕微鏡下に
相変化を観察した。その結果を表1に示す。
【0078】
【表1】
【0079】実施例8 市販の強誘電性液晶組成物 SCE−8(メルク社)
に、実施例1から7で得られた化合物をそれぞれ、10
〜20wt%の範囲で添加して、新たに強誘電性液晶組
成物を調製した。これらの組成物を、それぞれ、パラレ
ル配向処理した透明電極付きガラス基板から成る、厚さ
2μmのEHC社製セルに注入し、等方性液体まで加熱
した後、1℃/minで30℃まで冷却して、C2U配向
[M.Kodenet al., Jpn. J. Appl. Phys., 30 L1823 (1
981)]した強誘電性液晶素子を作製した。
【0080】これらの液晶素子に、図1に示したバイア
ス電圧V(±7.5V,25KHz)とスイッチング用電
圧V(τ:Vにおいて、スイッチングしメモリーを
とるために必要な最小パルス幅)を印加して、τ−V曲
線を作成し(図2)、さらに、この曲線からVminを求
めた。その結果を表2に示す。測定温度は、30℃であ
る。液晶組成物は、SCE−8以外は、添加した化合物
の実施例番号で表した。
【0081】
【表2】
【0082】表2から、本発明化合物をSCE−8に添
加した強誘電性液晶化合物は、SCE−8のみの場合に
比べ、Vmin値を低下させ、特に、実施例1,2,5,
6,7の化合物にその効果が大きいことがわかる。
【0083】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係わる
一般式(I)で示した化合物は、強誘電性液晶組成物、
特に、τ−VminモードにおけるVmin値を低電圧化させ
る組成物の成分として有用な材料である。
【図面の簡単な説明】
【図1】強誘電性液晶素子に、バイアス電圧Vb(±7.
5V,25KHz)とスイッチング用電圧VS(τ:V
おいて、スイッチングしメモリーをとるために必要な最
小パルス幅)が印加されたパルス波形を表す。
【図2】図1のパルス波形から、メモリーさせるのに必
要なパルス幅(τ)を電圧(V)ごとに測定することに
より求めたτ−V曲線を表す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉浦 淳 埼玉県草加市稲荷1−7−1 関東化学株 式会社中央研究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、R1及びR2は、それぞれ独立して、炭素原子数
    1から14のアルキル基を表し、Xは、水素原子、フッ
    素原子、またはシアノ基を表し、 【化2】 を表す。但し、Xが水素原子である場合には、 【化3】 でない。)で表されるナフタレン誘導体。
  2. 【請求項2】 τ−Vminモードに用いる請求項1記載
    のナフタレン誘導体。
  3. 【請求項3】 一般式(I) 【化4】 (式中、R1及びR2は、それぞれ独立して、炭素原子数
    1から14のアルキル基を表し、Xは、水素原子、フッ
    素原子、またはシアノ基を表し、 【化5】 を表す。但し、Xが水素原子である場合には、 【化6】 でない。)で表されるナフタレン誘導体を少なくとも一
    種含有することを特徴とする液晶組成物。
  4. 【請求項4】 τ−Vminモードに用いる請求項3記載
    の液晶組成物。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002146354A (ja) * 2000-11-08 2002-05-22 Dainippon Ink & Chem Inc 液晶組成物
US6468607B1 (en) * 1998-04-22 2002-10-22 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Naphthalene derivative and liquid crystal composition comprising the same
JP2008248248A (ja) * 2000-12-27 2008-10-16 Dic Corp 抗酸化性液晶組成物

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