JPH09304272A - 液体の吸光度測定装置 - Google Patents
液体の吸光度測定装置Info
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- JPH09304272A JPH09304272A JP8115904A JP11590496A JPH09304272A JP H09304272 A JPH09304272 A JP H09304272A JP 8115904 A JP8115904 A JP 8115904A JP 11590496 A JP11590496 A JP 11590496A JP H09304272 A JPH09304272 A JP H09304272A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
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- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/33—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using ultraviolet light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】水質基準の省令には色度測定を波長３９０ｎｍ
付近の吸光度を使用する透過光測定法があり、また浄水
に限らず被測定液体の各種溶解性成分の定量的な検査に
紫外線から可視光領域の吸光度を指標としている例もあ
る。吸光度測定の光源としては従来からハロゲン、タン
グステンなど各種のランプが使用されているが、寿命が
短く、メンテナンス頻度が多く、高価格などの問題点が
あり、発光ダイオードなどの半導体光源の適用が要望さ
れていた。 【解決手段】パルス電圧駆動で、通常の４５０ｎｍの発
光と共に活性層ＩｎＧａＮのバンド間発光である３８５
ｎｍの発光をさせたＧａＮ系青色発光ダイオードを光源
として用い、波長３８５ｎｍの光を利用した液体の吸光
度測定装置と、波長３８５ｎｍと４５０ｎｍの２波長の
光を利用して、それぞれの吸光度の差分を演算して濁質
や妨害物質の影響を除き、被測定液体中の溶解成分のみ
の吸光度を測定する液体の吸光度測定装置と、透過光色
度測定法で規定されている波長３９０ｎｍの光と光路長
５０ｍｍのセルを使用した色度計とを発明した。
付近の吸光度を使用する透過光測定法があり、また浄水
に限らず被測定液体の各種溶解性成分の定量的な検査に
紫外線から可視光領域の吸光度を指標としている例もあ
る。吸光度測定の光源としては従来からハロゲン、タン
グステンなど各種のランプが使用されているが、寿命が
短く、メンテナンス頻度が多く、高価格などの問題点が
あり、発光ダイオードなどの半導体光源の適用が要望さ
れていた。 【解決手段】パルス電圧駆動で、通常の４５０ｎｍの発
光と共に活性層ＩｎＧａＮのバンド間発光である３８５
ｎｍの発光をさせたＧａＮ系青色発光ダイオードを光源
として用い、波長３８５ｎｍの光を利用した液体の吸光
度測定装置と、波長３８５ｎｍと４５０ｎｍの２波長の
光を利用して、それぞれの吸光度の差分を演算して濁質
や妨害物質の影響を除き、被測定液体中の溶解成分のみ
の吸光度を測定する液体の吸光度測定装置と、透過光色
度測定法で規定されている波長３９０ｎｍの光と光路長
５０ｍｍのセルを使用した色度計とを発明した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は波長３８５から４５
０ｎｍ付近の半導体光源を用いた液体の吸光度測定に関
する。
０ｎｍ付近の半導体光源を用いた液体の吸光度測定に関
する。
【０００２】
【従来の技術】色度は浄水等の水質の管理項目の一つで
あり、一般には、被測定液体と色度標準液とを比較して
行なう比色法で検定される。色度の発生する原因は、被
測定液体中に存在する主にフミン質等による溶解性ある
いはコロイド性有機物質、溶解性の鉄やマンガンなどで
あり、これらの物質にによって起こる光の吸収スペクト
ルは、紫外線から近紫外線の波長領域にピークを持つて
いる。
あり、一般には、被測定液体と色度標準液とを比較して
行なう比色法で検定される。色度の発生する原因は、被
測定液体中に存在する主にフミン質等による溶解性ある
いはコロイド性有機物質、溶解性の鉄やマンガンなどで
あり、これらの物質にによって起こる光の吸収スペクト
ルは、紫外線から近紫外線の波長領域にピークを持つて
いる。
【０００３】水質基準に関する省令では、色度の測定を
上記の比色法のほかに波長３９０nm付近の吸光度によっ
て行う透過光測定法が記述されており、各種の色度計が
開発されている。また、浄水に限らず被測定液体の各種
溶解性成分の定量的な検査を行う際に、紫外線から可視
光領域にかけてのいずれかの波長における吸光度を指標
としている例もある。波長３９０ｎｍ付近における吸光
度Ｅの測定は、光源としてハロゲンランプ、タングステ
ンランプ、ヨウ素ランプ、または重水素管などを用い、
光源からの光ビームをバンドパスフィルターを通して被
測定液体に照射し、透過した光電変換素子で光電変換し
たときの電気信号から得られる透過光強度と、照射光強
度を光電変換したときの電気信号から得られる照射光強
度とから、（１）式により求められる。
上記の比色法のほかに波長３９０nm付近の吸光度によっ
て行う透過光測定法が記述されており、各種の色度計が
開発されている。また、浄水に限らず被測定液体の各種
溶解性成分の定量的な検査を行う際に、紫外線から可視
光領域にかけてのいずれかの波長における吸光度を指標
としている例もある。波長３９０ｎｍ付近における吸光
度Ｅの測定は、光源としてハロゲンランプ、タングステ
ンランプ、ヨウ素ランプ、または重水素管などを用い、
光源からの光ビームをバンドパスフィルターを通して被
測定液体に照射し、透過した光電変換素子で光電変換し
たときの電気信号から得られる透過光強度と、照射光強
度を光電変換したときの電気信号から得られる照射光強
度とから、（１）式により求められる。
【０００４】 Ｅ＝ｌｏｇ（Ｉ0 ／ＩT ）─────────────── （１） ここでＥ：吸光度、Ｉ0 ：照射光強度、ＩT ：透過光強
度である。色度は（１）式によって演算された結果に所
定の数を乗じることにより求められる。
度である。色度は（１）式によって演算された結果に所
定の数を乗じることにより求められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記のように波長３９
０ｎｍ付近における吸光度の測定には、光源としてハロ
ゲンランプ、タングステンランプ、ヨウ素ランプ、また
は重水素管等が使用されているが、半導体光源などと比
較して寿命が短いという問題があり、そのためメンテナ
ンスの頻度が多い。
０ｎｍ付近における吸光度の測定には、光源としてハロ
ゲンランプ、タングステンランプ、ヨウ素ランプ、また
は重水素管等が使用されているが、半導体光源などと比
較して寿命が短いという問題があり、そのためメンテナ
ンスの頻度が多い。
【０００６】また、ハロゲンランプやタングステンラン
プの場合には、フィラメントの形状に起因して光強度が
一様でなく、方向によって分布が生じるため、均一な強
度をもった光ビームを比測定液体に照射するためには拡
散板が必要となる。水銀ランプなどを光源にした場合に
は、ランプや電源が高価であるという問題がある。この
ため寿命の長い吸光度測定装置の光源として、発光ダイ
オードあるいはレーザーダイオードなどの半導体光源が
利用できれば、１）メンテナンスの頻度が減少し、２）
ハロゲンランプやタングステンランプのような方向によ
る光強度の分布がなく、３）低価格でコンパクトな装置
を製作することが可能である。
プの場合には、フィラメントの形状に起因して光強度が
一様でなく、方向によって分布が生じるため、均一な強
度をもった光ビームを比測定液体に照射するためには拡
散板が必要となる。水銀ランプなどを光源にした場合に
は、ランプや電源が高価であるという問題がある。この
ため寿命の長い吸光度測定装置の光源として、発光ダイ
オードあるいはレーザーダイオードなどの半導体光源が
利用できれば、１）メンテナンスの頻度が減少し、２）
ハロゲンランプやタングステンランプのような方向によ
る光強度の分布がなく、３）低価格でコンパクトな装置
を製作することが可能である。
【０００７】半導体光源の波長３９０ｎｍ付近における
吸光度の測定への利用の可能性を考える上で、発光ダイ
オードの発光特性については、文献（中村修二：４５０
nmＩｎＧａＮ系 III−Ｖ族ＬＥＤの進展と半導体レーザ
ー、光学 第２４巻 第１１号 1995 年11月）で次のよ
うな知見が得られている。すなわち、現在製品化されて
いる半導体発光素子の中で、一番短い波長を持つものは
４５０ｎｍ付近にピーク波長をもつＧａＮ系の青色発光
ダイオードがある。発光ダイオードの活性層は、バンド
ギャップ波長が３６４ｎｍ付近であるＧａＮにＩｎをド
ープし、ピーク波長を長くできる。例えばＩｎの組成比
を０．３とすれば、ピーク波長が４５０ｎｍの青色にシ
フトするが、Ｉｎ組成比を増加させると発光出力が下が
ってしまう。このため、ＧａＮ系青色発光ダイオードで
はＩｎの組成比を０．０６程度に押さえ、長波長化はＳ
ｉとＺｎをドープすることで行い、ドナーとアクセプタ
ーとのペアー発光によってピーク波長を４５０ｎｍ付近
としている。
吸光度の測定への利用の可能性を考える上で、発光ダイ
オードの発光特性については、文献（中村修二：４５０
nmＩｎＧａＮ系 III−Ｖ族ＬＥＤの進展と半導体レーザ
ー、光学 第２４巻 第１１号 1995 年11月）で次のよ
うな知見が得られている。すなわち、現在製品化されて
いる半導体発光素子の中で、一番短い波長を持つものは
４５０ｎｍ付近にピーク波長をもつＧａＮ系の青色発光
ダイオードがある。発光ダイオードの活性層は、バンド
ギャップ波長が３６４ｎｍ付近であるＧａＮにＩｎをド
ープし、ピーク波長を長くできる。例えばＩｎの組成比
を０．３とすれば、ピーク波長が４５０ｎｍの青色にシ
フトするが、Ｉｎ組成比を増加させると発光出力が下が
ってしまう。このため、ＧａＮ系青色発光ダイオードで
はＩｎの組成比を０．０６程度に押さえ、長波長化はＳ
ｉとＺｎをドープすることで行い、ドナーとアクセプタ
ーとのペアー発光によってピーク波長を４５０ｎｍ付近
としている。
【０００８】このＧａＮ系青色発光ダイオードは、４０
０ｎｍ以下の発光強度はほとんどないが、ＺｎおよびＩ
ｎをドープしないＧａＮを活性層として発光ダイオード
を作製すれば、ＧａＮのバンドギャップを反映してピー
ク波長は３６４ｎｍ付近となり、３６４ｎｍ付近の吸光
度を測定する装置の光源に用いることができる。また、
ＧａＮにＩｎをドープすれば、ピーク波長を長くでき、
３６４ｎｍより長い波長をピークにもつ発光ダイオード
を作製できるが、前述のようにＩｎのドープ量を多くす
ると発光出力が下がるので、Ｉｎの組成比は実用的な発
光強度を持つ０から０．２程度の範囲で調整する。この
Ｉｎの組成比の範囲でピーク波長は３６４から４２０ｎ
ｍ程度まで変化するので、３６０から４２０ｎｍ程度の
波長における吸光度を測定する装置の光源に前記発光ダ
イオードを用いることができる。前記の文献によれば、
Ｚｎをドープせず、Ｉｎの組成比が０．０６であるＩｎ
ＧａＮを活性層として発光ダイオードを作製した結果、
ピーク波長は３８５ｎｍになったとされている。
０ｎｍ以下の発光強度はほとんどないが、ＺｎおよびＩ
ｎをドープしないＧａＮを活性層として発光ダイオード
を作製すれば、ＧａＮのバンドギャップを反映してピー
ク波長は３６４ｎｍ付近となり、３６４ｎｍ付近の吸光
度を測定する装置の光源に用いることができる。また、
ＧａＮにＩｎをドープすれば、ピーク波長を長くでき、
３６４ｎｍより長い波長をピークにもつ発光ダイオード
を作製できるが、前述のようにＩｎのドープ量を多くす
ると発光出力が下がるので、Ｉｎの組成比は実用的な発
光強度を持つ０から０．２程度の範囲で調整する。この
Ｉｎの組成比の範囲でピーク波長は３６４から４２０ｎ
ｍ程度まで変化するので、３６０から４２０ｎｍ程度の
波長における吸光度を測定する装置の光源に前記発光ダ
イオードを用いることができる。前記の文献によれば、
Ｚｎをドープせず、Ｉｎの組成比が０．０６であるＩｎ
ＧａＮを活性層として発光ダイオードを作製した結果、
ピーク波長は３８５ｎｍになったとされている。
【０００９】しかしながら、これらのＧａＮを活性層と
した発光ダイオード、ＧａＮにＩｎをドープした材料を
活性層とした発光ダイオードの作製は技術的には可能で
あるが、製品化は行われていないので、波長３９０ｎｍ
付近の光を用いる測定には、ハロゲンランプ，タングス
テンランプ、ヨウ素ランプ，または重水素管等の光源を
使用せざるを得ないという現状にあり、新しい光源の出
現が要望されていた。
した発光ダイオード、ＧａＮにＩｎをドープした材料を
活性層とした発光ダイオードの作製は技術的には可能で
あるが、製品化は行われていないので、波長３９０ｎｍ
付近の光を用いる測定には、ハロゲンランプ，タングス
テンランプ、ヨウ素ランプ，または重水素管等の光源を
使用せざるを得ないという現状にあり、新しい光源の出
現が要望されていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記のように、すでに製
品化されている発光素子の中で一番短い波長を持つＧａ
Ｎ系青色発光ダイオードでさえ、通常の動作では波長４
００ｎｍ以下の発光強度はゼロに近いため、波長３９０
ｎｍ付近の光を用いる装置の光源として利用することは
できなかった。
品化されている発光素子の中で一番短い波長を持つＧａ
Ｎ系青色発光ダイオードでさえ、通常の動作では波長４
００ｎｍ以下の発光強度はゼロに近いため、波長３９０
ｎｍ付近の光を用いる装置の光源として利用することは
できなかった。
【００１１】しかし、本発明者らは、通常直流電圧３Ｖ
で駆動するこのＧａＮ系青色発光ダイオード（日亜化学
工業株式会社製ＮＬＰＢ５００型）に３．５Ｖ以上の電
圧で駆動すると、ピーク波長４５０ｎｍ、半値幅７０ｎ
ｍ程度の不純物発光だけでなく、ピーク波長３８５ｎ
ｍ、半値幅１０ｎｍ程度のＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎのバンド
間発光が重なることが認められ、さらに高い電圧でパル
ス駆動をすれば、前記ピーク波長３８５ｎｍ程度の発光
をさらに強くすることが可能であることを発見した。
で駆動するこのＧａＮ系青色発光ダイオード（日亜化学
工業株式会社製ＮＬＰＢ５００型）に３．５Ｖ以上の電
圧で駆動すると、ピーク波長４５０ｎｍ、半値幅７０ｎ
ｍ程度の不純物発光だけでなく、ピーク波長３８５ｎ
ｍ、半値幅１０ｎｍ程度のＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎのバンド
間発光が重なることが認められ、さらに高い電圧でパル
ス駆動をすれば、前記ピーク波長３８５ｎｍ程度の発光
をさらに強くすることが可能であることを発見した。
【００１２】したがってこの方式を用いて、例えば電圧
を３．５Ｖ以上かけ、パルス駆動させた前記青色発光ダ
イオードから放出される光ビームを中心波長３８５ｎ
ｍ、半値幅１０ｎｍ程度のバンドパスフィルターを透過
させることにより、ピーク波長４５０ｎｍのブロードな
スペクトルをカットした後、ビーム分割手段により、２
つの光ビームに分割し、第１の光ビームは光源の出力の
モニター用として、また第２の光ビームは被測定液体の
透過用として、それぞれ光電変換素子で電気信号に変換
し、２つの電気信号から、吸光度を測定する装置を作製
することが可能である。
を３．５Ｖ以上かけ、パルス駆動させた前記青色発光ダ
イオードから放出される光ビームを中心波長３８５ｎ
ｍ、半値幅１０ｎｍ程度のバンドパスフィルターを透過
させることにより、ピーク波長４５０ｎｍのブロードな
スペクトルをカットした後、ビーム分割手段により、２
つの光ビームに分割し、第１の光ビームは光源の出力の
モニター用として、また第２の光ビームは被測定液体の
透過用として、それぞれ光電変換素子で電気信号に変換
し、２つの電気信号から、吸光度を測定する装置を作製
することが可能である。
【００１３】この装置によって測定された波長３８５ｎ
ｍにおける吸光度（Ｅ385 ）は、被測定液体中の濁質に
よる吸光と、溶解性成分による吸光とを含んでいるが、
前記発光ダイオードから放出される光ビームのピーク波
長が３８５ｎｍと４５０ｎｍ程度と２つあることを利用
して、波長３８５ｎｍと４５０ｎｍにおける吸光度Ｅ
385 、Ｅ450 を測定し、Ｅ385 −定数×Ｅ450 を演算す
ることにより、濁質による吸光の影響を排除して、被測
定液体中の溶解性成分のみのＥ385 を測定することも可
能である。
ｍにおける吸光度（Ｅ385 ）は、被測定液体中の濁質に
よる吸光と、溶解性成分による吸光とを含んでいるが、
前記発光ダイオードから放出される光ビームのピーク波
長が３８５ｎｍと４５０ｎｍ程度と２つあることを利用
して、波長３８５ｎｍと４５０ｎｍにおける吸光度Ｅ
385 、Ｅ450 を測定し、Ｅ385 −定数×Ｅ450 を演算す
ることにより、濁質による吸光の影響を排除して、被測
定液体中の溶解性成分のみのＥ385 を測定することも可
能である。
【００１４】また、透過光測定法によれば、光路長５０
ｍｍとしたときの波長３９０ｎｍにおける被測定液体の
吸光度を色度としているので、前記の装置で演算された
吸光度に定数を乗じることで、光源のピーク波長が３８
５ｎｍであることを補正し、さらに光路長が５０ｍｍで
ない場合はその補正も行うことにより、色度とすること
ができる。
ｍｍとしたときの波長３９０ｎｍにおける被測定液体の
吸光度を色度としているので、前記の装置で演算された
吸光度に定数を乗じることで、光源のピーク波長が３８
５ｎｍであることを補正し、さらに光路長が５０ｍｍで
ない場合はその補正も行うことにより、色度とすること
ができる。
【００１５】また、前記装置で用いている中心波長３８
５ｎｍのバンドフィルターの代わりに中心波長３９０ｎ
ｍのバンドパスフィルターを用いれば、被測定液体の吸
光度を色度に変換する際の補正は光路長のみでよい。こ
のように、前記ＧａＮ系青色発光ダイオードから放出さ
れる光ビームは、波長３８５ｎｍ付近における吸光度測
定装置や色度測定装置の光源に用いることが可能であ
り、１）光源の寿命が長く、２）ハロゲンランプやタン
グステンランプのような強度分布は生じず、３）低価格
でコンパクトな装置を製作することができる。
５ｎｍのバンドフィルターの代わりに中心波長３９０ｎ
ｍのバンドパスフィルターを用いれば、被測定液体の吸
光度を色度に変換する際の補正は光路長のみでよい。こ
のように、前記ＧａＮ系青色発光ダイオードから放出さ
れる光ビームは、波長３８５ｎｍ付近における吸光度測
定装置や色度測定装置の光源に用いることが可能であ
り、１）光源の寿命が長く、２）ハロゲンランプやタン
グステンランプのような強度分布は生じず、３）低価格
でコンパクトな装置を製作することができる。
【００１６】本発明により波長３８５〜４５０ｎｍ付近
の光計測装置の光源の寿命が長くなり、メンテナンスの
頻度が減少し、低価格でコンパクトな装置とすることが
できる。
の光計測装置の光源の寿命が長くなり、メンテナンスの
頻度が減少し、低価格でコンパクトな装置とすることが
できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例として、
１）ＧａＮ系青色発光ダイオードのパルス駆動によって
発生するピーク波長３８５ｎｍの発光スペクトルを光源
とした液体の吸光度測定装置と、２）パルス駆動させた
ＧａＮ系青色発光ダイオードのスペクトルに３８５ｎｍ
と４５０ｎｍの２カ所のピークがあることを利用して、
この２波長のそれぞれに於ける吸光度の差分を演算し
て、濁質や妨害物質による吸光の影響を排除して、被測
定液体中の溶解成分のみの吸光度を測定する液体の吸光
度測定装置と、３）色度測定の一方法として透過光測定
法の中で規定されている、中心波長３９０ｎｍのバンド
パスフィルターと光路長５０ｍｍのセルを使用して吸光
度を測定し、その値を色度とする色度計の３例について
述べる。
１）ＧａＮ系青色発光ダイオードのパルス駆動によって
発生するピーク波長３８５ｎｍの発光スペクトルを光源
とした液体の吸光度測定装置と、２）パルス駆動させた
ＧａＮ系青色発光ダイオードのスペクトルに３８５ｎｍ
と４５０ｎｍの２カ所のピークがあることを利用して、
この２波長のそれぞれに於ける吸光度の差分を演算し
て、濁質や妨害物質による吸光の影響を排除して、被測
定液体中の溶解成分のみの吸光度を測定する液体の吸光
度測定装置と、３）色度測定の一方法として透過光測定
法の中で規定されている、中心波長３９０ｎｍのバンド
パスフィルターと光路長５０ｍｍのセルを使用して吸光
度を測定し、その値を色度とする色度計の３例について
述べる。
【００１８】
【実施例１】日亜化学工業製ＮＬＰＢ５００型ＧａＮ系
青色発光ダイオードを直流およびパルス電圧駆動時の発
光スペクトルの特性を図１に示す。この図において駆動
直流電圧を３．０Ｖにしたときは、ピーク波長約４５０
ｎｍ、半値幅約７０ｎｍの発光スペクトルＰ１のみが測
定されるが、駆動直流電圧を５．０Ｖにしたときは、ピ
ーク波長約４５０ｎｍと共にピーク波長約３８５ｎｍを
少し含む発光スペクトルＰ２となる。さらにピーク電圧
５．０Ｖ、パルス幅０．５μｓの方形波で周期１μｓの
連続パルス電圧で駆動させると、ピーク波長約４５０ｎ
ｍと共に、半値幅約１０ｎｍのピーク波長３８５ｎｍの
強度が増大した発光スペクトルＰ３となり、パルス電圧
値の増大とともにこの３８５ｎｍのピーク強度も増大す
る。
青色発光ダイオードを直流およびパルス電圧駆動時の発
光スペクトルの特性を図１に示す。この図において駆動
直流電圧を３．０Ｖにしたときは、ピーク波長約４５０
ｎｍ、半値幅約７０ｎｍの発光スペクトルＰ１のみが測
定されるが、駆動直流電圧を５．０Ｖにしたときは、ピ
ーク波長約４５０ｎｍと共にピーク波長約３８５ｎｍを
少し含む発光スペクトルＰ２となる。さらにピーク電圧
５．０Ｖ、パルス幅０．５μｓの方形波で周期１μｓの
連続パルス電圧で駆動させると、ピーク波長約４５０ｎ
ｍと共に、半値幅約１０ｎｍのピーク波長３８５ｎｍの
強度が増大した発光スペクトルＰ３となり、パルス電圧
値の増大とともにこの３８５ｎｍのピーク強度も増大す
る。
【００１９】図２はパルス駆動によってピーク波長３８
５ｎｍの発光スペクトルを増加させたＧａＮ系青色発光
ダイオード２を光源とした、液体の吸光度測定装置の簡
略図である。パルス電圧発生回路１によって電圧５Ｖ、
１μｓの連続パルス電圧で駆動させたＧａＮ系青色発光
ダイオード２を光源とし、発光ダイオード２からピンホ
ール３を介して放出される光ビームを中心波長３８５ｎ
ｍのバンドパスフィルタ４を介することにより、ピーク
波長４５０nmのブロードなスペクトルをカットした後、
ハーフミラー６によって光ビームを２つに分割する。照
射光測定用の光ビームは光電変換素子９ａによって電気
信号に変換され、透過光用光ビームは光路長１０mmのセ
ル７と被測定液体８を通過した後、光電変換素子９ｂに
よって電気信号に変換される。そして、演算回路１０に
よって２つの電気信号の比を対数演算し、その値からあ
らかじめ測定してある被測定液体を純水としたときの対
数比演算値を演算回路１１によって差し引いて、校正し
た値を波長３８５ｎｍ付近における吸光度として求める
ことができる。
５ｎｍの発光スペクトルを増加させたＧａＮ系青色発光
ダイオード２を光源とした、液体の吸光度測定装置の簡
略図である。パルス電圧発生回路１によって電圧５Ｖ、
１μｓの連続パルス電圧で駆動させたＧａＮ系青色発光
ダイオード２を光源とし、発光ダイオード２からピンホ
ール３を介して放出される光ビームを中心波長３８５ｎ
ｍのバンドパスフィルタ４を介することにより、ピーク
波長４５０nmのブロードなスペクトルをカットした後、
ハーフミラー６によって光ビームを２つに分割する。照
射光測定用の光ビームは光電変換素子９ａによって電気
信号に変換され、透過光用光ビームは光路長１０mmのセ
ル７と被測定液体８を通過した後、光電変換素子９ｂに
よって電気信号に変換される。そして、演算回路１０に
よって２つの電気信号の比を対数演算し、その値からあ
らかじめ測定してある被測定液体を純水としたときの対
数比演算値を演算回路１１によって差し引いて、校正し
た値を波長３８５ｎｍ付近における吸光度として求める
ことができる。
【００２０】ただし、上記の例はＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎの
３８５ｎｍのバンド間発光を利用したが、実用上はＩｎ
の組成比を０〜０．２程度変えたＧａＮ系青色発光ダイ
オードの製作が可能なことから、ＧａＮ系青色発光ダイ
オードの選択により３６０〜４２０ｎｍのバンド間発光
を利用することができる。
３８５ｎｍのバンド間発光を利用したが、実用上はＩｎ
の組成比を０〜０．２程度変えたＧａＮ系青色発光ダイ
オードの製作が可能なことから、ＧａＮ系青色発光ダイ
オードの選択により３６０〜４２０ｎｍのバンド間発光
を利用することができる。
【００２１】
【実施例２】実施例１は一波長（３８５ｎｍを中心に±
５ｎｍ程度）のみを検出していたが、パルス駆動させた
ＧａＮ系青色発光ダイオードのスペクトルにピークが３
８５ｎｍと４５０ｎｍとに２カ所あることを利用して、
二波長それぞれにおける吸光度の差分を演算することに
より、濁質や妨害物質による吸光の影響を排除し、被測
定液体中に溶解している成分のみの吸光度を測定するこ
とも可能である。演算の方法は以下の記述の通りであ
る。
５ｎｍ程度）のみを検出していたが、パルス駆動させた
ＧａＮ系青色発光ダイオードのスペクトルにピークが３
８５ｎｍと４５０ｎｍとに２カ所あることを利用して、
二波長それぞれにおける吸光度の差分を演算することに
より、濁質や妨害物質による吸光の影響を排除し、被測
定液体中に溶解している成分のみの吸光度を測定するこ
とも可能である。演算の方法は以下の記述の通りであ
る。
【００２２】測定される波長３８５ｎｍにおける被測定
液体の吸光度Ｅ385 は、式（２）に示すように、濁質に
よる散乱に伴う見かけの吸光度を含んでいる。 Ｅ385 ＝Ｅ'385＋Ｓ385 ──────────────── （２） ここで、Ｅ385 ：測定された波長３８５ｎｍにおける吸
光度、Ｅ'385：溶解性成分による吸光度、Ｓ385 ：濁質
による散乱に伴う見かけの吸光度（波長３８５ｎｍ）で
ある。 波長４５０ｎｍにおける被測定液体の吸光度Ｅ
450 は、溶解性成分による波長４５０ｎｍにおける吸収
がなければ、測定される式（３）のように、濁質による
散乱に伴う見かけの吸光度のみが寄与する。
液体の吸光度Ｅ385 は、式（２）に示すように、濁質に
よる散乱に伴う見かけの吸光度を含んでいる。 Ｅ385 ＝Ｅ'385＋Ｓ385 ──────────────── （２） ここで、Ｅ385 ：測定された波長３８５ｎｍにおける吸
光度、Ｅ'385：溶解性成分による吸光度、Ｓ385 ：濁質
による散乱に伴う見かけの吸光度（波長３８５ｎｍ）で
ある。 波長４５０ｎｍにおける被測定液体の吸光度Ｅ
450 は、溶解性成分による波長４５０ｎｍにおける吸収
がなければ、測定される式（３）のように、濁質による
散乱に伴う見かけの吸光度のみが寄与する。
【００２３】 Ｅ450 ＝Ｓ450 ──────────────────── （３） ここで、Ｅ450 ：測定された波長４５０ｎｍにおける吸
光度、Ｓ450 ：濁質による散乱に伴う見かけの吸光度
（波長４５０ｎｍ）である。また、懸濁質と波長３９０
ｎｍ付近の光を吸収する溶解性成分を含む液体を測定し
たときの吸光度（測定値）、および散乱光強度（見かけ
の吸光度）と波長の関係は図３に示す。測定された吸光
度は懸濁質の散乱による見かけの吸収も含んでおり、散
乱光強度は波長が短くなると増加していく。
光度、Ｓ450 ：濁質による散乱に伴う見かけの吸光度
（波長４５０ｎｍ）である。また、懸濁質と波長３９０
ｎｍ付近の光を吸収する溶解性成分を含む液体を測定し
たときの吸光度（測定値）、および散乱光強度（見かけ
の吸光度）と波長の関係は図３に示す。測定された吸光
度は懸濁質の散乱による見かけの吸収も含んでおり、散
乱光強度は波長が短くなると増加していく。
【００２４】ここで、溶解性分による吸光度Ｅ'385を求
めるためにはＳ385 を測定できれば可能であるが、次に
記載する文献の検討結果から、式（４）によって演算さ
れたＳ385 を式（２）に代入してもよい（大戸時喜雄
他：２波長吸光度変動解析による２成分凝集状態の計測
理論と計測装置、産業計測制御研究会資料、ＩＩＣ−９
３−３５）。
めるためにはＳ385 を測定できれば可能であるが、次に
記載する文献の検討結果から、式（４）によって演算さ
れたＳ385 を式（２）に代入してもよい（大戸時喜雄
他：２波長吸光度変動解析による２成分凝集状態の計測
理論と計測装置、産業計測制御研究会資料、ＩＩＣ−９
３−３５）。
【００２５】 Ｓ385 ＝Ｅrm385 ・Ｓ450 ／Ｅrm450 ────────── （４） ここで、Ｅrm385 ：波長３８５ｎｍにおける吸光度の標
準偏差、Ｅrm450 ：波長４５０ｎｍにおける吸光度の標
準偏差である。次に、Ｅrm385 とＥrm450 は、それぞれ
Ｅ385 とＥ450 から演算され、Ｓ450は式（３）のよう
に測定された値であるので、溶解性成分による吸光度
Ｅ'385を求めることが可能である。ただし、被測定液体
中の懸濁質が低濃度であるという条件を加えれば、溶解
性成分による吸光度の値に対するＳ385 とＳ450 の差は
小さいので、 Ｅ'385≒Ｅ385 −ｋ・Ｓ450 ────────────── （５） ここで、ｋ：定数である。あるいは、式（５）の定数ｋ
を１として、 Ｅ'385≒Ｅ385 −Ｓ450 ──────────────── （６） としてもよい。また、Ｅ385 の成分がブロードで式
（３）の条件が満たされない場合でも、３８５ｎｍと４
５０ｎｍのそれぞれに被測定成分の濃度に比例するよう
なＬａｍｂｅｒｔ−Ｂｅｅｒ則が成立すれば、式（７）
よりＥ385 とＥ450 の差は被測定成分の濃度ｃに比例す
ることになる。
準偏差、Ｅrm450 ：波長４５０ｎｍにおける吸光度の標
準偏差である。次に、Ｅrm385 とＥrm450 は、それぞれ
Ｅ385 とＥ450 から演算され、Ｓ450は式（３）のよう
に測定された値であるので、溶解性成分による吸光度
Ｅ'385を求めることが可能である。ただし、被測定液体
中の懸濁質が低濃度であるという条件を加えれば、溶解
性成分による吸光度の値に対するＳ385 とＳ450 の差は
小さいので、 Ｅ'385≒Ｅ385 −ｋ・Ｓ450 ────────────── （５） ここで、ｋ：定数である。あるいは、式（５）の定数ｋ
を１として、 Ｅ'385≒Ｅ385 −Ｓ450 ──────────────── （６） としてもよい。また、Ｅ385 の成分がブロードで式
（３）の条件が満たされない場合でも、３８５ｎｍと４
５０ｎｍのそれぞれに被測定成分の濃度に比例するよう
なＬａｍｂｅｒｔ−Ｂｅｅｒ則が成立すれば、式（７）
よりＥ385 とＥ450 の差は被測定成分の濃度ｃに比例す
ることになる。
【００２６】 ΔＥ＝Ｅ385 −Ｅ450 ＝（ε385 −ε450 ）ｃｄ＝ε' ｃｄ─（７） ここで、ε385 ：波長３８５ｎｍにおけるモル吸光係
数、ε450 ：波長４５０ｎｍにおけるモル吸光係数、
ｃ：被測定成分の濃度、ｄ：光路長、ε' ：定数、であ
る。図４は実施例１と同様、パルス駆動によってピーク
波長３８５ｎｍの発光スペクトルを増加させたＧａＮ系
青色発光ダイオード２を光源とした、液体の吸光度測定
装置の簡略図である。
数、ε450 ：波長４５０ｎｍにおけるモル吸光係数、
ｃ：被測定成分の濃度、ｄ：光路長、ε' ：定数、であ
る。図４は実施例１と同様、パルス駆動によってピーク
波長３８５ｎｍの発光スペクトルを増加させたＧａＮ系
青色発光ダイオード２を光源とした、液体の吸光度測定
装置の簡略図である。
【００２７】まず、ピンホール３を介して放出される光
ビームはハーフミラー６ａによって２つの光ビームＬ１
とＬ２に分割される。ここで、照射光側の光ビームＬ１
は、さらにハーフミラー６ｂによって２つの光ビームＬ
３とＬ４とに分割され、一方の光ビームＬ３は中心波長
３８５ｎｍ、半値幅１０ｎｍのバンドパスフィルター４
ａを介して光電変換素子９ａによって電気信号に変換さ
れ、他方の光ビームＬ４は中心波長４５０ｎｍ、半値幅
１０ｎｍのバンドパスフィルター５ａを介して光電変換
素子９ｃによって電気信号に変換される。また、透過光
側の光ビームＬ２は光路長１０mmのセル７と被測定液体
８を通過した後に、さらにハーフミラー６ｃによって２
つの光ビームＬ５とＬ６とに分割され、一方の光ビーム
Ｌ５は中心波長３８５ｎｍ、半値幅１０ｎｍのバンドパ
スフィルター４ｂを介して光電変換素子９ｂによって電
気信号に変換され、他方の光ビームＬ６は中心波長４５
０ｎｍ、半値幅１０ｎｍのバンドパスフィルター５ｂを
介して光電変換素子９ｄによって電気信号に変換され
る。
ビームはハーフミラー６ａによって２つの光ビームＬ１
とＬ２に分割される。ここで、照射光側の光ビームＬ１
は、さらにハーフミラー６ｂによって２つの光ビームＬ
３とＬ４とに分割され、一方の光ビームＬ３は中心波長
３８５ｎｍ、半値幅１０ｎｍのバンドパスフィルター４
ａを介して光電変換素子９ａによって電気信号に変換さ
れ、他方の光ビームＬ４は中心波長４５０ｎｍ、半値幅
１０ｎｍのバンドパスフィルター５ａを介して光電変換
素子９ｃによって電気信号に変換される。また、透過光
側の光ビームＬ２は光路長１０mmのセル７と被測定液体
８を通過した後に、さらにハーフミラー６ｃによって２
つの光ビームＬ５とＬ６とに分割され、一方の光ビーム
Ｌ５は中心波長３８５ｎｍ、半値幅１０ｎｍのバンドパ
スフィルター４ｂを介して光電変換素子９ｂによって電
気信号に変換され、他方の光ビームＬ６は中心波長４５
０ｎｍ、半値幅１０ｎｍのバンドパスフィルター５ｂを
介して光電変換素子９ｄによって電気信号に変換され
る。
【００２８】そして、演算回路１０ａによって、中心波
長３８５ｎｍバンドパスフィルターを通過した、前記照
射光側の光ビームＬ３による光電変換素子９ａの電気信
号と透過光側の光ビームＬ５による光電変換素子９ｂの
電気信号の比を対数演算した結果である波長３８５ｎｍ
における吸光度Ｅ385 が計算される。一方、演算回路１
０ｂによって、中心波長４５０ｎｍバンドパスフィルタ
ーを通過した、前記照射光側の光ビームＬ４による光電
変換素子９ｃの電気信号と透過光側の光ビームＬ６によ
る光電変換素子９ｄの電気信号の比を対数演算した結果
である波長４５０ｎｍにおける吸光度Ｅ450 が計算され
る。そして演算回路１１によって、演算回路１０ａの出
力である波長３８５ｎｍにおける吸光度Ｅ385 から、演
算回路１０ｂの出力である波長４５０ｎｍにおける吸光
度Ｅ450 を差し引くことによって、波長３８５ｎｍ付近
における被測定液体中の溶解性成分による吸光度Ｅ'385
が計算できる。ここで、被測定液体の懸濁質の濃度は低
濃度を仮定し、演算回路１１では式（６）の演算を行っ
たが、懸濁質がより高濃度の場合に対応させるため、式
（５）で演算するか、式（２）と（４）で演算するかし
て、吸光度を求めてもよい。ただし、後者の方法の場合
Ｅ385 とＥ450 は、平均値を使用する。
長３８５ｎｍバンドパスフィルターを通過した、前記照
射光側の光ビームＬ３による光電変換素子９ａの電気信
号と透過光側の光ビームＬ５による光電変換素子９ｂの
電気信号の比を対数演算した結果である波長３８５ｎｍ
における吸光度Ｅ385 が計算される。一方、演算回路１
０ｂによって、中心波長４５０ｎｍバンドパスフィルタ
ーを通過した、前記照射光側の光ビームＬ４による光電
変換素子９ｃの電気信号と透過光側の光ビームＬ６によ
る光電変換素子９ｄの電気信号の比を対数演算した結果
である波長４５０ｎｍにおける吸光度Ｅ450 が計算され
る。そして演算回路１１によって、演算回路１０ａの出
力である波長３８５ｎｍにおける吸光度Ｅ385 から、演
算回路１０ｂの出力である波長４５０ｎｍにおける吸光
度Ｅ450 を差し引くことによって、波長３８５ｎｍ付近
における被測定液体中の溶解性成分による吸光度Ｅ'385
が計算できる。ここで、被測定液体の懸濁質の濃度は低
濃度を仮定し、演算回路１１では式（６）の演算を行っ
たが、懸濁質がより高濃度の場合に対応させるため、式
（５）で演算するか、式（２）と（４）で演算するかし
て、吸光度を求めてもよい。ただし、後者の方法の場合
Ｅ385 とＥ450 は、平均値を使用する。
【００２９】
【実施例３】実施例１あるいは２の装置において、中心
波長３８５ｎｍのバンドパスフィルターを中心波長３９
０ｎｍのバンドパスフィルターとし、セルは光路長５０
ｍｍのものを使用する。この装置によって、演算される
被測定液体の波長３９０ｎｍにおける吸光度を測定し、
色度とすることができる。また、光路長が５０ｍｍと異
なる場合や、中心波長３８５ｎｍのバンドパスフィルタ
ーを中心波長３９０ｎｍのものと交換しなくても、実施
例１あるいは２の装置において演算される被測定液体の
波長３８５ｎｍにおける吸光度に対して、演算回路１１
において所定の数を乗じることにより、光路長を色度の
透過光測定法の基準である５０ｍｍに換算させ、かつ波
長３９０ｎｍにおける吸光度に対応させて色度とするこ
とができる。
波長３８５ｎｍのバンドパスフィルターを中心波長３９
０ｎｍのバンドパスフィルターとし、セルは光路長５０
ｍｍのものを使用する。この装置によって、演算される
被測定液体の波長３９０ｎｍにおける吸光度を測定し、
色度とすることができる。また、光路長が５０ｍｍと異
なる場合や、中心波長３８５ｎｍのバンドパスフィルタ
ーを中心波長３９０ｎｍのものと交換しなくても、実施
例１あるいは２の装置において演算される被測定液体の
波長３８５ｎｍにおける吸光度に対して、演算回路１１
において所定の数を乗じることにより、光路長を色度の
透過光測定法の基準である５０ｍｍに換算させ、かつ波
長３９０ｎｍにおける吸光度に対応させて色度とするこ
とができる。
【００３０】この際、光学系の装置は実施例１あるいは
２と同様であり、異なるのは演算回路のみである。ま
た、この種の装置では標準物質による校正が行われるの
が通常であり、例えば色度標準液を３８５〜４５０ｎｍ
で測定して校正しても、何ら問題はない。
２と同様であり、異なるのは演算回路のみである。ま
た、この種の装置では標準物質による校正が行われるの
が通常であり、例えば色度標準液を３８５〜４５０ｎｍ
で測定して校正しても、何ら問題はない。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、液体の色度あるいは波長３８
５ｎｍ付近の波長における吸光度を測定する場合、波長
３８５ｎｍ付近における吸光度の測定装置の光源に用い
られている各種ランプの代わりに、３８５ｎｍ付近の発
光強度を増加させたＧａＮ系青色発光ダイオードを用い
たり、この３８５ｎｍの光に加えて、青色発光ダイオー
ド本来の発光波長である４５０ｎｍの光をあわせて利用
し、実施例２で説明したような２波長吸光度差分法を適
用することで、１）光源の寿命が長くなりメンテナンス
の頻度が減少し、２）ハロゲンランプやタングステンラ
ンプのような強度分布は生じず、３）低価格でコンパク
トな装置を製作することが可能となる。
５ｎｍ付近の波長における吸光度を測定する場合、波長
３８５ｎｍ付近における吸光度の測定装置の光源に用い
られている各種ランプの代わりに、３８５ｎｍ付近の発
光強度を増加させたＧａＮ系青色発光ダイオードを用い
たり、この３８５ｎｍの光に加えて、青色発光ダイオー
ド本来の発光波長である４５０ｎｍの光をあわせて利用
し、実施例２で説明したような２波長吸光度差分法を適
用することで、１）光源の寿命が長くなりメンテナンス
の頻度が減少し、２）ハロゲンランプやタングステンラ
ンプのような強度分布は生じず、３）低価格でコンパク
トな装置を製作することが可能となる。
【図１】ＧａＮ系青色発光ダイオードを直流およびパル
ス電圧駆動時の発光スペクトルの特性図
ス電圧駆動時の発光スペクトルの特性図
【図２】ＧａＮ系青色発光ダイオードを光源に用いた液
体の吸光度測定装置または色度計の簡略図
体の吸光度測定装置または色度計の簡略図
【図３】懸濁質と波長３９０nm付近の光を吸収する溶解
性成分を含む液体を測定した時の吸光度（測定値）およ
び散乱光強度（見かけの吸光度）と波長との関係図
性成分を含む液体を測定した時の吸光度（測定値）およ
び散乱光強度（見かけの吸光度）と波長との関係図
【図４】ＧａＮ系青色発光ダイオードを光源に用いた２
波長分光光度法による液体の吸光度測定装置または色度
計の簡略図
波長分光光度法による液体の吸光度測定装置または色度
計の簡略図
１：パルス電圧発生回路 ２：ＧａＮ系青色発光ダイオード ３：ピンホール ４、４ａ、４ｂ：中心波長３８５ｎｍのバンドパスフィ
ルタ ５ａ、５ｂ：中心波長４５０ｎｍのバンドパスフィルタ ６、６ａ、６ｂ、６ｃ：ハーフミラー ７：セル ８：被測定液体 ９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ：光電変換素子 １０、１０ａ、１０ｂ：演算回路 １１：演算回路 Ｌ１〜Ｌ６：光路 Ｐ１：直流電圧３Ｖ駆動時の発光スペクトル（ピーク波
長、４５０ｎｍ） Ｐ２：直流電圧５Ｖ駆動時の発光スペクトル（ピーク波
長、４５０，３８５ｎｍ） Ｐ３：１μｓ波パルス電圧５Ｖ駆動時の発光スペクトル
（ピーク波長、３８５，４５０ｎｍ） Ｅ１：吸光度（測定値） Ｅ２：懸濁成分による散乱光強度（見かけの吸光度） Ｅ３：溶解性成分による吸光度
ルタ ５ａ、５ｂ：中心波長４５０ｎｍのバンドパスフィルタ ６、６ａ、６ｂ、６ｃ：ハーフミラー ７：セル ８：被測定液体 ９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ：光電変換素子 １０、１０ａ、１０ｂ：演算回路 １１：演算回路 Ｌ１〜Ｌ６：光路 Ｐ１：直流電圧３Ｖ駆動時の発光スペクトル（ピーク波
長、４５０ｎｍ） Ｐ２：直流電圧５Ｖ駆動時の発光スペクトル（ピーク波
長、４５０，３８５ｎｍ） Ｐ３：１μｓ波パルス電圧５Ｖ駆動時の発光スペクトル
（ピーク波長、３８５，４５０ｎｍ） Ｅ１：吸光度（測定値） Ｅ２：懸濁成分による散乱光強度（見かけの吸光度） Ｅ３：溶解性成分による吸光度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｎ 21/01 Ｇ０１Ｎ 21/01 Ｄ 21/59 21/59 Ｚ (72)発明者 生駒 雅一 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】光源、被測定液体を入れたセル、光電変換
回路、測定回路とから構成され、被測定液体への照射光
と被測定液体の透過光とから吸光度または色度を測定す
る光計測装置において、 光源としてＧａＮ系青色発光ダイオードを用い、通常の
直流電圧駆動ではピーク波長４５０ｎｍ、半値幅７０ｎ
ｍのスペクトルを発光するＧａＮ系青色発光ダイオード
に、前記のピーク波長４５０ｎｍの発光スペクトルと共
に、前記の発光ダイオードの活性層ＩｎＧａＮでＩｎの
組成比によってきまるバンド間発光であるピーク波長３
６０〜４２０ｎｍのスペクトルを発光させることができ
るパルス電圧で駆動させ、この光源から放出される光ビ
ームを３６０〜４２０ｎｍの中で測定に必要な波長λｎ
ｍを中心波長とするバンドパスフィルターを介すること
により、前記ピーク波長４５０ｎｍの光ビームをカット
し、前記バンドパスフィルターを通過した光ビームのみ
を利用して、セル中の被測定液体への照射光とセル中の
被測定液体の透過光とを、それぞれ光電変換素子で電気
信号に変換して演算することにより、被測定液体の吸光
度を測定することを特長とする液体の吸光度測定装置。 - 【請求項２】請求項１記載の装置において、光源から放
出される２つのピーク波長をもつ光ビームをビーム分割
手段１により、照射光側の第一光ビームと透過光側の第
二光ビームに分割し、第一光ビームはビーム分割手段２
によって第三光ビームと第四光ビームに分割し、第三光
ビームは前記の測定に必要な中心波長λｎｍのバンドパ
スフィルターを介して光電変換素子ａによって電気信号
Ｖａに変換し、第四光ビームは中心波長４５０ｎｍのバ
ンドパスフィルターを介して光電変換素子ｃによって電
気信号Ｖｃ２に変換し、第二光ビームは被測定液体を透
過した後、ビーム分割手段３によって第五光ビームと第
六光ビームに分割し、第五の光ビームは測定に必要な中
心波長λｎｍのバンドパスフィルターを介して光電変換
素子ｂによって電気信号Ｖｂに変換し、第六光ビームは
中心波長４５０ｎｍのバンドパスフィルターを介して光
電変換素子ｄによって電気信号Ｖｄに変換し、電気信号
Ｖａと電気信号Ｖｂの比を対数演算した値と、電気信号
Ｖｃと電気信号Ｖｄの比を対数演算した結果に所定の数
を乗じた値の差を演算することにより、濁質や妨害物質
による吸光の影響を除いて、被測定液体中の溶解成分の
みの吸光度を測定することを特徴とする液体の吸光度測
定装置。 - 【請求項３】請求項１または２記載の装置において、前
記の測定に必要な中心波長λｎｍのバンドパスフィルタ
ーを中心波長３９０ｎｍのバンドパスフィルターに変更
し、さらに光路長５０ｍｍのセルを使用することによっ
て吸光度、すなわち色度を測定する液体の色度計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8115904A JPH09304272A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 液体の吸光度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8115904A JPH09304272A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 液体の吸光度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304272A true JPH09304272A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14674094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8115904A Pending JPH09304272A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 液体の吸光度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09304272A (ja) |
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1996
- 1996-05-10 JP JP8115904A patent/JPH09304272A/ja active Pending
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