JPH09283485A

JPH09283485A - ウエット処理方法およびウエット処理装置

Info

Publication number: JPH09283485A
Application number: JP9242796A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Mimori; 健一三森
Original assignee: FURONTETSUKU KK; Frontec Inc
Current assignee: FURONTETSUKU KK; Frontec Inc
Priority date: 1996-04-15
Filing date: 1996-04-15
Publication date: 1997-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶基板などを超音波を照射しながら水によ
り洗浄する方法では、基板表面に凹凸や基板を支持する
部材などにより超音波が当たらない部分があり、この部
分の付着物を除去できず、洗浄が完全に行われなかっ
た。【解決手段】超音波容器２の向かい合わない２つの側
壁の外側に発振装置３，３を設置する。そして、前記超
音波容器２の中に、洗浄容器１が設置され、この洗浄容
器１の中に、超純水や電解イオン水などの洗浄水１２が
入れられる。洗浄容器１の中に基板４を支持する基板保
持体５を入れ、発振装置３，３から交叉する２方向に超
音波を基板４に平行に照射させる。このため、基板４の
表面全体に均一に超音波が照射され、基板表面の付着物
をむらなく除去できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子用基
板の製造工程または半導体の製造工程などにおいて、基
板などの表面に付着している汚染物質の除去処理などを
行なうウエット処理方法およびウエット処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子用基板を製造するプロセス
では、基板表面に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などを
スパッタして透明導電膜を形成する工程、この透明導電
膜の上にレジスト層を形成する工程、そしてレジスト層
の上からエッチングを行い前記透明導電膜を部分的に除
去して透明電極を形成する工程、及び前記透明電極の上
に配向膜を形成する工程などがある。また、ＴＦＴを用
いる液晶基板の製造プロセスにおいては、ＴＦＴを形成
するためのスパッタやＣＶＤによる金属膜および半導体
膜の成膜工程、レジスト層を形成するコーティング工
程、金属膜や半導体膜の一部を除去するエッチング工程
が含まれる。

【０００３】このような基板の製造工程において、基板
の表面に空気中の粒子が付着したり、レジスト層の形成
およびエッチング工程において基板の表面に金属や有機
物及び微粒子が付着したり、また半導体膜表面が空気中
の酸素により酸化され自然酸化膜が形成される。このよ
うな汚染物質が付着すると、電極が剥がれたり電極のパ
ターン異常が生じたりして、抵抗の増大および配線不良
などが生じる。したがって、基板の製造段階ごとに基板
表面の洗浄を行い、付着物を除去する必要がある。

【０００４】上記の洗浄作業として、基板に純水を滴下
してブラッシングする方法があるが、このブラッシング
工程では大きいパーティクルや有機物を除去できるが、
微小なパーティクル、金属などは除去できない。また、
基板表面がブラシにより損傷を受け、基板表面に形成し
た電極などが損傷を受けやすい欠点がある。そこで、超
音波を付与する洗浄方法が実施されている。この方法
は、純水を入れた容器に被処理物を浸漬し、容器の側壁
の外側に設けられた発振装置により純水に超音波振動を
与えて洗浄を行うものである。

【０００５】前記純水に付与される超音波の周波数が１
００ｋＨｚ以下の低周波、例えば４０ｋＨｚまたは５０
ｋＨｚなどの場合、純水の液表面で振動が反射して液中
に粗密が形成され密な部分に空洞が発生する（キャビテ
ーション効果）。このキャビテーション効果により１０
μｍ程度以上の大きいパーティクルや有機物を除去でき
る。また１ＭＨｚ以上の高周波振動が純水に付与される
と、キャビテーション効果は起こらないが、純水中を伝
播する振動が被洗浄物の表面に過大な加速度または衝撃
波を与え、この加速度や衝撃波により２μｍ以下の小さ
いパーティクルや金属などが除去できる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の超音波を使用し
た洗浄方法および洗浄装置では、超音波が被洗浄物に対
して一方向のみからしか与えられないため、被洗浄物で
ある基板表面に凹凸がある場合、または基板の縁部や角
部が支持台にピンなどにより位置決めされている場合
に、この凹凸やピンにより超音波が遮られて超音波が当
たらない陰ができ、基板表面全域に対して超音波を使用
した効果的な洗浄ができない。

【０００７】また、純水などの洗浄水で満たされた容器
の外側から超音波を与える方法では、超音波を発生する
発振装置が設置される容器外面を高精度な平坦面に加工
する必要がある。平面に加工し易い材料としてステンレ
ス鋼などがあるが、ステンレス鋼などの金属材料は、超
音波が連続的に与えられると損傷を受けやすい。よって
純水などの洗浄水が入る洗浄用の容器をこの種の金属材
料で形成すると、内部の純水に容器壁面から不純物が混
入しやすくなる。また、超音波で損傷を受けにくい材料
として石英などがあるが、この石英で洗浄用容器を形成
すると、その外面を平坦面に加工し難いため、容器外面
に発振装置を設置しても、設置面の凹凸のために超音波
の損失が大きくなる。

【０００８】本発明は上記課題を解決するものであり、
被処理物の処理面に超音波を均一に与えることができ、
処理面の全域を均一に処理できるウエット処理方法およ
びウエット処理装置を提供することを目的としている。

【０００９】また、本発明は、被処理物が浸漬されてい
る処理液内に超音波を効果的に伝播させ、また超音波に
よる処理液内への不純物の混入を防止できるようにした
ウエット処理装置を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のウエット処理方
法は、水が滞留しまたは流れる容器内に被処理物を浸漬
させ、交叉する少なくとも２方向から前記容器内の被処
理物に超音波を連続的にまたは断続的に照射することを
特徴とするものである。また、前記各方向からの超音波
は、被処理物の処理面に対しほぼ平行に照射されるもの
である。さらに、前記各方向から超音波を照射しなが
ら、容器内で被処理物を振動させまたは回転させて動か
すことが好ましい。前記容器内の水としては、純水また
は電界イオン水が使用される。

【００１１】また本発明のウエット処理装置は、水が滞
留しまたは流れる容器と、この容器内に挿入される被処
理物の保持体と、前記容器内の被処理物に対し、交叉す
る少なくとも２方向から超音波を照射する発振手段とを
有することを特徴とするものである。また、被処理物が
入れられる容器が超音波を透過しやすい石英により形成
され、この容器の外側に液体層を介して金属容器を配置
し、この金属容器の外面に前記発振手段が設置されるこ
とが好ましい。また、被処理物の処理面に対し、前記各
方向からの超音波がほぼ平行に照射されるよう各発振手
段の向きが設定される。

【００１２】また、容器内で保持体を振動させまたは回
転させて動かす駆動手段が設けられていることが好まし
い。

【００１３】さらに、少なくとも一方の発振手段から照
射される超音波が被処理物を通過して至る位置に、前記
超音波を吸収しまたは発振手段に戻らない方向へ反射す
る戻り防止手段が設けられている構造とすることが可能
であり、さらに、前記容器内に電界イオン水を供給する
供給路が設けられる構造にできる。

【００１４】本発明のウエット処理方法では、水が入れ
られた容器内に被処理物が浸漬される。容器内には給水
管から水が連続的または断続的に供給され、水が滞留ま
たは流れる状態となっている。よって、給水管からの水
の供給を調節することにより容器内の水を入れ換えるこ
とができ、清浄に保つことができる。処理に使用される
水は純水または超純水である。

【００１５】そして、発振手段により交叉する少なくと
も２方向から超音波を連続的または断続的に発振させ、
被処理物に照射させる。本発明では、３０ｋＨｚ以上の
周波数の音響振動を超音波と呼ぶ。超音波を少なくとも
２方向から照射することにより、被処理物の凹凸により
陰になる部分にも超音波が当たり、被処理物に均一に超
音波を照射できる。また、被処理物である液晶基板など
の縁部または角部がピンや突起で支持されている場合
に、これらの陰となる部分にも超音波を照射することが
できる。さらに、超音波を照射しながら容器内で被処理
物を振動または回転させるなどして動かすと、被処理物
の処理面の全域に超音波を均一に照射できる。したがっ
て、この方法を使用して液晶基板などを洗浄する場合、
基板の表面に沿って全域に超音波が照射され、この超音
波により基板表面の付着物をむらなく除去できる。

【００１６】前記超音波として１００ｋＨｚ以下の低周
波が発振されると、純水の液表面にて振動が反射して液
中に粗密が形成され密な部分に空洞が発生し（キャビテ
ーション効果）、このキャビテーション効果により汚染
物質を除去できる。また１ＭＨｚ以上の高周波振動が純
水に付与されると、キャビテーション効果は起こらない
が、純水中を伝播する振動が被処理物の表面に過大な加
速度または衝撃波を与え汚染物質を除去できる。

【００１７】本発明では処理工程の目的に応じて発振周
波数を選択して使用する。例えばこのウエット処理方法
を液晶基板などの洗浄に使用する場合、基板表面に付着
している１０μｍ以上の大きいパーティクルや有機物を
除去するときには低い周波数の超音波を発振し、キャビ
テーション効果によりこれらの付着物を除去する。ま
た、２μｍ以下の小さいパーティクルや金属などを除去
するときには、１ＭＨｚ以上の高い周波数の超音波を発
振して、基板表面に加速度または衝撃波を与えることに
よりこれらの付着物を除去する。また、低周波を照射し
た後に高周波を照射するなどして、異なる周波数を組み
合わせて使用してもよい。また、２方向から与えられる
超音波は共に同じ周波数であってもよいし、または異な
る周波数としてもよい。

【００１８】また、容器内に供給する水（処理液）とし
て、純水や超純水の他にオゾン水や水素水などが使用さ
れる。オゾン水や水素水は水の電気分解によって生成さ
れる電界イオン水であり、オゾン水は陽極（アノード電
極）側で生成され、水素水は陰極（カソード電極）側で
生成される。これらの電解イオン水を基板の洗浄に使用
すると、純水では除去できない有機物や金属などの付着
物を除去でき洗浄効果が高くなる。オゾン水などのアノ
ード水により付着物は酸化されて、有機物はＣＯ₂とＨ₂
Ｏに分解されるなどして除去され、金属は金属イオン
（プラスイオン）になって水中に溶解するなどして除去
される。また、水素水などのカソード水は微小なパーテ
ィクルの除去効果に優れており、さらにパーティクルの
再付着を防止したり、静電気の発生を抑えるなどの効果
もある。よって、この汚染物質の種類や基板の処理目的
に応じて適当な洗浄水を選択して使用する。

【００１９】また、本発明のウエット処理装置には、被
処理物を通過した後の超音波を発振手段に戻らない方向
へ反射させる反射板、または超音波を吸収する吸収板な
どの戻り防止手段が設けられている。発振手段から発振
された超音波は基板を通過した後、反射板により発振手
段に戻らないよう反射され、または前記吸収板に吸収さ
れる。よって発振手段に超音波が戻って、振動の干渉を
生じるようなことがない。

【００２０】また、ウエット処理装置として、被処理物
が浸漬される容器を石英等の超音波を透過しやすく且つ
超音波による損傷を受けにくい材料により形成し、外側
に水などの液体層を介して金属容器を配置し、金属容器
の外面に発振手段を設置すると、被処理物が浸漬される
容器から洗浄処理に使用される純水などに不純物が流出
するのを防止でき、また金属容器は外面を高精度な平滑
面にできるため、この外面に設置した発振手段から２重
の容器内に超音波を損失なく伝播させることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に示す本発明のウエット処理
装置およびウエット処理方法では、被処理物として液晶
表示装置用の基板を使用しこれの洗浄を例として説明す
るが、本発明はこれに限るものではなく、半導体などの
電子素子およびその基板、あるいは精密機械などに対す
るウエット処理全般に使用できる。図１は本発明のウエ
ット処理装置の外観の斜視図であり、図２（Ｂ）は図１
のＩＩ−ＩＩ線での断面図である。

【００２２】符号１は洗浄容器であり、純水や超純水あ
るいは電解イオン水などの洗浄水１２で満たされる。洗
浄容器１の上面は開口しており、ここから液晶基板４な
どの被洗浄物が入れられる。洗浄容器１は、これより大
型の超音波容器２の中に入れられ、超音波容器２とその
内側の洗浄容器１との間には、発振装置３からの超音波
が洗浄容器１に伝わるように、水などの液体１３で満た
されている。前記洗浄容器１は超音波を透過しやすく超
音波にて損傷を受けにくい材料、例えば石英などで形成
される。超音波容器２の側壁には発振装置３が設置され
るため、この設置面を平らに加工する必要がある。この
ため、超音波容器２は表面を平坦に研磨加工しやすいス
テンレス鋼などにより形成される。

【００２３】被処理物を入れる洗浄容器１が超音波を透
過しやすい石英などで形成されているため、超音波が印
加されたときに洗浄容器１が損傷を受けず、洗浄容器１
から内部の洗浄水１２に金属などの不純物が混入するこ
とがなく、洗浄水１２を清浄に保つことができる。ま
た、超音波容器２はステンレス鋼などで形成されて発振
装置３を設置する外面を平坦面に加工しやすいものとな
っているため、発振装置３と超音波容器２とが密着し、
発振装置３からの振動が超音波容器２の内部、さらに洗
浄容器１内へ損失なく伝播される。

【００２４】図１に示されているように、超音波容器２
の対向しない２つの側壁（９０度に交叉する側壁）の外
側には、発振装置３，３が設置されている。前記発振装
置３は、１００ｋＨｚ以下程度の比較的低周波の振動が
発せられるもの、または１ＭＨｚ以上の高周波の超音波
が発せられるものであり、または７５０ｋＨｚ〜３ＭＨ
ｚの範囲のいずれかの周波数の振動を発するものが使用
される。また２つの発振装置３，３が互いに異なる周波
数の振動を発するものであってもよい。交叉する２方向
から発振される超音波振動は、超音波容器２の壁面から
液体１３に伝わり、さらに洗浄容器１内の洗浄水１２を
伝わって、被洗浄物である基板４の表面に向かって与え
られる。

【００２５】発振装置３から１００ｋＨｚ以下の低周波
が発振されると、洗浄水１２内で振動による粗密が形成
され、密な部分に空洞が発生するキャビテーション効果
が生じる。このキャビテーション効果により１０μｍ以
上の大きいパーティクル、有機物などを除去できる。ま
た、１ＭＨｚ以上の高周波が与えられたときは、洗浄水
１２中を伝播する振動が被洗浄物の表面に過大な加速度
または衝撃波を与え、この加速度や衝撃波により２μｍ
以下の小さいパーティクル、金属などが除去される。

【００２６】超音波の周波数は、基板４の表面の付着物
の種類、大きさなどに応じて選択される。低周波による
キャビテーション効果では２μｍ以下の小さいパーティ
クルは除去できないため、低周波を照射して大きいパー
ティクルを除去した後に、１ＭＨｚ以上の高周波を照射
して微小なパーティクルを除去するなど、低周波振動と
高周波振動を組み合わせて使用することもできる。

【００２７】図２（Ｂ）に示されているように、洗浄容
器１の底面の穴１ａは給水管８とつながっており、超音
波容器２の底面の穴２ａを通って給水管８が超音波容器
２の外側に延びている。洗浄水１２はこの給水管８を通
って連続的または断続的に洗浄容器１内に供給される。
給水管８の超音波容器２の外側に延びる部分には図示し
ないが弁またはバルブなどが設けられ、洗浄容器１内へ
の洗浄水１２の供給流量を調節できるようになってい
る。

【００２８】洗浄容器１の上部開口部の外周には排水溝
９が設けられている。洗浄容器１からあふれ出る洗浄水
１２は、排水溝９で受けられ、排水溝９に取付けられた
排出管１０から超音波容器２の外側へ排出される。給水
管８からの給水を連続的または断続的に行ない、洗浄容
器１内の洗浄水１２を循環させ且つ置換していくことに
より、基板４から除去された汚染物質が排水溝９から排
出され、洗浄容器１の中の洗浄水１２を清浄に保つこと
ができる。

【００２９】超音波容器２の内部で且つ洗浄容器１の外
側の部分で且つ各発振装置３と対向する側壁の内面に、
戻り防止手段として反射板１１が設置されている。発振
装置３から発振された超音波は洗浄容器１を透過した後
にこの反射板１１に当たり、例えば発振方向と９０度を
なす方向へ反射される。したがって、発振装置３から発
振された超音波が超音波容器２の内壁で反射され、発振
装置３に戻ることはなく、超音波の干渉による発振強度
の低下などを防止できる。また、戻り防止手段として、
前記反射板１１の代わりにテフロン（四フッ化エチレ
ン）などのように超音波を吸収して発振装置３に戻るの
を防止する吸収板を設けてもよい。

【００３０】被処理物（被洗浄物）である基板４は、基
板保持体５の上に設置されている。図１に示されている
ように基板保持体５の中央部には基板４を保持する部分
を残して、開口部５ｂが形成されており、またその４つ
の角部には対を成すピンホルダ６ａが固定され、さらに
各ピンホルダ６ａの内側にはピンホルダ６ａよりも高さ
方向の寸法が小さい支持ピン６ｂが設けられている。基
板４は各角部が支持ピン６ｂの上に載せられ、且つ一対
のピンホルダ６ａ，６ａの間に挟まれるようにして位置
決めされ、保持される。したがって、図２（Ｂ）に示さ
れているように基板４は、基板保持体５の表面から支持
ピン６ｂの高さ寸法分だけ浮いた状態で基板保持体５に
保持されている。洗浄水１２と超音波は、この基板４の
裏面と基板保持体５の表面の間の隙間を通って基板４の
裏面に行き渡る。図２（Ａ）は基板保持体５に基板４が
設置された状態を示す平面図である。このように基板４
は基板保持体５に保持された状態で、上方から洗浄容器
１の中に入れられる。図２（Ａ）に示されているよう
に、基板４の外周と基板保持体５の間には開口部５ｂに
よる間隙（イ）が開けられている。超音波の照射により
発生する気泡はこの間隙イから抜け出るため基板４の裏
面に気泡が残留しない。したがって、気泡に邪魔される
ことなく基板４の裏面に洗浄水１２および超音波が十分
行き渡り、基板４の裏面の汚染物質も除去できる。

【００３１】基板保持体５には基板取付部以外に凸部５
ａが形成され、この部分に基板保持体５を支持するため
の支持棒７が設けられている。図２（Ｂ）に示す構成例
では、前記支持棒７が加振装置１４に連動しており、加
振装置１４により基板保持体５に対して水平方向または
垂直方向、あるいは水平方向と垂直方向の双方へ振動が
与えられる。基板４が洗浄水１２内で動かされることに
より、超音波が基板４の表面および裏面に均一に当たり
やすく、また基板４の表面から洗浄除去された汚染物質
が基板４から離れやすくなる。

【００３２】また、図３に示す変形例では、支持棒７が
基板保持体５の基板搭載面の裏面の中心に取り付けられ
ている。洗浄容器１の底面と超音波容器２の底面の中央
には同じ直径の穴１ｂと２ｂが形成されて、この穴にシ
ール性の軸受１６が設けられ、前記支持棒７がこの軸受
１６により回転自在に支持され超音波容器２の底部外方
に延びている。この支持棒７は、モータなどを有する回
転駆動手段１５に連動し、回転駆動手段１５の動力によ
り、洗浄水１２内で基板保持体５および基板４が回転さ
せられる。この回転により、２方向から与えられる超音
波が基板４の表面の全域に均一に照射される。すなわち
基板４を回転させないと、発振装置３，３に近い部分と
遠い部分とで超音波による洗浄効果に差が出るが、基板
４を回転させることにより、超音波による洗浄効果のむ
らが生じなくなる。また、基板４の表面から除去された
物質が洗浄水１２内に溶解などしやすくなる。

【００３３】また、前記給水管８には洗浄水１２の供給
部（図示せず）が接続されている。洗浄水供給部には、
純水または超純水を製造する純水生成装置が使用され
る。あるいは純水を電気分解する電気分解装置が用いら
れる。電解イオン水を使用することにより、純水や超純
水では除去しにくい金属や有機物などを完全に除去する
ことができる。純水や超純水を用い前記超音波を与える
ことにより基板４の表面の中粒径のパーティクルが除去
される。電気分解装置からのオゾン水などのアノード水
を使用すると、レジスト層形成時やエッチング工程など
で付着した有機物や金属などが酸化されて、有機物はＣ
Ｏ₂やＨ₂Ｏに分解され、金属はプラスイオンの金属イオ
ンにされて水中に溶解などすることにより除去される。
また、水素水などの還元性のカソード水を用いると、小
粒径のパーティクルを除去でき、またパーティクルの再
付着を防止でき、さらに静電気の発生を抑えることがで
きる。

【００３４】給水管８と前記洗浄水１２の供給部との間
に切換弁を設け、前記の洗浄水１２を基板４の各製造工
程で付着する汚染物質に合わせて選択することにより、
汚染物質の除去効果を上げることができ、基板表面を清
浄にすることができる。

【００３５】次に、前記ウエット処理装置を用いたウエ
ット処理方法を説明する。洗浄容器１の中には洗浄水１
２が滞留し、または給水管８から洗浄水１２が供給され
て流れている。洗浄水１２は、超純水または、オゾン水
や水素水などの電解イオン水の中から適当なものを選択
して使用する。例えば、レジスト層の形成やエッチング
工程後の洗浄には、金属や有機物を除去するためにオゾ
ン水を使用する。基板の製造工程ごとに付着する汚染物
質は異なるため、各洗浄工程ごとに適当な洗浄水１２を
選択して使用する。

【００３６】洗浄容器１に対し上方から被洗浄物である
基板４が取り付けられた基板保持体５を入れる。また図
３に示すように、洗浄容器１内に回転式の基板保持体５
が設けられている場合には、基板４を移送する移送腕で
基板４を保持し、この移送腕を洗浄容器１の上方から洗
浄水１２内に入れ、基板保持体５の上に載せる。

【００３７】洗浄容器１の中に給水管８から洗浄水１２
を連続的または断続的に供給しながら、発振装置３から
超音波を連続的または断続的に発振する。このとき、超
音波は基板４の裏面と基板保持体５の表面の間の隙間を
通って基板４の裏面にも与えられ、また超音波の照射に
より発生する気泡が基板４の外周と基板保持体５の間の
間隙（イ）から抜け出て基板４の裏面に気泡が残らな
い。したがって、洗浄水１２および超音波は基板４の裏
面にも十分行き渡り、基板４の表面だけでなく裏面も洗
浄することができる。発振装置３，３は超音波容器２の
互いに向かい合わない側壁の外側に設置されているた
め、交叉する２方向から発振された超音波が他の発振装
置３に及ぶことがなく、発振装置３と他の発振装置３と
の間に振動の干渉が生じない。また、戻り防止手段とし
ての反射板１１または吸収板が設けられているため、発
振装置３へ超音波振動が戻ることなく、戻り振動による
干渉も防止できる。

【００３８】２方向からの超音波は、基板４の表面に平
行に与えられる。２つの発振装置３，３から同時に超音
波を発振してもよいし、１つの発振装置から発振してい
る間は他の発振装置から発振しなくてもよい。また両発
振装置３，３から同じ周波数の発振を行ってもよいし、
異なる周波数の超音波を組み合わせてもよい。超音波が
交叉する２方向から発振されるため、基板の表面に超音
波が当たらない陰の部分ができることなく、基板の表面
に均一に超音波を照射することができる。特に基板４の
表面でのピンホルダ６ａの陰になる部分にも、２つの方
向からの超音波の一方が必ず当たるようになり、基板表
面の全域を超音波により洗浄することができる。

【００３９】そして、図２（Ｂ）に示されているよう
に、発振装置３から超音波を与えながら、基板保持体５
に設けられている支持棒７を加振装置１４により振動さ
せ基板保持体５を洗浄容器１の中で振動させる。また
は、図３に示されているように、基板保持体５の裏面に
設けられている支持棒７を回転駆動手段１５により回転
させて基板保持体５を回転させる。このように基板保持
体５を振動または回転させることにより、基板４の全域
に効果的に超音波を与えることができ、基板４への洗浄
効果を高めることができる。

【００４０】本発明のウエット処理装置は前記構成例に
限るものではなく、図４に示すように横に長い処理容器
１７の中に複数の半導体基板などの基板４を平行に並べ
て処理容器１７の中で純水または電界イオン水に浸漬さ
せ、底部にて直交する２つの傾斜面に超音波を発振する
発振装置３，３を設け、複数の基板４のそれぞれの表面
に対し交叉する２つの方向から超音波を与えてもよい。
なお、複数の発振装置３は、互いに他の発振装置に超音
波振動を与えない角度であればどのような向きに設置さ
れていてもよい。

【００４１】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、基板など
の被処理物に対し少なくとも２方向から平行に超音波を
照射できるため、被処理物に超音波の当たらない部分が
できず、被処理物全体に均一に超音波を照射できる。ま
た、被処理物を容器内で振動させたり回転させるなどし
て動かすことにより、さらに超音波を基板全体に照射で
きる。

【００４２】また、発振装置から発振された超音波を吸
収または反射する戻り防止装置を設けることにより、発
振された超音波が発振装置に戻って干渉することがな
く、安定した発振を保つことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のウエット処理装置の外観斜視図、

【図２】（Ａ）は基板保持体に被洗浄物である基板を設
置した状態を示す平面図、（Ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩ線
での断面図、

【図３】本発明の他の構成例のウエット処理装置の断面
図、

【図４】本発明の他の構成例のウエット処理装置の斜視
図、

【符号の説明】

１洗浄容器２超音波容器３発振装置４基板５基板保持体７支持棒１１反射板１２洗浄水１４加振装置１５回転駆動手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】水が滞留しまたは流れる容器内に被処理
物を浸漬させ、交叉する少なくとも２方向から前記容器
内の被処理物に超音波を連続的にまたは断続的に照射す
ることを特徴とするウエット処理方法。
【請求項２】前記各方向からの超音波は、被処理物の
処理面に対しほぼ平行に照射される請求項１記載のウエ
ット処理方法。
【請求項３】前記各方向から超音波を照射しながら、
容器内で被処理物を動かす請求項１または２記載のウエ
ット処理方法。
【請求項４】容器内の水が電界イオン水である請求項
１ないし３のいずれかに記載のウエット処理方法。
【請求項５】水が滞留しまたは流れる容器と、この容
器内に挿入される被処理物の保持体と、前記容器内の被
処理物に対し、交叉する少なくとも２方向から超音波を
照射する発振手段とを有することを特徴とするウエット
処理装置。
【請求項６】被処理物が入れられる容器が超音波を透
過しやすい石英により形成され、この容器の外側に液体
層を介して金属容器を配置し、この金属容器の外面に前
記発振手段が設置される請求項５記載のウエット処理装
置。
【請求項７】被処理物の処理面に対し、前記各方向か
らの超音波がほぼ平行に照射されるよう各発振手段の向
きが設定されている請求項５または６記載のウエット処
理装置。
【請求項８】容器内で保持体を動かす駆動手段が設け
られている請求項５ないし７のいずれかに記載のウエッ
ト処理装置。
【請求項９】少なくとも一方の発振手段から照射され
る超音波が被処理物を通過して至る位置に、前記超音波
を吸収しまたは発振手段に戻らない方向へ反射する戻り
防止手段が設けられている請求項５ないし８のいずれか
に記載のウエット処理装置。
【請求項１０】前記容器内に電界イオン水を供給する
供給路が設けられている請求項５ないし９のいずれかに
記載のウエット処理装置。