JPH09159981A - Film forming device - Google Patents
Film forming deviceInfo
- Publication number
- JPH09159981A JPH09159981A JP34441695A JP34441695A JPH09159981A JP H09159981 A JPH09159981 A JP H09159981A JP 34441695 A JP34441695 A JP 34441695A JP 34441695 A JP34441695 A JP 34441695A JP H09159981 A JPH09159981 A JP H09159981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- module
- substrate
- transfer
- modules
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜工程における
各モジュール間での基板の搬送処理を自動的に制御する
成膜装置に関し、特にプロセスモジュールにおいて障害
が発生した場合に、他の同様な処理を行うプロセスモジ
ュールに自動的に基板を搬送する成膜装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus for automatically controlling a substrate transfer process between modules in a film forming process, and particularly when a failure occurs in a process module, another similar film forming apparatus can be used. The present invention relates to a film forming apparatus that automatically conveys a substrate to a process module that performs processing.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば、ガラス基板に成膜処理を行うL
CD(液晶表示素子)製造装置には、基板を搬入や搬出
のために収容するモジュール、成膜処理を実行するプロ
セスモジュール、各モジュール間での基板の搬送を行う
トランスファモジュールを接続して、上記の処理及び基
板の搬送を自動的に連続して行うものがある。2. Description of the Related Art For example, L for performing a film forming process on a glass substrate
The CD (liquid crystal display element) manufacturing apparatus is connected with a module for accommodating a substrate for loading and unloading, a process module for performing a film forming process, and a transfer module for transporting the substrate between the modules. In some cases, the processing and the transfer of the substrate are automatically and continuously performed.
【0003】図3には、従来の成膜装置の一例としてL
CD用枚葉式プラズマCVD(Che-mical Vapor Deposi
tion) 装置の構成を示す。このLCD用枚葉式CVD装
置は、処理される基板の搬入処理を行う搬入モジュール
INと、処理された基板の搬出処理を行う搬出モジュー
ルOUTと、処理対象の基板に成膜処理を実行するプロ
セスモジュールR1〜R7と、基板を一時的に収容する
バッファモジュールB1及びB2と、搬送ロボット等に
より基板の搬送処理を行うトランスファモジュールT1
〜T4と、を接続して構成されている。すなわち、搬入
モジュールINにトランスファモジュールT1を接続
し、このトランスファモジュールT1に、プロセスモジ
ュールR1、R2及びバッファモジュールB1を接続
し、このバッファモジュールB1に、トランスファモジ
ュールT2を接続し、このトランスファモジュールT2
にはプロセスモジュールR3、R4及びバッファモジュ
ールB2を接続し、バッファモジュールB2には、トラ
ンスファモジュールT3を接続し、このトランスファモ
ジュールT3には、プロセスモジュール5、R6、R7
を接続し、プロセスモジュールR7には、トランスファ
モジュールT4を接続し、トランスファモジュールT4
には搬出モジュールOUTを接続して構成されている。
当該装置では、3つの工程からなる成膜処理を行って、
処理対象の基板に3種類の膜を形成している。すなわ
ち、第1の工程では、同様の処理を行うプロセスモジュ
ールR1及びR2のいずれか一方において1番目の膜を
形成し、第2の工程では、同様の処理を行うプロセスモ
ジュールR3〜R6のいずれかひとつのプロセスモジュ
ールにおいて2番目の膜を形成し、第3の工程ではプロ
セスモジュールR7において3番目の膜を形成し、基板
に3種類の膜を形成している。FIG. 3 shows L as an example of a conventional film forming apparatus.
Single wafer plasma CVD (Che-mical Vapor Deposi) for CD
tion) shows the configuration of the device. This single-wafer CVD apparatus for LCD has a carry-in module IN for carrying in a substrate to be processed, a carry-out module OUT for carrying out a processed substrate, and a process for carrying out a film forming process on a substrate to be processed. Modules R1 to R7, buffer modules B1 and B2 for temporarily containing the substrate, and a transfer module T1 for carrying out the substrate carrying process by a carrying robot or the like.
To T4 are connected to each other. That is, the transfer module T1 is connected to the carry-in module IN, the process modules R1 and R2 and the buffer module B1 are connected to the transfer module T1, the transfer module T2 is connected to the buffer module B1, and the transfer module T2 is connected to the transfer module T2.
Is connected to the process modules R3 and R4 and the buffer module B2, the buffer module B2 is connected to the transfer module T3, and the transfer module T3 is connected to the process modules 5, R6 and R7.
Is connected to the process module R7, and the transfer module T4 is connected to the process module R7.
Is connected to the carry-out module OUT.
In the apparatus, a film forming process consisting of three steps is performed,
Three types of films are formed on the substrate to be processed. That is, in the first step, the first film is formed in either one of the process modules R1 and R2 performing the same processing, and in the second step, any one of the process modules R3 to R6 performing the same processing. The second film is formed in one process module, the third film is formed in the process module R7 in the third step, and three types of films are formed on the substrate.
【0004】上記の成膜処理は、トランスファモジュー
ルT1〜T4によって基板を搬送することにより、連続
して自動的に行われ、例えば、以下のような予め設定さ
れた複数の経路(ルート)に従って搬送処理が行われ
る。 (1)IN→R1→B1→R3→B2→R7→OUT (2)IN→R2→B1→R4→B2→R7→OUT (3)IN→R1→B1→B2→R5→R7→OUT (4)IN→R2→B1→B2→R6→R7→OUTThe above film forming process is continuously and automatically performed by transferring the substrate by the transfer modules T1 to T4, and, for example, it is transferred in accordance with a plurality of preset routes as follows. Processing is performed. (1) IN → R1 → B1 → R3 → B2 → R7 → OUT (2) IN → R2 → B1 → R4 → B2 → R7 → OUT (3) IN → R1 → B1 → B2 → R5 → R7 → OUT (4 ) IN → R2 → B1 → B2 → R6 → R7 → OUT
【0005】ここで、例えば、(1)のルートによって処
理を行うように設定された基板は、搬入モジュールIN
からトランスファモジュールT1によってプロセスモジ
ュールR1に搬送されて第1工程の処理が行われ、処理
終了後に、トランスファモジュールT1によってバッフ
ァモジュールB1に搬送されて格納される。次に、この
基板はトランスファモジュールT2によってプロセスモ
ジュールR3に搬送されて第2工程の処理が行われ、処
理終了後にトランスファモジュールT2によってバッフ
ァモジュールB2に搬送されて格納される。最後に、こ
の基板はトランスファモジュールT3によってプロセス
モジュールR7に搬送されて第3工程の処理が行われ、
処理終了後にトランスファモジュールT4によって搬出
モジュールOUTに搬送される。 また、(2)〜(4)のル
ートにおいても、各ルートに設定されたモジュールによ
って(1)のルートで行われた一連の処理と同様な処理が
行われる。Here, for example, the substrate set to be processed by the route (1) is the loading module IN.
Is transferred to the process module R1 by the transfer module T1 and the processing of the first step is performed, and after the processing is completed, the transfer module T1 transfers and stores it in the buffer module B1. Next, this substrate is transferred to the process module R3 by the transfer module T2 and subjected to the processing of the second step, and after the processing is completed, transferred to the buffer module B2 by the transfer module T2 and stored therein. Finally, the substrate is transferred to the process module R7 by the transfer module T3 and subjected to the process of the third step,
After the processing is completed, the transfer module T4 conveys it to the carry-out module OUT. Further, also in the routes (2) to (4), the same process as the series of processes performed in the route (1) is performed by the module set in each route.
【0006】上記のように予め設定されたルートの中
で、どのルートに従って成膜処理を行うかは、それぞれ
の基板毎に、成膜処理が開始される時点(つまり、搬入
モジュールINから搬送が開始される時点)に決定され
ており、この基板毎に割り振られたルートは成膜処理の
実行中に変更されることはない。例えば、処理される基
板毎に各ルート(1)〜(4)の内の1つを順次選択し、選択
されたルートに従って、当該基板についての一連の処理
を行う。Among the preset routes as described above, which route is used to perform the film forming process is determined for each substrate at the time when the film forming process is started (that is, the transfer from the carry-in module IN. The route assigned to each substrate is not changed during the film formation process. For example, one of the routes (1) to (4) is sequentially selected for each substrate to be processed, and a series of processes is performed on the substrate according to the selected route.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記のLCD
製造装置において、例えば、基板を(1)のルートに従っ
て成膜処理を実行しており、プロセスモジュールR1で
の第1工程の処理を行なっていたときに、次の工程を行
うプロセスモジュールR3が障害の発生によって処理を
停止してしまうと、当該基板をプロセスモジュールR3
で処理することができなくなってしまうために、当該基
板に対する一連の成膜処理を続行できなくなる。また、
後続して処理が行われる基板の中で(1)のルートに従っ
て処理を行うように決定された基板も一連の処理の続行
が不可能となり、当該(1)のルートに従って一連の処理
を続行することができなくなる。Here, the LCD described above is used.
In the manufacturing apparatus, for example, when the film forming process is performed on the substrate according to the route of (1) and the process of the first step is performed in the process module R1, the process module R3 performing the next step fails. If the processing is stopped due to the occurrence of
Therefore, it becomes impossible to continue the film forming process on the substrate. Also,
Among the substrates to be subsequently processed, the substrate determined to be processed according to the route of (1) cannot continue the series of processes, and the series of processes is continued according to the route of (1). Can't do it.
【0008】また、上記のように処理の続行が不可能と
なった基板はプロセスモジュールR3の工程を行う前の
モジュール(バッファモジュールB1)等に残留してし
まう場合が生ずる。この場合には、バッファモジュール
B1が他の(2)〜(4)のルートと共用されているために、
他の(2)〜(4)のルートに従って処理が行われる基板をバ
ッファモジュールB1からトランスファモジュールT2
を用いて他のモジュールに搬送することができず、これ
ら(2)〜(4)のルートに従って行う処理も続行することが
不可能となってしまい、延いては、装置全体の処理が停
止してしまう。Further, there is a case where the substrate for which the processing cannot be continued as described above remains in the module (buffer module B1) or the like before the process of the process module R3. In this case, since the buffer module B1 is shared with other routes (2) to (4),
The substrates to be processed according to the other routes (2) to (4) are transferred from the buffer module B1 to the transfer module T2.
Cannot be carried to other modules by using, and it becomes impossible to continue the processing performed according to these routes (2) to (4), which in turn stops the processing of the entire device. Will end up.
【0009】このように、従来の成膜装置では、いずれ
かのプロセスモジュールで障害が発生したときには、当
該プロセスモジュールを一連の処理のルートとしている
基板に処理を続行することが不可能となる。さらに、処
理の続行が不可能となった基板が装置内部に残留してし
まうために、上記プロセスモジュールを使用しない他の
ルートでの一連の処理をも続行することが不可能となっ
てしまうことがあり、成膜処理が大幅に遅延してしまう
事態が生じていた。また、装置内部に基板が残留してし
まった場合には、当該基板を除去しないと障害の復旧が
できないため、復旧に長時間を要して成膜処理の大幅な
遅延を生じさせていた。本発明は、上記従来の事情に鑑
みなされたもので、いずれかのモジュールに障害が発生
した時にあっても、基板に対する一連の処理を続行する
ことを可能とし、成膜処理の生産効率を向上させる成膜
装置を提供することを目的とする。As described above, in the conventional film forming apparatus, when a failure occurs in any of the process modules, it becomes impossible to continue the process on the substrate having the process module as the route of the series of processes. Furthermore, since the substrate for which the processing cannot be continued remains inside the apparatus, it becomes impossible to continue the series of processing on other routes that do not use the above process module. Therefore, there is a situation in which the film forming process is significantly delayed. Further, when the substrate remains inside the apparatus, the failure cannot be recovered unless the substrate is removed, so that it takes a long time for the recovery and a large delay of the film forming process occurs. The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and it is possible to continue a series of processes for a substrate even when a failure occurs in any of the modules, and improve the production efficiency of the film forming process. It is an object of the present invention to provide a film forming apparatus capable of performing the above.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る成膜装置は、基板に対して同一の処理工
程を実施する複数のプロセスモジュールを有し、各工程
のプロセスモジュールを基板の搬送処理を行うトランス
ファモジュールを介して接続した成膜装置において、上
記処理工程の実施中に各プロセスモジュールの障害を検
出する検出手段と、後続する工程の各プロセスモジュー
ルについての検出手段による障害発生の検出に基づいて
各工程のプロセスモジュール間での搬送処理時に次の工
程を行う使用可能なプロセスモジュールを選択して、ト
ランスファモジュールに搬送処理を行わせる制御手段
と、を備えたことを特徴とする。In order to achieve the above object, a film forming apparatus according to the present invention has a plurality of process modules for performing the same processing step on a substrate, and the process module for each step is provided. In a film forming apparatus connected through a transfer module that carries out a substrate transfer process, a detection unit that detects a failure of each process module during the execution of the above processing step and a failure by the detection unit of each process module in a subsequent step. Control means for selecting a usable process module that carries out the next step at the time of transfer processing between process modules of each step based on detection of occurrence and causing the transfer module to carry out the transfer processing. And
【0011】本発明では、一連の成膜処理の実行中に後
続する工程のプロセスモジュールでの障害発生を検出手
段が検出すると、その検出に基づいて、制御手段がトラ
ンスファモジュールに後続する工程を正常に行うことが
できるプロセスモジュールへ基板を搬送させる。これに
より、いずれかのプロセスモジュールに障害が生じて
も、正常なプロセスモジュールを代替利用することによ
り後続する工程を支障なく行うことができ、基板に一連
の処理を施すことができる。According to the present invention, when the detecting means detects the occurrence of a failure in the process module of the subsequent step during the execution of a series of film forming processes, the control means normalizes the step following the transfer module based on the detection. The substrate is transferred to a process module that can be used for As a result, even if a failure occurs in any of the process modules, the normal process module can be used as a substitute to perform the subsequent steps without trouble, and the substrate can be subjected to a series of processes.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】本発明の一実施例に係るLCD用
枚葉式CVD装置の構成を図1を参照して説明する。な
お、図3に示した従来のCVD装置と同一部分には同一
符号を付してある。このCVD装置は、搬入モジュール
IN、搬出モジュールOUT、プロセスモジュールR1
〜R7、バッファモジュールB1及びB2、トランスフ
ァモジュールT1〜T4の他に、プロセスモジュールR
1〜R7の作動状態を検出する検出手段Sと、検出手段
Sの検出結果に基づいてトランスファモジュールT1〜
T4の搬送動作を制御する制御手段Cとを備えている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The structure of a single-wafer CVD apparatus for an LCD according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The same parts as those of the conventional CVD apparatus shown in FIG. 3 are designated by the same reference numerals. This CVD apparatus includes a carry-in module IN, a carry-out module OUT, and a process module R1.
To R7, buffer modules B1 and B2, transfer modules T1 to T4, and process module R
1 to R7, the detecting means S for detecting the operating state, and the transfer modules T1 to T1 based on the detection result of the detecting means S.
And a control means C for controlling the transport operation of T4.
【0013】搬入モジュールIN及び搬出モジュールO
UTは、複数(例えば、10枚)の基板を収容するモジ
ュールであり、搬入モジュールINは処理を行うための
未使用の基板を収容し、搬出モジュールOUTはLCD
製造装置で一連の処理が施されたされた基板を収容す
る。Carry-in module IN and carry-out module O
The UT is a module that accommodates a plurality of (for example, 10) substrates, the carry-in module IN accommodates an unused substrate for processing, and the carry-out module OUT is an LCD.
A substrate that has been subjected to a series of processes by the manufacturing apparatus is housed.
【0014】プロセスモジュールR1〜R7は、処理対
象のそれぞれの基板に所定の処理を行うモジュールであ
り、プロセスモジュールR1とR2は同様の処理を行う
モジュールで第1工程である1番目の膜を形成し、プロ
セスモジュールR3〜R6はそれぞれ同様の処理を行う
モジュールで第2工程である2番目の膜を形成し、プロ
セスモジュールR7は第3工程である3番目の膜を形成
する。上記3つの工程を行うことによって基板に一連の
処理を施している。The process modules R1 to R7 are modules that perform a predetermined process on each substrate to be processed, and the process modules R1 and R2 are modules that perform similar processes and form the first film, which is the first step. Then, the process modules R3 to R6 are modules that perform the same processing, respectively, and form the second film which is the second step, and the process module R7 forms the third film which is the third step. The substrate is subjected to a series of processes by performing the above three steps.
【0015】バッファモジュールB1及びB2は、複数
の基板(例えば、5枚)を一時的に収容することのでき
るモジュールであり、トランスファモジュール間におい
て搬送途中の基板を収容して次の工程への基板の搬送時
間を調整する。なお、バッファモジュールB1及びB2
から、基板を搬出する順番は、例えば、一番最初に入っ
た基板を一番最初に搬出する等に決められている。The buffer modules B1 and B2 are modules capable of temporarily accommodating a plurality of substrates (for example, five substrates). The buffer modules B1 and B2 accommodate the substrates which are being transferred between the transfer modules and are used for the next step. Adjust the transport time of. The buffer modules B1 and B2
Therefore, the order of unloading the substrates is determined, for example, to unload the first entered substrate first.
【0016】トランスファモジュールT1〜T4は、ロ
ボットアーム等の搬送手段(図示せず)を収容してお
り、トランスファモジュールに隣接するモジュール間で
基板を一枚づつ搬送する。例えば、トランスファモジュ
ールT1は、搬入モジュールINとプロセスモジュール
R1との間、搬入モジュールINとプロセスモジュール
R2との間、プロセスモジュールR1とバッファモジュ
ールB1との間、プロセスモジュールR2とバッファモ
ジュールB1との間、での基板の搬送を行う。なお、上
記搬送処理は後述する制御手段Cの制御に基づいて行わ
れる。検出手段Sは、プロセスモジュールR1〜R7の
それぞれに備えられており、装置が稼働しているとき
は、常時プロセスモジュールの作動の状態(例えば、モ
ジュール使用中、モジュール未使用中、障害発生等)を
検出している。Each of the transfer modules T1 to T4 contains a transfer means (not shown) such as a robot arm, and transfers substrates one by one between the modules adjacent to the transfer module. For example, the transfer module T1 is provided between the carry-in module IN and the process module R1, between the carry-in module IN and the process module R2, between the process module R1 and the buffer module B1, and between the process module R2 and the buffer module B1. Then, the substrate is transported by. The carrying process is performed under the control of the control means C described later. The detection means S is provided in each of the process modules R1 to R7, and the operating state of the process module is always in operation when the apparatus is operating (for example, during module use, during module non-use, failure occurrence, etc.). Is being detected.
【0017】制御手段Cは、図2に示すようなルートに
関する情報と、工程及び工程を実行するプロセスモジュ
ールの情報(実施例では、第1工程はプロセスモジュー
ルR1とR2、第2工程はプロセスモジュールR3〜R
6、第3工程はプロセスモジュールR7という情報)と
を保持し、また、基板毎のルート中における位置の情報
を把握している。ここで、図2は、一連の成膜処理を実
行する際に取りうるルートを予め設定したもので、1回
の搬送を1ステップとし、その搬送のステップごとに先
のモジュールから使用可能な後続するモジュールへの基
板の搬送ルートを示したものである。また、図の矢印
は、トランスファモジュールT1〜T4のいずれかによ
る搬送処理を示している。The control means C has information about a route as shown in FIG. 2 and information about a process and a process module that executes the process (in the embodiment, the first process is the process modules R1 and R2, and the second process is the process module). R3 ~ R
6, the third process (information called process module R7) is held, and the information on the position in the route for each substrate is grasped. Here, in FIG. 2, a route that can be taken when performing a series of film forming processes is set in advance, and one transfer is defined as one step, and subsequent steps that can be used from the previous module at each transfer step are performed. 2 shows a transportation route of a substrate to a module to be processed. In addition, the arrow in the drawing indicates the carrying process by any of the transfer modules T1 to T4.
【0018】そして、制御手段Cは、基板が位置するモ
ジュールと搬送のステップの情報と、検出手段Sの検出
結果と、ルートの情報とに基づいて、次の工程を行う使
用可能なプロセスモジュールを選択し、ルート情報中で
当該基板に処理を行えるプロセスモジュールを決定し、
当該プロセスモジュールを含むルートに従って基板を搬
送させるようにトランスファモジュールを制御する。Then, the control means C determines a usable process module for carrying out the next step based on the information on the module in which the substrate is located and the transfer step, the detection result of the detection means S, and the route information. Select and determine the process module that can process the substrate in the route information,
The transfer module is controlled to transfer the substrate according to the route including the process module.
【0019】基板が第1工程を終えて、バッファモジュ
ールB1に収容されている状態から、第2工程のステッ
プ3の搬送を行う場合において、検出手段Sが使用可能
(すなわち、障害が発生していない)と検出したプロセ
スモジュールの中で、制御手段Cが次の処理工程を行う
ことのできるプロセスモジュールとして例えばプロセス
モジュールR3を選択すると、ルート情報にあるルート
の中で基板の位置するバッファジュールB1からプロセ
スモジュールR3で処理を行うことのできるルートが決
定される。そして、制御手段Cがトランスファモジュー
ルT2を制御して基板を搬送させる。なお、次の工程を
行うプロセスモジュールが複数ない場合や、最後の工程
を終えた場合には、基板の位置するモジュールからのル
ートは1つに決まってしまうため、ルート情報には一つ
のルートが設定されて、制御手段Cはこのルートに従っ
てトランスファモジュールに搬送処理を行わせることと
なる。When carrying out the step 3 of the second step from the state where the substrate has been stored in the buffer module B1 after the completion of the first step, the detecting means S can be used (that is, a failure has occurred). When the control module C selects, for example, the process module R3 as a process module capable of performing the next processing step among the process modules detected as (No), the buffer module B1 where the substrate is located in the route indicated in the route information. Is determined from the process module R3. Then, the control means C controls the transfer module T2 to convey the substrate. If there are not multiple process modules that perform the next process, or if the last process is completed, only one route is determined from the module where the board is located, so one route is included in the route information. After being set, the control means C causes the transfer module to carry out the transfer process according to this route.
【0020】次に本発明の一実施例に係るLCD用枚葉
式CVD装置の一連の処理における動作を図1及び図2
を参照して説明する。搬入モジュールINに搬入された
基板の処理が開始されると、制御手段Cが検出手段Sか
らの情報に基づいて、第1工程をプロセスモジュールR
1とR2のいずれかで行うかを選択し、トランスファモ
ジュールT1に基板を搬送させる(ステップ1)。例え
ば、プロセスモジュールR1での処理が選択された場合
には、基板はトランスファモジュールT1によってプロ
セスモジュールR1に搬送され、プロセスモジュールR
1に搬送された基板は第1工程の処理が行われる。Next, the operation in a series of processes of the single-wafer CVD apparatus for LCD according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. When the processing of the substrate carried into the carry-in module IN is started, the control means C carries out the first step based on the information from the detection means S and the process module R.
1 or R2 is selected, and the substrate is transferred to the transfer module T1 (step 1). For example, when the process in the process module R1 is selected, the substrate is transferred to the process module R1 by the transfer module T1, and the substrate is transferred to the process module R1.
The substrate transferred to No. 1 is subjected to the first process.
【0021】第1工程の処理が終わると、制御手段C
は、トランスファモジュールT1に基板を搬送させる。
この場合は、バッファモジュールB1まではどのプロセ
スモジュールが選択されてもルートは一つであり、基板
はトランスファモジュールT1によってバッファモジュ
ールB1に搬送される(ステップ2)。そして、バッフ
ァモジュールB1から搬送を開始するときには、検出手
段Sからの情報に基づいて制御手段Cは、第2工程の処
理がプロセスモジュールR3〜R6のいずれで実行でき
るかを選択し、基板を搬送させる(ステップ3)。例え
ば、プロセスモジュールR3又はR4が選択された場合
には、基板はトランスファモジュールT2によってプロ
セスモジュールR3又はR4に搬送され、また、プロセ
スモジュールR5又はR6が選択された場合には、基板
はトランスファモジュールT2によってひとまずバッフ
ァモジュールB2に搬送される。When the processing of the first step is completed, the control means C
Causes the transfer module T1 to transfer the substrate.
In this case, there is only one route up to the buffer module B1 regardless of which process module is selected, and the substrate is transferred to the buffer module B1 by the transfer module T1 (step 2). Then, when the transfer is started from the buffer module B1, the control means C selects which of the process modules R3 to R6 can execute the process of the second step based on the information from the detection means S, and transfers the substrate. (Step 3). For example, if process module R3 or R4 is selected, the substrate is transferred by transfer module T2 to process module R3 or R4, or if process module R5 or R6 is selected, the substrate is transfer module T2. For the time being, it is transported to the buffer module B2.
【0022】次に、ステップ3においてプロセスモジュ
ールR3又はR4に搬送された基板については、制御手
段Cが第2工程の処理終了後にルート情報により第3工
程へのルートを決定し、トランスファモジュールT2に
よりバッファモジュールB2へとひとまず搬送させる。
また、プロセスモジュールR5又はR6で第2工程を行
うためにバッファモジュールB2に搬送された基板につ
いては、制御手段Cが、第2工程をプロセスモジュール
R5又はR6のどちらで実行できるかを選択し、トラン
スファモジュールT3によってバッファモジュールB2
から選択されたプロセスモジュールR5又はR6に搬送
させる(ステップ4)。Next, for the substrate transferred to the process module R3 or R4 in step 3, the control means C determines the route to the third process based on the route information after the completion of the processing of the second process, and the transfer module T2 It is transported to the buffer module B2 for the time being.
Further, for the substrate transferred to the buffer module B2 for performing the second step in the process module R5 or R6, the control means C selects which of the process modules R5 or R6 can execute the second step, Buffer module B2 by transfer module T3
It is conveyed to the process module R5 or R6 selected from (step 4).
【0023】更に、制御手段Cは、プロセスモジュール
R3又はR4で第2工程の処理がなされてバッファモジ
ュールB2に搬送された基板については、制御手段Cが
ルート情報よりルートを決定し、トランスファモジュー
ルT3によりプロセスモジュールR7に搬送させ、ま
た、第2工程の処理を行うためにプロセスモジュールR
5又はR6に搬送された基板については、第2工程の処
理終了後にルート情報よりルートを決定し、トランスフ
ァモジュールT3によりプロセスモジュールR5又はR
6からプロセスモジュールR7に搬送させる(ステップ
5)。そして、プロセスモジュールR7で第3工程の処
理が終了すると、制御手段Cは、基板をトランスファモ
ジュールT4によって搬出モジュールOUTへ搬送させ
る(ステップ6)。このようにステップ毎に次のモジュ
ールへのルートを選択し、ルートに従って処理を行うこ
とによって、結果として図2に示してある一連の処理を
行う8つのルートのいずれかを実行することとなり、基
板に対して一連の成膜処理を行うことができる。Further, the control means C determines the route from the route information by the control means C for the substrate which has been subjected to the second process in the process module R3 or R4 and transferred to the buffer module B2, and the transfer module T3. To the process module R7, and to perform the process of the second step, the process module R7
For the substrate transferred to 5 or R6, the route is determined from the route information after the completion of the processing in the second step, and the transfer module T3 determines the process module R5 or R5.
6 to the process module R7 (step 5). Then, when the processing of the third step is completed in the process module R7, the control means C carries the substrate to the carry-out module OUT by the transfer module T4 (step 6). In this way, by selecting the route to the next module for each step and performing the process according to the route, as a result, one of the eight routes for performing the series of processes shown in FIG. 2 is executed. A series of film forming processes can be performed on the above.
【0024】ここで、上記した一連の成膜処理の実行中
に、複数あるプロセスモジュール中の例えばプロセスモ
ジュールR3において、障害の発生が起こった場合に
は、以下のような動作となる。バッファモジュールB1
に収容された基板は第2工程のステップ3を開始するこ
ととなるが、制御手段Cが次の工程を行うプロセスモジ
ュールを選択する際に、検出手段Sがプロセスモジュー
ルR3での障害発生を検出したことに基づいて、プロセ
スモジュールR3を選択せずに、他の同様の処理を行う
正常なプロセスモジュールR4〜R6のうちのいずれか
を選択する。When a failure occurs in, for example, the process module R3 among a plurality of process modules during the above-described series of film forming processes, the following operation is performed. Buffer module B1
The substrate accommodated in the first step starts step 3 of the second step, but when the control means C selects the process module for the next step, the detection means S detects the occurrence of a failure in the process module R3. Based on what has been done, the process module R3 is not selected, and any one of the normal process modules R4 to R6 that performs other similar processing is selected.
【0025】このように、障害が発生したプロセスモジ
ュールにかえて同一の処理工程を行う正常な他のプロセ
スモジュールが選択され、この選択に基づいたルートに
従って基板が搬送されて、次の工程の処理が正常に行わ
れる。次の工程以降の処理も同様に制御手段Cの制御に
よって続行される。したがって、いずれかのプロセスモ
ジュールに障害が発生しても基板に対して一連の成膜処
理を続けることができる。In this way, another normal process module that performs the same processing step is selected instead of the process module in which a failure has occurred, the substrate is transported according to the route based on this selection, and the next step is processed. Is done normally. The processing of the subsequent steps is similarly continued under the control of the control means C. Therefore, even if a failure occurs in any of the process modules, a series of film forming processes can be continued on the substrate.
【0026】なお、上記実施例では、搬送のステップ毎
にルートを決定していたが、テーブル等に一連の処理を
行う一連のルートを予め設定しておき、通常は基板毎に
当該一連のルートを選択させて処理を実行し、障害が発
生した際にのみ、障害の発生したプロセスモジュールを
通る一部のルートを、他の正常に処理できるプロセスモ
ジュールを通るルートに変更するようにして一連の処理
を続行させることもできる。また、上記実施例で説明し
たプロセスモジュールでは、成膜処理のみを行っていた
が、他の処理(例えば、エッチング、アッシング等)を
行うプロセスモジュールであってもよい。また、上記実
施例では、バッファモジュールを備えていたが、トラン
スファモジュールによる搬送処理の手順によってはバッ
ファモジュールを省略することも可能である。In the above embodiment, the route is determined for each transport step. However, a series of routes for performing a series of processes is set in advance in a table or the like, and normally, the series of routes is set for each substrate. To execute the process, and only when a failure occurs, change a part of the route through the failed process module to a route through another process module that can be processed normally. The processing can be continued. Further, in the process module described in the above embodiment, only the film forming process is performed, but the process module may perform another process (for example, etching, ashing, etc.). Further, although the buffer module is provided in the above embodiment, the buffer module may be omitted depending on the procedure of the transfer process by the transfer module.
【0027】なお、本発明は同一の処理工程を行うプロ
セスモジュールを複数有しているLCD製造装置だけで
なく、同一の処理工程を行うプロセスモジュールを複数
有している成膜装置であれば、その形式等に関わらず広
く適用することができる。The present invention is not limited to an LCD manufacturing apparatus having a plurality of process modules for performing the same processing step, but may be a film forming apparatus having a plurality of process modules for performing the same processing step. It can be widely applied regardless of its format.
【0028】[0028]
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る成膜装
置によれば、一連の成膜処理の実行中に後続する工程の
プロセスモジュールでの障害発生を検出すると、後続す
る工程を正常に行うプロセスモジュールへ基板を搬送さ
せるようにしたため、正常なプロセスモジュールで後続
する工程を支障なく行うことができ、一連の成膜処理を
続行することができ、従来に比して成膜装置の処理効率
が向上する。さらに、障害が発生した場合にあっても、
装置内に基板を残留させずに処理を続行できるため、障
害の復旧作業に要する時間を短縮することができ、成膜
装置の処理効率の向上を実現することができる。As described above, according to the film forming apparatus of the present invention, when a failure in the process module of the subsequent process is detected during the execution of a series of film forming processes, the subsequent process is normally performed. Since the substrate is transferred to the process module that performs the process, the subsequent process can be performed in a normal process module without any problems, and a series of film forming processes can be continued. Efficiency is improved. Moreover, even in the event of a failure,
Since the processing can be continued without leaving the substrate in the apparatus, the time required for the failure recovery work can be shortened and the processing efficiency of the film forming apparatus can be improved.
【図1】 本発明の一実施例に係るLCD用枚葉式CV
D装置の構成図である。FIG. 1 is a single-wafer CV for LCD according to an embodiment of the present invention.
It is a block diagram of D apparatus.
【図2】 本発明の一実施例に係る成膜処理工程のルー
トの説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a route of a film forming process according to an embodiment of the present invention.
【図3】 従来例に係るLCD用枚葉式CVD装置の構
成図である。FIG. 3 is a block diagram of a conventional single-wafer CVD apparatus for LCD according to a conventional example.
T1、T2・・トランスファモジュール、R1、R2、
R3、R4、R5、R6、R7・・プロセスモジュー
ル、S・・検出手段、 C・・制御手段、T1, T2 ... Transfer module, R1, R2,
R3, R4, R5, R6, R7 ... Process module, S ... Detection means, C ... Control means,
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 H01L 21/68 A ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 21/68 H01L 21/68 A
Claims (1)
複数のプロセスモジュールを有し、各工程のプロセスモ
ジュールを基板の搬送処理を行うトランスファモジュー
ルを介して接続した成膜装置において、 上記処理工程の実施中に各プロセスモジュールの障害を
検出する検出手段と、後続する工程の各プロセスモジュ
ールについての検出手段による障害発生の検出に基づい
て、各工程のプロセスモジュール間での搬送処理時に次
の工程を行う使用可能なプロセスモジュールを選択して
トランスファモジュールに搬送処理を行わせる制御手段
と、を備えたことを特徴とする成膜装置。1. A film forming apparatus having a plurality of process modules for performing the same processing step on a substrate, wherein the process module of each step is connected through a transfer module for carrying out the substrate transfer processing. Based on the detection means for detecting a fault of each process module during the execution of the process and the detection of the fault occurrence by the detection means for each process module of the subsequent process, the following process is performed during the transfer process between the process modules of each process. A film forming apparatus comprising: a control unit that selects a usable process module that performs a process and causes a transfer module to perform a transfer process.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34441695A JPH09159981A (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Film forming device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34441695A JPH09159981A (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Film forming device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09159981A true JPH09159981A (en) | 1997-06-20 |
Family
ID=18369089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34441695A Pending JPH09159981A (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Film forming device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09159981A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010030438A (en) * | 1999-09-20 | 2001-04-16 | 가나이 쓰도무 | Method for operating vacuum processing apparatus and method for treating wafer |
US6714832B1 (en) | 1996-09-11 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
JPWO2014006804A1 (en) * | 2012-07-04 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment |
JP2018014427A (en) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing device, method for manufacturing semiconductor device, and program |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP34441695A patent/JPH09159981A/en active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6714832B1 (en) | 1996-09-11 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
US6853872B2 (en) | 1996-09-11 | 2005-02-08 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
US6885906B2 (en) | 1996-09-11 | 2005-04-26 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
US6941185B2 (en) | 1996-09-11 | 2005-09-06 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
KR20010030438A (en) * | 1999-09-20 | 2001-04-16 | 가나이 쓰도무 | Method for operating vacuum processing apparatus and method for treating wafer |
JPWO2014006804A1 (en) * | 2012-07-04 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment |
JP2017168866A (en) * | 2012-07-04 | 2017-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing device |
JP2018014427A (en) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing device, method for manufacturing semiconductor device, and program |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5449310B2 (en) | System and method for scheduling wafer movement within a wafer processing tool | |
US6920369B2 (en) | Methods of operating vacuum processing equipment and methods of processing wafers | |
JP2006203003A (en) | Device for carrying and processing substrate and method and program for countermeasure against trouble of the same | |
US7491662B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JPH0950948A (en) | System coping with failure of semiconductor manufacturing apparatus | |
JPH09159981A (en) | Film forming device | |
CN101802977B (en) | System for processing subject to be processed and method for controlling the system | |
JP4664868B2 (en) | Troubleshooting system for semiconductor manufacturing equipment | |
JPH11163087A (en) | Substrate processing device and transportation scheduling method | |
JP2003031454A (en) | Method and program for scheduling substrate treatment system | |
JPH1116983A (en) | Substrate treatment device and carrying control method in substrate treatment device | |
JP2005129868A (en) | Conveyance control method | |
JP2008098670A (en) | System for handling failure of semiconductor manufacturing equipment | |
JP5852787B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TW201133689A (en) | Method of operating vacuum apparatus | |
JP3441322B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
JPH1154590A (en) | Method of controlling substrate transfer | |
KR100580403B1 (en) | Double equipment system and control method thereof | |
JP2834970B2 (en) | Substrate storage device | |
JP3638206B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4657528B2 (en) | Processing system and processing method | |
JPH10247679A (en) | Semiconductor treating device | |
JPH08181186A (en) | Board carrying control method | |
JPH0750333A (en) | Sequential control device of process facility | |
JP3538416B2 (en) | Vacuum processing method and vacuum processing apparatus |