JPH0851182A

JPH0851182A - スタック型半導体装置

Info

Publication number: JPH0851182A
Application number: JP18700894A
Authority: JP
Inventors: Nobuhito Oouchi; 伸仁大内; Etsuo Yamada; 悦夫山田
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1994-08-09
Filing date: 1994-08-09
Publication date: 1996-02-20

Abstract

(57)【要約】【目的】重合される半導体装置の仮り止めを確実に
し、それぞれの半導体装置を正確に位置決めできるとと
もに、外径寸法を保持しつつ、洗浄が容易なスタック型
半導体装置を提供する。【構成】複数個の半導体装置が重ね合わされるスタッ
ク型半導体装置において、外部リード１２を有する上段
の半導体装置１１と、外部リード１４を有する下段の半
導体装置１３と、前記外部リード１２と外部リード１４
とを互いに重ね合わせるとともに、前記下段の半導体装
置１３と上段の半導体装置１１間に両者を接着する接着
剤１５を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数個の樹脂封止型半
導体装置を重ね合わせたスタック型半導体装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、（１）特開昭６２−２３１３６号公報、（２）
特開昭５８−１４２５５７号公報に記載されるものがあ
った。電子機器等の小型化の要請に伴い、半導体装置を
プリント基板等の実装基板へ高密度に実装することが行
われている。

【０００３】その１つに、２つの半導体装置を重ね合わ
せて、一挙に２倍の密度で実装を行おうとする、いわゆ
るスタック型半導体装置がある。図３はかかる従来の樹
脂封止型半導体装置組立体の一部正面図、図４は図３の
Ｂ−Ｂ線断面図である。これらの図において、１は上段
の半導体装置、２はその上段の半導体装置１の外部リー
ド、３は下段の半導体装置、４はその下段の半導体装置
３の外部リード、５は半田溜まりである。

【０００４】このようなスタック型半導体装置は、樹脂
封止型半導体装置を重合してなるものであり、これは下
段の半導体装置３の外部リード４の屈曲部近傍に、上段
の半導体装置１の外部リード２の先端部を、半田でろう
付けして形成できるものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のスタック型半導体装置には、以下のような問題
点があった。（１）複数個の半導体装置は、外部リード同士で厚い半
田によってろう付けされるが、半田付けが完了するまで
に装置がずれてしまう。したがって、複数個の半導体装
置を重合する際、それぞれの半導体装置が正確に位置決
めできず、外部リードの配列方向にずれた状態で接合さ
れたり、または接合されないことになり、接続の信頼性
を失ってしまう。（２）接合部に半田の溜まりができ、外部寸法に影響を
与える。（３）各半導体装置間に半田溶融時のフラックス等によ
る不純物が残り易く、洗浄に難があるといった問題があ
った。

【０００６】本発明は、上記問題点を解決するために、
重合される半導体装置の仮り止めを確実にし、それぞれ
の半導体装置を正確に位置決めできるとともに、外径寸
法を保持しつつ、洗浄が容易なスタック型半導体装置を
提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、複数個の半導体装置が重ね合わされるス
タック型半導体装置において、（Ａ）第１の外部リード（１２）を有する上段の半導体
装置（１１）と、第２の外部リード（１４）を有する下
段の半導体装置（１３）と、前記第１の外部リード（１
２）と第２の外部リード（１４）とを互いに重ね合わせ
るとともに、前記下段の半導体装置（１３）と上段の半
導体装置（１１）間に両者を接着する接着剤（１５）を
設けるようにしたものである。

【０００８】（Ｂ）第１の外部リード（２２）を有する
上段の半導体装置（２１）と、第２の外部リード（２
５）を有する下段の半導体装置（２４）と、前記第１の
外部リード（２２）の先端部に形成されるカギ爪（２
３）と、前記第２の外部リード（１４）に形成される開
孔（２６）とを有し、前記第１の外部リード（２２）と
第２の外部リード（２５）とを互いに重ね合わせるとと
もに、前記カギ爪（２３）を前記開孔（２６）に引っ掛
けられるようにしたものである。

【０００９】（Ｃ）第１の外部リード（３２）を有する
上段の半導体装置（３１）と、第２の外部リード（３
５）を有する下段の半導体装置（３４）と、前記第１の
外部リード（３２）の先端部に形成される断面がコ字形
状の係止部（３３）を設け、前記第１の外部リード（３
２）と第２の外部リード（３５）とを互いに重ね合わせ
るとともに、前記第２の外部リード（３５）を前記係止
部（３３）で係止するようにしたものである。

【００１０】（Ｄ）第１の外部リード（４２）を有する
上段の半導体装置（４１）と、第２の外部リード（４
６）を有する下段の半導体装置（４５）と、前記第１の
外部リード（４２）の先端部に形成されるＴ字状の係止
部（４４）と、前記第１及び第２の外部リードの根元部
分に断面がコ字形状の係合部（４３，４７）を設け、前
記第１の外部リード（４２）と第２の外部リード（４
６）とを互いに重ね合わせるとともに、前記第２の外部
リード（４６）の係合部（４７）に前記Ｔ字状の係止部
（４４）を係止するようにしたものである。

【００１１】（Ｅ）第１の外部リード（５２）を有する
上段の半導体装置（５１）と、第２の外部リード（５
４）を有する下段の半導体装置（５３）と、前記第１の
外部リード（５２）の先端部に形成される幅の狭い部分
（５２ｂ）と、前記第２の外部リード（５４）の幅の広
い根元部分（５４ａ）に形成されるリード差込み用開孔
（５５）とを有し、前記第１の外部リード（５２）と第
２の外部リード（５４）とを互いに重ね合わせるととも
に、前記幅の狭い部分（５２ｂ）を前記リード差込み用
開孔（５５）に差し込むようにしたものである。

【００１２】（Ｆ）第１の外部リード（６２）を有する
上段の半導体装置（６１）と、第２の外部リード（６
４）を有する下段の半導体装置（６３）と、前記第２の
外部リード（６４）の幅の広い根元部分（６４ａ）に開
孔（６６）とこの開孔（６６）による切り起こし片（６
５）と、前記第１の外部リード（６２）の先端部の幅の
狭い部分（６２ｂ）とを設け、前記第１の外部リード
（６２）と第２の外部リード（６４）とを互いに重ね合
わせるとともに、前記幅の狭い部分（６２ｂ）を前記切
り起こし片（６５）で受けるようにしたものである。

【００１３】（Ｇ）第１の外部リード（７２，８２）を
有する上段の半導体装置（７１，８１）と、第２の外部
リード（７５，８５）を有する下段の半導体装置（７
４，８４）と、前記上段の半導体装置（７１，８１）の
対向する側から導出されるダミー外部リード（７３，８
３）とを設け、前記第１の外部リード（７２，８２）と
第２の外部リード（７５，８５）とを互いに重ね合わせ
るとともに、前記ダミー外部リード（７３，８３）によ
って下段の半導体装置（７４，８４）を挟持するように
したものである。

【００１４】（Ｈ）前記ダミー外部リード（８３）は前
記外部リード（８２，８５）間に配置するようにしたも
のである。（Ｉ）第１の外部リード（９２）を有する上段の半導体
装置（９１）と、第２の外部リード（９４）を有する下
段の半導体装置（９３）と、前記上段の半導体装置（９
１）と下段の半導体装置（９３）間に突起（９５）を設
け、前記第１の外部リード（９２）と第２の外部リード
（９４）とを互いに重ね合わせるとともに、前記上段の
半導体装置（９１）と下段の半導体装置（９３）間を所
定間隔に保持するようにしたものである。

【００１５】（Ｊ）第１の外部リード（１０２）を有す
る上段の半導体装置（１０１）と、第２の外部リード
（１０４）を有する下段の半導体装置（１０３）と、前
記上段の半導体装置（１０１）と下段の半導体装置（１
０３）間に凹凸係合部（１０５）を設け、前記第１の外
部リード（１０２）と第２の外部リード（１０４）とを
互いに重ね合わせるとともに、前記上段の半導体装置
（１０１）と下段の半導体装置（１０３）間を所定間隔
に保持するようにしたものである。

【００１６】

【作用】本発明によれば、上記したように構成したの
で、重合される半導体装置の仮り止めを確実にし、それ
ぞれの半導体装置を正確に位置決めすることができる。
また、外部リードの接合部に半田の溜まりができること
による、外部寸法への影響をなくすことができる。

【００１７】更に、各半導体装置間に所定のスペースを
形成することにより、位置決めを正確にするとともに、
半導体装置の洗浄を容易にすることができる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。以下の各実施例において、複数個
の半導体装置を半田によるろう付けを行うまでにずれな
いようにするため、ろう付けされるまで、仮り止めを行
い、固定するようにしている。

【００１９】図１は本発明の第１実施例を示すスタック
型半導体装置の部分正面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面
図である。この実施例では、上段の半導体装置１１の下
面と、下段の半導体装置１３の上面を接着剤１５によっ
て接着することによって、仮り止め固定する。ただし、
この接着剤１５は半田接合温度（約２００℃）で、溶け
ないものである。また、接着剤１５は下段の半導体装置
１３の上面に全て塗布するようにしてもよいし、スポッ
ト的に複数箇所に塗布するようにしてもよい。

【００２０】このように、この実施例では、上段の半導
体装置１１の外部リード１２（上段の半導体装置の外部
リードを第１の外部リードともいう）と下段の半導体装
置１３の外部リード１４（下段の半導体装置の外部リー
ドを第２の外部リードともいう）とは半田でろう付け
し、仮り止めすることなく、下段の半導体装置１３の上
面に接着剤１５を塗布し、その上に上段の半導体装置１
１を重ね、乾燥させて固定する。

【００２１】図５は本発明の第２実施例を示すスタック
型半導体装置の部分正面図、図６は図５のＣ−Ｃ線断面
図である。この実施例では、仮り止めを外部リード同士
で行うようにしたものである。これらの図において、上
段の半導体装置２１の外部リード２２の幅の狭い部分２
２ｂの先端にはかぎ爪２３が形成されている。一方、下
段の半導体装置２４の外部リード２５の幅の広い根元部
分２５ａには、前記かぎ爪２３が入る大きさの開孔２６
が形成されており、この開孔２６に前記かぎ爪２３がか
けられ、仮り止め固定される。なお、２２ａは外部リー
ド２２の幅の広い根元部分、２５ｂは外部リード２５の
幅の狭い部分である。

【００２２】このように、この実施例では、上段の半導
体装置２１の外部リード２２の先端のかぎ爪２３を、リ
ード部に上から重ねてゆき、下段の半導体装置２４の外
部リード２５の開孔２６に引っ掛け固定する。また、半
田はペースト状のものを開孔２６内やかぎ爪２３の部分
に設けておくことにより、溶融させ、半導体装置の外部
リードの外側に突出した半田溜まりをなくすようにする
ことができる。

【００２３】更に、このように下段の半導体装置２４の
外部リード２５の開孔２６と、上段の半導体装置２１の
外部リード２２の先端のかぎ爪２３との係合により、半
導体装置の３次元方向が規正され、正確な位置決めを行
うことができる。図７は本発明の第３実施例を示すスタ
ック型半導体装置の部分正面図、図８は図７のＤ−Ｄ線
断面図である。

【００２４】この実施例も、仮り止めを外部リード同士
で行うようにしたものである。これらの図において、上
段の半導体装置３１の外部リード３２の幅の狭い部分３
２ｂの先端には断面コ字形状の係止部３３が形成されて
いる。この係止部３３が下段の半導体装置３４の外部リ
ード３５の幅の広い根元部分３５ａから、幅が狭くなっ
た幅の狭い部分３５ｂを把持して仮り止め固定される。
なお、３２ａは上段の半導体装置３１の外部リード３２
の幅の広い根元部分である。

【００２５】このように、この実施例では、上段の半導
体装置３１の外部リード３２の先端に係止部３３を形成
し、下段の半導体装置３４の外部リード３５のリード幅
の広い根元部分から幅の狭い部分に、前記係止部３３を
引っ掛けて固定する。したがって、上段の半導体装置３
１の外部リード３２の幅の狭い部分３２ｂの先端に形成
された断面コ字形状の係止部３３を、下段の半導体装置
３４の外部リード３５の幅の広い根元部分３５ａから幅
が狭くなった幅の狭い部分３５ｂへと下方からスライド
させるだけで、容易に仮り止めさせることができる。

【００２６】また、半田はペースト状のものを前記係止
部３３内に設け、溶融させることにより、各半導体装置
の外部リードの外側に突出した半田溜まりをなくすよう
にすることができる。更に、上段の半導体装置３１の外
部リード３２の前記係止部３３による下段の半導体装置
３４の外部リード３５のリード幅が広い部分から狭くな
る部分への係止により、３次元方向が規正され、正確な
位置決めを行うことができる。

【００２７】図９は本発明の第４実施例を示すスタック
型半導体装置の部分正面図、図１０は図９のＥ−Ｅ線断
面図である。この実施例も、仮り止めを外部リード同士
で行うようにしたものである。この実施例は、前記第３
実施例に近い実施例であるが、上段の半導体装置４１の
外部リード４２の根元部分には断面コ字形状の係合部４
３と、外部リード４２の先端部分にはＴ字状の係止部４
４を形成する。一方、下段の半導体装置４５の外部リー
ド４６の根元部分には断面コ字形状の係合部４７と、外
部リード４６の先端部分にはＴ字状の係止部（図示な
し）を形成する。

【００２８】この実施例では、上段の半導体装置４１の
外部リード４２と下段の半導体装置４５の外部リード４
６とを互いにからませて、仮り止め固定するものであ
る。この実施例は、後にも述べる重合の位置決めにも有
効と考えられる。更に、下段の半導体装置４５の外部リ
ード４６の根元部分の係合部４７には、上段の半導体装
置４１の外部リード４２の先端部分の係止部４４が係止
されることにより、３次元方向が規正され、正確な位置
決めを行うことができる。

【００２９】図１１は本発明の第５実施例を示すスタッ
ク型半導体装置の部分正面図、図１２は図１１のＦ−Ｆ
線断面図である。この実施例では、下段の半導体装置５
３の外部リード５４の幅の広い根元部分５４ａにリード
差込み用開孔５５を形成し、上段の半導体装置５１の外
部リード５２の幅の狭い部分５２ｂの先端部を差し込
み、かつ下段の半導体装置５３の外部リード５４の内側
と接触させ、その内側で半田５６により半田接合させ
る。半田は予め上段の半導体装置５１の先端にペースト
状のものを塗布しておく。なお、ここで、５２ａは外部
リード５２の幅の広い根元部分、５４ｂは外部リード５
４の幅の狭い部分を示している。

【００３０】このように構成することにより、従来のよ
うに、半田の溜まりが外部リードの外側に形成されるこ
とによる外形寸法への影響を除去することができる。つ
まり、半田の溜まりは外部リードの内側に形成されるこ
とになり、外形寸法に何ら影響を及ぼすことはない。図
１３は本発明の第６実施例を示すスタック型半導体装置
の部分正面図、図１４は図１３のＧ−Ｇ線断面図であ
る。

【００３１】この実施例では、下段の半導体装置６３の
外部リード６４の幅の広い根元部分６４ａの中央に、開
孔６６を形成すると同時に、切り起こし片６５を形成し
て、上段の半導体装置６１の外部リード６２の幅の狭い
部分６２ｂを、前記切り起こし片６５で受けるようにす
る。この時、半田ペーストは上段の半導体装置６１の先
端、あるいは下段の半導体装置６３の外部リード６４の
開孔６６、又は切り起こし片６５の上に塗布しておき、
溶融させる。

【００３２】このように、外部リードの開孔及び切り起
こし片を簡単に形成することができるので、特に、Ｚ軸
（外部リードの高さ）方向への位置決めを確実に行うこ
とができる。また、半田溜まりも内側に設けることがで
きる。図１５は本発明の第７実施例を示すスタック型半
導体装置の部分正面図、図１６は図１５のＨ−Ｈ線断面
図である。

【００３３】この実施例では、上段の半導体装置７１の
側面よりダミーリード７３が設けられ、下段の半導体装
置７４の両端部を挟み込むようにして固定している。な
お、上段の半導体装置７１の外部リード７２の先端部
は、下段の半導体装置７４の外部リード７５の幅の広い
根元部分上に重なるようになっている。図１７は本発明
の第８実施例を示すスタック型半導体装置の部分正面
図、図１８は図１７のＩ−Ｉ線断面図である。

【００３４】この実施例では、上段の半導体装置８１の
外部リード８２の間よりダミーリード８３が設けられ、
下段の半導体装置８４の正面部及び裏面部を挟み込むよ
うにして固定している。なお、上段の半導体装置８１の
外部リード８２の先端部分は、下段の半導体装置８４の
外部リード８５の幅の広い根元部分上に重なるようにな
っている。

【００３５】これらの第７及び第８実施例では、上段の
半導体装置より、ダミーリードが設けられ、下段の半導
体装置を挟み込むように上から押し込み、仮り固定する
ようにしている。このように構成したので、簡便な方法
で各半導体装置の確実な位置決めを行うことができる。

【００３６】以上、これらの実施例では、仮り固定後
に、半田付けにより本接着する。図１９は本発明の第９
実施例を示すスタック型半導体装置の部分正面図、図２
０は図１９のＪ−Ｊ線断面図である。この実施例では、
上段の半導体装置９１と下段の半導体装置９３の間に突
起９５を設ける。この突起９５は、上段の半導体装置９
１ならばその下面に、下段の半導体装置９３ならばその
上面に設ける。ただし、どちらか一方でよい。なお、９
２は上段の半導体装置９１の外部リード、９４は下段の
半導体装置９３の外部リードである。

【００３７】また、突起９５は、約０．１ｍｍ程度の寸
法で、各面を点状、又は線状に形成するようにしても良
い。このように構成することにより、Ｚ軸（外部リード
の高さ）方向の位置が規正され、半導体装置間のずれを
防止することができる。特に、４面に外部リードが設け
られる半導体装置においては、外部リードの重ね合わせ
により、Ｘ軸及びＹ軸方向の位置が規正されるので、突
起９５によるＺ軸方向の規正と相俟って正確な位置決め
を行うことができる。相待って図２１は本発明の第１０
実施例を示すスタック型半導体装置の部分正面図、図２
２は図２１のＫ−Ｋ線断面図、図２３は図２１のＡ部拡
大図である。

【００３８】この実施例では、複数の半導体装置を重ね
合わせる際、正確な位置決めを行うために、上段の半導
体装置１０１と下段の半導体装置１０３の間に、凹凸係
合部１０５を設ける。例えば、上段の半導体装置１０１
の下面に凹部１０１ａを形成し、下段の半導体装置１０
３の上面に凸部１０３ａを形成し、この凸部１０３ａと
前記凹部１０１ａとが噛み合うようにする。なお、１０
２は上段の半導体装置１０１の外部リード、１０４は下
段の半導体装置１０３の外部リードである。

【００３９】ここで、凹凸係合部１０５は点状で複数
個、または線状で複数個設けることができる。このよう
に構成することにより、複数の半導体装置を重ね合わせ
る際、上記した凹凸係合により、外部リードの配列方向
及びＺ軸方向の位置を規正することができ、正確な位置
決めを行うことができる。

【００４０】また、スタック型半導体装置における半導
体装置の重ね合わせ時の半田接合では、上段の半導体装
置と下段の半導体装置の間隔が極めて狭いと、半導体装
置の境目等にフラックスが残り、半田接合後の洗浄後で
も、そのフラックスが残り易い。そこで、上段・下段の
半導体装置の堺目に一定のあるスペース（０．１ｍｍ以
上）が必要となる。特に、上記した第９及び第１０実施
例においては、上段の半導体装置１０１と下段の半導体
装置１０３の間に一定のスペースを確保することがで
き、洗浄などによるフラックス等による不純物の残りを
なくすことができる利点がある。

【００４１】また、上記第１実施例乃至第８実施例にお
いても、半導体装置の重合時には、各半導体装置間に所
定の間隔がとれるような仮り止めを行うようにしてい
る。つまり、第１実施例においては、接着剤をスポット
的に複数配置することにより、所定間隔をとることがで
きる。また、上記第２乃至第７実施例においては、外部
リードの重合位置により、各半導体装置間に所定の間隔
がとれるようにしている。

【００４２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。

【００４３】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、上記のように構成したので、以下のような効果
を奏することができる。（１）重合される半導体装置の仮り止めを確実にし、そ
れぞれの半導体装置を正確に位置決めすることができ
る。

【００４４】（２）外部リードの接合部に半田の溜まり
ができることによる、外部寸法への影響をなくすことが
できる。（３）各半導体装置間に所定のスペースを形成すること
により、位置決めを正確にするとともに、半導体装置の
洗浄を容易にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示すスタック型半導体装
置の部分正面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】従来の樹脂封止型半導体装置組立体の一部正面
図である。

【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図である。

【図５】本発明の第２実施例を示すスタック型半導体装
置の部分正面図である。

【図６】図５のＣ−Ｃ線断面図である。

【図７】本発明の第３実施例を示すスタック型半導体装
置の部分正面図である。

【図８】図７のＤ−Ｄ線断面図である。

【図９】本発明の第４実施例を示すスタック型半導体装
置の部分正面図である。

【図１０】図９のＥ−Ｅ線断面図である。

【図１１】本発明の第５実施例を示すスタック型半導体
装置の部分正面図である。

【図１２】図１１のＦ−Ｆ線断面図である。

【図１３】本発明の第６実施例を示すスタック型半導体
装置の部分正面図である。

【図１４】図１３のＧ−Ｇ線断面図である。

【図１５】本発明の第７実施例を示すスタック型半導体
装置の部分正面図である。

【図１６】図１５のＨ−Ｈ線断面図である。

【図１７】本発明の第８実施例を示すスタック型半導体
装置の部分正面図である。

【図１８】図１７のＩ−Ｉ線断面図である。

【図１９】本発明の第９実施例を示すスタック型半導体
装置の部分正面図である。

【図２０】図１９のＪ−Ｊ線断面図である。

【図２１】本発明の第１０実施例を示すスタック型半導
体装置の部分正面図である。

【図２２】図２１のＫ−Ｋ線断面図である。

【図２３】図２１のＡ部拡大図である。

【符号の説明】

１１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１，９
１，１０１上段の半導体装置１３，２４，３４，４５，５３，６３，７４，８４，９
３，１０３下段の半導体装置１５接着剤１２，１４，２２，２５，３２，３５，４２，４６，５
２，５４，６２，６４，７２，７５，８２，８５，９
２，９４，１０２，１０４外部リード２２ａ，２５ａ，３２ａ，３５ａ，５２ａ，５４ａ，６
４ａ外部リードの幅の広い根元部分２２ｂ，２５ｂ，３２ｂ，３５ｂ，５２ｂ，５４ｂ，６
２ｂ外部リードの幅の狭い部分２３かぎ爪２６，６６開孔３３，４４係止部４３，４７係合部５５リード差込み用開孔５６半田６５切り起こし片７３，８３ダミーリード９５突起１０５凹凸係合部１０１ａ凹部１０３ａ凸部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数個の半導体装置が重ね合わされるス
タック型半導体装置において、（ａ）第１の外部リード
を有する上段の半導体装置と、（ｂ）第２の外部リード
を有する下段の半導体装置と、（ｃ）前記第１の外部リ
ードと第２の外部リードとを互いに重ね合わせるととも
に、前記下段の半導体装置と上段の半導体装置間に両者
を接着する接着剤を具備するスタック型半導体装置。
【請求項２】複数個の半導体装置が重ね合わされるス
タック型半導体装置において、（ａ）第１の外部リード
を有する上段の半導体装置と、（ｂ）第２の外部リード
を有する下段の半導体装置と、（ｃ）前記第１の外部リ
ードの先端部に形成されるカギ爪と、（ｄ）前記第２の
外部リードに形成される開孔とを有し、（ｅ）前記第１
の外部リードと第２の外部リードとを互いに重ね合わせ
るとともに、前記カギ爪を前記開孔に引っ掛けられるよ
うにしてなるスタック型半導体装置。
【請求項３】複数個の半導体装置が重ね合わされるス
タック型半導体装置において、（ａ）第１の外部リード
を有する上段の半導体装置と、（ｂ）第２の外部リード
を有する下段の半導体装置と、（ｃ）前記第１の外部リ
ードの先端部に形成される断面がコ字形状の係止部を設
け、（ｄ）前記第１の外部リードと第２の外部リードと
を互いに重ね合わせるとともに、前記第２の外部リード
を前記係止部で係止してなるスタック型半導体装置。
【請求項４】複数個の半導体装置が重ね合わされるス
タック型半導体装置において、（ａ）第１の外部リード
を有する上段の半導体装置と、（ｂ）第２の外部リード
を有する下段の半導体装置と、（ｃ）前記第１の外部リ
ードの先端部に形成されるＴ字状の係止部と、（ｄ）前
記第１及び第２の外部リードの根元部分に断面がコ字形
状の係合部を設け、（ｅ）前記第１の外部リードと第２
の外部リードとを互いに重ね合わせるとともに、前記第
２の外部リードの係合部に前記Ｔ字状の係止部を係止し
てなるスタック型半導体装置。
【請求項５】複数個の半導体装置が重ね合わされるス
タック型半導体装置において、（ａ）第１の外部リード
を有する上段の半導体装置と、（ｂ）第２の外部リード
を有する下段の半導体装置と、（ｃ）前記第１の外部リ
ードの先端部に形成される幅の狭い部分と、（ｄ）前記
第２の外部リードの幅の広い根元部分に形成されるリー
ド差込み用開孔とを有し、（ｅ）前記第１の外部リード
と第２の外部リードとを互いに重ね合わせるとともに、
前記幅の狭い部分を前記リード差込み用開孔に差し込む
ようにしてなるスタック型半導体装置。
【請求項６】複数個の半導体装置が重ね合わされるス
タック型半導体装置において、（ａ）第１の外部リード
を有する上段の半導体装置と、（ｂ）第２の外部リード
を有する下段の半導体装置と、（ｃ）前記第２の外部リ
ードの幅の広い根元部分に開孔と該開孔による切り起こ
し片と、（ｄ）前記第１の外部リードの先端部の幅の狭
い部分とを設け、（ｅ）前記第１の外部リードと第２の
外部リードとを互いに重ね合わせるとともに、前記幅の
狭い部分を前記切り起こし片で受けるようにしてなるス
タック型半導体装置。
【請求項７】複数個の半導体装置が重ね合わされるス
タック型半導体装置において、（ａ）第１の外部リード
を有する上段の半導体装置と、（ｂ）第２の外部リード
を有する下段の半導体装置と、（ｃ）前記上段の半導体
装置の対向する側から導出されるダミー外部リードとを
設け、（ｄ）前記第１の外部リードと第２の外部リード
とを互いに重ね合わせるとともに、前記ダミー外部リー
ドによって下段の半導体装置を挟持してなるスタック型
半導体装置。
【請求項８】前記ダミー外部リードは前記外部リード
間に配置してなる請求項７記載のスタック型半導体装
置。
【請求項９】複数個の半導体装置が重ね合わされるス
タック型半導体装置において、（ａ）第１の外部リード
を有する上段の半導体装置と、（ｂ）第２の外部リード
を有する下段の半導体装置と、（ｃ）前記上段の半導体
装置と下段の半導体装置間に突起を設け、（ｄ）前記第
１の外部リードと第２の外部リードとを互いに重ね合わ
せるとともに、前記上段の半導体装置と下段の半導体装
置間を所定間隔に保持してなるスタック型半導体装置。
【請求項１０】複数個の半導体装置が重ね合わされる
スタック型半導体装置において、（ａ）第１の外部リー
ドを有する上段の半導体装置と、（ｂ）第２の外部リー
ドを有する下段の半導体装置と、（ｃ）前記上段の半導
体装置と下段の半導体装置間に凹凸係合部を設け、
（ｄ）前記第１の外部リードと第２の外部リードとを互
いに重ね合わせるとともに、前記上段の半導体装置と下
段の半導体装置間を所定間隔に保持してなるスタック型
半導体装置。