JPH08255744A - 半導体装置の回路パターン転写方法及びこれに用いられる装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の回路パターンの形成において、
描画・座標位置計測・検査・修正・転写の各工程間で生
じる弾性変形に伴って生じる回路パターンの寸法変化を
小さくする。 【構成】 描画・座標位置計測・検査・修正・転写の各
工程のうち、少なくとも二工程おいて、原画パターンの
支持手段が、原画パターンに対して同じ位置を支持する
ように設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の回路パタ
ーンの原画が形成されたマスク、レチクル等の原画パタ
ーンを用いて半導体ウエハ等に回路パターンを転写する
半導体装置の回路パターン転写方法及びこれに用いる転
写装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体
装置に要求される回路線幅は、ますます狭くなってきて
いる。これらの半導体装置の製造過程においては、所望
の回路パターンが形成された数十種類の原画パターン
（レチクルあるいはマスク）を、ウエハ上に複数設けら
れた露光領域に、高精度に位置あわせした後転写すると
いう手段が採られている。

【０００３】通常、原画パターンは、５分の１あるいは
４分の１程度に縮小されて転写を行われ、転写手段とし
ては、高精度な光学系を有する投影露光装置が使用され
る。被露光材であるウエハ全面に露光できるよう、ウエ
ハは、高精度なＸＹステージ上に固定されている。この
ウエハが、縮小投影光学系に対し、ステップ＆リピート
することから、掲記転写装置はステッパとも呼ばれてい
る。ステッパで使用される原画パターンは、高精度に仕
上げられたガラス基板上に、Ｃｒのパターンとして形成
される。また、このパターンが設けられたガラス基板
は、レチクルまたはマスクと呼ばれる。

【０００４】通常、レチクルのパターン描画は、片面に
Ｃｒを蒸着したガラス基板上に、感光剤であるレジスト
を均一に塗布したものを使用する。これに、回路パター
ンの所望の設計データに従い、集束した粒子線、電子線
あるいはレーザー等を光源としたエネルギービームを、
全面にわたって走査する。このエネルギービームの照射
された所のレジストが感光したあるいは感光しなかった
部分のレジストを除去することによって、レジスト下層
にあるＣｒエッチングの時のマスクとなる。さらに、Ｃ
ｒをエッチングが終了したところで、エッチングの抑止
に使われたレジストを除去することにより所望のＣｒパ
ターンの描かれたレチクルとなる。また、この描画装置
においては絞られたビームスポットを繋いで、あるいは
走査することによって一つのパターンを形成していくた
め、ビームのコントロール次第では高精度にパターンを
形成することが可能である。そのため、このような描画
装置が、レチクル等の高精度なパターンが要求される工
程に使用される。

【０００５】パターンの描かれたレチクルまたはマスク
は、ステッパによって次々と短時間に複数の領域に対し
て転写が繰り返される。従って、露光に使用される前に
レチクルまたはマスクが所望の寸法精度をもって仕上が
っていることを確認し、パターン欠陥の有無を検査する
ことが、回路パターン転写における歩留まり向上に不可
欠である。そのため一般的に、座標測定機等を使用し
て、レチクルのパターン領域周囲のマークなどを使っ
て、パターン領域全体にわたる歪みなどを評価する。

【０００６】また、パターン領域に描かれたパターン自
身が欠陥無くかつ設計値通り描かれているどうか評価す
るためのツールとして欠陥検査装置がある。これは、レ
チクルまたはマスクからＣＣＤ等のセンサから取り込ま
れたパターン情報と、設計値のデータベースとの比較に
より、所望の位置における設計値と実パターンの比較を
行うものである。

【０００７】さらに、上記欠陥検査装置によって欠陥が
あると判定されたレチクルまたマスクは、集束されたイ
オンビーム等の粒子ビームを使って欠陥部分を除去ある
いは埋めることにより修正することが可能である。

【０００８】ここまでの一般的なリソグラフィの工程・
手順の詳細については、例えば「集積回路プロセス技術
シリーズ 半導体リソグラフィ技術」鳳紘一郎著、産業
図書等を参照されたい。

【０００９】通常、粒子線、電子線あるはレーザー描画
装置や欠陥修正装置においては、レチクル全面または一
部を描画・修正するためＸＹステージ上にて、着脱可能
な機構を介し固定されている。このときレチクルは自重
によってたわみ、図６および図９に示すような形状をと
っている。なお、上記描画装置または欠陥修正装置にお
いては、粒子線または電子線を光源として使用している
場合には、ビームの軌道を装置内を真空に保つ必要があ
る。そのためレチクルの固定方法としては、静電チャッ
ク等静電気の力を利用する手段またはクランプするなど
の機械的手段がとられる。また、レーザービームによる
描画装置においては大気中で描画することが可能なた
め、真空チャックまたは自重による摩擦力のみで水平方
向のずれに対する拘束力を発生させている。

【００１０】一方、描画されたレチクルは、座標位置測
定機によってパターンの位置座標が評価される。このと
きレチクルはパターン面を上にして置かれ、自重によっ
てたわむため、図７に示すような形状をとる。通常座標
測定は、大気中にて行われるため、固定手段としては真
空チャックや自重による摩擦力のみで水平方向のずれに
対する拘束力を持つ等の手段が採られている。

【００１１】欠陥検査装置においては、転写装置の場合
と同様にレチクルはパターンを下にして置かれ、自重に
よってたわんだレチクルは、図８に示す形状をとる。こ
のとき欠陥検査装置または転写装置においては、固定手
段としては真空チャックや自重による摩擦力のみで水平
方向のずれに対する拘束力を持つ等の手段が採られてい
る。

【００１２】従来、図６ないし図１０に示すような形状
の履歴を経てレチクルは製品となるが、それぞれの場合
においてレチクルの断面形状が異なるためにパターンの
位置歪みが発生し、所望の寸法精度を持って描画したは
ずのレチクルが座標計測装置において所望の精度が得ら
れない恐れがあった。また欠陥検査装置においては、レ
チクル形状変化に伴うパターンの伸び縮みあるいは固定
方法が異なるために歪みが発生することによって、設計
データと食い違う点が多く発生し、所望の欠陥検査精度
をクリアできない可能性がある。さらには転写装置にお
いても、欠陥検査装置の場合と同様に、レチクル形状変
化に伴うパターンの伸び縮みあるいは固定方法及び位置
が異なることに起因する歪みが発生することによって、
所望の合わせ精度が得られなくなる恐れがある。

【００１３】これらレチクルの形状変化に伴うパターン
の伸び縮みあるいは固定方法及び位置が異なることに起
因する歪みの影響を除く方法として、転写装置または欠
陥検査装置にレチクルを載せたときの基板形状にしたと
き所望の精度が得られるよう、描画装置に固定した場合
と転写装置に固定した場合のレチクル形状をそれぞれ多
項式近似し、それぞれ多項式の差をとることでパターン
位置がレチクル形状変化によってずれる量を予め算出し
て描画時に補正を行う方法がある。

【００１４】この場合には、座標計測装置に固定した場
合と転写装置または欠陥検査装置に固定した場合のレチ
クル形状をそれぞれ多項式近似し、それぞれ多項式の差
をとることで、パターン位置がレチクル形状変化によっ
てずれる量を予め算出し、座標計測時に考慮する。この
ような方法をとれば、座標計測結果により、転写あるい
は欠陥検査を行う前に、レチクルの良あるいは不良の判
断を行うことが可能となる。

【００１５】上記方法を用いて各々の装置間で厳密な近
似にもとづく補正を行うことで、精度の良いレチクルを
効率よく得ることが可能である。しかし、補正を行う多
項式を得るためには、各装置においてレチクル表面の高
さ分布を毎回測定する必要があり、補正をしないときに
比べて著しく時間がかかる。

【００１６】これについて、例えば複数のレチクルにお
ける高さ分布の平均値を、任意のレチクルを代表するデ
ータとして持っておく等の方法が考えられる。しかしな
がら、その場合、代表的なレチクルにより補正量を求め
ているため、任意のマスクの高さ分布と補正量として測
長装置が持っている平均値との誤差が大きい場合には所
望の精度が得られなくなる危険性がある。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の欠点に鑑みてなされたもので、転写装置で使用され
る原画パターンの信頼性を高め、かつこのような原画パ
ターンを用いて半導体ウエハ上に半導体装置の回路パタ
ーンを歩留まり良く転写することを可能にする技術を提
供するものである。

【００１８】

【発明を解決するための手段】本発明は、以下の第１な
いし第６の態様からなる。本発明の第１の態様は、半導
体装置の回路パターン形成方法において、描画工程、座
標位置計測工程及び転写工程における原画パターンの支
持の改良を示すものである。

【００１９】本発明の第１の態様によれば、少なくとも
第１の支持手段を用いて原画パターン基板を支持し、該
原画パターン基板上に任意の半導体装置回路パターンを
描画して原画パターンを作成する描画工程と、該原画パ
ターンを第２の支持手段を用いて支持し、該原画パター
ンに描かれた回路パターンの位置座標を計測する座標位
置計測工程と、該原画パターンを第３の支持手段を用い
て支持し、該回路パターンを半導体ウエハ上に転写する
転写工程とを具備する半導体回路パターンの形成方法に
おいて、前記第１の支持手段、第２の支持手段及び第３
の支持手段は、各々、原画パターンの対向する同じ二辺
を支持することを特徴とする半導体回路パターンの形成
方法が提供される。

【００２０】本発明の第２の態様は、半導体装置の回路
パターン形成方法において、描画工程、座標位置計測工
程、欠陥検査工程及び転写工程における原画パターンの
支持の改良を示すものである。

【００２１】本発明の第２の態様によれば、少なくとも
第１の支持手段を用いて原画パターン基板を支持し、該
原画パターン基板上に任意の半導体装置回路パターンを
描画して原画パターンを作成する描画工程と、該原画パ
ターンを第２の支持手段を用いて支持し、該原画パター
ンに描かれた回路パターンの位置座標を計測する座標位
置計測工程と、該原画パターンを第３の支持手段を用い
て支持し、該回路パターンの欠陥の有無を検査する欠陥
検査工程と、該原画パターンを第４の支持手段を用いて
支持し、該回路パターンを半導体ウエハ上に転写する転
写工程とを具備する半導体回路パターンの形成方法にお
いて、前記第１の支持手段、第２の支持手段，第３の支
持手段及び第４の支持手段は、各々、原画パターンの対
向する同じ二辺を支持することを特徴とする半導体回路
パターンの形成方法が提供される。

【００２２】本発明の第３の態様は、半導体装置の回路
パターン形成方法において、描画工程、座標位置計測工
程、欠陥検査工程、欠陥修正工程及び転写工程における
原画パターンの支持の改良を示すものである。

【００２３】本発明の第３の態様によれば、少なくとも
第１の支持手段を用いて原画パターン基板を支持し、該
原画パターン基板上に任意の半導体装置回路パターンを
描画して原画パターンを作成する描画工程と、該原画パ
ターンを第２の支持手段を用いて支持し、該原画パター
ンに描かれた回路パターンの位置座標を計測する座標位
置計測工程と、該原画パターンを第３の支持手段を用い
て支持し、該回路パターンの欠陥の有無を検査する欠陥
検査工程と、欠陥検査された原画パターンを第４の支持
手段を用いて支持し、欠陥部分を修正する欠陥修正工程
と、欠陥を修正された原画パターンを第５の支持手段を
用いて支持し、修正された回路パターンを半導体ウエハ
上に転写する転写工程とを具備する半導体回路パターン
の形成方法において、前記第１の支持手段、第２の支持
手段，第３の支持手段、第４の支持手段および第５の支
持手段は、各々、原画パターンの対向する同じ二辺を支
持することを特徴とする半導体回路パターンの形成方法
が提供される。

【００２４】本発明の第４の態様によれば、原画パター
ン基板を支持する第１の支持手段、該第１の支持手段に
支持された該原画パターン基板上に任意の半導体装置回
路パターンを描画して原画パターンを作成する描画手
段、該原画パターンを支持する第２の支持手段、該第２
の支持手段に支持された該原画パターンに描かれた該回
路パターンの位置座標を計測する座標位置計測手段、該
原画パターンを支持する第３の支持手段、及び該第３の
支持手段に支持された原画パターンを用いて、半導体ウ
エハ上に回路パターンを転写する転写手段を具備する半
導体回路パターンの形成装置において、前記第１の支持
手段、第２の支持手段及び第３の支持手段は、各々、原
画パターンの同じ場所を支持することを特徴とする半導
体回路パターンの形成装置が提供される。

【００２５】本発明の第５の態様によれば、原画パター
ン基板を支持する第１の支持手段、該第１の支持手段に
支持された該原画パターン基板上に任意の半導体装置回
路パターンを描画して原画パターンを作成する描画手
段、該原画パターンを支持する第２の支持手段、該第２
の支持手段に支持された該原画パターンに描かれた該回
路パターンの位置座標を計測する座標位置計測手段、該
原画パターンを支持する第３の支持手段、該第３の支持
手段に支持された該回路パターンの欠陥の有無を検査す
る欠陥検査手段と、該原画パターンを支持する第４の支
持手段、及び該第４の支持手段に支持された原画パター
ン上の該回路パターンを半導体ウエハに転写する転写手
段を具備する半導体回路パターンの形成方法において、
前記第１の支持手段、第２の支持手段，第３の支持手段
及び第４の支持手段は、各々、原画パターンの同じ場所
を支持することを特徴とする半導体回路パターンの形成
装置が提供される。

【００２６】本発明の第６の態様によれば、原画パター
ン基板を支持する第１の支持手段、該第１の支持手段に
支持された該原画パターン基板上に任意の半導体装置回
路パターンを描画して原画パターンを作成する描画手
段、該原画パターンを支持する第２の支持手段、該第２
の支持手段に支持された該原画パターンに描かれた回路
パターンの位置座標を計測する座標位置計測手段、該原
画パターンを支持する第３の支持手段、該第３の支持手
段に支持された該原画パターンに描かれた回路パターン
の欠陥の有無を検査する欠陥検査手段、欠陥検査された
該原画パターンを支持する第４の支持手段、該第４の支
持手段に支持された該原画パターン上の回路パターンの
欠陥部分を修正する欠陥修正手段、欠陥を修正された該
原画パターンを支持する第５の支持手段、該第５の支持
手段により支持された該原画パターンを用いて半導体ウ
エハ上に回路パターンを転写する転写手段とを具備する
半導体回路パターンの形成装置において、前記第１の支
持手段、第２の支持手段，第３の支持手段、第４の支持
手段および第５の支持手段は、各々、原画パターンの同
じ場所を支持することを特徴とする半導体回路パターン
の形成装置が提供される。

【００２７】また、本発明の好ましい態様として、以下
の第７ないし第１８の態様があげられる。本発明の第７
の態様は、半導体装置の回路パターン形成方法におい
て、描画工程及び座標位置計測工程における原画パター
ンの支持の改良を示すものである。

【００２８】本発明の第７の態様によれば、少なくとも
第１の支持手段を用いて原画パターン基板を支持し、該
原画パターン基板上に任意の半導体装置回路パターンを
描画して原画パターンを作成する描画工程と、該原画パ
ターンを第２の支持手段を用いて支持し、該原画パター
ンに描かれた回路パターンの位置座標を計測する工程と
を具備する半導体回路パターンの形成方法において、前
記第１の支持手段と第２の支持手段は、各々原画パター
ンの同じ場所を支持することを特徴とする半導体回路パ
ターンの形成方法が提供される。

【００２９】本発明の第８の態様は、半導体装置の回路
パターン形成方法において、描画工程及び転写工程にお
ける原画パターンの支持の改良を示すものである。本発
明の第８の態様によれば、少なくとも第１の支持手段を
用いて原画パターン基板を支持し、該原画パターン基板
上に任意の半導体装置回路パターンを描画して原画パタ
ーンを作成する描画工程と、該原画パターンを第２の支
持手段を用いて支持し、半導体ウエハに回路パターンを
転写する転写工程とを具備する半導体回路パターンの形
成方法において、前記第１の支持手段と第２の支持手段
は、各々、原画パターンの同じ場所を支持することを特
徴とする半導体回路パターンの形成方法が提供される。

【００３０】本発明の第９の態様は、半導体装置の回路
パターン形成方法において、座標位置計測工程及び欠陥
検査工程における原画パターンの支持の改良を示すもの
である。

【００３１】本発明の第９の態様によれば、少なくとも
半導体装置の回路の原画パターンを第１の支持手段を用
いて支持し、該原画パターンに描かれた回路パターンの
位置座標を計測する座標位置計測工程と、該原画パター
ンを第２の手段を用いて支持し、該回路パターンの欠陥
の有無を検査する欠陥検査工程とを具備する半導体回路
パターンの形成方法において、前記第１の支持手段と第
２の支持手段は、各々原画パターンの同じ場所を支持す
ることを特徴とする半導体回路パターンの形成方法が提
供される。

【００３２】本発明の第１０の態様は、半導体装置の回
路パターン形成方法において、座標位置計測工程及び欠
陥修正工程における原画パターンの支持の改良を示すも
のである。

【００３３】本発明の第１０の態様によれば、少なくと
も半導体装置の回路の原画パターンを第１の支持手段を
用いて支持し、該原画パターンに描かれた回路パターン
の位置座標を計測する工程と、該原画パターンを第２の
支持手段を用いて支持し、該回路パターンの欠陥部分を
修正する欠陥修正工程とを具備する半導体回路パターン
の形成方法において、前記第１の支持手段と第２の支持
手段は、各々原画パターンの対向する同じ二辺を支持す
ることを特徴とする半導体回路パターンの形成方法が提
供される。

【００３４】本発明の第１１の態様は、半導体装置の回
路パターン形成方法において、座標位置計測工程及び転
写工程における原画パターンの支持の改良を示すもので
ある。

【００３５】本発明の第１１の態様によれば、少なくと
も半導体装置の回路の原画パターンを第１の支持手段を
用いて支持し、該原画パターンに描かれた回路パターン
の位置座標を計測する位置座標計測工程と、該原画パタ
ーンを第２の手段を用いて支持し、半導体ウエハに該回
路パターンを転写する転写工程とを具備する半導体回路
パターンの形成方法において、前記第１の支持手段と第
２の支持手段は、各々、原画パターンの対向する同じ二
辺を支持することを特徴とする半導体回路パターンの形
成方法が提供される。

【００３６】本発明の第１２の態様は、半導体装置の回
路パターン形成方法において、欠陥検査工程及び欠陥修
正工程における原画パターンの支持の改良を示すもので
ある。

【００３７】本発明の第１２の態様によれば、少なくと
も半導体装置の回路の原画パターンを第１の支持手段を
用いて支持し、該原画パターンに描かれた回路パターン
の欠陥の有無を検査する欠陥検査工程と、該原画パター
ンを第２の支持手段を用いて支持し、欠陥部分を修正す
る欠陥修正工程とを具備する半導体回路パターンの形成
方法において、前記第１の支持手段と第２の支持手段
は、各々、原画パターンの対向する同じ二辺を支持する
ことを特徴とする半導体回路パターンの形成方法が提供
される。

【００３８】本発明の１３の態様によれば、原画パター
ン基板を支持する第１の支持手段、該第１の支持手段に
支持された該原画パターン基板に任意の半導体装置回路
パターンを描画して原画パターンを作成する描画手段、
該原画パターンを支持する第２の支持手段、及び該第２
の支持手段に支持された原画パターンに描かれた回路パ
ターンの位置座標を計測する手段を有する座標位置計測
手段を具備する半導体回路パターンの形成装置におい
て、前記第１の支持手段と第２の支持手段は、各々原画
パターンの同じ場所を支持することを特徴とする半導体
回路パターンの形成装置が提供される。

【００３９】本発明の第１４の態様によれば、原画パタ
ーン基板を支持する第１の支持手段、該第１の支持手段
に支持された該原画パターン基板上に任意の半導体装置
回路パターンを描画して原画パターンを作成する描画手
段、該原画パターンを支持する第２の支持手段、該第２
の支持手段に支持された該原画パターンを用いて半導体
ウエハに回路パターンを転写する転写手段とを具備する
半導体回路パターンの形成装置において、前記第１の支
持手段と第２の支持手段は、各々、原画パターンの同じ
場所を支持することを特徴とする半導体回路パターンの
形成装置が提供される。

【００４０】本発明の１５の態様によれば、半導体装置
の回路の原画パターンを支持する第１の支持手段、該第
１の支持手段に支持された原画パターンに描かれた回路
パターンの位置座標を計測する座標位置計測手段、該原
画パターンを支持する第２の手段、及び該第２の手段に
支持された原画パターン上の回路パターンの欠陥の有無
を検査する欠陥検査手段を具備する半導体回路パターン
の形成方法において、前記第１の支持手段と第２の支持
手段は、各々原画パターンの同じ場所を支持することを
特徴とする半導体回路パターンの形成装置が提供され
る。

【００４１】本発明の１６の態様によれば、半導体装置
の回路の原画パターンを支持する第１の支持手段、該第
１の支持手段に支持された原画パターンに描かれた回路
パターンの位置座標を計測する座標位置計測手段、該原
画パターンを支持する第２の支持手段、及び該第２の支
持手段に支持された該原画パターン上の回路パターンの
欠陥を修正する欠陥修正手段を具備する半導体回路パタ
ーンの形成装置において、前記第１の支持手段と第２の
支持手段は、各々原画パターンの同じ場所を支持するこ
とを特徴とする半導体回路パターンの形成装置が提供さ
れる 本発明の第１７の態様によれば、半導体装置の回路の原
画パターンを支持する第１の支持手段、該第１の支持手
段に支持された原画パターンに描かれた回路パターンの
位置座標を計測する座標位置計測手段、該原画パターン
を支持する第２の手段、及び該第２の手段に支持された
原画パターンを用いて半導体ウエハに回路パターンを転
写する転写手段を具備する半導体回路パターンの形成装
置において、前記第１の支持手段と第２の支持手段は、
各々、原画パターンの同じ場所を支持することを特徴と
する半導体回路パターンの形成装置が提供される。

【００４２】本発明の第１８の態様によれば、半導体装
置の回路の原画パターンを支持する第１の支持手段、該
第１の支持手段に支持された原画パターンに描かれた回
路パターンの欠陥の有無を検査する欠陥検査手段、該原
画パターンを支持する第２の支持手段、及び該第２の支
持手段に支持された原画パターン上の回路パターンの欠
陥部分を修正する欠陥修正手段を具備する半導体回路パ
ターンの形成装置において、前記第１の支持手段と第２
の支持手段は、各々、原画パターンの同じ場所を支持す
ることを特徴とする半導体回路パターンの形成装置が提
供される。

【００４３】

【作用】本発明の第７及び１３，第１０及び第１６の態
様によれば、半導体装置の回路パターンの形成のための
描画工程、座標位置計測工程及び欠陥修正工程におい
て、原画パターンが支持手段により支持されるとき、そ
の自重によって同じようにたわむので、基板表面形状の
変化が少なく、基板表面のパターンのゆがみ、位置ずれ
が起こらない。このため、回路パターンを精度良く転写
することが可能となる。描画工程、座標位置計測工程及
び欠陥修正工程における原画パターンの支持の様子を、
各々図１、図２及び図４に示す。図示するように、これ
らの工程において、原画パターンは、パターン面を上に
して同じ場所を支持されているので、その自重によって
各々同じようにたわむ。

【００４４】本発明の第１ないし第６、第８、第９、第
１１、第１２、第１４、第１５、第１７、及び第１８の
態様によれば、原画パターンは、同じ場所を支持されて
いるが、パターン面の上下が反対である。これらの態様
では、パターン面が上にある図１、図２及び図４と、パ
ターン面が下にある欠陥検査工程における原画パターン
の支持の様子を示す図３と、転写工程における原画パタ
ーンの支持の様子を示す図５とが組み合わされている。
しかしながら、同じ場所を支持されていることにより、
位置ずれの補正を簡単に行なうことができるので、回路
パターンを精度良く転写することが可能となる。

【００４５】

【実施例】本発明の第１及び第４の態様に用いられるレ
チクルの支持方法を、図１、図２及び図４を用いて説明
する。描画装置においては、描画面が基準となるように
レチクルホルダー上部に設けられた基準片にレチクル１
をホルダー下部より押しつけることによって矢印５の方
向に支持されている。このとき描画エリア２は、レチク
ル１の自重によるたわみにより図１に示されるような形
状をとることになる。従って、このとき絶対平面基準で
評価すると描画されたパターン２は設計座標よりも引き
伸ばされたようなパターンとなる（図１１）。

【００４６】位置座標計測装置においては、パターン面
を上としてレチクルホルダー上部に設けられた真空チャ
ック部にレチクル下部を吸着することによって矢印５の
方向に支持される。このとき描画エリアは、レチクル１
の自重によるたわみにより図２に示されるような形状を
とることになる。従って、このとき絶対平面基準で評価
すると描画されたパターン２は、描画装置の場合と同様
に設計座標よりも引き伸ばされたようなパターンとなる
（図１１）。

【００４７】転写装置においては、パターン面を下にし
て、レチクルステージ上部に設けられた真空チャック
部、レチクル下部を吸着することによって矢印５の方向
に支持される。このとき描画エリア２は、レチクル１の
自重によるたわみにより、図５に示されるような形状を
とることになる。従って、このとき絶対平面基準で評価
すると描画されたパターン２は、設計座標よりも縮めら
れたようなパターンとなる（図１２）。

【００４８】ここで、描画装置のレチクルホルダーのレ
チクル支持部４と、座標位置計測装置のレチクル支持部
４及び転写装置のレチクル支持部４を、各々レチクル１
に対して同じ位置になるように設けると、支持されると
きのパターン面は、上下に分かれるため、自重によっ
て、描画装置及び座標位置計測装置では拡大、転写装置
では縮小する。しかし、厚いマスクを使うことにより、
自重による寸法変化分は低減可能である。従って、支持
位置を同じ場所とすることにより同じように自重によっ
てたわむため、転写された時と同じ状態でパターン２を
描画、及びパターン２の寸法測定することが可能とな
る。

【００４９】これら一連のシーケンスに従えば、自重た
わみによって起きるパターンの伸縮方向が異なることに
起因する寸法誤差程度は生じる可能性はあるものの、支
持点４がレチクル１の表面と裏面を挟んで同じ場所で行
われるため、それ以外の誤差成分が発生する恐れがなく
なる。故に、転写装置において転写されるパターンの寸
法精度を向上させるために非常に有効である。

【００５０】続いて本発明の第２及び第５の態様に用い
られるレチクルの支持方法を図１、図２、図３、及び図
５を用いて説明する。描画装置においては、描画面が基
準となるようにレチクルホルダー上部に設けられた基準
片にレチクル１をホルダー下部より押しつけることによ
って矢印５の方向に支持されている。このとき描画エリ
アは、レチクル１の自重によるたわみにより図１に示さ
れるような断面形状をとることになる。従って、このと
き絶対平面基準で評価すると、描画されたパターン２は
設計座標よりも引き伸ばされたようなパターンとなる
（図１１）。

【００５１】位置座標計測装置においては、パターン面
を上としてレチクルホルダー上部に設けられた真空チャ
ック部にレチクル下部を吸着することによって矢印５の
方向に支持される。このとき描画エリア２は、レチクル
１の自重によるたわみにより図２に示されるような形状
をとることになる。従って、このとき絶対平面基準で評
価すると描画されたパターン１は、描画装置の場合と同
様に設計座標よりも引き伸ばされたようなパターンとな
る（図１１）。

【００５２】欠陥検査装置においては、パターン面を下
にしてレチクルステージ上部に設けられた真空チャック
部にレチクル下部を吸着することによって矢印５の方向
に保持される。このとき描画エリア２は、レチクル１の
自重によるたわみにより図３に示されるような形状をと
ることになる。従って、このとき絶対平面基準で評価す
ると描画されたパターン２は、設計座標よりも縮められ
たようなパターンとなる（図１２）。

【００５３】転写装置においては、パターン面を下にし
てレチクルステージ上部に設けられた真空チャック部に
レチクル下部を吸着することによって矢印５に示す方向
に支持される。このとき描画エリア２は、レチクル１の
自重によるたわみにより図５に示されるような形状をと
ることになる。従って、このとき絶対平面基準で評価す
ると描画されたパターン１は、欠陥検査装置の場合と同
様に設計座標よりも縮められたようなパターン１となる
（図１２）。

【００５４】ここで、描画装置のレチクルホルダーのレ
チクル支持部４と、座標位置計測装置のレチクル支持部
４、欠陥検査装置のレチクル支持部４及び転写装置のレ
チクル支持部４を同じにすると、支持されているときの
パターン面は上下に分かれるため、自重によって、描画
装置及び座標位置計測装置では拡大、欠陥検査装置及び
転写装置では縮小する。しかし、厚いマスクを使うこと
により、自重による寸法変化分は低減可能である。

【００５５】これら一連のシーケンスに従えば、自重た
わみによって起きるパターンの伸縮方向が異なることに
起因する寸法誤差程度は生じるものの、支持点４がレチ
クルの表面と裏面を挟んで同じ場所で行われるため、そ
れ以外の誤差成分が発生する恐れがなくなる。故に、転
写装置において転写されるパターンの寸法精度を向上さ
せるために非常に有効である。

【００５６】本発明における第３及び第６の態様によれ
ば図１ないし５に示すようなレチクル断面形状の履歴を
とることが最も望ましい。これらの図は、本発明におい
て転写装置に使用されるレチクル１が、描画装置、位置
座標計測装置、欠陥検査装置および欠陥修正装置におい
て、それぞれレチクル１の描画、寸法精度測定、欠陥検
査および欠陥修正が行われるときのレチクル固定時の断
面形状の履歴を示したものである。

【００５７】描画装置においては、描画面が基準となる
ようにレチクルホルダー上部に設けられた基準片にレチ
クル１をホルダー下部より押しつけることによって矢印
５に示す方向に支持されている。このとき描画エリア２
は、レチクル１の自重によるたわみにより図１に示され
るような断面形状をとることになる。従って、このとき
絶対平面基準で評価すると描画されたパターンは設計座
標よりも引き伸ばされたようなパターンとなる（図１
１）。

【００５８】位置座標計測装置においては、パターン面
を上としてレチクルホルダー上部に設けられた真空チャ
ック部にレチクル下部を吸着することによって矢印５の
方向に支持される。このとき描画エリア２は、レチクル
１の自重によるたわみにより図２に示されるような形状
をとることになる。従って、このとき絶対平面基準で評
価すると描画されたパターンは、描画装置の場合と同様
に設計座標よりも引き伸ばされたようなパターンとなる
（図１１）。

【００５９】欠陥検査装置においては、パターン面を下
にしてレチクルステージ上部に設けられた真空チャック
部のレチクル下部を吸着することによって矢印５の方向
に支持される。このとき描画エリア２は、レチクル１の
自重によるたわみにより図３に示されるような形状をと
ることになる。従って、このとき絶対平面基準で評価す
ると描画されたパターンは、設計座標よりも縮められた
パターンとなる（図１２）。

【００６０】欠陥修正装置においては、パターン面が基
準となるようにレチクルホルダー上部に設けられた基準
片にレチクル１をホルダー下部より押しつけることによ
って矢印５の方向に支持されている。このとき描画エリ
ア２は、レチクル１の自重によるたわみにより図４に示
されるような形状をとることになる。従って、このとき
絶対平面基準で評価すると描画されたパターンは設計座
標よりも引き伸ばされたようなパターンとなる（図１
１）。

【００６１】転写装置においては、パターン面を下にし
てレチクルステージ上部に設けられた真空チャック部に
レチクル下部を吸着することによって矢印５の方向に支
持される。このとき描画エリア２は、レチクル１の自重
によるたわみにより図５に示されるような形状をとるこ
とになる。従って、このとき絶対平面基準で評価すると
描画されたパターン２は、欠陥検査装置の場合と同様に
設計座標よりも縮められたようなパターンとなる（図１
２）。

【００６２】ここで、描画装置のレチクルホルダーのレ
チクル支持部４と、座標位置計測装置のレチクル支持部
４、欠陥検査装置のレチクル支持部４、欠陥修正装置の
レチクル支持部４及び転写装置のレチクル支持部４を各
々レチクルに対して同じ位置に設けるようにすると、支
持されるときのパターン面は上下に分かれるため自重に
よって描画装置、座標位置計測装置及び欠陥修正装置で
は拡大、欠陥検査装置及び転写装置では縮小する。しか
し、厚いマスクを使うことにより、自重による寸法変化
分は低減可能である。従って、支持位置を同じ場所とす
ることにより同じように自重によってたわむため、転写
される時とほぼ同じ状態でパターンを描画、パターンの
寸法測定及び欠陥の検査をすることが可能となる。

【００６３】本発明の第７及び第１３の態様に用いられ
る原画パターン例えばレチクルの支持方法を図１及び図
２を用いて説明する。描画装置においては、描画面が基
準となるようにレチクルホルダー上部に設けられた基準
片に、レチクル１をホルダー下部より押しつけることに
よって保持されている。このとき、描画エリアは、レチ
クル１の自重によるたわみにより、図１に示されるよう
な形状をとる。このとき，パターン面は上にある。これ
を絶対平面基準で評価すると、描画されたパターン２
は、設計座標よりも引き伸ばされたようなパターンとな
り、水平状態にすると、矢印１３の方向に縮められる。
その様子を図１１に示す。

【００６４】座標位置計測装置においては、パターン面
を上としてレチクルホルダー上部に設けられた真空チャ
ック部にレチクル１下部を吸着することによって矢印５
の方向に支持される。このとき測定エリアは、レチクル
１の自重によるたわみにより図２に示されるような形状
をとることになる。従って、このとき絶対平面基準で評
価すると描画されたパターン２は、描画装置の場合と同
様に設計座標よりも引き伸ばされたようなパターンとな
る（図１１）。

【００６５】ここで、描画装置のレチクルホルダーのレ
チクル支持部４と、座標位置測定装置のレチクル支持部
４をレチクル１の同じ位置に設置すると共にパターン面
が上にあるため自重によって拡大する。

【００６６】これにより、レチクル１上のパターン２
は、同じように自重によってたわむため、座標位置測定
装置においても、描画された時と同じ状態でパターン２
を評価することが可能となる。これにより描画されたパ
ターン２がレチクル１の支持位置が変わるために生じる
レチクル形状変化に基づく寸法変化を受けなくなり、描
画装置の描画精度を精度良く評価することが可能とな
り、非常に有効である。

【００６７】続いて、本発明の第８及び第１４の態様に
用いられるレチクルの支持方法を、図１及び図５を用い
て説明する。描画装置においては、描画面が基準となる
ようにレチクルホルダー上部に設けられた基準片にレチ
クル１をホルダー下部より押しつけることによって矢印
５の方向に支持されている。このとき描画エリアは、レ
チクル１の自重によるたわみにより図１に示されるよう
な形状をとることになる。従って、このとき絶対平面基
準で評価すると描画されたパターン２は設計座標よりも
引き伸ばされたようなパターンとなる（図１１）。

【００６８】転写装置において、パターン面を下にして
レチクルステージ上部に設けられた真空チャック部にレ
チクル下部を吸着することによって矢印５の方向に保持
される。このとき描画エリアは、レチクル１の自重によ
るたわみにより図５に示されるような断面形状をとるこ
とになる。従って、このとき絶対平面基準で評価すると
描画されたパターン２は、設計座標よりも縮められたよ
うなパターンとなる。水平状態では、矢印２３に示すよ
うに引き伸ばされる。この様子を図１２に示す。

【００６９】ここで、描画装置のレチクルホルダーのレ
チクル支持部４と、測定装置のレチクル支持部４をレチ
クル１の同じ場所側に設置すると、パターン面が上下に
分かれるため自重によってそれぞれ拡大、縮小する。

【００７０】このとき図１ないし図５において、それぞ
れのレチクルの支持点４がパターン面上部より見たとき
図１３に示すような１８０度回転対称の位置に配置され
ている場合には、パターンが左右に引き伸ばされるだけ
であり、描画装置または転写装置側でも補正することが
可能な倍率誤差成分のみとなる。

【００７１】この誤差成分が無視できない場合には、た
わみ量の少ない厚いレチクルを使用するという手段や、
計算によりたわみによるパターン位置ずれ量を算出して
おき描画の際にこの位置ずれ量を考慮することによっ
て、即ち最初から伸び縮みを考慮して若干基板が延ばさ
れる方向に対してはパターン２を短めに描画することに
よって補正することは可能である。

【００７２】また、図１４に示すような３点支持のよう
な１２０度回転対称の支持点配置の場合や図１５に示す
ようなレチクル周囲を全部を固定するような９０度回転
対称の支持点配置の場合は、自重たわみ方向により倍率
誤差成分以外に直交度や台形誤差など様々な成分の誤差
が発生する恐れがある。

【００７３】ただし、本発明のような寸法誤差を発生さ
せる主要因が自重たわみだけである場合で、１８０度回
転対称の場合と同様にこの誤差成分が無視できないとき
には、たわみ量の少ない厚いレチクルを使用するという
手段や、計算によりたわみによるパターン位置ずれ量を
予め算出しておき、描画の際にこの位置ずれ量を考慮し
て、描画されたレチクルを使用することは可能である。

【００７４】これにより、描画されたパターンがレチク
ルの支持位置が変わるために生じるレチクル形成変化に
基づく寸法変化を受けなくなるため、転写されるパター
ンの寸法精度を向上させるために非常に有効である。

【００７５】本発明の第９及び第１５の態様に用いられ
るレチクルの支持方法を図２及び図３を用いて説明す
る。座標位置計測装置においては、パターン面を上とし
てレチクルホルダー上部に設けられた真空チャック部に
レチクル下部を吸着することによって矢印５の方向に支
持される。このとき描画エリア２は、レチクル１の自重
によるたわみにより図２に示されるような形状をとるこ
とになる。従って、このとき絶対平面基準で評価すると
描画されたパターン２は、描画装置の場合と同様に設計
座標よりも引き伸ばされたようなパターンとなる（図１
１）。

【００７６】欠陥検査装置においては、パターン面を下
にしてレチクルステージ上部に設けられた真空チャック
部にレチクル下部を吸着することによって矢印５の方向
に保持される。このとき描画エリア２は、レチクル１の
自重によるたわみにより図３に示されるような形状をと
ることになる。従って、このとき絶対平面基準で評価す
ると描画されたパターン２は、設計座標よりも縮められ
たようなパターンとなる（図１２）。

【００７７】ここで、欠陥検査装置のレチクルホルダー
のレチクル支持部４と、座標位置測定装置のレチクル支
持部４をレチクル１の同じ場所側に設けることにより、
パターン面が上下に分かれるため自重によってそれぞれ
拡大、縮小する。しかし、厚いマスクを使うことによ
り、自重による寸法変化分は低減可能である。

【００７８】これにより、本発明の第９及び第１５の態
様によれば、座標位置計測装置で評価されたパターン
が、レチクルの支持位置が変わるために生じるレチクル
形状変化に基づく寸法変化を受け難くなるため、座標位
置計測装置から得られるパターン寸法を考慮して欠陥検
査することが可能となる。すなわち、レチクル形状変化
に伴う寸法変化分とパターン欠陥との識別が可能とな
り、パターンの欠陥検出精度を向上させるために非常に
有効である。

【００７９】続いて、本発明の第１０及び第１６の態様
に用いられるレチクルの支持方法を図２及び図４を用い
て説明する。座標位置計測装置においては、パターン面
を上としてレチクルホルダー上部に設けられた真空チャ
ック部にレチクル下部を吸着することによって矢印５の
方向に支持される。このとき描画エリア２は、レチクル
１の自重によるたわみにより，図２に示されるような断
面形状をとることになる。従って、このとき絶対平面基
準で評価すると，描画されたパターン２は、描画装置の
場合と同様に設計座標よりも引き伸ばされたようなパタ
ーンとなる（図１１）。

【００８０】欠陥修正装置においては、パターン面が基
準となるようにレチクルホルダー上部に設けられた基準
片にレチクル１をホルダー下部より押しつけることによ
って矢印５の方向に支持されている。このとき描画エリ
ア２は、レチクル１の自重によるたわみにより図４に示
されるような断面形状をとることになる。従って、この
とき絶対平面基準で評価すると、描画されたパターン２
は、同様に設計座標よりも引き伸ばされたようなパター
ンとなる（図１１）。

【００８１】ここで、欠陥修正装置のレチクル支持部４
と座標位置計測装置のレチクル支持部４をレチクル１の
同じ位置に設けると、座標位置計測装置で評価されたパ
ターン２が、レチクルの支持位置が変わるために生じる
レチクル形状変化に基づく寸法変化を受けなくなるた
め、座標位置計測装置から得られるパターン寸法判定結
果を直接フィードバックして、所望の欠陥部分について
修正することが可能となる。

【００８２】すなわち、レチクル形状変化に伴う寸法変
化によりパターン形状が変わらなくなるため、マスク内
の任意のパターン座標位置基準マークに対して測定器か
ら得られるパターン欠陥部分の相対位置関係が変わらな
くなる。従って、レチクル形状変化に伴う寸法変化分と
パターン欠陥との識別が可能となり、欠陥修正精度を向
上させるために非常に有効である。

【００８３】続いて、本発明の第１１及び第１７の態様
に用いられるレチクルの支持方法を図２及び図５を用い
て説明する。座標位置計測装置においては、パターン面
を上としてレチクルホルダー上部に設けられた真空チャ
ック部にレチクル下部を吸着することによって矢印５の
方向に支持される。このとき描画エリア２は、レチクル
１の自重によるたわみにより図２に示されるような形状
をとることになる。従って、このとき絶対平面基準で評
価すると描画されたパターン２は、描画装置の場合と同
様に設計座標よりも引き伸ばされたようなパターンとな
る（図１１）。

【００８４】転写装置においては、パターン面を下にし
てレチクルステージ上部に設けられた真空チャック部に
レチクル下部を吸着することによって矢印５の方向に支
持される。このとき描画エリア２は、レチクル１の自重
によるたわみにより図５に示されるような形状をとるこ
とになる。従って、このとき絶対平面基準で評価すると
描画されたパターン２は、設計座標よりも縮められたよ
うなパターンとなる（図１２）。

【００８５】ここで転写装置のレチクルホルダーのレチ
クル支持部４と、座標位置計測装置のレチクル支持部４
をレチクル１の同じ位置にすると、パターン面が上下に
分かれるため、自重によってそれぞれ拡大、縮小する。
しかし、厚いマスクを使うことにより、自重による寸法
変化分は低減可能である。従って、同じように自重によ
ってたわむため転写される時とほぼ同じ状態でパターン
２を評価することが可能となる。これにより転写された
パターン２が、レチクルの支持位置が変わるために生じ
るレチクル形状変化に基づく寸法変化を受けなくなるた
め、転写されるパターンの寸法精度を精度良く評価する
ことが可能となり、非常に有効である。

【００８６】続いて本発明の第１２及び第１８の態様に
用いられるレチクルの支持方法を図３及び図４を用いて
説明する。欠陥検査装置においては、パターン面を下に
してレチクルステージ上部に設けられた真空チャック部
にレチクル下部を吸着することによって矢印５の方向に
支持される。このとき描画エリア２は、レチクル１の自
重によるたわみにより図３に示されるような形状をとる
ことになる。従って、このとき絶対平面基準で評価する
と、描画されたパターン２は、設計座標よりも縮められ
たようなパターンとなる（図１２）。

【００８７】欠陥修正装置においては、パターン面が基
準となるように、レチクル１を、レチクルホルダー上部
に設けられた基準片に、ホルダー下部より押しつけるこ
とによって矢印５の方向に支持されている。このとき描
画エリア２は、レチクル１の自重によるたわみにより図
４に示されるような断面形状をとる。従って、このとき
絶対平面基準で評価すると、描画されたパターン２は、
設計座標よりも引き伸ばされたようなパターンとなる
（図１１）。

【００８８】ここで欠陥検査装置のレチクルホルダーの
レチクル支持部４と、欠陥修正装置のレチクル支持部４
をレチクル１の同じ位置に設けると、パターン面が上下
に分かれるため、自重によって、それぞれ縮小、拡大す
る。しかし、厚いマスクを使うことにより、自重による
寸法変化分は低減可能である。従って、同じように自重
によってたわむため、欠陥が検査された時とほぼ同じ状
態でパターン欠陥部分を修正することが可能となる。こ
れにより欠陥が検査されたパターン２が、レチクルの支
持位置が変わるために生じるレチクル形状変化に基づく
寸法変化を受けなくなるため、欠陥修正装置においてパ
ターン欠陥部分を確実に修正することが可能となり非常
に有効である。

【００８９】これら一連のシーケンスに従えば、自重た
わみによって起きるパターンの伸縮方向が異なることに
起因する寸法誤差程度は生じるものの、支持点がレチク
ルの表面と裏面を挟んで同じ場所で行われるため、それ
以外の誤差成分が発生する恐れがなくなる。故に、転写
装置において転写されるパターンの寸法精度を向上させ
るために非常に有効である。

【００９０】なお、上記描画装置としては、例えば電子
線を利用するＥＢ描画装置、イオンビームを利用するイ
オンビーム描画装置またはレーザービームによるレーザ
ービーム描画装置などがあげられる。また、本発明の転
写装置は、Ｘ線、可視光、電子線またはイオンビームな
ど光源の種類によらず、どのような転写装置にも転写装
置適応可能である。また上記欠陥検査装置は、基板上の
欠陥の場所や種類などを設計データあるいは同じマスク
との比較により検査する欠陥検査装置等にも同様に適応
可能である。さらに基板は、ウエハ、レチクルおよびＸ
線マスク等にも同様に適用することは可能である。

【００９１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、従
来考慮されていなかった描画装置、パターン座標位置計
測装置、欠陥検査装置および転写装置等の装置間に存在
するマスク固定時の支持位置の違いと基板の弾性変形に
よって生じる基板の表面形状の変化と、それに伴って起
こる基板表面のパターンのゆがみを、時間及び面倒な手
間をかけずに小さくすることが可能となる。このように
して、本発明によれば、半導体回路パターンを、容易
に、精度良く転写することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による描画装置のレチクル支持位置と
レチクル形状を示す説明図

【図２】 本発明による座標位置計測装置のレチクル支
持位置とレチクル形状を示す説明図

【図３】 本発明による欠陥検査装置のレチクル支持位
置とレチクル形状を示す説明図

【図４】 本発明による欠陥修正装置のレチクル支持位
置とレチクル形状を示す説明図

【図５】 本発明による転写装置のレチクル支持位置と
レチクル形状を示す説明図

【図６】 従来の描画装置のレチクル支持位置とレチク
ル形状を示す説明図

【図７】 従来の座標位置計測装置のレチクル支持位置
とレチクル形状を示す説明図

【図８】 従来の欠陥検査装置のレチクル支持位置とレ
チクル形状を示す説明図

【図９】 従来の欠陥修正装置のレチクル支持位置とレ
チクル形状を示す説明図

【図１０】 従来の転写装置のレチクル支持位置とレチ
クル形状を示す説明図

【図１１】 パターン面を上にして支持されることによ
りパターンが絶対平面に対して引き延ばされることを説
明するレチクルの断面図

【図１２】 パターン面を下にして支持されることによ
りパターンが絶対平面に対して縮められることを説明す
るレチクルの断面図

【図１３】 １８０度回転対称となる支持点の配置を説
明する平面図

【図１４】 １２０度回転対称となる支持点の配置を説
明する平面図

【図１５】 ９０度回転対称となる支持点の配置を説明
する平面図

【符号の説明】

１…レチクル ２…半導体装置のパターン ３…支持点と同一面あるいは反対面にあるときのパター
ン伸縮方向 ４…支持点 ５…支持方向

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 東條 徹 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも第１の支持手段を用いて原画
   パターン基板を支持し、該原画パターン基板上に任意の
   半導体装置回路パターンを描画して原画パターンを作成
   する描画工程と、該原画パターンを第２の支持手段を用
   いて支持し、該原画パターンに描かれた回路パターンの
   位置座標を計測する座標位置計測工程と、該原画パター
   ンを第３の支持手段を用いて支持し、該回路パターンを
   半導体ウエハ上に転写する転写工程とを具備する半導体
   回路パターンの形成方法において、前記第１の支持手
   段、第２の支持手段及び第３の支持手段は、各々、原画
   パターンの同じ場所を支持することを特徴とする半導体
   回路パターンの形成方法。
2. 【請求項２】 少なくとも第１の支持手段を用いて原画
   パターン基板を支持し、該原画パターン基板上に任意の
   半導体装置回路パターンを描画して原画パターンを作成
   する描画工程と、該原画パターンを第２の支持手段を用
   いて支持し、該原画パターンに描かれた回路パターンの
   位置座標を計測する座標位置計測工程と、該原画パター
   ンを第３の支持手段を用いて支持し、該回路パターンの
   欠陥の有無を検査する欠陥検査工程と、該原画パターン
   を第４の支持手段を用いて支持し、該回路パターンを半
   導体ウエハ上に転写する転写工程とを具備する半導体回
   路パターンの形成方法において、前記第１の支持手段、
   第２の支持手段，第３の支持手段及び第４の支持手段
   は、各々、原画パターンの同じ場所を支持することを特
   徴とする半導体回路パターンの形成方法。
3. 【請求項３】 少なくとも第１の支持手段を用いて原画
   パターン基板を支持し、該原画パターン基板上に任意の
   半導体装置回路パターンを描画して原画パターンを作成
   する描画工程と、該原画パターンを第２の支持手段を用
   いて支持し、該原画パターンに描かれた回路パターンの
   位置座標を計測する座標位置計測工程と、該原画パター
   ンを第３の支持手段を用いて支持し、該回路パターンの
   欠陥の有無を検査する欠陥検査工程と、欠陥検査された
   原画パターンを第４の支持手段を用いて支持し、欠陥部
   分を修正する欠陥修正工程と、欠陥を修正された原画パ
   ターンを第５の支持手段を用いて支持し、修正された回
   路パターンを半導体ウエハ上に転写する転写工程とを具
   備する半導体回路パターンの形成方法において、前記第
   １の支持手段、第２の支持手段，第３の支持手段、第４
   の支持手段および第５の支持手段は、各々、原画パター
   ンの同じ場所を支持することを特徴とする半導体回路パ
   ターンの形成方法。
4. 【請求項４】 原画パターン基板を支持する第１の支持
   手段、該第１の支持手段に支持された該原画パターン基
   板上に任意の半導体装置回路パターンを描画して原画パ
   ターンを作成する描画手段、該原画パターンを支持する
   第２の支持手段、該第２の支持手段に支持された該原画
   パターンに描かれた該回路パターンの位置座標を計測す
   る座標位置計測手段、該原画パターンを支持する第３の
   支持手段、及び該第３の支持手段に支持された原画パタ
   ーンを用いて、半導体ウエハ上に回路パターンを転写す
   る転写手段を具備する半導体回路パターンの形成装置に
   おいて、前記第１の支持手段、第２の支持手段及び第３
   の支持手段は、各々、原画パターンの同じ場所を支持す
   ることを特徴とする半導体回路パターンの形成装置。
5. 【請求項５】 原画パターン基板を支持する第１の支持
   手段、該第１の支持手段に支持された該原画パターン基
   板上に任意の半導体装置回路パターンを描画して原画パ
   ターンを作成する描画手段、該原画パターンを支持する
   第２の支持手段、該第２の支持手段に支持された該原画
   パターンに描かれた該回路パターンの位置座標を計測す
   る座標位置計測手段、該原画パターンを支持する第３の
   支持手段、該第３の支持手段に支持された該回路パター
   ンの欠陥の有無を検査する欠陥検査手段と、該原画パタ
   ーンを支持する第４の支持手段、及び該第４の支持手段
   に支持された原画パターン上の該回路パターンを半導体
   ウエハに転写する転写手段を具備する半導体回路パター
   ンの形成方法において、前記第１の支持手段、第２の支
   持手段，第３の支持手段及び第４の支持手段は、各々、
   原画パターンの同じ場所を支持することを特徴とする半
   導体回路パターンの形成装置。
6. 【請求項６】 原画パターン基板を支持する第１の支持
   手段、該第１の支持手段に支持された該原画パターン基
   板上に任意の半導体装置回路パターンを描画して原画パ
   ターンを作成する描画手段、該原画パターンを支持する
   第２の支持手段、該第２の支持手段に支持された該原画
   パターンに描かれた回路パターンの位置座標を計測する
   座標位置計測手段、該原画パターンを支持する第３の支
   持手段、該第３の支持手段に支持された該原画パターン
   に描かれた回路パターンの欠陥の有無を検査する欠陥検
   査手段、欠陥検査された該原画パターンを支持する第４
   の支持手段、該第４の支持手段に支持された該原画パタ
   ーン上の回路パターンの欠陥部分を修正する欠陥修正手
   段、欠陥を修正された該原画パターンを支持する第５の
   支持手段、該第５の支持手段により支持された該原画パ
   ターンを用いて半導体ウエハ上に回路パターンを転写す
   る転写手段とを具備する半導体回路パターンの形成装置
   において、前記第１の支持手段、第２の支持手段，第３
   の支持手段、第４の支持手段および第５の支持手段は、
   各々、原画パターンの同じ場所を支持することを特徴と
   する半導体回路パターンの形成装置。