JPH08167608A - 配線構造および液晶素子 - Google Patents
配線構造および液晶素子Info
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＴＯと導電部材が接続する配線構造におい
て、導電部材の酸化を抑え、接触抵抗の増加を防止す
る。 【構成】 インジウム錫酸化物導電部材１４と他の導電
部材２２が介在体２８を介して接続され、該介在体が、
ＳｎＯ2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標
準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成さ
れていることを特徴とする。 【効果】 消費電力の増大や起動不良等を防止すること
ができる。
て、導電部材の酸化を抑え、接触抵抗の増加を防止す
る。 【構成】 インジウム錫酸化物導電部材１４と他の導電
部材２２が介在体２８を介して接続され、該介在体が、
ＳｎＯ2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標
準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成さ
れていることを特徴とする。 【効果】 消費電力の増大や起動不良等を防止すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶素子の画素電極等
に用いられるインジウム錫酸化物を導電部材と接続する
配線構造に関するもので、接続抵抗の低減を図ったもの
である。
に用いられるインジウム錫酸化物を導電部材と接続する
配線構造に関するもので、接続抵抗の低減を図ったもの
である。
【０００２】
【従来の技術】液晶素子は、１つの基板上に、薄膜トラ
ンジスタなどのスイッチング素子と、透明な画素電極が
形成され、この基板と対になるもう１つの基板との間に
液晶を挟み込み、さらに偏光板や配向膜、必要に応じて
カラーフィルタ等が配置されて概略構成される。こうし
た液晶素子を具備してなる液晶表示装置は、軽量、小
型、薄型化が容易で、さらに消費電力が低いなどの特長
を有している。
ンジスタなどのスイッチング素子と、透明な画素電極が
形成され、この基板と対になるもう１つの基板との間に
液晶を挟み込み、さらに偏光板や配向膜、必要に応じて
カラーフィルタ等が配置されて概略構成される。こうし
た液晶素子を具備してなる液晶表示装置は、軽量、小
型、薄型化が容易で、さらに消費電力が低いなどの特長
を有している。
【０００３】こうした液晶素子の要部を図４に示す。図
４に示す液晶素子においては、ガラスなどの透明な基板
１０上に、走査電極線と接続したＣｕなどの導電部材か
らなるゲート電極１２と、インジウム錫酸化物（以下、
ＩＴＯと略記する）からなる導電部材で形成された画素
電極１４が形成される。そして、これらを覆うように、
ＳｉＮxなどの絶縁材からなる絶縁層１６が積層されて
いる。さらに、ゲート電極１２の上方であって絶縁層１
６上には、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる
半導体層１８が設けられ、さらにその半導体層１８上に
アルミニウムやＣｒ等の導電部材からなるソース電極２
０とドレイン電極２２とが形成されて概略構成されてい
る。この際、半導体層１８の最上層は、リンまたは不純
物イオンをドープしたアモルファスシリコン（ｎ+ａ−
Ｓｉ）からなる所謂オーミックコンタクト層２４とされ
ている。また、ドレイン電極２２は、絶縁層１６に開け
られたコンタクトホール２６を介して基板１０上に形成
された画素電極１４に接続されている。
４に示す液晶素子においては、ガラスなどの透明な基板
１０上に、走査電極線と接続したＣｕなどの導電部材か
らなるゲート電極１２と、インジウム錫酸化物（以下、
ＩＴＯと略記する）からなる導電部材で形成された画素
電極１４が形成される。そして、これらを覆うように、
ＳｉＮxなどの絶縁材からなる絶縁層１６が積層されて
いる。さらに、ゲート電極１２の上方であって絶縁層１
６上には、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる
半導体層１８が設けられ、さらにその半導体層１８上に
アルミニウムやＣｒ等の導電部材からなるソース電極２
０とドレイン電極２２とが形成されて概略構成されてい
る。この際、半導体層１８の最上層は、リンまたは不純
物イオンをドープしたアモルファスシリコン（ｎ+ａ−
Ｓｉ）からなる所謂オーミックコンタクト層２４とされ
ている。また、ドレイン電極２２は、絶縁層１６に開け
られたコンタクトホール２６を介して基板１０上に形成
された画素電極１４に接続されている。
【０００４】また、図示していないが、これら絶縁層１
６とソース電極２０とドレイン電極２２などを覆って、
絶縁材からなるパシベーション層等が設けられる。さら
にまた、液晶素子として、このパシベーション層には配
向膜が形成され、この配向膜の上方には、間隔をおいて
配向膜を備えた透明基板が配置される。そして、対とな
った両基板の配向膜間に液晶が封入される。こうした液
晶素子では、画素電極により液晶の分子に電界を印加す
ると、液晶分子の配向制御ができるようになっている。
６とソース電極２０とドレイン電極２２などを覆って、
絶縁材からなるパシベーション層等が設けられる。さら
にまた、液晶素子として、このパシベーション層には配
向膜が形成され、この配向膜の上方には、間隔をおいて
配向膜を備えた透明基板が配置される。そして、対とな
った両基板の配向膜間に液晶が封入される。こうした液
晶素子では、画素電極により液晶の分子に電界を印加す
ると、液晶分子の配向制御ができるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような液晶素
子においては、ＩＴＯの画素電極１４と接続している導
電部材のドレイン電極２２が、次第に酸化してくるとい
う問題があった。こうした酸化現象は、ＩＴＯとの接触
部分において特に起こりやすく、ＩＴＯとの接触界面に
酸化膜が生成されることがある。また、こうした酸化現
象は、導電部材がアルミニウムのときに特に生じやすい
傾向がある。こうした酸化現象が生じると、酸化物（例
えば、Ａｌ2Ｏ3）は一般に絶縁体であるため、接触抵抗
が増大し、消費電力の増大や起動不良等が起こりやすく
なる問題があった。
子においては、ＩＴＯの画素電極１４と接続している導
電部材のドレイン電極２２が、次第に酸化してくるとい
う問題があった。こうした酸化現象は、ＩＴＯとの接触
部分において特に起こりやすく、ＩＴＯとの接触界面に
酸化膜が生成されることがある。また、こうした酸化現
象は、導電部材がアルミニウムのときに特に生じやすい
傾向がある。こうした酸化現象が生じると、酸化物（例
えば、Ａｌ2Ｏ3）は一般に絶縁体であるため、接触抵抗
が増大し、消費電力の増大や起動不良等が起こりやすく
なる問題があった。
【０００６】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、ＩＴＯと導電部材が接続する配線構造におい
て、導電部材の酸化を抑え、接触抵抗の増加を防止する
ことにある。
たもので、ＩＴＯと導電部材が接続する配線構造におい
て、導電部材の酸化を抑え、接触抵抗の増加を防止する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の配線構造
は、インジウム錫酸化物よりなる導電部材と第２の導電
部材とが介在体を介して接続され、該介在体が、ＳｎＯ
2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成
エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成されてい
ることを特徴とするものである。
は、インジウム錫酸化物よりなる導電部材と第２の導電
部材とが介在体を介して接続され、該介在体が、ＳｎＯ
2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成
エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成されてい
ることを特徴とするものである。
【０００８】請求項２記載の発明は、介在体が、銅また
は銀であることを特徴とする請求項１記載の配線構造で
ある。
は銀であることを特徴とする請求項１記載の配線構造で
ある。
【０００９】請求項３記載の配線構造は、インジウム錫
酸化物よりなる第１の導電部材と不純物が添加されたシ
リコンとが介在体を介して接続され、該介在体が、Ｓｎ
Ｏ2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生
成エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成されて
いることを特徴とするものである。
酸化物よりなる第１の導電部材と不純物が添加されたシ
リコンとが介在体を介して接続され、該介在体が、Ｓｎ
Ｏ2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生
成エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成されて
いることを特徴とするものである。
【００１０】本発明の液晶素子は、薄膜トランジスタの
オーミックコンタクト層と、インジウム錫酸化物からな
る画素電極が、ＳｎＯ2の標準生成エンタルピーよりも
マイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない
導電体を間に介して接続されていることを特徴とするも
のである。
オーミックコンタクト層と、インジウム錫酸化物からな
る画素電極が、ＳｎＯ2の標準生成エンタルピーよりも
マイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない
導電体を間に介して接続されていることを特徴とするも
のである。
【００１１】
【作用】本発明においては、介在体として、ＳｎＯ2の
標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エン
タルピーの酸化物にならない導電体を使用することを必
須とする。各種酸化物の標準生成エンタルピー（ΔHf゜
(KJ/mol)）を表１に示す。
標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エン
タルピーの酸化物にならない導電体を使用することを必
須とする。各種酸化物の標準生成エンタルピー（ΔHf゜
(KJ/mol)）を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１に示されているように、本発明で基準
とするＳｎＯ2の標準生成エンタルピー（ΔHf゜）は、−
５８１(KJ/mol)である。したがって、原則として、この
値よりも大きい標準生成エンタルピーを有する金属酸化
物（No.１〜３６）を生成する金属及び合金が介在体と
して使用することができる。しかし、標準生成エンタル
ピーの大きいＭｎＯ（No.２４）又はＭｎＯ2（No.３
３）となるＭｎは、標準生成エンタルピーの小さいＭｎ
2Ｏ3（No.５８）にもなるので不適当である。同様に、
ＮｂＯ（No.２７）となるＮｂはＮｂＯ2（No.５０）
に、ＶＯ（No.２９）となるＶはＶ2Ｏ3（No.６８）に、
ＴｉＯ（No.３２）となるＴｉはＴｉ2Ｏ3（No.７５）
に、ＢａＯ（No.３５）となるＢａはＢａＯ2（No.４
６）にもなるので、本発明の介在体の材料からは除外さ
れる。
とするＳｎＯ2の標準生成エンタルピー（ΔHf゜）は、−
５８１(KJ/mol)である。したがって、原則として、この
値よりも大きい標準生成エンタルピーを有する金属酸化
物（No.１〜３６）を生成する金属及び合金が介在体と
して使用することができる。しかし、標準生成エンタル
ピーの大きいＭｎＯ（No.２４）又はＭｎＯ2（No.３
３）となるＭｎは、標準生成エンタルピーの小さいＭｎ
2Ｏ3（No.５８）にもなるので不適当である。同様に、
ＮｂＯ（No.２７）となるＮｂはＮｂＯ2（No.５０）
に、ＶＯ（No.２９）となるＶはＶ2Ｏ3（No.６８）に、
ＴｉＯ（No.３２）となるＴｉはＴｉ2Ｏ3（No.７５）
に、ＢａＯ（No.３５）となるＢａはＢａＯ2（No.４
６）にもなるので、本発明の介在体の材料からは除外さ
れる。
【００１４】尚、Ｎ2Ｏ5（No.２）は、Ｎが常温で気体
であるので、ＨｇＯ（No.４）は、Ｈｇが常温で液体で
あるので、Ｋ2Ｏ（No.２３）と、Ｎａ2Ｏ（No.２８）お
よびＮａ2Ｏ2（No.３１）は、Ｋ及びＮａ自体が非常に
不安定であるので不適当である。
であるので、ＨｇＯ（No.４）は、Ｈｇが常温で液体で
あるので、Ｋ2Ｏ（No.２３）と、Ｎａ2Ｏ（No.２８）お
よびＮａ2Ｏ2（No.３１）は、Ｋ及びＮａ自体が非常に
不安定であるので不適当である。
【００１５】従来からの、ＩＴＯと接触させていた導電
体に使用されていたＡｌやＣｒの場合、表１に示されて
いるように、Ａｌ2Ｏ3の標準生成エンタルピーは、−１
６７５(KJ/mol)であり、Ｃｒ2Ｏ3の標準生成エンタルピ
ーは、−１１４０(KJ/mol)であり、いずれもＳｎＯ2の
標準生成エンタルピー（−５８１(KJ/mol)）よりもマイ
ナス側に位置するものである。このことから、Ａｌ2Ｏ3
やＣｒ2Ｏ3は、ＩＴＯを構成するＳｎＯ2よりも安定し
た酸化物であることがわかる。従って、ＩＴＯにＡｌや
Ｃｒが接触すると、容易にＩＴＯを還元し、ＡｌやＣｒ
が酸化しやすくなっているのである。また、Ｍｏ、Ｔａ
やＴｉについても、それらの酸化物、ＭｏＯ2（No.３
８）、Ｔａ2Ｏ3（No.８９）、Ｔｉ3Ｏ5(No.９０)の標準
生成エンタルピーは、ＳｎＯ2の標準生成エンタルピー
よりもマイナス側にあるので除外される。
体に使用されていたＡｌやＣｒの場合、表１に示されて
いるように、Ａｌ2Ｏ3の標準生成エンタルピーは、−１
６７５(KJ/mol)であり、Ｃｒ2Ｏ3の標準生成エンタルピ
ーは、−１１４０(KJ/mol)であり、いずれもＳｎＯ2の
標準生成エンタルピー（−５８１(KJ/mol)）よりもマイ
ナス側に位置するものである。このことから、Ａｌ2Ｏ3
やＣｒ2Ｏ3は、ＩＴＯを構成するＳｎＯ2よりも安定し
た酸化物であることがわかる。従って、ＩＴＯにＡｌや
Ｃｒが接触すると、容易にＩＴＯを還元し、ＡｌやＣｒ
が酸化しやすくなっているのである。また、Ｍｏ、Ｔａ
やＴｉについても、それらの酸化物、ＭｏＯ2（No.３
８）、Ｔａ2Ｏ3（No.８９）、Ｔｉ3Ｏ5(No.９０)の標準
生成エンタルピーは、ＳｎＯ2の標準生成エンタルピー
よりもマイナス側にあるので除外される。
【００１６】本発明では、ＩＴＯに関する配線構造にお
いて、標準生成エンタルピーに着目し、特定の標準生成
エンタルピーを有する酸化物のみを生成する導電体から
なる介在体をＩＴＯと接触させたことにより、導電体と
ＩＴＯ間の酸化還元反応を抑制し、接触抵抗の増加によ
る配線不良を防止したものである。
いて、標準生成エンタルピーに着目し、特定の標準生成
エンタルピーを有する酸化物のみを生成する導電体から
なる介在体をＩＴＯと接触させたことにより、導電体と
ＩＴＯ間の酸化還元反応を抑制し、接触抵抗の増加によ
る配線不良を防止したものである。
【００１７】なかでも、介在体をＣｕまたはＡｇで構成
したものが、それ自体の抵抗値も低く、好ましい。
したものが、それ自体の抵抗値も低く、好ましい。
【００１８】
【実施例】本発明の配線構造は、例えば、液晶素子にお
ける薄膜トランジスタとＩＴＯからなる画素電極の接続
に適用され得る。本発明を適用した液晶素子の一例を図
１に示す。図１に示す液晶素子は、ガラスなどの透明な
基板１０上に、走査電極線と接続したＣｕなどの導電部
材からなるゲート電極１２と、インジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）からなる画素電極１４が形成され、これらを覆う
ように、ＳｉＮxなどの絶縁材からなる絶縁層１６が積
層されている。さらに、ゲート電極１２の上方であって
絶縁層１６上には、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
からなる半導体層１８が設けられ、さらにその半導体層
１８上にアルミニウムやＣｒ等の導電部材からなるソー
ス電極２０とドレイン電極２２とが形成されて概略構成
されている。この際、半導体層１８の最上層は、リンま
たは不純物イオンをドープしたアモルファスシリコン
（ｎ+ａ−Ｓｉ）からなるオーミックコンタクト層２４
とされている。
ける薄膜トランジスタとＩＴＯからなる画素電極の接続
に適用され得る。本発明を適用した液晶素子の一例を図
１に示す。図１に示す液晶素子は、ガラスなどの透明な
基板１０上に、走査電極線と接続したＣｕなどの導電部
材からなるゲート電極１２と、インジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）からなる画素電極１４が形成され、これらを覆う
ように、ＳｉＮxなどの絶縁材からなる絶縁層１６が積
層されている。さらに、ゲート電極１２の上方であって
絶縁層１６上には、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
からなる半導体層１８が設けられ、さらにその半導体層
１８上にアルミニウムやＣｒ等の導電部材からなるソー
ス電極２０とドレイン電極２２とが形成されて概略構成
されている。この際、半導体層１８の最上層は、リンま
たは不純物イオンをドープしたアモルファスシリコン
（ｎ+ａ−Ｓｉ）からなるオーミックコンタクト層２４
とされている。
【００１９】また、ドレイン電極２２は、絶縁層１６に
開けられたコンタクトホール２６を介して基板１０上に
形成された画素電極１４と接続されるが、そのドレイン
電極２２と画素電極１４の間には介在体２８が介在し、
ドレイン電極２２と画素電極１４が接触しないようにし
ている。
開けられたコンタクトホール２６を介して基板１０上に
形成された画素電極１４と接続されるが、そのドレイン
電極２２と画素電極１４の間には介在体２８が介在し、
ドレイン電極２２と画素電極１４が接触しないようにし
ている。
【００２０】本実施例の配線構造は、この他にも例え
ば、図２に示されるような液晶素子にも適用できる。図
２に示す液晶素子が図１に示した液晶素子と異なるの
は、ドレイン電極として、そのまま本発明の介在体を構
成する導電体材料を適用している点にある。すなわち、
本発明の、標準生成エンタルピーがＳｎＯ2の標準生成
エンタルピーよりもマイナス側にある酸化物にならない
導電体、例えば、銀や銅などの導電性の高い導電体で、
ＩＴＯと導電部材であるオーミックコンタクト層２４と
を接続したものである。
ば、図２に示されるような液晶素子にも適用できる。図
２に示す液晶素子が図１に示した液晶素子と異なるの
は、ドレイン電極として、そのまま本発明の介在体を構
成する導電体材料を適用している点にある。すなわち、
本発明の、標準生成エンタルピーがＳｎＯ2の標準生成
エンタルピーよりもマイナス側にある酸化物にならない
導電体、例えば、銀や銅などの導電性の高い導電体で、
ＩＴＯと導電部材であるオーミックコンタクト層２４と
を接続したものである。
【００２１】また、図３に示すような液晶素子にも適用
され得る。図３に示す液晶素子は、基板１０上に形成さ
れたゲート電極１２上に絶縁層１６ａが積層され、ゲー
ト電極１２の上方であって、この絶縁層１６ａ上にアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層１８が
設けられ、さらにその半導体層１８上にオーミックコン
タクト層２４を形成し、その導電部材であるオーミック
コンタクト層２４と接続するように、上記介在体として
用いる本発明独自の導電体でソース電極２８ｂおよびド
レイン電極２８ａを構成した。これらの上には、絶縁層
１６ｂが積層されている。また、その絶縁層１６ｂ上に
形成された画素電極１４と、ドレイン電極２８ａとは絶
縁層１６ｂに形成されたコンタクトホール２６を介して
接続されている。
され得る。図３に示す液晶素子は、基板１０上に形成さ
れたゲート電極１２上に絶縁層１６ａが積層され、ゲー
ト電極１２の上方であって、この絶縁層１６ａ上にアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層１８が
設けられ、さらにその半導体層１８上にオーミックコン
タクト層２４を形成し、その導電部材であるオーミック
コンタクト層２４と接続するように、上記介在体として
用いる本発明独自の導電体でソース電極２８ｂおよびド
レイン電極２８ａを構成した。これらの上には、絶縁層
１６ｂが積層されている。また、その絶縁層１６ｂ上に
形成された画素電極１４と、ドレイン電極２８ａとは絶
縁層１６ｂに形成されたコンタクトホール２６を介して
接続されている。
【００２２】〔試験例〕各種導電体の接触抵抗の比較試
験を行った。図５，６に示すようなコンタクトチェーン
を作製した。コンタクトチェーンは、図５に示すよう
に、ガラス基板１０上に、サンプルとする導電体層３０
を成膜し、これをフォトリソ・メタルウェットエッチ・レ
ジスト剥離をし、その上にＳｉＮxからなる絶縁層１６
を成膜し、これも同様に、フォトリソ・絶縁層ドライエ
ッチ・レジストドライアッシングをし、さらにＩＴＯ１
４を成膜してフォトリソ・ＩＴＯウェットエッチ・レジス
ト剥離をしたもので、絶縁層１６に形成したコンタクト
ホール２６，２６，・・・を介して導電体層３０とＩＴＯ
１４とを次々と接続したものである。本試験において
は、図６に示すようにこれを連設し、１６００段つなげ
た。尚、各コンタクトホール２６，２６，・・・は、平面
視が四辺形で一辺が約７μmのものである。
験を行った。図５，６に示すようなコンタクトチェーン
を作製した。コンタクトチェーンは、図５に示すよう
に、ガラス基板１０上に、サンプルとする導電体層３０
を成膜し、これをフォトリソ・メタルウェットエッチ・レ
ジスト剥離をし、その上にＳｉＮxからなる絶縁層１６
を成膜し、これも同様に、フォトリソ・絶縁層ドライエ
ッチ・レジストドライアッシングをし、さらにＩＴＯ１
４を成膜してフォトリソ・ＩＴＯウェットエッチ・レジス
ト剥離をしたもので、絶縁層１６に形成したコンタクト
ホール２６，２６，・・・を介して導電体層３０とＩＴＯ
１４とを次々と接続したものである。本試験において
は、図６に示すようにこれを連設し、１６００段つなげ
た。尚、各コンタクトホール２６，２６，・・・は、平面
視が四辺形で一辺が約７μmのものである。
【００２３】この構成のコンタクトチェーンを用いて、
導電体層３０として、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌを用いて
接触抵抗を測定した。測定結果を表２に示す。
導電体層３０として、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌを用いて
接触抵抗を測定した。測定結果を表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】液晶素子の薄膜トランジスタにおいては、
図７に示すように、ドレイン電極２２と画素電極１４間
の接触抵抗ＲCONは、ゲート電極１２に電圧を印加して
いるときのソース電極２０とドレイン電極２２間の抵抗
であるオン抵抗ＲSDに対して無視し得る抵抗とすること
が望ましい。ここで、オン抵抗ＲSDの１％はコンタクト
チェーンでは１×１０7Ωに相当するので、このオン抵
抗ＲSDに対して、無視し得る程度に小さいコンタクト抵
抗ＲCONを安定して示すのは、表２からＣｕだけである
ことがわかる。
図７に示すように、ドレイン電極２２と画素電極１４間
の接触抵抗ＲCONは、ゲート電極１２に電圧を印加して
いるときのソース電極２０とドレイン電極２２間の抵抗
であるオン抵抗ＲSDに対して無視し得る抵抗とすること
が望ましい。ここで、オン抵抗ＲSDの１％はコンタクト
チェーンでは１×１０7Ωに相当するので、このオン抵
抗ＲSDに対して、無視し得る程度に小さいコンタクト抵
抗ＲCONを安定して示すのは、表２からＣｕだけである
ことがわかる。
【００２６】本実施例においては、本発明の配線構造を
液晶素子に適用した例を示したが、ＩＴＯと導電体を接
続する各種の電子素子、例えば、エリアイメージセンサ
等に適用することができる。
液晶素子に適用した例を示したが、ＩＴＯと導電体を接
続する各種の電子素子、例えば、エリアイメージセンサ
等に適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】請求項１記載の配線構造は、インジウム
錫酸化物よりなる第１の導電部材と第２の導電部材が介
在体を介して接続され、該介在体が、ＳｎＯ2の標準生
成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピ
ーの酸化物にならない導電体で構成されていることを特
徴とするものである。この際、介在体が、銅または銀で
あるとより好適である。
錫酸化物よりなる第１の導電部材と第２の導電部材が介
在体を介して接続され、該介在体が、ＳｎＯ2の標準生
成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピ
ーの酸化物にならない導電体で構成されていることを特
徴とするものである。この際、介在体が、銅または銀で
あるとより好適である。
【００２８】請求項３記載の配線構造は、インジウム錫
酸化物導電部材と不純物が添加されたシリコンが介在体
を介して接続され、該介在体が、ＳｎＯ2の標準生成エ
ンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの
酸化物にならない導電体で構成されていることを特徴と
するものである。本発明の液晶素子は、薄膜トランジス
タのオーミックコンタクト層と、インジウム錫酸化物か
らなる画素電極が、ＳｎＯ2の標準生成エンタルピーよ
りもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物になら
ない導電体を間に介して接続されていることを特徴とす
るものである。
酸化物導電部材と不純物が添加されたシリコンが介在体
を介して接続され、該介在体が、ＳｎＯ2の標準生成エ
ンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの
酸化物にならない導電体で構成されていることを特徴と
するものである。本発明の液晶素子は、薄膜トランジス
タのオーミックコンタクト層と、インジウム錫酸化物か
らなる画素電極が、ＳｎＯ2の標準生成エンタルピーよ
りもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物になら
ない導電体を間に介して接続されていることを特徴とす
るものである。
【００２９】本発明によれば、ＩＴＯと導電部材を接続
する配線またはそのような配線を有する各種の電子素
子、特に液晶素子において、導電部材の酸化が抑えられ
るので、接触抵抗の増大化が低減される。したがって、
消費電力の増大や起動不良等を防止することができる。
する配線またはそのような配線を有する各種の電子素
子、特に液晶素子において、導電部材の酸化が抑えられ
るので、接触抵抗の増大化が低減される。したがって、
消費電力の増大や起動不良等を防止することができる。
【図１】本発明の実施例の液晶素子の要部断面図であ
る。
る。
【図２】他の実施例の液晶素子の要部断面図である。
【図３】他の実施例の液晶素子の要部断面図である。
【図４】従来例の液晶素子の要部断面図である。
【図５】試験に用いた配線構造を示す要部側断面図であ
る。
る。
【図６】コンタクトチェーンを示す模式図である。
【図７】薄膜トランジスタのオン抵抗とコンタクト抵抗
を示す側断面図である。
を示す側断面図である。
１０ 基板 １２ ゲート電極 １４ 画素電極 １６ 絶縁層 ２２ ドレイン電極 ２４ オーミックコンタクト層 ２８ 介在体
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 9056−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２ Ｃ 9056−4Ｍ ６１６ Ｖ
Claims (4)
- 【請求項１】 インジウム錫酸化物よりなる第１の導電
部材と、第２の導電部材とが介在体を介して接続され、
該介在体が、ＳｎＯ2の標準生成エンタルピーよりもマ
イナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導
電体で構成されていることを特徴とする配線構造。 - 【請求項２】 前記介在体が、銅または銀であることを
特徴とする請求項１記載の配線構造。 - 【請求項３】 前記第２の導電部材が、不純物が添加さ
れたシリコンであることを特徴とする請求項１記載の配
線構造。 - 【請求項４】 薄膜トランジスタのオーミックコンタク
ト層と、インジウム錫酸化物からなる画素電極が、Ｓｎ
Ｏ2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生
成エンタルピーの酸化物にならない導電体を間に介して
接続されていることを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312220A JPH08167608A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 配線構造および液晶素子 |
| KR1019950049546A KR0164654B1 (ko) | 1994-12-15 | 1995-12-14 | 배선구조 및 액정소자 |
| DE19546962A DE19546962A1 (de) | 1994-12-15 | 1995-12-15 | Metallisierungsstruktur und Flüssigkristallvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312220A JPH08167608A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 配線構造および液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167608A true JPH08167608A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=18026640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6312220A Pending JPH08167608A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 配線構造および液晶素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167608A (ja) |
| KR (1) | KR0164654B1 (ja) |
| DE (1) | DE19546962A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015191893A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19733053A1 (de) * | 1997-07-31 | 1999-02-04 | Leybold Ag | Transparentes Substrat |
| KR101054344B1 (ko) | 2004-11-17 | 2011-08-04 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171282A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光起電力素子 |
| JPH03129326A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-06-03 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
| JPH04153623A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 配線構造 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2218301A1 (en) * | 1973-02-16 | 1974-09-13 | Saint Gobain | Semi-reflecting glaze with semi-conductor layer - of pref tin oxide, indium oxide or titanium nitride applied on film of gold, silver or copper |
| DE2750500A1 (de) * | 1977-11-11 | 1979-05-17 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren zur herstellung von infrarotreflektierenden, fuer sichtbares licht weitgehend transparenten scheiben und durch die verfahren hergestellte scheibe |
| DE3536821A1 (de) * | 1985-10-16 | 1987-04-16 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht |
-
1994
- 1994-12-15 JP JP6312220A patent/JPH08167608A/ja active Pending
-
1995
- 1995-12-14 KR KR1019950049546A patent/KR0164654B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-12-15 DE DE19546962A patent/DE19546962A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171282A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光起電力素子 |
| JPH03129326A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-06-03 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
| JPH04153623A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 配線構造 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015191893A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960026902A (ko) | 1996-07-22 |
| DE19546962A1 (de) | 1996-06-20 |
| KR0164654B1 (ko) | 1999-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970624 |