JPH0784662B2 - 化学的気相成長方法とその装置 - Google Patents
化学的気相成長方法とその装置Info
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- JPH0784662B2 JPH0784662B2 JP1322266A JP32226689A JPH0784662B2 JP H0784662 B2 JPH0784662 B2 JP H0784662B2 JP 1322266 A JP1322266 A JP 1322266A JP 32226689 A JP32226689 A JP 32226689A JP H0784662 B2 JPH0784662 B2 JP H0784662B2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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Description
【発明の詳細な説明】 （従来の技術とその問題点） 従来、化学的気相成長方法に於いては、その取り扱いの
簡単さ並びに正確な流量制御の容易さから気体を原料と
した方法が主として用いられて来た。換言すれば、液体
原料を気化して気化原料とする化学的気相成長方法は、
原料の正確な量の供給及び供給配管温度の制御等の点で
困難さがあり、余り普及していなかった。しかしなが
ら、液体原料の精密流量制御が可能となり、容易に気化
供給出来るようになれば原料選択の幅が著しく増え、例
えば半導体デバイスの微細化、高集積化に伴う、より厳
しい被膜形成の要求に対応出来るようになるものであ
り、現在、かかる要望が次第に大きくなって来ている。
簡単さ並びに正確な流量制御の容易さから気体を原料と
した方法が主として用いられて来た。換言すれば、液体
原料を気化して気化原料とする化学的気相成長方法は、
原料の正確な量の供給及び供給配管温度の制御等の点で
困難さがあり、余り普及していなかった。しかしなが
ら、液体原料の精密流量制御が可能となり、容易に気化
供給出来るようになれば原料選択の幅が著しく増え、例
えば半導体デバイスの微細化、高集積化に伴う、より厳
しい被膜形成の要求に対応出来るようになるものであ
り、現在、かかる要望が次第に大きくなって来ている。
第９図にその液体原料供給装置の従来例を示す。第９図
の従来例では、恒温槽（A1）内に原料タンク（Ｔ）と気
体用質量流量制御器（GMFC）を設置したもので、気体用
質量流量制御器（GMFC）を反応炉（B1）に接続してあ
る。反応炉（B1）には真空ポンプ（Ｐ）が接続されてい
る。
の従来例では、恒温槽（A1）内に原料タンク（Ｔ）と気
体用質量流量制御器（GMFC）を設置したもので、気体用
質量流量制御器（GMFC）を反応炉（B1）に接続してあ
る。反応炉（B1）には真空ポンプ（Ｐ）が接続されてい
る。
さて、原料タンク（Ｔ）に液体原料（Ｌ）を収納した
後、液体原料（Ｌ）をタンク用ヒータ（TH）にて加熱し
て蒸気（Ｇ）を発生させ、この蒸気（Ｇ）を高温気体用
質量流量制御器（GMFC）によって流量制御し、反応炉
（B1）に搬送する。
後、液体原料（Ｌ）をタンク用ヒータ（TH）にて加熱し
て蒸気（Ｇ）を発生させ、この蒸気（Ｇ）を高温気体用
質量流量制御器（GMFC）によって流量制御し、反応炉
（B1）に搬送する。
このような従来の液体原料（Ｌ）の供給装置では、す
べての装置の恒温槽（A1）内に収納しなければならない
ために、装置が大掛かりとなり、設備費用が高くなる。
ヒータ（TH）により原料タンク（Ｔ）部分で気化し、
この高温原料ガス（Ｇ）を気体用質量流量制御器（GMF
C）にて制御しなければならないために液体を制御する
場合に比べて大量のガス制御を行わねばならず、装置が
大型化して高価である上高温のために信頼性が低い。
高温蒸気（Ｇ）となるため液体原料（Ｌ）が熱分解し易
い。原料タンク（Ｔ）においてガス化し、この原料カ
ス（Ｇ）を気体用質量流量制御器（GMFC）で制御しつつ
反応炉（B1）に供給するため原料タンク（Ｔ）から反応
炉（B1）迄のガス系統が長くなり、原料供給開始からの
立ち上がり又は原料供給停止からの立ち下がりにおいて
流量の安定化までに時間が掛かる（第10図参照）など、
種々の問題点があった。
べての装置の恒温槽（A1）内に収納しなければならない
ために、装置が大掛かりとなり、設備費用が高くなる。
ヒータ（TH）により原料タンク（Ｔ）部分で気化し、
この高温原料ガス（Ｇ）を気体用質量流量制御器（GMF
C）にて制御しなければならないために液体を制御する
場合に比べて大量のガス制御を行わねばならず、装置が
大型化して高価である上高温のために信頼性が低い。
高温蒸気（Ｇ）となるため液体原料（Ｌ）が熱分解し易
い。原料タンク（Ｔ）においてガス化し、この原料カ
ス（Ｇ）を気体用質量流量制御器（GMFC）で制御しつつ
反応炉（B1）に供給するため原料タンク（Ｔ）から反応
炉（B1）迄のガス系統が長くなり、原料供給開始からの
立ち上がり又は原料供給停止からの立ち下がりにおいて
流量の安定化までに時間が掛かる（第10図参照）など、
種々の問題点があった。
（本発明の目的） 本発明は、かかる従来例の欠点に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、装置のコンパクト化、液体原
料の正確な流量制御の実現、気体原料供給時の立ち上が
り、立ち下がりの時間の短縮化、各種原料の自由な混合
など様々なメリットのある液体原料が使用可能な化学的
気相成長方法とその装置を提供するにある。
で、その目的とする処は、装置のコンパクト化、液体原
料の正確な流量制御の実現、気体原料供給時の立ち上が
り、立ち下がりの時間の短縮化、各種原料の自由な混合
など様々なメリットのある液体原料が使用可能な化学的
気相成長方法とその装置を提供するにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明の第１方法は上記問題点を解決するために、請求
項（１）において、 液体原料（Ｌ）を一定量づつ連続的に気化領域（Ａ）
に供給し、 当該気化領域（Ａ）にて高温搬送ガス（Ｈ）に液体原
料（Ｌ）を接触させて気化して液体原料（Ｌ）を原料ガ
ス（Ｇ）にし、 前記高温搬送ガス（Ｇ）と混合して次の反応領域
（Ｂ）に供給する。
項（１）において、 液体原料（Ｌ）を一定量づつ連続的に気化領域（Ａ）
に供給し、 当該気化領域（Ａ）にて高温搬送ガス（Ｈ）に液体原
料（Ｌ）を接触させて気化して液体原料（Ｌ）を原料ガ
ス（Ｇ）にし、 前記高温搬送ガス（Ｇ）と混合して次の反応領域
（Ｂ）に供給する。
という技術的手段を採用しており、 本発明の第２方法は、請求項（２）に示すように、 液体原料（Ｌ）を一定量づつ連続的に恒温気化領域
（Ａ）に供給し、 当該恒温気化領域（Ａ）にて液体原料（Ｌ）を気化さ
せて原料ガス（Ｇ）にし、 この恒温気化領域（Ａ）に供給された搬送ガス（Ｈ）
と混合して混合ガス（Kn）とし、 この混合ガス（Kn）を次の反応領域（Ｂ）に供給す
る。
（Ａ）に供給し、 当該恒温気化領域（Ａ）にて液体原料（Ｌ）を気化さ
せて原料ガス（Ｇ）にし、 この恒温気化領域（Ａ）に供給された搬送ガス（Ｈ）
と混合して混合ガス（Kn）とし、 この混合ガス（Kn）を次の反応領域（Ｂ）に供給す
る。
という技術手段を採用しており、 請求項（３）の液体原料（Ｌ）の気化供給装置は前記第
１方法を具体的に実施するために、 液体原料（Ｌ）を貯溜すると共に液体用質量流量制御
器（LMFC）に前記液体原料（Ｌ）を供給する原料タンク
（Ｔ）と、 原料タンク（Ｔ）から供給を受けた液体原料（Ｌ）を
所定質量流量だけ供給する液体用質量流量制御器（LMF
C）と、 液体用質量流量制御器（LMFC）から供給された一定の
液体原料（Ｌ）を、高温搬送ガス（Ｈ）と接触させて気
化し、 この原料ガス（Ｇ）と搬送ガス（Ｈ）とを混合して一
定量の混合ガス（Kn）として次工程の反応炉（B1）に供
給する３方向弁（Ｃ）とで構成し、 上記３方向弁（Ｃ）を、上部に上面開口凹所（15）が
穿設された弁本体（14）と、該弁本体（14）の上面開孔
凹所（15）を閉塞しかつ該凹所内で昇降するプランジャ
（17）を有する駆動部（16）と、上記弁本体（14）の上
面開口凹所（15）の底面中央部に設けられる弁シート
（22）と、上記上面開口凹所（15）内をプランジャ（1
7）を含む上部空間と弁シート（22）を含む下部空間と
を気密に隔絶しかつプランジャ（17）の下降により弁シ
ート（22）上面に密着される可撓性のダイヤフラム（1
8）とで構成し、 上記弁本体（14）底面中央から上記弁シート（22）上
面のダイヤフラム（18）が密着する部位まで上下に貫通
する液体原料導入路（20）を設け、 上記ダイヤフラム（18）が弁シート（22）上面に密着
されたとき、弁シート（22）の周囲に形成される空間
（23）に連通するよう弁本体（14）にそれぞれ高温搬送
ガス流入路（24）及び混合ガス流出路（25）を設ける。
１方法を具体的に実施するために、 液体原料（Ｌ）を貯溜すると共に液体用質量流量制御
器（LMFC）に前記液体原料（Ｌ）を供給する原料タンク
（Ｔ）と、 原料タンク（Ｔ）から供給を受けた液体原料（Ｌ）を
所定質量流量だけ供給する液体用質量流量制御器（LMF
C）と、 液体用質量流量制御器（LMFC）から供給された一定の
液体原料（Ｌ）を、高温搬送ガス（Ｈ）と接触させて気
化し、 この原料ガス（Ｇ）と搬送ガス（Ｈ）とを混合して一
定量の混合ガス（Kn）として次工程の反応炉（B1）に供
給する３方向弁（Ｃ）とで構成し、 上記３方向弁（Ｃ）を、上部に上面開口凹所（15）が
穿設された弁本体（14）と、該弁本体（14）の上面開孔
凹所（15）を閉塞しかつ該凹所内で昇降するプランジャ
（17）を有する駆動部（16）と、上記弁本体（14）の上
面開口凹所（15）の底面中央部に設けられる弁シート
（22）と、上記上面開口凹所（15）内をプランジャ（1
7）を含む上部空間と弁シート（22）を含む下部空間と
を気密に隔絶しかつプランジャ（17）の下降により弁シ
ート（22）上面に密着される可撓性のダイヤフラム（1
8）とで構成し、 上記弁本体（14）底面中央から上記弁シート（22）上
面のダイヤフラム（18）が密着する部位まで上下に貫通
する液体原料導入路（20）を設け、 上記ダイヤフラム（18）が弁シート（22）上面に密着
されたとき、弁シート（22）の周囲に形成される空間
（23）に連通するよう弁本体（14）にそれぞれ高温搬送
ガス流入路（24）及び混合ガス流出路（25）を設ける。
という技術的手段を採用しており、 請求項（４）の液体原料（Ｌ）の気化供給装置は前記第
２方法を具体的に実施するために、 液体原料（Ｌ）を貯溜すると共に液体用質量流量制御
器（LMFC）に前記液体原料（Ｌ）を供給する原料タンク
（Ｔ）と、 原料タンク（Ｔ）から供給を受けた液体原料（Ｌ）を
所定質量流量だけ供給する液体用質量流量制御器（LMF
C）と、 恒温槽（A1）内に収納されており、液体原料（Ｌ）を
加熱して気化させて原料ガス（Ｇ）にし、搬送ガス
（Ｈ）とこの原料ガス（Ｇ）とを混合し、 この混合ガス（Kn）を一定量づつ次工程の反応炉（B
1）に供給する３方向弁（Ｃ）とで構成し、 上記３方向弁（Ｃ）を、上部に上面開口凹所（15）が
穿設された弁本体（14）と、該弁本体（14）の上面開孔
凹所（15）を閉塞しかつ該凹所内で昇降するプランジャ
（17）を有する駆動部（16）と、上記弁本体（14）の上
面開口凹所（15）の底面中央部に設けられる弁シート
（22）と、上記上面開口凹所（15）内をプランジャ（1
7）を含む上部空間と弁シート（22）を含む下部空間と
を気密に隔絶しかつプランジャ（17）の下降により弁シ
ート（22）上面に密着される可撓性のダイヤフラム（1
8）とで構成し、 上記弁本体（14）底面中央から上記弁シート（22）上
面のダイヤフラム（18）が密着する部位まで上下に貫通
する液体原料導入路（20）を設け、 上記ダイヤフラム（18）が弁シート（22）上面に密着
されたとき、弁シート（22）の周囲に形成される空間
（23）に連通するよう弁本体（14）にそれぞれ搬送ガス
流入路（24）及び混合ガス流出路（25）を設ける。
２方法を具体的に実施するために、 液体原料（Ｌ）を貯溜すると共に液体用質量流量制御
器（LMFC）に前記液体原料（Ｌ）を供給する原料タンク
（Ｔ）と、 原料タンク（Ｔ）から供給を受けた液体原料（Ｌ）を
所定質量流量だけ供給する液体用質量流量制御器（LMF
C）と、 恒温槽（A1）内に収納されており、液体原料（Ｌ）を
加熱して気化させて原料ガス（Ｇ）にし、搬送ガス
（Ｈ）とこの原料ガス（Ｇ）とを混合し、 この混合ガス（Kn）を一定量づつ次工程の反応炉（B
1）に供給する３方向弁（Ｃ）とで構成し、 上記３方向弁（Ｃ）を、上部に上面開口凹所（15）が
穿設された弁本体（14）と、該弁本体（14）の上面開孔
凹所（15）を閉塞しかつ該凹所内で昇降するプランジャ
（17）を有する駆動部（16）と、上記弁本体（14）の上
面開口凹所（15）の底面中央部に設けられる弁シート
（22）と、上記上面開口凹所（15）内をプランジャ（1
7）を含む上部空間と弁シート（22）を含む下部空間と
を気密に隔絶しかつプランジャ（17）の下降により弁シ
ート（22）上面に密着される可撓性のダイヤフラム（1
8）とで構成し、 上記弁本体（14）底面中央から上記弁シート（22）上
面のダイヤフラム（18）が密着する部位まで上下に貫通
する液体原料導入路（20）を設け、 上記ダイヤフラム（18）が弁シート（22）上面に密着
されたとき、弁シート（22）の周囲に形成される空間
（23）に連通するよう弁本体（14）にそれぞれ搬送ガス
流入路（24）及び混合ガス流出路（25）を設ける。
という技術手段を採用している。
（作用） 不活性ガス（Ｆ）を原料タンク（Ｔ）に供給して原料
タンク（Ｔ）内の液体原料（Ｌ）をサイフォンの原理に
て押し出し、液体用質量流量制御器（LMFC）に液体原料
（Ｌ）を供給する。
タンク（Ｔ）内の液体原料（Ｌ）をサイフォンの原理に
て押し出し、液体用質量流量制御器（LMFC）に液体原料
（Ｌ）を供給する。
液体原料（Ｌ）が液体用質量流量制御器（LMFC）に供
給されると『１』の質量流量の液体原料（Ｌ）がセンサ
管（１）に流れ、その『Ｎ』倍の質量流量の液体原料
（Ｌ）がパイパス管（２）を流れ、合流管路部（41）に
て両者が合流し、正確に『Ｎ＋１』倍となって第１実施
例の高温搬送ガス（Ｈ）が供給される３方向弁（Ｃ）又
は恒温槽（A1）内に配置された第２実施例の３方向弁
（Ｃ）に供給される。液体原料（Ｌ）の制御は液体用質
量流量制御器（LMFC）のコントロールバルブ部（３）が
行う。
給されると『１』の質量流量の液体原料（Ｌ）がセンサ
管（１）に流れ、その『Ｎ』倍の質量流量の液体原料
（Ｌ）がパイパス管（２）を流れ、合流管路部（41）に
て両者が合流し、正確に『Ｎ＋１』倍となって第１実施
例の高温搬送ガス（Ｈ）が供給される３方向弁（Ｃ）又
は恒温槽（A1）内に配置された第２実施例の３方向弁
（Ｃ）に供給される。液体原料（Ｌ）の制御は液体用質
量流量制御器（LMFC）のコントロールバルブ部（３）が
行う。
一方、搬送ガス（Ｈ）は供給配管（11）を流れ、３方
向弁（Ｃ）に供給される。この搬送ガス（Ｈ）は第１実
施例では搬送途中で加熱され、第２実施例では勿論第１
実施例と同様搬送中に加熱しておいても良いが、そのま
ま３方向弁（Ｃ）に供給してもよいものである。この場
合は、後述するように恒温槽（A1）を用いるので、恒温
槽（A1）の温度で液体原料（Ｌ）が気化される事にな
る。
向弁（Ｃ）に供給される。この搬送ガス（Ｈ）は第１実
施例では搬送途中で加熱され、第２実施例では勿論第１
実施例と同様搬送中に加熱しておいても良いが、そのま
ま３方向弁（Ｃ）に供給してもよいものである。この場
合は、後述するように恒温槽（A1）を用いるので、恒温
槽（A1）の温度で液体原料（Ｌ）が気化される事にな
る。
３方向弁（Ｃ）では、第１実施例では加熱された搬送
ガスヒータ（GH）が液体原料（Ｌ）の露頭に接してこれ
を加熱し、この露頭部分から原料液体（Ｌ）が若干量づ
つ連続して蒸発させ、続いて３方向弁（Ｃ）に供給され
た搬送ガス（Ｈ）と混合され、恒温化された気体供給配
管（GP）を通って反応炉（B1）に供給される。
ガスヒータ（GH）が液体原料（Ｌ）の露頭に接してこれ
を加熱し、この露頭部分から原料液体（Ｌ）が若干量づ
つ連続して蒸発させ、続いて３方向弁（Ｃ）に供給され
た搬送ガス（Ｈ）と混合され、恒温化された気体供給配
管（GP）を通って反応炉（B1）に供給される。
反応炉（B1）内では、高温に熱せられた被処理基板
（Ｓ）上に前記気化混合ガス（Kn）が供給され、被処理
基板（Ｓ）の表面に成膜する。
（Ｓ）上に前記気化混合ガス（Kn）が供給され、被処理
基板（Ｓ）の表面に成膜する。
反応炉（B1）の稼働が終了すると直ちに３方向弁
（Ｃ）が閉じて液体原料（Ｌ）の供給を停止する。これ
により液体原料（Ｌ）の蒸発は停止する。
（Ｃ）が閉じて液体原料（Ｌ）の供給を停止する。これ
により液体原料（Ｌ）の蒸発は停止する。
一方、搬送ガス（Ｈ）は引き続いて３方向弁（Ｃ）内を
流れて反応炉（B1）へ供給され、その結果、３方向弁
（Ｃ）以降のガス系統内から原料ガス（Ｇ）を含む排ガ
スが追い出される。
流れて反応炉（B1）へ供給され、その結果、３方向弁
（Ｃ）以降のガス系統内から原料ガス（Ｇ）を含む排ガ
スが追い出される。
これにより、速やかに第10図のように排出プロセスが
急激に立ち下がり、次のロットの作業に迅速に移る事が
出来る。
急激に立ち下がり、次のロットの作業に迅速に移る事が
出来る。
（実 施 例） 以下、本発明を図示実施例に従って詳述する。第１図は
本発明の第１実施例のフローチャートで、まず、液体原
料（Ｌ）の気化供給装置の構成に付いて説明する。第１
図から分かるように気化供給装置は、原料タンク
（Ｔ）、液体質量流量制御器（LMFC）、３方向弁（Ｃ）
並びに搬送ガス（Ｈ）を所定温度に加熱するためのガス
ヒータ（GH）及び３方向弁（Ｃ）の出入り口（24）（2
5）側にそれぞれに配設されたラインヒータ（LH）とで
構成されている。
本発明の第１実施例のフローチャートで、まず、液体原
料（Ｌ）の気化供給装置の構成に付いて説明する。第１
図から分かるように気化供給装置は、原料タンク
（Ｔ）、液体質量流量制御器（LMFC）、３方向弁（Ｃ）
並びに搬送ガス（Ｈ）を所定温度に加熱するためのガス
ヒータ（GH）及び３方向弁（Ｃ）の出入り口（24）（2
5）側にそれぞれに配設されたラインヒータ（LH）とで
構成されている。
原料タンク（Ｔ）には例えばTEOS（＝テトラエトキシシ
ラン）のような液体原料（Ｌ）が気密状に収納されてい
てその上部空間（JK）に、レギュレータ（RG）を有する
不活性ガス供給配管（FP）が接続されており、不活性ガ
ス（Ｆ）を前記上部空間（JK）に供給するようになって
いる。液体原料（Ｌ）の加圧用不活性ガス（Ｆ）として
は例えばヘリウムガスが用いられる。この不活性ガス
（Ｆ）を原料タンク（Ｔ）の上部空間（JK）に供給して
上部空間（JK）の内圧を高めると液体原料（Ｌ）内に挿
入された原料供給配管（LP）を通して液体用質量流量制
御器（LMFC）に液体原料（Ｌ）が供給される。
ラン）のような液体原料（Ｌ）が気密状に収納されてい
てその上部空間（JK）に、レギュレータ（RG）を有する
不活性ガス供給配管（FP）が接続されており、不活性ガ
ス（Ｆ）を前記上部空間（JK）に供給するようになって
いる。液体原料（Ｌ）の加圧用不活性ガス（Ｆ）として
は例えばヘリウムガスが用いられる。この不活性ガス
（Ｆ）を原料タンク（Ｔ）の上部空間（JK）に供給して
上部空間（JK）の内圧を高めると液体原料（Ｌ）内に挿
入された原料供給配管（LP）を通して液体用質量流量制
御器（LMFC）に液体原料（Ｌ）が供給される。
次に、本発明で使用する液体用質量流量制御器（LMFC）
の一実施例を第3,4図に従って説明する。液体用質量流
量制御器（LMFC）のケーシング（32）の中央に制御用の
電気回路（Ｅ）が配置されている。電気回路（Ｅ）の説
明は本発明と直接関係がないので省略する。ケーシング
（32）の上部には例えばアルミニウム製又はステンレス
製のボディ（33）が配置されており、第４図から分かる
ように同一水平面内にバイパス管（２）とセンサ管
（１）とが配設されており、両者の分岐管路部（34）
が、ボディ（33）の一端に取り付けられた液体流入側継
ぎ手（35）に接続されている。前記液体流入側継ぎ手
（35）には前述のように原料供給配管（LP）を介して原
料タンク（Ｔ）が接続されている。ボディ（33）の下面
には上下流１対の周囲温度検出抵抗（Rtu）（Rtd）とが
取着されており、ボディ（33）と同一材質で形成された
ベースプレート（40）にて挟持されている。又、周囲温
度検出抵抗（Rtu）（Rtd）は感熱センサ（Ru）（Rd）と
ほぼ同一の抵抗温度係数を有する薄膜抵抗体を用いてい
る。これによって周囲温度が変化しても両者の温度差は
一定に保たれる。バイパス管（２）とセンサ管（１）の
出口は合流しており、この合流管路部（41）はボディ
（33）の下方に向かって穿設されており、ボディ（33）
の下面に取着れたコントロールバルブ部（３）のバルブ
室（６）の天井面（９）に開口（流入口（４））してい
る。バルブ室（６）の天井面（９）には更に流出口
（５）が穿設されており、液体流出側継ぎ手（36）に接
続されており、更に反応炉（B1）に接続されていて液体
原料（Ｌ）の質量流量を精密にコントロールしつつ供給
するようになっている。コントロールバルブ部（３）の
バルブ室（６）内には弁体（７）が配設されており、駆
動部（８）である積層圧電アクチュエータの伸縮にて弁
体（７）が昇降して流入口（４）の開度をコントロール
するようになっている。
の一実施例を第3,4図に従って説明する。液体用質量流
量制御器（LMFC）のケーシング（32）の中央に制御用の
電気回路（Ｅ）が配置されている。電気回路（Ｅ）の説
明は本発明と直接関係がないので省略する。ケーシング
（32）の上部には例えばアルミニウム製又はステンレス
製のボディ（33）が配置されており、第４図から分かる
ように同一水平面内にバイパス管（２）とセンサ管
（１）とが配設されており、両者の分岐管路部（34）
が、ボディ（33）の一端に取り付けられた液体流入側継
ぎ手（35）に接続されている。前記液体流入側継ぎ手
（35）には前述のように原料供給配管（LP）を介して原
料タンク（Ｔ）が接続されている。ボディ（33）の下面
には上下流１対の周囲温度検出抵抗（Rtu）（Rtd）とが
取着されており、ボディ（33）と同一材質で形成された
ベースプレート（40）にて挟持されている。又、周囲温
度検出抵抗（Rtu）（Rtd）は感熱センサ（Ru）（Rd）と
ほぼ同一の抵抗温度係数を有する薄膜抵抗体を用いてい
る。これによって周囲温度が変化しても両者の温度差は
一定に保たれる。バイパス管（２）とセンサ管（１）の
出口は合流しており、この合流管路部（41）はボディ
（33）の下方に向かって穿設されており、ボディ（33）
の下面に取着れたコントロールバルブ部（３）のバルブ
室（６）の天井面（９）に開口（流入口（４））してい
る。バルブ室（６）の天井面（９）には更に流出口
（５）が穿設されており、液体流出側継ぎ手（36）に接
続されており、更に反応炉（B1）に接続されていて液体
原料（Ｌ）の質量流量を精密にコントロールしつつ供給
するようになっている。コントロールバルブ部（３）の
バルブ室（６）内には弁体（７）が配設されており、駆
動部（８）である積層圧電アクチュエータの伸縮にて弁
体（７）が昇降して流入口（４）の開度をコントロール
するようになっている。
本発明に使用する３方向弁（Ｃ）に付いて説明する。第
５図は本発明に係る３方向弁（Ｃ）の拡大断面図であ
り、第６図はその液体原料（Ｌ）の蒸発の状態を示す説
明図である。弁本体（14）には上面開口凹所（15）が穿
設されており、この上面開口凹所（15）を閉塞するよう
に駆動部（16）が設置されている。３方向弁（Ｃ）の駆
動部（16）は、例えば精密な制御の出来るエアー弁その
他が用いられる。駆動部（16）の下面中央にプランジャ
（17）が突設されており、駆動部（16）の作用にて昇降
するようになっている。更に上面開口凹所（15）の中央
にダイヤフラム（18）が張設されており、その周囲が上
面開口凹所（15）の内周に配設された内周枠（19）に気
密状に固着されている。更に弁本体（14）の底部中央に
液体原料入り口（20）が穿設されており、この液体原料
入り口（20）に合致して弁本体（14）の上面に弁シート
（22）が装着されている。そして前記プランジャ（17）
も弁シート（22）の開口に一致して配設されており、ダ
イヤフラム（18）を介して前記開口を開閉するようにな
っている。又、ダイヤフラム（18）の下方において弁シ
ート（22）の周囲が制御室（23）となっている。液体原
料入り口（20）の両側にはＬ字型の搬送ガス入り口（2
4）と混合ガス出口（25）とが穿設されており、前記制
御室（23）に開口している。そして前記液体原料入り口
（20）は液体質量流量制御器（LMFC）に接続されてお
り、搬送ガス入り口（24）はガスヒータ（GH）並びにラ
インヒータ（LH）を介して搬送ガスボンベや反応ガスボ
ンベ（BB1）…（BBN）に接続されている。又、混合ガス
出口（25）はもう一方のラインヒータ（LH）を介して反
応炉（B1）に接続されている。
５図は本発明に係る３方向弁（Ｃ）の拡大断面図であ
り、第６図はその液体原料（Ｌ）の蒸発の状態を示す説
明図である。弁本体（14）には上面開口凹所（15）が穿
設されており、この上面開口凹所（15）を閉塞するよう
に駆動部（16）が設置されている。３方向弁（Ｃ）の駆
動部（16）は、例えば精密な制御の出来るエアー弁その
他が用いられる。駆動部（16）の下面中央にプランジャ
（17）が突設されており、駆動部（16）の作用にて昇降
するようになっている。更に上面開口凹所（15）の中央
にダイヤフラム（18）が張設されており、その周囲が上
面開口凹所（15）の内周に配設された内周枠（19）に気
密状に固着されている。更に弁本体（14）の底部中央に
液体原料入り口（20）が穿設されており、この液体原料
入り口（20）に合致して弁本体（14）の上面に弁シート
（22）が装着されている。そして前記プランジャ（17）
も弁シート（22）の開口に一致して配設されており、ダ
イヤフラム（18）を介して前記開口を開閉するようにな
っている。又、ダイヤフラム（18）の下方において弁シ
ート（22）の周囲が制御室（23）となっている。液体原
料入り口（20）の両側にはＬ字型の搬送ガス入り口（2
4）と混合ガス出口（25）とが穿設されており、前記制
御室（23）に開口している。そして前記液体原料入り口
（20）は液体質量流量制御器（LMFC）に接続されてお
り、搬送ガス入り口（24）はガスヒータ（GH）並びにラ
インヒータ（LH）を介して搬送ガスボンベや反応ガスボ
ンベ（BB1）…（BBN）に接続されている。又、混合ガス
出口（25）はもう一方のラインヒータ（LH）を介して反
応炉（B1）に接続されている。
本発明で使用される搬送ガス（Ｈ）は、勿論これに限ら
れる事はないが本実施例ではHeである。更に、反応ガス
（RG）として、酸素やC2F6、NF3などが使用され、それ
ぞれボンベ（BB1）…（BBN）に収納されていて気体用質
量流量制御器（GMFC）を介して前記３方向弁（Ｃ）に送
られるようになっている。従って、必要に応じて気体用
質量流量制御器（GMFC）を開閉すれば適宜のガスの組み
合わせが得られる。
れる事はないが本実施例ではHeである。更に、反応ガス
（RG）として、酸素やC2F6、NF3などが使用され、それ
ぞれボンベ（BB1）…（BBN）に収納されていて気体用質
量流量制御器（GMFC）を介して前記３方向弁（Ｃ）に送
られるようになっている。従って、必要に応じて気体用
質量流量制御器（GMFC）を開閉すれば適宜のガスの組み
合わせが得られる。
本発明で使用される反応炉（B1）は、勿論これに限られ
ないが例えばCVD装置のような半導体製造装置である。
ないが例えばCVD装置のような半導体製造装置である。
而して、ヘリウムや窒素などの不活性ガス（Ｆ）を原料
タンク（Ｔ）の上部空間（JK）に供給して原料タンク
（Ｔ）内の気圧を上げ、内部の液体原料（Ｌ）を液体用
質量流量制御器（LMFC）に供給する。液体用質量流量制
御器（LMFC）では前記で詳述したように周囲温度の変化
に影響れる事なくコントロールバルブ部（３）の制御作
用にて一定量の液体原料（Ｌ）が３方向弁（Ｃ）に供給
される事になる。
タンク（Ｔ）の上部空間（JK）に供給して原料タンク
（Ｔ）内の気圧を上げ、内部の液体原料（Ｌ）を液体用
質量流量制御器（LMFC）に供給する。液体用質量流量制
御器（LMFC）では前記で詳述したように周囲温度の変化
に影響れる事なくコントロールバルブ部（３）の制御作
用にて一定量の液体原料（Ｌ）が３方向弁（Ｃ）に供給
される事になる。
液体原料（Ｌ）が３方向弁（Ｃ）に供給されると、液体
原料入り口（20）を通って弁シート（22）の中央の通孔
から液体原料（Ｌ）の先端が露出して弁シート（22）上
を濡らす。この時、３方向弁（Ｃ）は例えば70℃に加熱
された高温搬送ガス（Ｈ）やこれに必要に応じて混入さ
れた反応ガス（RG）がこの制御室（23）に流入して前記
流出液体原料（Ｌ）の露頭部分並びに弁シート（22）上
の濡れている液体原料（Ｌ）と接触してこれを加熱し、
気化蒸発させると同時に互いに混合する。この混合ガス
（Kn）は、混合ガス出口（25）から流出して反応炉（B
1）に所定量づつ供給される。反応炉（B1）内では例え
ばシリコンウェハーのような被処理基板（Ｓ）が高温で
保持されており、この基板（Ｓ）上に気化した反応ガス
（RG）（ここではTEOSと酸素など）及び搬送ガス（Ｈ）
が供給され、基板（Ｓ）表面で下記の化学反応が起こ
り、SiO2が成膜される。
原料入り口（20）を通って弁シート（22）の中央の通孔
から液体原料（Ｌ）の先端が露出して弁シート（22）上
を濡らす。この時、３方向弁（Ｃ）は例えば70℃に加熱
された高温搬送ガス（Ｈ）やこれに必要に応じて混入さ
れた反応ガス（RG）がこの制御室（23）に流入して前記
流出液体原料（Ｌ）の露頭部分並びに弁シート（22）上
の濡れている液体原料（Ｌ）と接触してこれを加熱し、
気化蒸発させると同時に互いに混合する。この混合ガス
（Kn）は、混合ガス出口（25）から流出して反応炉（B
1）に所定量づつ供給される。反応炉（B1）内では例え
ばシリコンウェハーのような被処理基板（Ｓ）が高温で
保持されており、この基板（Ｓ）上に気化した反応ガス
（RG）（ここではTEOSと酸素など）及び搬送ガス（Ｈ）
が供給され、基板（Ｓ）表面で下記の化学反応が起こ
り、SiO2が成膜される。
Si（OC2H5）４＋14O2→SiO2＋8CO2＋10H2O この際、成膜速度を向上させるには被処理基板（Ｓ）に
R.F.パワーを印加する事で実現できる。
R.F.パワーを印加する事で実現できる。
反応炉（B1）内で生じた反応副生成物あるいは未反応ガ
ス（RG）及び搬送ガス（Ｈ）等は排気系を通して反応炉
（B1）から外へ放出される。
ス（RG）及び搬送ガス（Ｈ）等は排気系を通して反応炉
（B1）から外へ放出される。
なお、３方向弁（Ｃ）での蒸発メカニズムを詳述すれ
ば、弁シート（22）の上端に達した液体原料（Ｌ）は高
温搬送ガス（Ｈ）と接して加熱され、その表面から順次
蒸発気化する。この蒸気《即ち、原料ガス（Ｇ）》は、
気化と同時に搬送ガス（Ｈ）によって運び去られるの
で、この原料ガス（Ｇ）の分圧は低下する。そこで、こ
の分圧低下を補うために液体原料（Ｌ）が次々に気化す
る。この一連の作用にて液体原料（Ｌ）は連続的かつス
ムーズに気化・搬送が起こり、反応炉（Ｃ）への流量の
一定な原料ガス（Ｇ）の供給が行われる事になる。
ば、弁シート（22）の上端に達した液体原料（Ｌ）は高
温搬送ガス（Ｈ）と接して加熱され、その表面から順次
蒸発気化する。この蒸気《即ち、原料ガス（Ｇ）》は、
気化と同時に搬送ガス（Ｈ）によって運び去られるの
で、この原料ガス（Ｇ）の分圧は低下する。そこで、こ
の分圧低下を補うために液体原料（Ｌ）が次々に気化す
る。この一連の作用にて液体原料（Ｌ）は連続的かつス
ムーズに気化・搬送が起こり、反応炉（Ｃ）への流量の
一定な原料ガス（Ｇ）の供給が行われる事になる。
又、第７、８図によって、ガスの流れを説明すれば、弁
シート（22）が閉じている場合（第７図）には、弁シー
ト（22）の周囲を通って搬送ガス（Ｈ）のみが流れ、弁
シート（22）が開いている場合には弁シート（22）の周
囲並びにその上面を流れて原料ガス（Ｇ）を運び去る事
になる。
シート（22）が閉じている場合（第７図）には、弁シー
ト（22）の周囲を通って搬送ガス（Ｈ）のみが流れ、弁
シート（22）が開いている場合には弁シート（22）の周
囲並びにその上面を流れて原料ガス（Ｇ）を運び去る事
になる。
次に第10、11図により、本発明と従来例との性能を比較
してみる。
してみる。
第10図は従来例の液体原料気化供給装置の性能グラフで
あり、第11図は本発明の液体原料気化供給装置の性能グ
ラフである。
あり、第11図は本発明の液体原料気化供給装置の性能グ
ラフである。
従来例の液体原料気化供給装置は、第９図のように原料
タンク（Ｔ）を加熱して液体原料（Ｌ）を蒸発させ、こ
の原料ガス（Ｇ）を気体用質量流量制御器（GMFC）のコ
ントロールバルブ部によって流量制御しているために反
応炉（Ｃ）迄のガス配管経路が非常に長く、その結果、
ガス供給の立ち上がり時には、ガス供給の安定化が遅れ
るものであり、又、原料供給停止時には反応炉（Ｃ）で
排気を行っていてもコントロールバルブ部から反応炉
（Ｃ）までのガス配管系統に原料ガス（Ｇ）が残留して
零に至る立ち下がりが遅く、開始から停止迄のプロセス
全体における時間が長い。
タンク（Ｔ）を加熱して液体原料（Ｌ）を蒸発させ、こ
の原料ガス（Ｇ）を気体用質量流量制御器（GMFC）のコ
ントロールバルブ部によって流量制御しているために反
応炉（Ｃ）迄のガス配管経路が非常に長く、その結果、
ガス供給の立ち上がり時には、ガス供給の安定化が遅れ
るものであり、又、原料供給停止時には反応炉（Ｃ）で
排気を行っていてもコントロールバルブ部から反応炉
（Ｃ）までのガス配管系統に原料ガス（Ｇ）が残留して
零に至る立ち下がりが遅く、開始から停止迄のプロセス
全体における時間が長い。
一方、本発明の液体原料気化供給装置は、第５図のよう
に、３方向弁（Ｃ）によって液体原料（Ｌ）の液面を直
接開閉するものであるため、反応炉（Ｃ）迄のガス配管
経路が短く、原料ガス（Ｇ）の供給開始後、安定領域に
達する迄の立ち上がり時間が従来例の約1/2に短縮さ
れ、しかも弁閉鎖後も搬送ガス（Ｇ）を流し続けている
ので、反応炉（Ｃ）内並びに３方向弁（Ｃ）から反応炉
（B1）に至る配管経路の原料ガス（Ｇ）の残留量が急激
に希薄化し、原料ガス（Ｇ）の排出の立ち下がり時間も
従来例の約1/10と極めて短くなり、プロセス全体の時間
短縮が可能となる。
に、３方向弁（Ｃ）によって液体原料（Ｌ）の液面を直
接開閉するものであるため、反応炉（Ｃ）迄のガス配管
経路が短く、原料ガス（Ｇ）の供給開始後、安定領域に
達する迄の立ち上がり時間が従来例の約1/2に短縮さ
れ、しかも弁閉鎖後も搬送ガス（Ｇ）を流し続けている
ので、反応炉（Ｃ）内並びに３方向弁（Ｃ）から反応炉
（B1）に至る配管経路の原料ガス（Ｇ）の残留量が急激
に希薄化し、原料ガス（Ｇ）の排出の立ち下がり時間も
従来例の約1/10と極めて短くなり、プロセス全体の時間
短縮が可能となる。
第２図は、本発明の第２実施例で、ガスヒータ（GH）と
ラインヒータ（LH）の代わりに恒温槽（A1）を用いてお
り、それ以外の点では第１実施例と構成は同じである。
又、液体原料（Ｌ）の蒸発は恒温に保持された３方向弁
（Ｃ）からの熱により蒸発するものである。
ラインヒータ（LH）の代わりに恒温槽（A1）を用いてお
り、それ以外の点では第１実施例と構成は同じである。
又、液体原料（Ｌ）の蒸発は恒温に保持された３方向弁
（Ｃ）からの熱により蒸発するものである。
（本発明の効果） 本発明方法は請求項（１）に示すように、液体原料を一
定量づつ気化領域に連続的に気化領域に供給し、当該気
化領域にて高温搬送ガスに液体原料を接触させて気化
し、液体原料を原料ガスにすると共に前記高温搬送ガス
と混合して次の反応領域に供給するものであり、請求項
（２）は、液体原料を一定量づつ連続的に恒温気化領域
に供給し、当該恒温気化領域にて液体原料を気化させて
原料ガスにすると共に恒温気化領域に供給された搬送ガ
スと混合して混合ガスとし、この混合ガスを次の反応領
域に供給するので、いずれの方法においても液体原料の
ガス化領域から反応領域迄の距離が非常に短く、その結
果反応領域においてガス供給開始から安定するまでの立
ち上がり時間並びにガス供給停止から供給が零になる迄
の立ち下がり時間を極めて短くする事が出来て生産性の
向上を図る事が出来るという利点があり、又、常温で液
体原料を供給を行うのであるから液体原料の熱分解を避
ける事が出来、しかも、特性の異なる各種液体原料を使
用したり、各種の液体原料を混合して使用する事が出来
る等の利点がある。また、上記のように原料ガスの排気
の立ち下がりが速いので、排気を十分に行う事が出来、
原料ガスの種類を変えて行う次工程での汚染の影響も少
なく又切り替えも迅速に行う事が出来るという利点があ
る。
定量づつ気化領域に連続的に気化領域に供給し、当該気
化領域にて高温搬送ガスに液体原料を接触させて気化
し、液体原料を原料ガスにすると共に前記高温搬送ガス
と混合して次の反応領域に供給するものであり、請求項
（２）は、液体原料を一定量づつ連続的に恒温気化領域
に供給し、当該恒温気化領域にて液体原料を気化させて
原料ガスにすると共に恒温気化領域に供給された搬送ガ
スと混合して混合ガスとし、この混合ガスを次の反応領
域に供給するので、いずれの方法においても液体原料の
ガス化領域から反応領域迄の距離が非常に短く、その結
果反応領域においてガス供給開始から安定するまでの立
ち上がり時間並びにガス供給停止から供給が零になる迄
の立ち下がり時間を極めて短くする事が出来て生産性の
向上を図る事が出来るという利点があり、又、常温で液
体原料を供給を行うのであるから液体原料の熱分解を避
ける事が出来、しかも、特性の異なる各種液体原料を使
用したり、各種の液体原料を混合して使用する事が出来
る等の利点がある。また、上記のように原料ガスの排気
の立ち下がりが速いので、排気を十分に行う事が出来、
原料ガスの種類を変えて行う次工程での汚染の影響も少
なく又切り替えも迅速に行う事が出来るという利点があ
る。
又、本発明装置の第１実施例は請求項（３）に示すよう
に、液体原料を貯溜すると共に液体用質量流量制御器に
前記液体原料を供給する原料タンクと、原料タンクから
供給を受けた液体原料を所定質量流量だけ供給する液体
用質量流量制御器と、液体質量流量制御器から供給され
た一定の液体原料を、高温搬送ガスと接触させて気化
し、この原料ガスと搬送ガスとを混合して一定量の混合
ガスとして次工程の反応炉に供給する３方向弁とで構成
されており、第２実施例は、液体原料を貯溜すると共に
液体用質量流量制御器に前記液体原料を供給する原料タ
ンクと、原料タンクから供給を受けた液体原料を所定質
量流量だけ供給する液体用質量流量制御器と、恒温槽内
に収納されており、液体原料を加熱して気化させて原料
ガスにし、搬送ガスと前記原料ガスとを混合した混合ガ
スを一定量づつ次工程の反応炉に供給する３方向弁とで
構成されているので、前記方法に於ける効果の他、第１
実施例の場合では恒温槽が不要であり、第２実施例の場
合は恒温槽を必要とするものの恒温槽内に収納するもの
が３方向弁だけとなり、非常に小型の恒温槽で足り、装
置のコンパクト化、簡略化、低価格化が実現出来、それ
故メンテナンスも容易になる。又、反応炉も減圧（真
空）から高圧迄広範囲のものに適用出来るものである。
に、液体原料を貯溜すると共に液体用質量流量制御器に
前記液体原料を供給する原料タンクと、原料タンクから
供給を受けた液体原料を所定質量流量だけ供給する液体
用質量流量制御器と、液体質量流量制御器から供給され
た一定の液体原料を、高温搬送ガスと接触させて気化
し、この原料ガスと搬送ガスとを混合して一定量の混合
ガスとして次工程の反応炉に供給する３方向弁とで構成
されており、第２実施例は、液体原料を貯溜すると共に
液体用質量流量制御器に前記液体原料を供給する原料タ
ンクと、原料タンクから供給を受けた液体原料を所定質
量流量だけ供給する液体用質量流量制御器と、恒温槽内
に収納されており、液体原料を加熱して気化させて原料
ガスにし、搬送ガスと前記原料ガスとを混合した混合ガ
スを一定量づつ次工程の反応炉に供給する３方向弁とで
構成されているので、前記方法に於ける効果の他、第１
実施例の場合では恒温槽が不要であり、第２実施例の場
合は恒温槽を必要とするものの恒温槽内に収納するもの
が３方向弁だけとなり、非常に小型の恒温槽で足り、装
置のコンパクト化、簡略化、低価格化が実現出来、それ
故メンテナンスも容易になる。又、反応炉も減圧（真
空）から高圧迄広範囲のものに適用出来るものである。
第１図……本発明方法の第１実施例のフロー図 第２図……本発明方法の第２実施例のフロー図 第３図……本発明に使用する液体用質量流量制御器の一
実施例の概略縦断面図 第４図……本発明に使用する液体用質量流量制御器の一
実施例の概略横断面図 第５図……本発明に使用する３方向弁の一実施例の概略
縦断面図 第６図……本発明に使用する３方向弁における気化のメ
カニズムを示す拡大断面図 第７図……本発明に使用する３方向弁における弁シート
閉成時の弁回りの横断面図 第８図……本発明に使用する３方向弁における弁シート
開成時の弁回りの横断面図 第９図……従来例のフロー図 第10図……従来装置による流量とサイクル時間の関係を
示すグラフ 第11図……本発明装置による流量とサイクル時間の関係
を示すグラフ （Ａ）……気化領域又は恒温気化領域、（Ｅ）……電気
回路 （Ｂ）……反応領域、（B1）……反応炉 （Ｃ）……３方向弁、（Ｐ）……真空ポンプ （Ｌ）……液体原料、（Ｇ）……原料ガス （Ｈ）……搬送ガス、（Ｔ）……原料タンク （Ｆ）……不活性ガス、（Kn）……混合ガス （JK）……上部空間、（Ｓ）……被処理基板 （GH）……ガスヒータ、（GP）……気体供給配管 （LH）……ラインヒータ、（FP）……不活性ガス供給配
管 （RG）……レギュレータ、（LP）……原料供給配管 （BB1）〜（BBN）……搬送ガスボンベ （LMFC）……液体用質量流量制御器 （GMFC）……気体用質量流量制御器
実施例の概略縦断面図 第４図……本発明に使用する液体用質量流量制御器の一
実施例の概略横断面図 第５図……本発明に使用する３方向弁の一実施例の概略
縦断面図 第６図……本発明に使用する３方向弁における気化のメ
カニズムを示す拡大断面図 第７図……本発明に使用する３方向弁における弁シート
閉成時の弁回りの横断面図 第８図……本発明に使用する３方向弁における弁シート
開成時の弁回りの横断面図 第９図……従来例のフロー図 第10図……従来装置による流量とサイクル時間の関係を
示すグラフ 第11図……本発明装置による流量とサイクル時間の関係
を示すグラフ （Ａ）……気化領域又は恒温気化領域、（Ｅ）……電気
回路 （Ｂ）……反応領域、（B1）……反応炉 （Ｃ）……３方向弁、（Ｐ）……真空ポンプ （Ｌ）……液体原料、（Ｇ）……原料ガス （Ｈ）……搬送ガス、（Ｔ）……原料タンク （Ｆ）……不活性ガス、（Kn）……混合ガス （JK）……上部空間、（Ｓ）……被処理基板 （GH）……ガスヒータ、（GP）……気体供給配管 （LH）……ラインヒータ、（FP）……不活性ガス供給配
管 （RG）……レギュレータ、（LP）……原料供給配管 （BB1）〜（BBN）……搬送ガスボンベ （LMFC）……液体用質量流量制御器 （GMFC）……気体用質量流量制御器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 弘文 滋賀県野洲郡中主町乙窪588―１ 株式会 社リンテック内 (56)参考文献 特公 昭46−6843（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (4)
- 【請求項１】液体原料を一定量づつ連続的に気化領域に
供給し、当該気化領域にて上記液体原料を上方に誘導し
て溢出させ、これに高温搬送ガスを接触させて気化して
液体原料を原料ガスにすると共に、前記高温搬送ガスと
混合して次の反応領域に供給することを特徴とした化学
的気相成長方法。 - 【請求項２】液体原料を一定量づつ連続的に恒温気化領
域に供給し、当該恒温気化領域にて上記液体原料を上方
に誘導して溢出させると共に気化させて原料ガスとし、
この原料ガスをこの恒温気化領域に供給された搬送ガス
と混合して混合ガスとし、この混合ガスを次の反応領域
に供給することを特徴とした化学的気相成長方法。 - 【請求項３】液体原料を貯留すると共に液体用質量流量
制御器に前記液体原料を供給する原料タンクと、原料タ
ンクから供給を受けた液体原料を所定質量流量だけ供給
する液体用質量流量制御器と、液体用質量流量制御器か
ら供給された一定の液体原料を、高温搬送ガスと接触さ
せて気化し、この原料ガスと搬送ガスとを混合して一定
量の混合ガスとして次工程の反応炉に供給する３方向弁
とで構成されてなり、 上記３方向弁が、上部に上面開口凹所が穿設された弁本
体と、該弁本体の上面開孔凹所を閉塞しかつ該凹所内で
昇降するプランジャを有する駆動部と、上記弁本体の上
面開口凹所の底面中央部に設けられる弁シートと、上記
上面開口凹所内をプランジャを含む上記空間と弁シート
を含む下部空間とを気密に隔絶しかつプランジャの下降
により弁シート上面に密着される可撓性のダイヤフラム
とからなり、 上記弁本体底面中央から上記弁シート上面のダイヤフラ
ムが密着する部位まで上下に貫通して設けられる液体原
料導入路と、上記ダイヤフラムが弁シート上面に密着さ
れたとき、弁シートの周囲に形成される空間に連通する
よう弁本体にそれぞれ設けられる高温搬送ガス流入路及
び混合ガス流出路とを備えてなる液体原料の気化供給装
置。 - 【請求項４】液体原料を貯留すると共に液体用質量流量
制御器に前記液体原料を供給する原料タンクと、原料タ
ンクから供給を受けた液体原料を所定質量流量だけ供給
する液体用質量流量制御器と、恒温槽内に収納されてお
り、液体原料を加熱して気化させて原料ガスにし、搬送
ガスと前記原料ガスとを混合した混合ガスを一定量ずつ
次工程の反応炉に供給する３方向弁とで構成されてな
り、 上記３方向弁が、上部に上面開口凹所が穿設された弁本
体と、該弁本体の上面開孔凹所を閉塞しかつ該凹所内で
昇降するプランジャを有する駆動部と、上記弁本体の上
面開口凹所の底面中央部に設けられる弁シートと、上記
上面開口凹所内をプランジャを含む上記空間と弁シート
を含む下部空間とを気密に隔絶しかつプランジャの下降
により弁シート上面に密着される可撓性のダイヤフラム
とからなり、 上記弁本体底面中央から上記弁シート上面のダイヤフラ
ムが密着する部位まで上下に貫通して設けられる液体原
料導入路と、上記ダイヤフラムが弁シート上面に密着さ
れたとき、弁シートの周囲に形成される空間に連通する
よう弁本体にそれぞれ設けられる搬送ガス流入路及び混
合ガス流出路とを備えてなる液体原料の気化供給装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322266A JPH0784662B2 (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 化学的気相成長方法とその装置 |
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| US6004885A (en) * | 1991-12-26 | 1999-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film formation on semiconductor wafer |
| EP0548990B1 (en) * | 1991-12-26 | 1997-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition method for forming a deposited film with the use of a liquid raw material and apparatus suitable for practising said method |
| NL9200415A (nl) * | 1992-03-06 | 1993-10-01 | Bronkhorst High Tech Bv | Werkwijze voor het omzetten van een vloeistofstroom in een gasstroom, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. |
| JP2703694B2 (ja) * | 1992-05-28 | 1998-01-26 | 信越半導体株式会社 | ガス供給装置 |
| JP3115134B2 (ja) * | 1992-11-27 | 2000-12-04 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜処理装置および薄膜処理方法 |
| DE69312436T2 (de) * | 1992-12-15 | 1998-02-05 | Applied Materials Inc | Verdampfung von flüssigen Reaktionspartnern für CVD |
| US5575854A (en) * | 1993-12-30 | 1996-11-19 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor treatment apparatus |
| JP3122311B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法 |
| US5531183A (en) * | 1994-07-13 | 1996-07-02 | Applied Materials, Inc. | Vaporization sequence for multiple liquid precursors used in semiconductor thin film applications |
| US5925189A (en) | 1995-12-06 | 1999-07-20 | Applied Materials, Inc. | Liquid phosphorous precursor delivery apparatus |
| JPH1089532A (ja) * | 1995-12-13 | 1998-04-10 | Rintetsuku:Kk | 気化装置の弁構造 |
| DE69716145T2 (de) * | 1996-02-05 | 2003-06-12 | Teijin Ltd., Osaka | Biaxial orientierte Verbundfolie |
| US6244575B1 (en) | 1996-10-02 | 2001-06-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same |
| FR2755522B1 (fr) * | 1996-11-05 | 1998-12-18 | Air Liquide | Dispositif de regulation de l'ecoulement de gaz ayant des masses molaires sensiblement differentes |
| US6280793B1 (en) | 1996-11-20 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Electrostatic method and apparatus for vaporizing precursors and system for using same |
| RU2099440C1 (ru) * | 1997-01-24 | 1997-12-20 | Плазма Текнололоджи Лимитед | Способ обработки поверхностей и устройство для его осуществления |
| US5968588A (en) * | 1997-03-17 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | In-situ liquid flow rate estimation and verification by sonic flow method |
| US5866795A (en) * | 1997-03-17 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Liquid flow rate estimation and verification by direct liquid measurement |
| US5929318A (en) * | 1997-05-02 | 1999-07-27 | Illinois Instruments, Inc. | System and method for sensing low levels of a particular gas in an atmosphere |
| US6080446A (en) | 1997-08-21 | 2000-06-27 | Anelva Corporation | Method of depositing titanium nitride thin film and CVD deposition apparatus |
| US6527865B1 (en) | 1997-09-11 | 2003-03-04 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled gas feedthrough |
| US6258170B1 (en) | 1997-09-11 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Vaporization and deposition apparatus |
| JPH11111644A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Japan Pionics Co Ltd | 気化供給装置 |
| US6265026B1 (en) * | 1998-01-16 | 2001-07-24 | The Regents Of The University Of California | Vapor phase deposition |
| US6217659B1 (en) | 1998-10-16 | 2001-04-17 | Air Products And Chemical, Inc. | Dynamic blending gas delivery system and method |
| US6454860B2 (en) * | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
| KR100368319B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2003-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 액체운송장치 |
| KR100649852B1 (ko) * | 1999-09-09 | 2006-11-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기화기 및 이것을 이용한 반도체 제조 시스템 |
| JP4393677B2 (ja) | 1999-09-14 | 2010-01-06 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化方法および装置並びに制御バルブ |
| US6342453B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method for CVD process control for enhancing device performance |
| JP4684408B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2011-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US6596085B1 (en) * | 2000-02-01 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for improved vaporization of deposition material in a substrate processing system |
| US6786935B1 (en) | 2000-03-10 | 2004-09-07 | Applied Materials, Inc. | Vacuum processing system for producing components |
| US6443435B1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Vaporization of precursors at point of use |
| WO2002058141A1 (fr) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Kabushiki Kaisha Watanabe Shoko | Carburateur, dispositifs de divers types utilisant ce carburateur et procede de vaporisation |
| CA2472728C (en) | 2002-01-17 | 2009-05-12 | Scott Technologies, Inc. | Valve manifold assembly for oxygen mask dispensing container |
| JP3828821B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2006-10-04 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化供給装置 |
| US6648034B1 (en) * | 2002-05-23 | 2003-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Purgeable manifold for low vapor pressure chemicals containers |
| US7192486B2 (en) * | 2002-08-15 | 2007-03-20 | Applied Materials, Inc. | Clog-resistant gas delivery system |
| US7031600B2 (en) * | 2003-04-07 | 2006-04-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for silicon oxide deposition on large area substrates |
| WO2005112081A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-11-24 | Sebine Technology, Inc. | Vaporizer with integral diaphragm |
| US7112541B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ oxide capping after CVD low k deposition |
| US7273823B2 (en) * | 2005-06-03 | 2007-09-25 | Applied Materials, Inc. | Situ oxide cap layer development |
| US8002946B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate |
| US8017029B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside |
| US9218944B2 (en) | 2006-10-30 | 2015-12-22 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors |
| US20080099450A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with backside optical sensors and multiple frequency control of etch distribution |
| US8012366B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-06 | Applied Materials, Inc. | Process for etching a transparent workpiece including backside endpoint detection steps |
| US7976671B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution |
| US20080099437A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Richard Lewington | Plasma reactor for processing a transparent workpiece with backside process endpoint detection |
| US7967930B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor for processing a workpiece and having a tunable cathode |
| US8122903B2 (en) | 2007-07-26 | 2012-02-28 | Parker-Hannifin Corporation | Close-coupled purgeable vaporizer valve |
| US8544828B2 (en) * | 2007-12-19 | 2013-10-01 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Liquid material vaporization apparatus |
| JP5179339B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2013-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置 |
| DE112011100462T5 (de) * | 2010-02-05 | 2012-11-22 | Msp Corp. | Feintröpfchen-Zerstäuber für die Flüssigprekursor-Verdampfung |
| TWI447249B (zh) * | 2010-05-17 | 2014-08-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 混合氣體供給系統、濺鍍裝置及濺鍍方法 |
| US8783652B2 (en) * | 2012-03-12 | 2014-07-22 | Mps Corporation | Liquid flow control for film deposition |
| WO2013165430A1 (en) * | 2012-05-03 | 2013-11-07 | International Engine Intellectual Property Company, Llc | Ammonia flow modulator to prevent moisture build-up |
| DE102013020899A1 (de) * | 2013-12-11 | 2015-06-11 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren zum Einbringen eines Prozessgases in einen Prozessraum für eine Plasma unterstützte chemische Gasphasenabscheidung und Vorrichtung für eine Plasma unterstützte chemische Gasphasenabscheidung |
| US9970108B2 (en) * | 2014-08-01 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Systems and methods for vapor delivery in a substrate processing system |
| JP6904231B2 (ja) * | 2017-12-13 | 2021-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、記憶媒体及び原料ガス供給装置 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1352316A (en) * | 1920-09-07 | Carbureter | ||
| US1444222A (en) * | 1914-09-10 | 1923-02-06 | Packard Motor Car Co | Carburetor |
| US1421627A (en) * | 1917-12-17 | 1922-07-04 | Walter S Crane | Primer for internal-combustion engines |
| FR713721A (fr) * | 1930-02-04 | 1931-10-31 | Zenith Carburateurs Soc Gen | Perfectionnements aux dispositifs d'alimentation en combustible des moteurs à combustion interne |
| US2594344A (en) * | 1946-03-20 | 1952-04-29 | Armand C Pothier | Carburetor |
| US2755006A (en) * | 1951-10-03 | 1956-07-17 | Sollie W Small | Drink dispensing mechanism |
| US2856148A (en) * | 1952-02-08 | 1958-10-14 | Vickers Electrical Co Ltd | Valve assembly |
| US2934314A (en) * | 1957-01-18 | 1960-04-26 | Electro Way Corp | Valve |
| US3190262A (en) * | 1961-10-20 | 1965-06-22 | Alloyd Corp | Vapor deposition |
| US3698367A (en) * | 1971-06-21 | 1972-10-17 | Allan Pump And Supply Inc | Gas carburetor valve |
| US3889538A (en) * | 1974-06-05 | 1975-06-17 | Sun Oil Co Pennsylvania | Sample vaporizer for gas chromatography |
| US3930908A (en) * | 1974-09-30 | 1976-01-06 | Rca Corporation | Accurate control during vapor phase epitaxy |
| US4232063A (en) * | 1978-11-14 | 1980-11-04 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition reactor and process |
| US4241761A (en) * | 1979-01-09 | 1980-12-30 | Michael Ebert | Manifold valve assembly |
| EP0058571A1 (en) * | 1981-02-18 | 1982-08-25 | National Research Development Corporation | Method and apparatus for delivering a controlled flow rate of reactant to a vapour deposition process |
| US4558845A (en) * | 1982-09-22 | 1985-12-17 | Hunkapiller Michael W | Zero dead volume valve |
| US4579080A (en) * | 1983-12-09 | 1986-04-01 | Applied Materials, Inc. | Induction heated reactor system for chemical vapor deposition |
| US4668365A (en) * | 1984-10-25 | 1987-05-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition |
| US4761269A (en) * | 1986-06-12 | 1988-08-02 | Crystal Specialties, Inc. | Apparatus for depositing material on a substrate |
| US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| JPH01175225A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Fujitsu Ltd | 気相成長方法及び気相成長装置 |
| US4844006A (en) * | 1988-03-07 | 1989-07-04 | Akzo America Inc. | Apparatus to provide a vaporized reactant for chemical-vapor deposition |
| KR0156237B1 (ko) * | 1988-06-03 | 1998-12-01 | 고다까 토시오 | 처리액 공급 장치 |
| US5203925A (en) * | 1991-06-20 | 1993-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for producing a thin film of tantalum oxide |
-
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- 1989-12-12 JP JP1322266A patent/JPH0784662B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
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