JPH07325051A - 画像のアライメント補正方法 - Google Patents
画像のアライメント補正方法Info
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- JPH07325051A JPH07325051A JP6119226A JP11922694A JPH07325051A JP H07325051 A JPH07325051 A JP H07325051A JP 6119226 A JP6119226 A JP 6119226A JP 11922694 A JP11922694 A JP 11922694A JP H07325051 A JPH07325051 A JP H07325051A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２つの電位コントラスト像を精度よく、アラ
イメント補正することができる画像のアライメント補正
方法を提案する。 【構成】 ２つの画像の双方に４つ以上の比較対応点を
設定し、この４つ以上の比較対応点の相互の位置ずれか
らアライメント補正量を求める。
イメント補正することができる画像のアライメント補正
方法を提案する。 【構成】 ２つの画像の双方に４つ以上の比較対応点を
設定し、この４つ以上の比較対応点の相互の位置ずれか
らアライメント補正量を求める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば荷電粒子ビーム
を被試験ＩＣに照射し、被試験ＩＣから放出される２次
電子の量を計測して電位コントラスト像を取得し、この
電位コントラスト像によりＩＣ内の欠陥個所を特定する
場合に利用する画像のアライメント方法に関する。
を被試験ＩＣに照射し、被試験ＩＣから放出される２次
電子の量を計測して電位コントラスト像を取得し、この
電位コントラスト像によりＩＣ内の欠陥個所を特定する
場合に利用する画像のアライメント方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より被試験ＩＣのチップに電子ビー
ムを掃引照射（走査しながら照射すること）し、各照射
点から発生する２次電子の量を各照射点毎に計測し、こ
の計測量を電気信号として取込むことによりＩＣ内の電
位分布を電位コントラスト像として表示し、不良個所の
解析等に利用するＩＣ不良解析装置が実用されている。
ムを掃引照射（走査しながら照射すること）し、各照射
点から発生する２次電子の量を各照射点毎に計測し、こ
の計測量を電気信号として取込むことによりＩＣ内の電
位分布を電位コントラスト像として表示し、不良個所の
解析等に利用するＩＣ不良解析装置が実用されている。
【０００３】図２に従来のこの種のＩＣ不良解析装置の
概略の構成を示す。図中１００はＩＣ不良解析装置の全
体を指す。ＩＣ不良解析装置１００は大きく分けて、試
験パターン発生部２００と、荷電粒子ビームテスタ３０
０とによって構成される。試験パターン発生部２００は
荷電粒子ビームテスタ３００に装着した被試験素子ＤＵ
Ｔに試験パターン信号を与える。試験パターン発生部２
００は試験パターンの発生を開始させるスタートスイッ
チ２０１と、任意の時点で試験パターンの発生を停止さ
せることに用いるストップスイッチ２０２と、特定した
試験パターンが発生したとき試験パターンの更新を停止
させるための停止パターン設定手段２０３と、この停止
パターン設定手段２０３に設定した試験パターンが発生
したことを検出して試験パターンの更新を停止させるパ
ターン保持手段２０４と、試験パターンの更新が停止し
たことを表わす信号発信する停止信号発生手段２０５と
を具備し、試験パターン信号の発生開始制御と、停止制
御及び特定の試験パターンにおいて試験パターンの更新
動作を停止させる制御を行なうことができるように構成
されている。
概略の構成を示す。図中１００はＩＣ不良解析装置の全
体を指す。ＩＣ不良解析装置１００は大きく分けて、試
験パターン発生部２００と、荷電粒子ビームテスタ３０
０とによって構成される。試験パターン発生部２００は
荷電粒子ビームテスタ３００に装着した被試験素子ＤＵ
Ｔに試験パターン信号を与える。試験パターン発生部２
００は試験パターンの発生を開始させるスタートスイッ
チ２０１と、任意の時点で試験パターンの発生を停止さ
せることに用いるストップスイッチ２０２と、特定した
試験パターンが発生したとき試験パターンの更新を停止
させるための停止パターン設定手段２０３と、この停止
パターン設定手段２０３に設定した試験パターンが発生
したことを検出して試験パターンの更新を停止させるパ
ターン保持手段２０４と、試験パターンの更新が停止し
たことを表わす信号発信する停止信号発生手段２０５と
を具備し、試験パターン信号の発生開始制御と、停止制
御及び特定の試験パターンにおいて試験パターンの更新
動作を停止させる制御を行なうことができるように構成
されている。
【０００４】一方荷電粒子ビームテスタ３００は被試験
素子ＤＵＴに例えば電子ビームのような荷電粒子ビーム
ＦＢを照射する鏡筒部３０１と、この鏡筒部３０１の下
部に設けられ、被試験素子ＤＵＴを真空中に配置するチ
ャンバ３０２と、このチャンバ３０２の内部に設けら
れ、被試験素子ＤＵＴの位置をＸ−Ｙ方向に移動させる
ステージ３０３と、被試験素子ＤＵＴから発生する２次
電子の量を計測するためのセンサ３０４と、試験パター
ンの停止時にセンサ３０４によって検出した電気信号を
画像データとして取込む画像データ取得装置３０５と、
画像データ取得装置３０５で取込んだ画像データを電位
コントラスト像として表示するモニタ３０６と、荷電粒
子ビームＥＢの出射及びその出射量（電流値）、加速電
圧、走査速度、走査面積等を制御する鏡筒制御器３０７
と、画像データ取得装置３０５で取得した画像データを
記憶する例えばハードディスクのような大容量記憶手段
３０８と、アライメント補正手段３０９とによって構成
される。
素子ＤＵＴに例えば電子ビームのような荷電粒子ビーム
ＦＢを照射する鏡筒部３０１と、この鏡筒部３０１の下
部に設けられ、被試験素子ＤＵＴを真空中に配置するチ
ャンバ３０２と、このチャンバ３０２の内部に設けら
れ、被試験素子ＤＵＴの位置をＸ−Ｙ方向に移動させる
ステージ３０３と、被試験素子ＤＵＴから発生する２次
電子の量を計測するためのセンサ３０４と、試験パター
ンの停止時にセンサ３０４によって検出した電気信号を
画像データとして取込む画像データ取得装置３０５と、
画像データ取得装置３０５で取込んだ画像データを電位
コントラスト像として表示するモニタ３０６と、荷電粒
子ビームＥＢの出射及びその出射量（電流値）、加速電
圧、走査速度、走査面積等を制御する鏡筒制御器３０７
と、画像データ取得装置３０５で取得した画像データを
記憶する例えばハードディスクのような大容量記憶手段
３０８と、アライメント補正手段３０９とによって構成
される。
【０００５】この種のＩＣ不良解析装置では先ずＩＣテ
スタによってＩＣを良品と不良品に仕分けし、不良と判
定されたＩＣの不良端子に接続されている内部配線につ
いて電位コントラスト像を取得する。これと共にこの電
位コントラスト像と同一部分の電位コントラスト像を良
品からも取得し、その２つの電位コントラスト像を比較
して画像上で不一致部分を探し、不一致部分が見付かっ
たら、その部分に欠陥があるものと判定する。
スタによってＩＣを良品と不良品に仕分けし、不良と判
定されたＩＣの不良端子に接続されている内部配線につ
いて電位コントラスト像を取得する。これと共にこの電
位コントラスト像と同一部分の電位コントラスト像を良
品からも取得し、その２つの電位コントラスト像を比較
して画像上で不一致部分を探し、不一致部分が見付かっ
たら、その部分に欠陥があるものと判定する。
【０００６】２つの画像を比較する場合、２つの画像の
差を求め、その差像に像が生じたら不一致の部分が有る
ものと判定することができる。従って２つの画像の差像
を求める場合、フレームメモリ上で像の減算を行なう。
このためフレームメモリに収納されている２つの画像の
位置を正確に合せ込むことと、２つの画像の倍率、歪み
等が一致していることが条件とされる。２つの画像を合
せ込む作業をアライメント補正装置３０９で行なってい
る。
差を求め、その差像に像が生じたら不一致の部分が有る
ものと判定することができる。従って２つの画像の差像
を求める場合、フレームメモリ上で像の減算を行なう。
このためフレームメモリに収納されている２つの画像の
位置を正確に合せ込むことと、２つの画像の倍率、歪み
等が一致していることが条件とされる。２つの画像を合
せ込む作業をアライメント補正装置３０９で行なってい
る。
【０００７】３点のアライメント補正の演算は以下の如
くして行なわれる。基準画像ＳＥＭ１に設定した比較対
応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３の座標を（ｘ1 ，ｙ 1 ），
（ｘ2 ，ｙ2 ），（ｘ3 ，ｙ3 ） アライメント補正すべき画像ＳＥＭ２に設定した比較対
応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３の座標を（Ｘ1 ，Ｙ1 ），
（Ｘ2 ，Ｙ2 ），（Ｘ3 ，Ｙ3 ）とすると、対応する座
標（ｘ1 ，ｙ1 ）と（Ｘ1 ，Ｙ1 ）との間には
くして行なわれる。基準画像ＳＥＭ１に設定した比較対
応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３の座標を（ｘ1 ，ｙ 1 ），
（ｘ2 ，ｙ2 ），（ｘ3 ，ｙ3 ） アライメント補正すべき画像ＳＥＭ２に設定した比較対
応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３の座標を（Ｘ1 ，Ｙ1 ），
（Ｘ2 ，Ｙ2 ），（Ｘ3 ，Ｙ3 ）とすると、対応する座
標（ｘ1 ，ｙ1 ）と（Ｘ1 ，Ｙ1 ）との間には
【０００８】
【数１】 という対応がある。この対応関係から
【０００９】
【数２】 が算出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来は比較する２つの
画像のそれぞれに３つの比較対応点を設定し、一方の画
像の比較対応点を基準に、他方の画像の比較対応点をこ
の基準位置に近ずけるようにアライメント補正を行なっ
ている。この従来のアライメント補正の方法によると画
像に歪みが生じた場合に正しくアライメント補正が実行
できない不都合が生じる。図３Ａに示す画像ＳＥＭ１を
基準となる画像、図３Ｂに示す画像ＳＥＭ２をアライメ
ント補正すべき画像とする。尚、図中１は配線パターン
を示す。図の例では配線パターン１が格子状に形成され
ている場合を示す。
画像のそれぞれに３つの比較対応点を設定し、一方の画
像の比較対応点を基準に、他方の画像の比較対応点をこ
の基準位置に近ずけるようにアライメント補正を行なっ
ている。この従来のアライメント補正の方法によると画
像に歪みが生じた場合に正しくアライメント補正が実行
できない不都合が生じる。図３Ａに示す画像ＳＥＭ１を
基準となる画像、図３Ｂに示す画像ＳＥＭ２をアライメ
ント補正すべき画像とする。尚、図中１は配線パターン
を示す。図の例では配線パターン１が格子状に形成され
ている場合を示す。
【００１１】図示するように画像ＳＥＭ１とＳＥＭ２に
下拡がりの歪みが発生した場合を示す。これらの画像Ｓ
ＥＭ１とＳＥＭ２に設定した比較対応点をＪ１，Ｊ２，
Ｊ３で示す。比較対応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３を図３Ｂに示
した位置に設定した場合には、同図ＳＥＭ３として示す
ような形状にアライメント補正してしまうおそれがあ
る。また比較対応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３を図３Ｃに示す位
置に設定した場合には、ＳＥＭ４を付して示す画像の形
状にアライメント補正してしまうおそれがある。このよ
うに画像の形状が一致していない場合は電位コントラス
ト像の内容に不一致が存在しなくても、形状の違いによ
って差像が発生し、あたかも不良個所が存在するかの如
き誤まった判断が下されるおそれがある。
下拡がりの歪みが発生した場合を示す。これらの画像Ｓ
ＥＭ１とＳＥＭ２に設定した比較対応点をＪ１，Ｊ２，
Ｊ３で示す。比較対応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３を図３Ｂに示
した位置に設定した場合には、同図ＳＥＭ３として示す
ような形状にアライメント補正してしまうおそれがあ
る。また比較対応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３を図３Ｃに示す位
置に設定した場合には、ＳＥＭ４を付して示す画像の形
状にアライメント補正してしまうおそれがある。このよ
うに画像の形状が一致していない場合は電位コントラス
ト像の内容に不一致が存在しなくても、形状の違いによ
って差像が発生し、あたかも不良個所が存在するかの如
き誤まった判断が下されるおそれがある。
【００１２】従って従来のアライメント補正手段は、画
像が歪んでいる場合に、アライメント補正機能が正しく
働かない欠点がある。先に示した演算式は３点までのア
ライメント補正に対応し、多点のアライメント補正には
対応しない。従って歪みを正しく認識すべく多点の比較
対応点を設定しても、先の演算式では各点の修正値を算
出することはできない。
像が歪んでいる場合に、アライメント補正機能が正しく
働かない欠点がある。先に示した演算式は３点までのア
ライメント補正に対応し、多点のアライメント補正には
対応しない。従って歪みを正しく認識すべく多点の比較
対応点を設定しても、先の演算式では各点の修正値を算
出することはできない。
【００１３】この発明の目的は電位コントラスト像に歪
みが生じても正しくアライメント補正を行うことができ
る画像のアライメント補正方法を提案しようとするもの
である。
みが生じても正しくアライメント補正を行うことができ
る画像のアライメント補正方法を提案しようとするもの
である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明では基準とする
画像及びアライメント補正すべき画像の双方に４つ以上
の数の比較対応点を設定し、この４つ以上の数の比較対
応点を使ってアライメント補正する方法を提案するもの
である。この発明によれば画像が歪んでいても正しくア
ライメント補正が行なわれ、補正すべき画像を基準とな
る画像の形状に合致させることができる。
画像及びアライメント補正すべき画像の双方に４つ以上
の数の比較対応点を設定し、この４つ以上の数の比較対
応点を使ってアライメント補正する方法を提案するもの
である。この発明によれば画像が歪んでいても正しくア
ライメント補正が行なわれ、補正すべき画像を基準とな
る画像の形状に合致させることができる。
【００１５】
【実施例】図１にこの発明の実施例を示す。図１Ａに示
す画像ＳＥＭ１は基準となる画像、図１Ｂはアライメン
ト補正すべき画像を示す。この発明では基準となる画像
ＳＥＭ１及びアライメント補正すべき画像ＳＥＭ２の双
方に４点以上の比較対応点を設定する。図の例ではＪ
１，Ｊ２，Ｊ３，Ｊ４，Ｊ５，Ｊ６の６点を設定した場
合を示す。
す画像ＳＥＭ１は基準となる画像、図１Ｂはアライメン
ト補正すべき画像を示す。この発明では基準となる画像
ＳＥＭ１及びアライメント補正すべき画像ＳＥＭ２の双
方に４点以上の比較対応点を設定する。図の例ではＪ
１，Ｊ２，Ｊ３，Ｊ４，Ｊ５，Ｊ６の６点を設定した場
合を示す。
【００１６】このように４点以上多点に比較対応点を設
定することにより、図示のように画像ＳＥＭ１及びＳＥ
Ｍ２の双方に下拡がりの歪みが存在しても、アライメン
ト補正すべき画像ＳＥＭ２は基準となる画像ＳＥＭ１に
正確に位置合せされる。然も比較対応点Ｊ１とＪ３の間
及びＪ２とＪ４の間にも比較対応点Ｊ５とＪ６を設定す
ることにより、配線パターンの位置も細かく、アライメ
ント補正される。よって画像全体の歪み（輪郭）を正し
く合致させることができる外に、内部の細かい配線パタ
ーンの配置に関してもアライメント補正することができ
る。尚、比較対応点Ｊ１〜Ｊ６の設定はマウス或は光学
ペン等の入力手段を使って入力される。
定することにより、図示のように画像ＳＥＭ１及びＳＥ
Ｍ２の双方に下拡がりの歪みが存在しても、アライメン
ト補正すべき画像ＳＥＭ２は基準となる画像ＳＥＭ１に
正確に位置合せされる。然も比較対応点Ｊ１とＪ３の間
及びＪ２とＪ４の間にも比較対応点Ｊ５とＪ６を設定す
ることにより、配線パターンの位置も細かく、アライメ
ント補正される。よって画像全体の歪み（輪郭）を正し
く合致させることができる外に、内部の細かい配線パタ
ーンの配置に関してもアライメント補正することができ
る。尚、比較対応点Ｊ１〜Ｊ６の設定はマウス或は光学
ペン等の入力手段を使って入力される。
【００１７】以下に多点の位置ずれの量を算出する方法
について説明する。以下に示す演算方法は最小２乗法に
従って演算処理する場合を示す。基準画像ＳＥＭ１に設
定した比較対応点Ｊ１〜Ｊ６の座標を（ｘi ，ｙi ） アライメント補正すべき画像ＳＥＭ２に設定した比較対
応点Ｊ１〜Ｊ６の座標を（Ｘi ，Ｙi ） ｉ＝０，１，２，３，４，５，６，…，ｎ とする。上述のように比較対応点を６点に採るときはｉ
＝０〜５までが使われる。
について説明する。以下に示す演算方法は最小２乗法に
従って演算処理する場合を示す。基準画像ＳＥＭ１に設
定した比較対応点Ｊ１〜Ｊ６の座標を（ｘi ，ｙi ） アライメント補正すべき画像ＳＥＭ２に設定した比較対
応点Ｊ１〜Ｊ６の座標を（Ｘi ，Ｙi ） ｉ＝０，１，２，３，４，５，６，…，ｎ とする。上述のように比較対応点を６点に採るときはｉ
＝０〜５までが使われる。
【００１８】対応する座標（ｘi ，ｙi ）と（Ｘi ，Ｙ
i ）との間に
i ）との間に
【００１９】
【数３】 という対応がある。４点以上の座標データ（フレームメ
モリのアドレスに対応）からａ〜ｆを最小２乗法によっ
て求める。ａ〜ｆの意味は以下の如く表わせる。（Ａ）
式は次の行列式で表わせる。
モリのアドレスに対応）からａ〜ｆを最小２乗法によっ
て求める。ａ〜ｆの意味は以下の如く表わせる。（Ａ）
式は次の行列式で表わせる。
【００２０】
【数４】 誤差をＥとすると、
【００２１】
【数５】 と定義する。Ｅを最小にするａ〜ｆを求めるには、Ｅを
ａ〜ｆで偏微分して０とする。
ａ〜ｆで偏微分して０とする。
【００２２】
【数６】 ，，式からａ，ｂ，ｃを、また，，式から
ｄ，ｅ，ｆを算出する。
ｄ，ｅ，ｆを算出する。
【００２３】
【数７】
【００２４】
【発明の効果】上述したように、この発明によれば２つ
の画像上に４つ以上の比較対応点を設定し、この４つ以
上の比較対応点を用いてアライメント補正する方法とす
るから、基準となる画像に歪があっても、補正しようと
する画像を正しく基準となる画像の位置及び形状に合せ
込むことができる。この結果２枚の画像の差は真に画像
の差となって表われるから、欠陥部分の特定を正確に然
も短時間に行なうことができる。
の画像上に４つ以上の比較対応点を設定し、この４つ以
上の比較対応点を用いてアライメント補正する方法とす
るから、基準となる画像に歪があっても、補正しようと
する画像を正しく基準となる画像の位置及び形状に合せ
込むことができる。この結果２枚の画像の差は真に画像
の差となって表われるから、欠陥部分の特定を正確に然
も短時間に行なうことができる。
【図１】この発明の一実施例を示す正面図。
【図２】従来の技術を説明するためのブロック図。
【図３】従来の技術の不都合を説明するための正面図。
１ 配線パターン Ｊ１〜Ｊ６ 比較対応点
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年８月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 画像のアライメント補正方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば荷電粒子ビーム
を被試験ＩＣに照射し、被試験ＩＣから放出される２次
電子の量を計測して電位コントラスト像を取得し、この
電位コントラスト像によりＩＣ内の欠陥個所を特定する
場合に利用する画像のアライメント方法に関する。
を被試験ＩＣに照射し、被試験ＩＣから放出される２次
電子の量を計測して電位コントラスト像を取得し、この
電位コントラスト像によりＩＣ内の欠陥個所を特定する
場合に利用する画像のアライメント方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より被試験ＩＣのチップに電子ビー
ムを掃引照射（走査しながら照射すること）し、各照射
点から発生する２次電子の量を各照射点毎に計測し、こ
の計測量を電気信号として取込むことによりＩＣ内の電
位分布を電位コントラスト像として表示し、不良個所の
解析等に利用するＩＣ不良解析装置が実用されている。
ムを掃引照射（走査しながら照射すること）し、各照射
点から発生する２次電子の量を各照射点毎に計測し、こ
の計測量を電気信号として取込むことによりＩＣ内の電
位分布を電位コントラスト像として表示し、不良個所の
解析等に利用するＩＣ不良解析装置が実用されている。
【０００３】図２に従来のこの種のＩＣ不良解析装置の
概略の構成を示す。図中１００はＩＣ不良解析装置の全
体を指す。ＩＣ不良解析装置１００は大きく分けて、試
験パターン発生部２００と、荷電粒子ビームテスタ３０
０とによって構成される。試験パターン発生部２００は
荷電粒子ビームテスタ３００に装着した被試験素子ＤＵ
Ｔに試験パターン信号を与える。試験パターン発生部２
００は試験パターンの発生を開始させるスタートスイッ
チ２０１と、任意の時点で試験パターンの発生を停止さ
せることに用いるストップスイッチ２０２と、特定した
試験パターンが発生したとき試験パターンの更新を停止
させるための停止パターン設定手段２０３と、この停止
パターン設定手段２０３に設定した試験パターンが発生
したことを検出して試験パターンの更新を停止させるパ
ターン保持手段２０４と、試験パターンの更新が停止し
たことを表わす信号発信する停止信号発生手段２０５と
を具備し、試験パターン信号の発生開始制御と、停止制
御及び特定の試験パターンにおいて試験パターンの更新
動作を停止させる制御を行なうことができるように構成
されている。
概略の構成を示す。図中１００はＩＣ不良解析装置の全
体を指す。ＩＣ不良解析装置１００は大きく分けて、試
験パターン発生部２００と、荷電粒子ビームテスタ３０
０とによって構成される。試験パターン発生部２００は
荷電粒子ビームテスタ３００に装着した被試験素子ＤＵ
Ｔに試験パターン信号を与える。試験パターン発生部２
００は試験パターンの発生を開始させるスタートスイッ
チ２０１と、任意の時点で試験パターンの発生を停止さ
せることに用いるストップスイッチ２０２と、特定した
試験パターンが発生したとき試験パターンの更新を停止
させるための停止パターン設定手段２０３と、この停止
パターン設定手段２０３に設定した試験パターンが発生
したことを検出して試験パターンの更新を停止させるパ
ターン保持手段２０４と、試験パターンの更新が停止し
たことを表わす信号発信する停止信号発生手段２０５と
を具備し、試験パターン信号の発生開始制御と、停止制
御及び特定の試験パターンにおいて試験パターンの更新
動作を停止させる制御を行なうことができるように構成
されている。
【０００４】一方荷電粒子ビームテスタ３００は被試験
素子ＤＵＴに例えば電子ビームのような荷電粒子ビーム
ＦＢを照射する鏡筒部３０１と、この鏡筒部３０１の下
部に設けられ、被試験素子ＤＵＴを真空中に配置するチ
ャンバ３０２と、このチャンバ３０２の内部に設けら
れ、被試験素子ＤＵＴの位置をＸ−Ｙ方向に移動させる
ステージ３０３と、被試験素子ＤＵＴから発生する２次
電子の量を計測するためのセンサ３０４と、試験パター
ンの停止時にセンサ３０４によって検出した電気信号を
画像データとして取込む画像データ取得装置３０５と、
画像データ取得装置３０５で取込んだ画像データを電位
コントラスト像として表示するモニタ３０６と、荷電粒
子ビームＥＢの出射及びその出射量（電流値）、加速電
圧、走査速度、走査面積等を制御する鏡筒制御器３０７
と、画像データ取得装置３０５で取得した画像データを
記憶する例えばハードディスクのような大容量記憶手段
３０８と、アライメント補正手段３０９とによって構成
される。
素子ＤＵＴに例えば電子ビームのような荷電粒子ビーム
ＦＢを照射する鏡筒部３０１と、この鏡筒部３０１の下
部に設けられ、被試験素子ＤＵＴを真空中に配置するチ
ャンバ３０２と、このチャンバ３０２の内部に設けら
れ、被試験素子ＤＵＴの位置をＸ−Ｙ方向に移動させる
ステージ３０３と、被試験素子ＤＵＴから発生する２次
電子の量を計測するためのセンサ３０４と、試験パター
ンの停止時にセンサ３０４によって検出した電気信号を
画像データとして取込む画像データ取得装置３０５と、
画像データ取得装置３０５で取込んだ画像データを電位
コントラスト像として表示するモニタ３０６と、荷電粒
子ビームＥＢの出射及びその出射量（電流値）、加速電
圧、走査速度、走査面積等を制御する鏡筒制御器３０７
と、画像データ取得装置３０５で取得した画像データを
記憶する例えばハードディスクのような大容量記憶手段
３０８と、アライメント補正手段３０９とによって構成
される。
【０００５】この種のＩＣ不良解析装置では先ずＩＣテ
スタによってＩＣを良品と不良品に仕分けし、不良と判
定されたＩＣの不良端子に接続されている内部配線につ
いて電位コントラスト像を取得する。これと共にこの電
位コントラスト像と同一部分の電位コントラスト像を良
品からも取得し、その２つの電位コントラスト像を比較
して画像上で不一致部分を探し、不一致部分が見付かっ
たら、その部分に欠陥があるものと判定する。
スタによってＩＣを良品と不良品に仕分けし、不良と判
定されたＩＣの不良端子に接続されている内部配線につ
いて電位コントラスト像を取得する。これと共にこの電
位コントラスト像と同一部分の電位コントラスト像を良
品からも取得し、その２つの電位コントラスト像を比較
して画像上で不一致部分を探し、不一致部分が見付かっ
たら、その部分に欠陥があるものと判定する。
【０００６】２つの画像を比較する場合、２つの画像の
差を求め、その差像に像が生じたら不一致の部分が有る
ものと判定することができる。従って２つの画像の差像
を求める場合、フレームメモリ上で像の減算を行なう。
このためフレームメモリに収納されている２つの画像の
位置を正確に合せ込むことと、２つの画像の倍率、歪み
等が一致していることが条件とされる。２つの画像を合
せ込む作業をアライメント補正装置３０９で行なってい
る。
差を求め、その差像に像が生じたら不一致の部分が有る
ものと判定することができる。従って２つの画像の差像
を求める場合、フレームメモリ上で像の減算を行なう。
このためフレームメモリに収納されている２つの画像の
位置を正確に合せ込むことと、２つの画像の倍率、歪み
等が一致していることが条件とされる。２つの画像を合
せ込む作業をアライメント補正装置３０９で行なってい
る。
【０００７】３点のアライメント補正の演算は以下の如
くして行なわれる。基準画像ＳＥＭ１に設定した比較対
応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３の座標を（ｘ1 ，ｙ 1 ），
（ｘ2 ，ｙ2 ），（ｘ3 ，ｙ3 ） アライメント補正すべき画像ＳＥＭ２に設定した比較対
応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３の座標を（Ｘ1 ，Ｙ1 ），
（Ｘ2 ，Ｙ2 ），（Ｘ3 ，Ｙ3 ）とすると、対応する座
標（ｘ1 ，ｙ1 ）と（Ｘ1 ，Ｙ1 ）との間には
くして行なわれる。基準画像ＳＥＭ１に設定した比較対
応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３の座標を（ｘ1 ，ｙ 1 ），
（ｘ2 ，ｙ2 ），（ｘ3 ，ｙ3 ） アライメント補正すべき画像ＳＥＭ２に設定した比較対
応点Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３の座標を（Ｘ1 ，Ｙ1 ），
（Ｘ2 ，Ｙ2 ），（Ｘ3 ，Ｙ3 ）とすると、対応する座
標（ｘ1 ，ｙ1 ）と（Ｘ1 ，Ｙ1 ）との間には
【０００８】
【数１】 という対応がある。この対応関係から
【０００９】
【数２】 が算出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来は比較する２つの
画像のそれぞれに３つの比較対応点を設定し、一方の画
像の比較対応点を基準に、他方の画像の比較対応点をこ
の基準位置に近ずけるようにアライメント補正を行なっ
ている。また、二つの画像において、人が対応点を指定
し合わせ込みをしようとした場合、対応点どうしに人の
誤差及び画像のぼけ等の誤差が含まれる。その誤差を少
なくするために四点以上の対応点を指定し、それらのば
らつきを最小になるように変換行列を求める。この発明
の目的は電位コントラスト像に歪みが生じても正しくア
ライメント補正を行うことができる画像のアライメント
補正方法を提案しようとするものである。
画像のそれぞれに３つの比較対応点を設定し、一方の画
像の比較対応点を基準に、他方の画像の比較対応点をこ
の基準位置に近ずけるようにアライメント補正を行なっ
ている。また、二つの画像において、人が対応点を指定
し合わせ込みをしようとした場合、対応点どうしに人の
誤差及び画像のぼけ等の誤差が含まれる。その誤差を少
なくするために四点以上の対応点を指定し、それらのば
らつきを最小になるように変換行列を求める。この発明
の目的は電位コントラスト像に歪みが生じても正しくア
ライメント補正を行うことができる画像のアライメント
補正方法を提案しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明では基準とする
画像及びアライメント補正すべき画像の双方に４つ以上
の数の比較対応点を設定し、この４つ以上の数の比較対
応点を使ってアライメント補正する方法を提案するもの
である。
画像及びアライメント補正すべき画像の双方に４つ以上
の数の比較対応点を設定し、この４つ以上の数の比較対
応点を使ってアライメント補正する方法を提案するもの
である。
【００１２】
【実施例】図１にこの発明の実施例を示す。図１Ａに示
す画像ＳＥＭ１は基準となる画像、図１Ｂはアライメン
ト補正すべき画像を示す。この発明では基準となる画像
ＳＥＭ１及びアライメント補正すべき画像ＳＥＭ２の双
方に４点以上の比較対応点を設定する。図の例ではＪ
１，Ｊ２，Ｊ３，Ｊ４，Ｊ５，Ｊ６の６点を設定した場
合を示す。
す画像ＳＥＭ１は基準となる画像、図１Ｂはアライメン
ト補正すべき画像を示す。この発明では基準となる画像
ＳＥＭ１及びアライメント補正すべき画像ＳＥＭ２の双
方に４点以上の比較対応点を設定する。図の例ではＪ
１，Ｊ２，Ｊ３，Ｊ４，Ｊ５，Ｊ６の６点を設定した場
合を示す。
【００１３】このように４点以上多点に比較対応点を設
定することにより、図示のように画像ＳＥＭ１及びＳＥ
Ｍ２の双方に、アライメント補正すべき画像ＳＥＭ２は
基準となる画像ＳＥＭ１に正確に位置合せされる。尚、
比較対応点Ｊ１〜Ｊ６の設定はマウス或は光学ペン等の
入力手段を使って入力される。
定することにより、図示のように画像ＳＥＭ１及びＳＥ
Ｍ２の双方に、アライメント補正すべき画像ＳＥＭ２は
基準となる画像ＳＥＭ１に正確に位置合せされる。尚、
比較対応点Ｊ１〜Ｊ６の設定はマウス或は光学ペン等の
入力手段を使って入力される。
【００１４】以下に多点の位置ずれの量を算出する方法
について説明する。以下に示す演算方法は最小２乗法に
従って演算処理する場合を示す。基準画像ＳＥＭ１に設
定した比較対応点Ｊ１〜Ｊ６の座標を（ｘi ，ｙi ） アライメント補正すべき画像ＳＥＭ２に設定した比較対
応点Ｊ１〜Ｊ６の座標を（Ｘi ，Ｙi ） ｉ＝０，１，２，３，４，５，６，…，ｎ とする。上述のように比較対応点を６点に採るときはｉ
＝０〜５までが使われる。
について説明する。以下に示す演算方法は最小２乗法に
従って演算処理する場合を示す。基準画像ＳＥＭ１に設
定した比較対応点Ｊ１〜Ｊ６の座標を（ｘi ，ｙi ） アライメント補正すべき画像ＳＥＭ２に設定した比較対
応点Ｊ１〜Ｊ６の座標を（Ｘi ，Ｙi ） ｉ＝０，１，２，３，４，５，６，…，ｎ とする。上述のように比較対応点を６点に採るときはｉ
＝０〜５までが使われる。
【００１５】対応する座標（ｘi ，ｙi ）と（Ｘi ，Ｙ
i ）との間に
i ）との間に
【００１６】
【数３】 という対応がある。４点以上の座標データ（フレームメ
モリのアドレスに対応）からａ〜ｆを最小２乗法によっ
て求める。ａ〜ｆの意味は以下の如く表わせる。（Ａ）
式は次の行列式で表わせる。
モリのアドレスに対応）からａ〜ｆを最小２乗法によっ
て求める。ａ〜ｆの意味は以下の如く表わせる。（Ａ）
式は次の行列式で表わせる。
【００１７】
【数４】 誤差をＥとすると、
【００１８】
【数５】 と定義する。Ｅを最小にするａ〜ｆを求めるには、Ｅを
ａ〜ｆで偏微分して０とする。
ａ〜ｆで偏微分して０とする。
【００１９】
【数６】 ，，式からａ，ｂ，ｃを、また，，式から
ｄ，ｅ，ｆを算出する。
ｄ，ｅ，ｆを算出する。
【００２０】
【数７】
【００２１】
【発明の効果】上述したように、この発明によれば２つ
の画像上に４つ以上の比較対応点を設定し、この４つ以
上の比較対応点を用いてアライメント補正する方法とす
るから、基準となる画像に歪があっても、補正しようと
する画像を正しく基準となる画像の位置及び形状に合せ
込むことができる。この結果２枚の画像の差は真に画像
の差となって表われるから、欠陥部分の特定を正確に然
も短時間に行なうことができる。
の画像上に４つ以上の比較対応点を設定し、この４つ以
上の比較対応点を用いてアライメント補正する方法とす
るから、基準となる画像に歪があっても、補正しようと
する画像を正しく基準となる画像の位置及び形状に合せ
込むことができる。この結果２枚の画像の差は真に画像
の差となって表われるから、欠陥部分の特定を正確に然
も短時間に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す正面図。
【図２】従来の技術を説明するためのブロック図。
【符号の説明】 １ 配線パターン Ｊ１〜Ｊ６ 比較対応点
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】削除
【補正内容】
Claims (1)
- 【請求項１】 相互に近似したパターンを持つ２枚の画
像を重ね合せ、これら２枚の画像の差像を求めて画像の
異なる部分が有るか否かを調べる装置において、 上記２枚の画像上に互に対応する４点以上の比較対応点
を設定し、この４点以上の比較対応点の座標を基に位置
合せのための演算処理を実行することを特徴とする画像
のアライメント補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6119226A JPH07325051A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 画像のアライメント補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6119226A JPH07325051A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 画像のアライメント補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07325051A true JPH07325051A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14756087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6119226A Pending JPH07325051A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 画像のアライメント補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07325051A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10318950A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Hitachi Ltd | パターン検査方法およびその装置 |
| JPH11194154A (ja) * | 1998-01-06 | 1999-07-21 | Hitachi Ltd | パターン検査方法およびその装置並びに電子線画像に基づくパターン検査方法およびその装置 |
| CN106645220A (zh) * | 2016-09-28 | 2017-05-10 | 天津工业大学 | X射线线阵探测器校正与滤波 |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP6119226A patent/JPH07325051A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10318950A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Hitachi Ltd | パターン検査方法およびその装置 |
| JPH11194154A (ja) * | 1998-01-06 | 1999-07-21 | Hitachi Ltd | パターン検査方法およびその装置並びに電子線画像に基づくパターン検査方法およびその装置 |
| CN106645220A (zh) * | 2016-09-28 | 2017-05-10 | 天津工业大学 | X射线线阵探测器校正与滤波 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030304 |