JP3384504B2 - 荷電粒子ビームを利用したｉｃテスタ - Google Patents
荷電粒子ビームを利用したｉｃテスタInfo
- Publication number
- JP3384504B2 JP3384504B2 JP25955793A JP25955793A JP3384504B2 JP 3384504 B2 JP3384504 B2 JP 3384504B2 JP 25955793 A JP25955793 A JP 25955793A JP 25955793 A JP25955793 A JP 25955793A JP 3384504 B2 JP3384504 B2 JP 3384504B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- charged particle
- particle beam
- mask layout
- cad data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路（以下
ＩＣと称す）の設計開発時に利用される荷電粒子ビーム
を利用したＩＣテスタに関する。
ＩＣと称す）の設計開発時に利用される荷電粒子ビーム
を利用したＩＣテスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＣを製造する場合、回路ネット
リストＣＡＤデータと、マスクレイアウトＣＡＤデータ
とを利用して、自動的に配線パターン等のマスクレイア
ウトを決定し、自動描画装置によって配線パターン、回
路素子のパターンを描画露光し自動化されている。
リストＣＡＤデータと、マスクレイアウトＣＡＤデータ
とを利用して、自動的に配線パターン等のマスクレイア
ウトを決定し、自動描画装置によって配線パターン、回
路素子のパターンを描画露光し自動化されている。
【０００３】一方、試作されたＩＣの不良個所を探すに
は、従来よりＩＣの製造時に用いた回路ネットリストＣ
ＡＤデータと、マスクレイアウトＣＡＤデータとを用い
て回路ネットリストとマスク図とを表示器に表示させ、
双方を対応付けしながら荷電粒子ビームを利用したＩＣ
テスタ（以下ＥＢテスタと略称する）を作動させ、試作
したＩＣの各配線部分を流れる信号波形を観測し不良個
所の特定等を行なっている。
は、従来よりＩＣの製造時に用いた回路ネットリストＣ
ＡＤデータと、マスクレイアウトＣＡＤデータとを用い
て回路ネットリストとマスク図とを表示器に表示させ、
双方を対応付けしながら荷電粒子ビームを利用したＩＣ
テスタ（以下ＥＢテスタと略称する）を作動させ、試作
したＩＣの各配線部分を流れる信号波形を観測し不良個
所の特定等を行なっている。
【０００４】図４に回路ネットリストＣＡＤデータとマ
スクレイアウトＣＡＤデータとを対応付けする照合装置
の構成を示す。図中１０及び１１はフロッピーディス
ク、或いは固定ディスク等の外部記憶装置を示す。外部
記憶装置１０には例えばＩＣの製造に用いる回路ネット
リストＣＡＤデータを格納している。また外部記憶装置
１１には、例えばマスクレイアウトＣＡＤデータを格納
している。
スクレイアウトＣＡＤデータとを対応付けする照合装置
の構成を示す。図中１０及び１１はフロッピーディス
ク、或いは固定ディスク等の外部記憶装置を示す。外部
記憶装置１０には例えばＩＣの製造に用いる回路ネット
リストＣＡＤデータを格納している。また外部記憶装置
１１には、例えばマスクレイアウトＣＡＤデータを格納
している。
【０００５】これら外部記憶装置１０及び１１から読み
出されたＣＡＤデータは、コンピュータによって構成さ
れる照合装置２０に入力される。照合装置２０はネット
リストデータ変換部２１と、マスクレイアウトデータ変
換部２２と、ネットリスト対マスクレイアウト照合部２
３と、ネットリストデータ記憶部２４と、照合データ記
憶部２５と、マスクレイアウトデータ記憶部２６と、ネ
ットリスト表示部２７と、マスクレイアウト表示部２８
とを具備して構成される。
出されたＣＡＤデータは、コンピュータによって構成さ
れる照合装置２０に入力される。照合装置２０はネット
リストデータ変換部２１と、マスクレイアウトデータ変
換部２２と、ネットリスト対マスクレイアウト照合部２
３と、ネットリストデータ記憶部２４と、照合データ記
憶部２５と、マスクレイアウトデータ記憶部２６と、ネ
ットリスト表示部２７と、マスクレイアウト表示部２８
とを具備して構成される。
【０００６】ネットリストデータ変換部２１と、マスク
レイアウトデータ変換部２２はそれぞれＣＡＤデータを
照合装置２０で利用できる形式のフォーマットに変換す
る動作を行う。データ変換部２１と２２で変換されたネ
ットリストデータと、マスクレイアウトデータはそれぞ
れネットリストデータ記憶部２４とマスクレイアウトデ
ータ記憶部２６に記憶され、入力手段１２から入力した
部位のネットリストがネットリスト表示部２７に表示さ
れ、これと共にネットリスト表示部２７に表示されたネ
ットリストに対応するマスク図がマスクレイアウト表示
部２８に表示される。
レイアウトデータ変換部２２はそれぞれＣＡＤデータを
照合装置２０で利用できる形式のフォーマットに変換す
る動作を行う。データ変換部２１と２２で変換されたネ
ットリストデータと、マスクレイアウトデータはそれぞ
れネットリストデータ記憶部２４とマスクレイアウトデ
ータ記憶部２６に記憶され、入力手段１２から入力した
部位のネットリストがネットリスト表示部２７に表示さ
れ、これと共にネットリスト表示部２７に表示されたネ
ットリストに対応するマスク図がマスクレイアウト表示
部２８に表示される。
【０００７】つまり、ネットリスト対マスクレイアウト
照合部２３が設けられ、このネットリスト対マスクレイ
アウト照合部２３でネットリストとマスク図とが対応付
けされ、同一部位のネットリストとマスク図とが表示部
２７と２８に表示される。２５はその対応付けに必要な
照合データを記憶する照合データ記憶部を示す。図５に
表示の一例を示す。表示部２７と２８は同一の表示画面
によって構成される。つまりマルチタスク機能により、
同一画面上にネットリストＮＡとマスク図ＬＡとを表示
する。更にネットリスト表示部２７に表示したネットリ
ストＮＡの特定のセル番号（図ではＸ２を指示）を入力
手段１２から入力することにより、そのネットリストに
対応するパターン部分を輝かせて（図中Ａ２を付して示
す）対応付けして表示する。
照合部２３が設けられ、このネットリスト対マスクレイ
アウト照合部２３でネットリストとマスク図とが対応付
けされ、同一部位のネットリストとマスク図とが表示部
２７と２８に表示される。２５はその対応付けに必要な
照合データを記憶する照合データ記憶部を示す。図５に
表示の一例を示す。表示部２７と２８は同一の表示画面
によって構成される。つまりマルチタスク機能により、
同一画面上にネットリストＮＡとマスク図ＬＡとを表示
する。更にネットリスト表示部２７に表示したネットリ
ストＮＡの特定のセル番号（図ではＸ２を指示）を入力
手段１２から入力することにより、そのネットリストに
対応するパターン部分を輝かせて（図中Ａ２を付して示
す）対応付けして表示する。
【０００８】マスクレイアウト表示部２８に表示したマ
スクレイアウトデータの位置情報をＥＢテスタ４０に転
送することにより、ＥＢテスタ４０はマスクレイアウト
表示部２８に表示している領域を観測対象として自動プ
ロービング手段が動作し目的の領域が電子ビームの照射
領域下に来るように被測定ＩＣを乗せたステージが移動
する。
スクレイアウトデータの位置情報をＥＢテスタ４０に転
送することにより、ＥＢテスタ４０はマスクレイアウト
表示部２８に表示している領域を観測対象として自動プ
ロービング手段が動作し目的の領域が電子ビームの照射
領域下に来るように被測定ＩＣを乗せたステージが移動
する。
【０００９】ＥＢテスタは被試験ＩＣを真空チャンバ内
に配置し、この真空チャンバに配置した被測定ＩＣに例
えば電子ビームのような荷電粒子ビームを照射する。荷
電粒子ビームを観測対象となる配線部分に照射すること
により配線部分の電位の上下に応じて二次電子の放出量
が変化するから、この二次電子の放出量を計測すること
により配線部分の信号波形をとらえることができる。
に配置し、この真空チャンバに配置した被測定ＩＣに例
えば電子ビームのような荷電粒子ビームを照射する。荷
電粒子ビームを観測対象となる配線部分に照射すること
により配線部分の電位の上下に応じて二次電子の放出量
が変化するから、この二次電子の放出量を計測すること
により配線部分の信号波形をとらえることができる。
【００１０】従って、マスクレイアウトＣＡＤデータに
付加されている、位置情報をＥＢテスタ４０に転送する
ことにより、被測定ＩＣに対する電子ビームの照射位置
を指定することができ、ネットリスト表示部２７で指定
したネットリストの部分の信号波形をＥＢテスタ４０で
観測することができる。以上の説明により、照合装置２
０において信号波形を観測すべき配線導体の位置をマス
ク図上で指定することができることが理解できよう。マ
スク図上で指定した配線導体の位置データをＥＢテスタ
４０に送り、この位置データに基ずいて、被測定ＩＣの
位置をＸ，Ｙ方向に移動させるステージと、荷電粒子ビ
ームの偏向位置が制御され、目的の配線導体に荷電粒子
ビームを照射することができる。荷電粒子ビームの照射
位置を目的とする配線導体の位置に照射させる動作を自
動プロービング処理と呼んでいる。
付加されている、位置情報をＥＢテスタ４０に転送する
ことにより、被測定ＩＣに対する電子ビームの照射位置
を指定することができ、ネットリスト表示部２７で指定
したネットリストの部分の信号波形をＥＢテスタ４０で
観測することができる。以上の説明により、照合装置２
０において信号波形を観測すべき配線導体の位置をマス
ク図上で指定することができることが理解できよう。マ
スク図上で指定した配線導体の位置データをＥＢテスタ
４０に送り、この位置データに基ずいて、被測定ＩＣの
位置をＸ，Ｙ方向に移動させるステージと、荷電粒子ビ
ームの偏向位置が制御され、目的の配線導体に荷電粒子
ビームを照射することができる。荷電粒子ビームの照射
位置を目的とする配線導体の位置に照射させる動作を自
動プロービング処理と呼んでいる。
【００１１】自動プロービング処理を実行する場合、Ｃ
ＡＤデータから生成したマスク図と被測定ＩＣから取得
したＳＥＭ像との対応付けが必要となる。つまりＳＥＭ
像は荷電粒子ビームを走査して得る像であるから、荷電
粒子ビームの偏向歪み等により像に歪みが存在する。こ
のため自動プロービング処理の中でＳＥＭ像の歪みを補
正し、ＳＥＭ像をマスク図に合致させる作業が重要な要
素となる。
ＡＤデータから生成したマスク図と被測定ＩＣから取得
したＳＥＭ像との対応付けが必要となる。つまりＳＥＭ
像は荷電粒子ビームを走査して得る像であるから、荷電
粒子ビームの偏向歪み等により像に歪みが存在する。こ
のため自動プロービング処理の中でＳＥＭ像の歪みを補
正し、ＳＥＭ像をマスク図に合致させる作業が重要な要
素となる。
【００１２】図６に従来の自動プロービング処理の方法
を示す。このＥＢ自動位置決め方法は、ステップＢ1 で
ステージを移動させ、被測定ＩＣの目標位置を荷電粒子
ビームの照射範囲に合致させる。ステップＢ2 でＳＥＭ
像を取得し、ステップＢ3 でＳＥＭ像の歪みを補正す
る。この補正はマスクレイアウトＣＡＤデータから生成
したマスク図とＳＥＭ像とのズレ量を測定し、ＳＥＭ像
がマスク図に合致する補正係数を求めて実行される。マ
スク図とＳＥＭ像とのズレ量は倍率、回転方向、配線幅
に関してそれぞれ測定し、倍率補正係数と、回転方向補
正係数と配線幅補正係数を求め補正を行なう。
を示す。このＥＢ自動位置決め方法は、ステップＢ1 で
ステージを移動させ、被測定ＩＣの目標位置を荷電粒子
ビームの照射範囲に合致させる。ステップＢ2 でＳＥＭ
像を取得し、ステップＢ3 でＳＥＭ像の歪みを補正す
る。この補正はマスクレイアウトＣＡＤデータから生成
したマスク図とＳＥＭ像とのズレ量を測定し、ＳＥＭ像
がマスク図に合致する補正係数を求めて実行される。マ
スク図とＳＥＭ像とのズレ量は倍率、回転方向、配線幅
に関してそれぞれ測定し、倍率補正係数と、回転方向補
正係数と配線幅補正係数を求め補正を行なう。
【００１３】ＳＥＭ像の歪み補正が終了すると、ステッ
プＢ4 でパターンマッチング処理が実行される。パター
ンマッチング処理ではマスク図とＳＥＭ像とを位置合せ
し、マスク図上に指定した荷電粒子ビームの最適照射点
位置とＳＥＭ像上の該当位置との座標補正値（Δｘ，Δ
ｙ）を求める。この座標補正値をステップＢ5 で偏向系
に送り込み、荷電粒子ビームの偏向を補正し、荷電粒子
ビームの照射点位置を正しい最適照射点位置（配線導体
の巾方向の中央）に合致させ、ステップＢ6 で電圧波形
の測定を実施する。
プＢ4 でパターンマッチング処理が実行される。パター
ンマッチング処理ではマスク図とＳＥＭ像とを位置合せ
し、マスク図上に指定した荷電粒子ビームの最適照射点
位置とＳＥＭ像上の該当位置との座標補正値（Δｘ，Δ
ｙ）を求める。この座標補正値をステップＢ5 で偏向系
に送り込み、荷電粒子ビームの偏向を補正し、荷電粒子
ビームの照射点位置を正しい最適照射点位置（配線導体
の巾方向の中央）に合致させ、ステップＢ6 で電圧波形
の測定を実施する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＬＳＩ配線への
ＥＢ自動位置決め方式」によればＳＥＭ像取得後、ＳＥ
Ｍ像の歪み補正を行なってマスク図とのパターンマッチ
ングを実行している。従って全ての処理を縦続的に処理
しているから時間が長く掛る欠点がある。つまり、電圧
波形の測定は場所を変更しながら多点にわたって実行す
るから、各点における測定時間が長いと不良個所を特定
するまでの時間が長くなってしまう欠点が生じる。
ＥＢ自動位置決め方式」によればＳＥＭ像取得後、ＳＥ
Ｍ像の歪み補正を行なってマスク図とのパターンマッチ
ングを実行している。従って全ての処理を縦続的に処理
しているから時間が長く掛る欠点がある。つまり、電圧
波形の測定は場所を変更しながら多点にわたって実行す
るから、各点における測定時間が長いと不良個所を特定
するまでの時間が長くなってしまう欠点が生じる。
【００１５】この発明の目的は自動プロービング処理を
高速度に実行し、短時間に電圧波形の測定を行なうこと
ができる荷電粒子ビームを利用したＥＢテスタを提供し
ようとするものである。
高速度に実行し、短時間に電圧波形の測定を行なうこと
ができる荷電粒子ビームを利用したＥＢテスタを提供し
ようとするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明では、予めイニ
シャルアライメント処理によりＳＥＭ像とマスク図とか
らマスク図をＳＥＭ像に合致させるための補正係数を求
めておき、ＳＥＭ像取得中に、マスクレイアウトＣＡＤ
データを読み込み、このマスクレイアウトＣＡＤデータ
を倍率、回転角、配線幅に関して補正を行なう。補正さ
れたマスクレイアウトＣＡＤデータをマスク図に変換
し、このマスク図とＳＥＭ像とをパターンマッチングさ
せ、座標補正値（Δｘ，Δｙ）を求め、この座標補正値
（Δｘ，Δｙ）によりＥＢビームの照射位置を補正する
構成としたものである。
シャルアライメント処理によりＳＥＭ像とマスク図とか
らマスク図をＳＥＭ像に合致させるための補正係数を求
めておき、ＳＥＭ像取得中に、マスクレイアウトＣＡＤ
データを読み込み、このマスクレイアウトＣＡＤデータ
を倍率、回転角、配線幅に関して補正を行なう。補正さ
れたマスクレイアウトＣＡＤデータをマスク図に変換
し、このマスク図とＳＥＭ像とをパターンマッチングさ
せ、座標補正値（Δｘ，Δｙ）を求め、この座標補正値
（Δｘ，Δｙ）によりＥＢビームの照射位置を補正する
構成としたものである。
【００１７】従ってこの発明によれば、ＳＥＭ像の取得
とマスクレイアウトＣＡＤデータを補正する処理を並行
して実行することができるから、自動プロービング処理
の全体の所要時間を短縮することができる利点が得られ
る。
とマスクレイアウトＣＡＤデータを補正する処理を並行
して実行することができるから、自動プロービング処理
の全体の所要時間を短縮することができる利点が得られ
る。
【００１８】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を説明するための
フローチャートを示す。図１においてはイニシャルア
ライメント処理ルーチンを示す。イニシャルアライメン
ト処理ルーチンは被測定ＩＣを変換したとき１回だけ
実行する。ステップＡ1 で実行されるステージアライメ
ントはマスクレイアウトＣＡＤデータが持つ位置情報と
被測定ＩＣの位置とを整合させると共に被測定ＩＣ内の
代表的な領域を指定して、その領域のＳＥＭ像を取得
し、ステップＡ2 でマスクレイアウトＣＡＤデータから
生成されるマスク図をＳＥＭ像に合致させるための補正
係数（倍率補正係数、回転角ズレを補正する回転角補正
係数、配線巾を整合させる配線巾補正係数）を測定す
る。ステップＡ2 で測定した各補正係数は記憶手段ＭＥ
に取込まれ記憶される。
フローチャートを示す。図１においてはイニシャルア
ライメント処理ルーチンを示す。イニシャルアライメン
ト処理ルーチンは被測定ＩＣを変換したとき１回だけ
実行する。ステップＡ1 で実行されるステージアライメ
ントはマスクレイアウトＣＡＤデータが持つ位置情報と
被測定ＩＣの位置とを整合させると共に被測定ＩＣ内の
代表的な領域を指定して、その領域のＳＥＭ像を取得
し、ステップＡ2 でマスクレイアウトＣＡＤデータから
生成されるマスク図をＳＥＭ像に合致させるための補正
係数（倍率補正係数、回転角ズレを補正する回転角補正
係数、配線巾を整合させる配線巾補正係数）を測定す
る。ステップＡ2 で測定した各補正係数は記憶手段ＭＥ
に取込まれ記憶される。
【００１９】イニシャルアライメント処理ルーチンを
終了すると、自動プロービング処理ルーチンを実行す
る。自動プロービング処理ルーチンの開始時点で信号
波形を観測したい配線導体番号をネットリストに従って
入力する（ステップＡ3 ）。配線導体番号が入力される
ことにより、この配線導体を含む部分のマスクレイアウ
トＣＡＤデータを特定しその部分のデータをデータベー
スから切出す（ステップＡ4 ）。切出したマスクレイア
ウトＣＡＤデータをステップＡ5 でＥＢテスタに読込
み、ステップＡ6 でこのマスクレイアウトＣＡＤデータ
を数値データのまま記憶手段ＭＥに記憶した各補正係数
を用いて歪み補正し、画像データ（マスク図）に変換す
る。
終了すると、自動プロービング処理ルーチンを実行す
る。自動プロービング処理ルーチンの開始時点で信号
波形を観測したい配線導体番号をネットリストに従って
入力する（ステップＡ3 ）。配線導体番号が入力される
ことにより、この配線導体を含む部分のマスクレイアウ
トＣＡＤデータを特定しその部分のデータをデータベー
スから切出す（ステップＡ4 ）。切出したマスクレイア
ウトＣＡＤデータをステップＡ5 でＥＢテスタに読込
み、ステップＡ6 でこのマスクレイアウトＣＡＤデータ
を数値データのまま記憶手段ＭＥに記憶した各補正係数
を用いて歪み補正し、画像データ（マスク図）に変換す
る。
【００２０】これと同時にステップＡ7 とＡ8 で被測定
ＩＣから波形を観測したい配線導体を含む部分のＳＥＭ
像を取得する。つまりＳＥＭ像の取得は観測したい配線
導体の位置がＥＢビームの照射範囲に入るようにステー
ジを移動させ特定した配線導体を含む部分のＳＥＭ像を
取得する。ステップＡ6 で補正した補正マスク図とステ
ップＡ8 で取得したＳＥＭ像をステップＡ9 でパターン
マッチング処理を実施する。つまり、画像同士を重ね合
せ、マスクレイアウトＣＡＤデータから取得した画像を
基準にＳＥＭ像上の波形を観測すべき配線導体の座標補
正値（Δｘ，Δｙ）を求め、この座標補正値（Δｘ，Δ
ｙ）をＥＢテスタの偏向系に与えて電子ビームの照射点
位置を補正する（ステップＡ10）。この補正により電子
ビームの照射点は目的の配線導体に的中し、ステップＡ
11で目的とする配線導体を流れる信号の波形を測定す
る。
ＩＣから波形を観測したい配線導体を含む部分のＳＥＭ
像を取得する。つまりＳＥＭ像の取得は観測したい配線
導体の位置がＥＢビームの照射範囲に入るようにステー
ジを移動させ特定した配線導体を含む部分のＳＥＭ像を
取得する。ステップＡ6 で補正した補正マスク図とステ
ップＡ8 で取得したＳＥＭ像をステップＡ9 でパターン
マッチング処理を実施する。つまり、画像同士を重ね合
せ、マスクレイアウトＣＡＤデータから取得した画像を
基準にＳＥＭ像上の波形を観測すべき配線導体の座標補
正値（Δｘ，Δｙ）を求め、この座標補正値（Δｘ，Δ
ｙ）をＥＢテスタの偏向系に与えて電子ビームの照射点
位置を補正する（ステップＡ10）。この補正により電子
ビームの照射点は目的の配線導体に的中し、ステップＡ
11で目的とする配線導体を流れる信号の波形を測定す
る。
【００２１】図２を用いて上述の動作を再度説明する。
図２に示すＡは波形を観測したい配線導体を指定してい
る状態を示す。図では回路ネットリストＣＡＤデータか
ら回路図を生成し、回路図上で目的の配線導体Ｎ１０１
を指定している状態を示す。目的の配線導体Ｎ１０１を
指定すると、最適位置検出プログラムＢにより、その目
的とする配線導体Ｎ１０１上の最適座標位置（Ｘ，Ｙ）
を検出する。この最適座標位置（Ｘ，Ｙ）をマスクレイ
アウトＣＡＤデータから生成したマスク図Ｃ上で特定す
る。マスク図を倍率補正係数、回転角補正係数、配線幅
補正係数を使って補正する。補正したマスク図ＣとＳＥ
Ｍ像Ｄとを用意し、パターンマッチング処理プログラム
Ｅによってパターンマッチング処理を施す。パターンマ
ッチング処理により座標補正値（Δｘ，Δｙ）を求めビ
ームの偏向系Ｆに与える。座標補正値（Δｘ，Δｙ）に
よりビーム照射点を補正し、被測定ＩＣＧの目的とする
位置（Ｘ＋Δｘ，Ｙ＋Δｙ）に電子ビームＨを照射し、
この配線導体Ｎ１０１を流れる信号の波形を測定する。
図２に示すＡは波形を観測したい配線導体を指定してい
る状態を示す。図では回路ネットリストＣＡＤデータか
ら回路図を生成し、回路図上で目的の配線導体Ｎ１０１
を指定している状態を示す。目的の配線導体Ｎ１０１を
指定すると、最適位置検出プログラムＢにより、その目
的とする配線導体Ｎ１０１上の最適座標位置（Ｘ，Ｙ）
を検出する。この最適座標位置（Ｘ，Ｙ）をマスクレイ
アウトＣＡＤデータから生成したマスク図Ｃ上で特定す
る。マスク図を倍率補正係数、回転角補正係数、配線幅
補正係数を使って補正する。補正したマスク図ＣとＳＥ
Ｍ像Ｄとを用意し、パターンマッチング処理プログラム
Ｅによってパターンマッチング処理を施す。パターンマ
ッチング処理により座標補正値（Δｘ，Δｙ）を求めビ
ームの偏向系Ｆに与える。座標補正値（Δｘ，Δｙ）に
よりビーム照射点を補正し、被測定ＩＣＧの目的とする
位置（Ｘ＋Δｘ，Ｙ＋Δｙ）に電子ビームＨを照射し、
この配線導体Ｎ１０１を流れる信号の波形を測定する。
【００２２】図３はこの発明の変形実施例を示す。この
例ではイニシャルアライメント処理によって得た歪み補
正係数を記憶手段ＭＥ１に用意する外に予めマスクレイ
アウトＣＡＤデータの全て又は必要と思われる所要部分
をマスクレイアウトＣＡＤデータ領域において補正し、
この補正した補正ＣＡＤデータを記憶手段ＭＥ２に用意
し、自動プロービング処理中はこの記憶手段ＭＥ２をア
クセスするだけで済ませるように構成した場合を示す。
つまり、自動プロービング処理中に補正処理動作を行な
う必要がないから、更に高速化を達することができる。
例ではイニシャルアライメント処理によって得た歪み補
正係数を記憶手段ＭＥ１に用意する外に予めマスクレイ
アウトＣＡＤデータの全て又は必要と思われる所要部分
をマスクレイアウトＣＡＤデータ領域において補正し、
この補正した補正ＣＡＤデータを記憶手段ＭＥ２に用意
し、自動プロービング処理中はこの記憶手段ＭＥ２をア
クセスするだけで済ませるように構成した場合を示す。
つまり、自動プロービング処理中に補正処理動作を行な
う必要がないから、更に高速化を達することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
マスクレイアウトＣＡＤデータをイニシャルアライメン
トによって求めたＳＥＭ像の歪みに対応させるための補
正係数により補正する構成としたから、この補正処理を
ＳＥＭ像の取得動作に並行して実行することができる。
よって少なくとも従来技術で説明したＳＥＭ像の歪みを
補正する時間分は自動プロービング手段の処理時間を短
かくすることができる。従って高速度で動作する自動プ
ロービング手段を具備したＥＢテスタを得ることができ
る。
マスクレイアウトＣＡＤデータをイニシャルアライメン
トによって求めたＳＥＭ像の歪みに対応させるための補
正係数により補正する構成としたから、この補正処理を
ＳＥＭ像の取得動作に並行して実行することができる。
よって少なくとも従来技術で説明したＳＥＭ像の歪みを
補正する時間分は自動プロービング手段の処理時間を短
かくすることができる。従って高速度で動作する自動プ
ロービング手段を具備したＥＢテスタを得ることができ
る。
【００２４】またこの発明ではマスクレイアウトＣＡＤ
データを各補正係数で補正する構成としたから、マスク
レイアウトＣＡＤデータは数値データであるため画像デ
ータ（マスク図）を補正するより補正処理が容易であ
る。このためこの補正処理の部分も高速化を達すること
ができ、全体の処理速度も向上させることができる利点
が得られる。
データを各補正係数で補正する構成としたから、マスク
レイアウトＣＡＤデータは数値データであるため画像デ
ータ（マスク図）を補正するより補正処理が容易であ
る。このためこの補正処理の部分も高速化を達すること
ができ、全体の処理速度も向上させることができる利点
が得られる。
【図１】この発明の一実施例を説明するための図。
【図２】この発明の概要を説明するための図。
【図３】この発明の変形実施例を説明するための図。
【図４】回路ネットリストＣＡＤデータとマスクレイア
ウトＣＡＤデータから目的とする配線導体を指定する様
子を説明するためのブロック図。
ウトＣＡＤデータから目的とする配線導体を指定する様
子を説明するためのブロック図。
【図５】回路ネットリストＣＡＤデータとマスクレイア
ウトＣＡＤデータをそれぞれ表示部に表示した状態を示
す正面図。
ウトＣＡＤデータをそれぞれ表示部に表示した状態を示
す正面図。
【図６】従来の技術を説明するための図。
【符号の説明】
イニシャルアライメント処理ルーチン
自動プロービング処理ルーチン
ＭＥ，ＭＥ１，ＭＥ２ 記憶手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01R 31/305 - 31/307
Claims (2)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームを自動プロービング手段
により自動的に目的とする配線導体に照射し配線導体か
ら放出される二次電子の量を測定して配線導体を流れる
信号波形を測定することができる荷電粒子ビームを利用
したＩＣテスタにおいて、イニシャルアライメント処理時に指定された代表領域の
ＳＥＭ像とマスクレイアウトＣＡＤデータから生成され
たマスクとを合致させるための補正係数を求め、 自動プロービング処理時に上記補正係数を用いた観測し
たい マスクレイアウトＣＡＤデータの補正と観測したい
ＳＥＭ像の取得動作とを並行して実行することにより自
動プロービング手段の処理速度を高速化したことを特徴
とする荷電粒子ビームを利用したＩＣテスタ。 - 【請求項２】 荷電粒子ビームを自動プロービング手段
により自動的に目的とする配線導体に照射し配線導体か
ら放出される二次電子の量を測定して配線導体を流れる
信号波形を測定することができる荷電粒子ビームを利用
したＩＣテスタにおいて、イニシャルアライメント処理時に指定された代表領域の
ＳＥＭ像とマスクレイアウトＣＡＤデータから生成され
たマスクとを合致させるための補正係数を求め、 この補正係数を用いて必要なマスクレイアウトＣＡＤデ
ータを補正した補正マスクレイアウトＣＡＤデータを記
録し、 自動プロービング処理時に上記補正マスクレイアウトＣ
ＡＤデータへのアクセスと観測したい ＳＥＭ像の取得動
作とを並行して実行することにより自動プロービング手
段の処理速度を高速化したことを特徴とする荷電粒子ビ
ームを利用したＩＣテスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25955793A JP3384504B2 (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | 荷電粒子ビームを利用したｉｃテスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25955793A JP3384504B2 (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | 荷電粒子ビームを利用したｉｃテスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07113854A JPH07113854A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3384504B2 true JP3384504B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=17335779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25955793A Expired - Fee Related JP3384504B2 (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | 荷電粒子ビームを利用したｉｃテスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3384504B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4489258B2 (ja) | 2000-07-17 | 2010-06-23 | 日立建機株式会社 | 建設機械の電子制御システム |
| JP4740405B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2011-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 位置合わせ方法及びプログラム記録媒体 |
| JP4955242B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2012-06-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
| JP5564276B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2014-07-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターンマッチング用画像作成装置 |
-
1993
- 1993-10-18 JP JP25955793A patent/JP3384504B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07113854A (ja) | 1995-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0226494B1 (en) | Electron beam test probe system for analyzing integrated circuits | |
| US8526710B2 (en) | Defect review method and apparatus | |
| KR100775437B1 (ko) | 패턴검사장치및그방법 | |
| US8507856B2 (en) | Pattern measuring method and pattern measuring device | |
| US6839470B2 (en) | Pattern evaluation method, pattern evaluation system and computer readable recorded medium | |
| US20120121160A1 (en) | Method of creating template for matching, as well as device for creating template | |
| JPS6317523A (ja) | 電子ビ−ム描画装置 | |
| US20120300054A1 (en) | Method of Extracting Contour Lines of Image Data Obtained By Means of Charged Particle Beam Device, and Contour Line Extraction Device | |
| CN107038697B (zh) | 用于诊断半导体晶圆的方法和系统 | |
| JP4067677B2 (ja) | 走査電子顕微鏡の自動検出シーケンスファイル作成方法及び走査電子顕微鏡の自動測長シーケンス方法 | |
| JP3384504B2 (ja) | 荷電粒子ビームを利用したｉｃテスタ | |
| JPH1027833A (ja) | 異物分析方法 | |
| US6941007B1 (en) | Pattern recognition with the use of multiple images | |
| US5640098A (en) | IC fault analysis system having charged particle beam tester | |
| EP0225257B1 (en) | System for inspecting exposure pattern data of semiconductor integrated circuit device | |
| JP2001148016A (ja) | 試料検査装置，試料表示装置、および試料表示方法 | |
| US4475037A (en) | Method of inspecting a mask using an electron beam vector scan system | |
| JPH0634722A (ja) | 電子ビーム試験装置 | |
| JP2978971B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム位置決め方法 | |
| Komatsu et al. | An electron beam test system linked with a CAD database | |
| JP2986995B2 (ja) | 二次電子像変形補正装置 | |
| JPH07134165A (ja) | Ｉｃ不良解析装置 | |
| JPH07134166A (ja) | Ｉｃ不良解析装置 | |
| JPH02276144A (ja) | 電子ビーム装置 | |
| JPH0434949A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021119 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |