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JPH07101900A - ターフェニルメタクリレート誘導体及びそれを用いた高分子分散型液晶表示素子 - Google Patents

ターフェニルメタクリレート誘導体及びそれを用いた高分子分散型液晶表示素子

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Publication number
JPH07101900A
JPH07101900A JP6018649A JP1864994A JPH07101900A JP H07101900 A JPH07101900 A JP H07101900A JP 6018649 A JP6018649 A JP 6018649A JP 1864994 A JP1864994 A JP 1864994A JP H07101900 A JPH07101900 A JP H07101900A
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JP
Japan
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polymer
liquid crystal
terphenyl
display device
methacrylate derivative
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Application number
JP6018649A
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JP3601069B2 (ja
Inventor
Shuhei Yamada
周平 山田
Seiichi Tanabe
誠一 田辺
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 【化1】 (上式中、X1〜X12はそれぞれ水素原子、またはフッ
素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニト
リル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、また
は塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
基、またはニトリル基を示す)で表されるターフェニル
メタクリレート誘導体または 【化2】 (上式中、X1,〜X12はそれぞれ水素原子、またはフ
ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
トリル基を表す)で表されるターフェニルメタクリレー
ト誘導体。さらには高分子を形成する前駆体として先に
述べたターフェニルメタクリレート誘導体を用いた高分
子分散型表示素子。 【効果】本発明の化合物は従来のあらゆる液晶組成物と
混ぜた場合に相溶性が良好であり、本発明の化合物を高
分子分散型表示装置の高分子前駆体として用いることに
より、駆動電圧が低く表示素子の反射率が優れた特性を
得ることができた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規な有機化合物に関わ
り、さらに電気光学的表示要素として用いられる液晶組
成物を構成するために、その一素材を成すターフェニル
メタクリレート誘導体及びそれを用いた高分子分散型液
晶表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】近年偏光板を用いない明るい表示素子と
して、液晶と高分子を互いに分散させた表示素子が注目
されている。この表示素子の動作原理は液晶と高分子の
屈折率の差を利用しており、電界印加により液晶と高分
子の屈折率が一致した場合には透過状態を示し、電界除
去により屈折率が相違した場合には散乱状態を示すこと
による(特表昭58-501631、これをNCAPと呼ぶ)。
また電界無印加時に透過し電界印加時に散乱する逆のモ
ードの表示素子も開発されている(Mol.Cryst.Liq.Crys
t.,198,357,(1991)、これをリバースタイプと呼ぶ)。
また、これらのモードについては色素を混合することに
より、視認性を向上させる方法も提案されている。これ
らの表示素子に用いられる高分子としてはすでにメソー
ゲン基としてビフェニル誘導体、フェニルベンゾエート
誘導体、ベンゼン環とベンゼン環をシッフ塩基で結合し
たもの、トラン誘導体をもつ化合物等(特開平4-22768
4、特開平5-224187、WO 93/08497)が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の高分子を用いた液晶表示素子では、比抵抗が悪い、駆
動電圧が高い、散乱時の反射率が十分でない、という欠
点があった。さらには高分子前駆体が液晶組成物に溶け
にくい化合物も何種類かあった。
【0004】本発明はこのような実状における要請に答
えたものであり、その目的は紫外線を照射しても比抵抗
値が低下することがなく、また高分子の前駆体が他の一
種または二種以上の液晶と相溶性が良く、重合させて相
分散させた表示素子が低電圧で駆動でき、明るく反射率
の優れた表示素子を得るのに適している新規化合物を提
供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は
【0006】
【化62】
【0007】(上式中、X1,X2,X3,X4,X5
6,X7,X8,X9,X10,X11,X12はそれぞれ水素
原子、またはフッ素原子、または塩素原子、またはメチ
ル基、またはニトリル基を表し、Yは水素原子、または
フッ素原子、または塩素原子、または炭素数が1〜10
の直鎖アルキル基、またはニトリル基を示す)で表され
ることを特徴とするターフェニルメタクリレート誘導体
または
【0008】
【化63】
【0009】(上式中、X1,X2,X3,X4,X5
6,X7,X8,X9,X10,X11,X12はそれぞれ水素
原子、またはフッ素原子、または塩素原子、またはメチ
ル基、またはニトリル基を表す)で表されることを特徴
とするターフェニルメタクリレート誘導体。
【0010】また本発明の表示素子は液晶及び高分子を
互いに配向分散した表示素子において、高分子を形成す
る前駆体としてターフェニルメタクリレート誘導体を少
なくとも1成分として用いることによって
【0011】
【化64】
【0012】(上式中、X1,X2,X3,X4,X5
6,X7,X8,X9,X10,X11,X12はそれぞれ水素
原子、またはフッ素原子、または塩素原子、またはメチ
ル基、またはニトリル基を表し、Yは水素原子、または
フッ素原子、または塩素原子、または炭素数が1〜10
の直鎖アルキル基、またはニトリル基を示す)で表され
る構成要素かまたは
【0013】
【化65】
【0014】(上式中、X1,X2,X3,X4,X5
6,X7,X8,X9,X10,X11,X12はそれぞれ水素
原子、またはフッ素原子、または塩素原子、またはメチ
ル基、またはニトリル基を表す)で表される構成要素が
少なくとも一部分高分子中にに存在することを特徴と
す。また液晶及び高分子を互いに配向分散させた表示素
子において、相分離させた液晶と高分子をシアリングに
より配向させてもよい。また液晶及び高分子を互いに配
向分散させた表示素子において、液晶と高分子がゲルネ
ットワーク状に相分離していてもよい。また液晶及び高
分子を互いに配向分散させた表示素子において、高分子
を形成する前駆体としてターフェニルメタクリレート誘
導体を0.1〜20%含有することを特徴とする。また液晶
及び高分子を互いに配向分散させた表示素子において、
2色性色素を含有することを特徴とする。また液晶及び
高分子を互いに配向分散させた表示素子において、表示
素子表面側での配向方向が、主たる光の入射方向と素子
表面の法線を含む平面に対して垂直であることを特徴と
する。あるいは表示素子表面側での高分子の配向方向が
裏面側での高分子の配向方向と異なることを特徴とす
る。また液晶及び高分子を互いに配向分散させた表示素
子において、液晶及び高分子分散層を挟持する2枚の電
極の1方が光反射性の電極であることを特徴とする。
【0015】次に、本発明のターフェニルメタクリレー
ト誘導体(1)と(2)の一般的製造方法について述べ
る。
【0016】
【表1】
【0017】工程1)化合物(I)と化合物(II)をベンゼ
ンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェニル
フォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下で反
応させ化合物(III)を得る。
【0018】工程2)化合物(IV)と化合物(III)をベン
ゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェニ
ルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下で
反応させ化合物(V)を得る。
【0019】工程3)化合物(V)を酢酸中で臭化水素酸
と反応させ化合物(VI)を得る。ただし(V)の化合物中に
ニトリル基が存在するときはジクロロメタン中で三臭化
ほう素と反応させ化合物(VI)を得る。
【0020】工程4)化合物(VI)とメタクリロイルクロ
ライドをクロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反
応させ化合物(1)を得る。
【0021】
【表2】
【0022】工程1’)化合物(I)と化合物(II')をベン
ゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェニ
ルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下で
反応させ化合物(III')を得る。
【0023】工程2’)化合物(IV)と化合物(III')をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(V')を得る。
【0024】工程3’)化合物(V')を酢酸中で臭化水素
酸と反応させ化合物(VI')を得る。ただし(V')の化合物
中にニトリル基が存在するときはジクロロメタン中で三
臭化ほう素と反応させ化合物(VI')を得る。
【0025】工程4’)化合物(VI')とメタクリロイル
クロライドをクロロホルム中でトリエチルアミンの存在
下反応させ化合物(2)を得る。
【0026】以上が一般的合成方法であるが、各々の化
合物の合成方法は存在する置換基により少しづつ変わっ
てくる。それは置換基の種類あるいは結合している位置
により、入手可能(市販されている)な原料が限られて
くることと、反応性に違いが生ずるためである。次に具
体的な合成方法として化合物1−a〜hと2−a〜eの
化合物の合成方法を述べる。
【0027】
【表3】
【0028】工程A−1)化合物(1)をテトラヒドロフ
ラン中でマグネシウムと反応させグリニヤール試薬とし
た後、ほう酸トリイソプロピルと反応させ化合物(2)を
得る。
【0029】工程A−2)化合物(2)と化合物(3)をベン
ゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェニ
ルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下で
反応させ化合物(4)を得る。
【0030】工程A−3)化合物(4)を酢酸中で臭化水
素酸と反応させ化合物(5)を得る。
【0031】工程A−4)化合物(5)と化合物(6)をクロ
ロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合物
(1-a)を得る。
【0032】
【表4】
【0033】工程B−1)化合物(7)を二硫化炭素中で
塩化アルミニウムの存在下でアルキルカルボニルクロラ
イドと反応させ化合物(8)を得る。
【0034】工程B−2)化合物(8)をトリエチレング
リコール中で水酸化カリウムの存在下でヒドラジン一水
和物と反応させ化合物(9)を得る。
【0035】工程B−3)化合物(9)ををテトラヒドロ
フラン中でマグネシウムと反応させグリニヤール試薬と
した後、ほう酸トリメチルと反応させ化合物(10)を得
る。
【0036】工程B−4)化合物(10)をテトラヒドロフ
ラン中で過酸化水素水と水と反応させ化合物(11)を得
る。
【0037】工程B−5)化合物(11)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(1-b)を得る。
【0038】
【表5】
【0039】工程C−1)化合物(12)と化合物(13)を二
硫化炭素中で塩化アルミニウムの存在下で反応させ化合
物(14)を得る。
【0040】工程C−2)化合物(14)をリン酸とポリリ
ン酸の混合中で塩化ヒドロキシルアンモニウムと反応さ
せた後、水酸化ナトリウムで処理して化合物(15)を得
る。
【0041】工程C−3)化合物(15)を酢酸中で亜硝酸
ナトリウムと硫酸と反応させジアゾニウム塩にした後、
塩化銅と塩酸と反応させ化合物せ化合物(16)を得る。
【0042】工程C−4)化合物(2)と化合物(16)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(17)を得る。
【0043】工程C−5)化合物(17)を酢酸中で臭化水
素酸と反応させ化合物(18)を得る。
【0044】工程C−6)化合物(18)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(1-c)を得る。
【0045】
【表6】
【0046】工程D−1)化合物(14)をジオキサン中で
臭素と水酸化ナトリウムと反応させ化合物(19)を得る。
【0047】工程D−2)化合物(19)を塩化チオニルと
反応させ化合物(20)を得る。
【0048】工程D−3)化合物(20)をジオキサン中で
アンモニアと反応させ化合物(21)を得る。
【0049】工程D−4)化合物(21)を塩化チオニルと
反応させ化合物(22)を得る。
【0050】工程D−5)化合物(2)と化合物(22)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(23)を得る。
【0051】工程D−6)化合物(23)をジクロロメタン
中で三臭化ほう素と反応させ化合物(24)を得る。
【0052】工程D−7)化合物(24)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(1-d)を得る。
【0053】
【表7】
【0054】工程E−1)化合物(2)と化合物(25)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(26)を得る。
【0055】工程E−2)化合物(26)を酢酸中で臭化水
素酸と反応させ化合物(27)を得る。
【0056】工程E−3)化合物(27)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(1-e)を得る。
【0057】
【表8】
【0058】工程F−1)化合物(28)を酢酸中で亜硝酸
ナトリウムと硫酸と反応させジアゾニウム塩とした後、
ベンゼンと反応させ化合物(29)を得る。
【0059】工程F−2)化合物(2)と化合物(29)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(30)を得る。
【0060】工程F−3)化合物(30)を酢酸中で臭化水
素酸と反応させ化合物(31)を得る。
【0061】工程F−4)化合物(31)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(1-f)を得る。
【0062】
【表9】
【0063】工程G−1)化合物(25)を二硫化炭素中で
塩化アルミニウムの存在下でアルキルカルボニルクロラ
イドと反応させ化合物(32)を得る。
【0064】工程G−2)化合物(32)をトリフルオロ酢
酸中でトリエチルシランと反応させ化合物(33)を得る。
【0065】工程G−3)化合物(2)と化合物(33)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(34)を得る。
【0066】工程G−4)化合物(34)を酢酸中で臭化水
素酸と反応させ化合物(35)を得る。
【0067】工程G−5)化合物(35)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(1-g)を得る。
【0068】
【表10】
【0069】工程H−1)化合物(25)を二硫化炭素中で
塩化アルミニウムの存在下アセチルクロライドと反応さ
せ化合物(36)を得る。
【0070】工程H−2)化合物(36)をジオキサン中で
臭素と水酸化ナトリウムと反応させ化合物(37)を得る。
【0071】工程H−3)化合物(37)を塩化チオニルと
反応させ化合物(38)を得る。
【0072】工程H−4)化合物(38)をジオキサン中で
アンモニアと反応させ化合物(39)を得る。
【0073】工程H−5)化合物(39)を塩化チオニルと
反応させ化合物(40)を得る。
【0074】工程H−6)化合物(2)と化合物(40)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(41)を得る。
【0075】工程H−7)化合物(41)をジクロロメタン
中で三臭化ほう素と反応させ化合物(42)を得る。
【0076】工程H−8)化合物(42)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(1-h)を得る。
【0077】
【表11】
【0078】工程I−1)化合物(2)と化合物(43)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(44)を得る。
【0079】工程I−2)化合物(44)を酢酸中で臭化水
素酸と反応させ化合物(45)を得る。
【0080】工程I−3)化合物(45)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(2-a)を得る。
【0081】
【表12】
【0082】工程J−1)化合物(2)と化合物(46)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(47)を得る。
【0083】工程J−2)化合物(47)を酢酸中で臭化水
素酸と反応させ化合物(48)を得る。
【0084】工程J−3)化合物(48)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(2-b)を得る。
【0085】
【表13】
【0086】工程K−1)化合物(2)と化合物(49)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(50)を得る。
【0087】工程K−2)化合物(50)を酢酸中で臭化水
素酸と反応させ化合物(51)を得る。
【0088】工程K−3)化合物(51)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(2-c)を得る。
【0089】
【表14】
【0090】工程L−1)化合物(2)と化合物(52)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(53)を得る。
【0091】工程L−2)化合物(53)を酢酸中で臭化水
素酸と反応させ化合物(54)を得る。
【0092】工程L−3)化合物(54)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(2-d)を得る。
【0093】
【表15】
【0094】工程M−1)化合物(2)と化合物(55)をベ
ンゼンとエタノールの混合溶媒中でテトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウムと炭酸ナトリウムの存在下
で反応させ化合物(56)を得る。
【0095】工程M−2)化合物(56)を酢酸中で臭化水
素酸と反応させ化合物(57)を得る。
【0096】工程M−3)化合物(57)と化合物(6)をク
ロロホルム中でトリエチルアミンの存在下反応させ化合
物(2-e)を得る。
【0097】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明する。
【0098】(実施例1)〔化合物(1−a)の合成〕 p−ターフェニル−4−イルメタクリレートの製造。
【0099】工程A−1)窒素置換したフラスコ中にマ
グネシウム2.0gを入れ、マグネチックスターラーで攪拌
しながら4−ブロモアニソール12.5gをテトラヒドロフ
ラン100mlに溶かした溶液をゆっくり滴下した。発熱し
て反応が進むのを確認した後、15時間攪拌を続けグリニ
ヤール試薬を調製した。新たに用意したフラスコを窒素
置換し、その中へテトラヒドロフラン10mlにほう酸トリ
イソプロピル25gを溶かした溶液を入れ、そこへグリニ
ヤール試薬を滴下し20時間攪拌した。反応液をクロロホ
ルムで抽出し水で3回洗浄した後、クロロホルムを留去
した。残留物をメタノールと水の混合溶媒中から再結晶
して4−メトキシフェニルほう酸5.8gを得た。
【0100】工程A−2)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液50mlとベンゼン70mlを入れ、さ
らに4−ブロモビフェニル8.9g及びテトラキストリフェ
ニルホスフィンパラジウム1.1gを入れた。そこへエタノ
ール50mlに4−メトキシフェニルほう酸5.8gを溶かした
溶液を滴下し、5時間還流した。反応液をクロロホルム
で抽出して水洗した後、クロロホルムを留去した。残留
物をクロロホルムとメタノールの混合溶媒中から再結晶
して、4−メトキシ−p−ターフェニル3.5gを得た。
【0101】工程A−3)なす型フラスコに4−メトキ
シ−p−ターフェニル3.5g,臭化水素酸30ml,酢酸150m
lを入れ、20時間還流した。反応液を室温まで冷却した
後、濾過して水洗した。アセトンとメタノールの混合溶
媒中から再結晶して、4−ヒドロキシ−p−ターフェニ
ル2.4gを得た。
【0102】工程A−4)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム100ml,4−ヒドロキシ−p−ターフェニル
2.4g,トリエチルアミン2mlを入れ、40℃の湯浴中であ
たためて完全に溶解させる。そこへ蒸留精製したメタク
リロイルクロライド1.3mlをゆっくり滴下し、5時間攪拌
を続ける。反応液をdil.HClaq.,飽和NaHCO3aq.,水で洗
浄した後、重合防止のためメタノールを入れてクロロホ
ルムとメタノールを留去する。留去中結晶が現れてきた
ら取り出して、さらにメタノールを入れて再結晶すると
本発明の化合物p−ターフェニル−4−イルメタクリレ
ート2.4gを得た。この化合物の融点は211℃であった。
【0103】この化合物の核磁気共鳴スペクトル(NM
R)を測定したところ以下の結果が得られた。
【0104】
【化66】
【0105】NMR(δ,CDCl3) 2.09(s,3H,CH3), 5.78(s,1
H,Hh) 6.38(s,1H,Hi) , 7.23(d,2
H,Ha) 7.36(t,1H,Hg) , 7.46(d,2
H,Hf) 7.64(d,8H,Hb,Hc,HdおよびHe) またこの化合物の赤外吸収スペクトルを図1に示す。
【0106】(実施例2)〔化合物(1−b)の合成〕 4”−ペンチル−p−ターフェニル−4−イルメタクリ
レートの製造。
【0107】工程B−1)フラスコに塩化アルミニウム
12.0g,二硫化炭素200mlを入れ、攪拌しながらペンタノ
イルクロライド9.4gを滴下する。この混合物を氷水浴中
で冷却しながら、4−ブロモ−p−ターフェニル20gの
二流化炭素800ml溶液を1時間かけて滴下した。滴下後
冷却下3時間攪拌し、氷水浴をはずして1晩放置した。
その後反応液を塩酸50ml,氷200g中にかき混ぜながら注
いだ。混合液の水層をクロロホルムで抽出し油層と合わ
せて、10%水酸化ナトリウム水溶液で2回,水で2回洗
浄した後、溶媒を留去した。残留物をクロロホルムで再
結晶して4−ブロモ−4”−ペンタノイル−p−ターフ
ェニル17.2gを得た。
【0108】工程B−2)フラスコに4−ブロモ−4”
−ペンタノイル−p−ターフェニル17.2g,ヒドラジン
一水和物6.6g,トリエチレングリコール700mlを入れ、
激しく攪拌しながら180℃まで加熱する。反応液を90℃
以下に冷却してから水酸化カリウム5.8gを加え、攪拌し
ながら190℃まで加熱し190〜195℃で5時間攪拌する。
反応液を室温まで冷却後、水500mlを加え攪拌してから
結晶を濾過し水で洗浄する。結晶をクロロホルムとアセ
トンの混合溶媒で再結晶し、4−ブロモ−4”−ペンチ
ル−p−ターフェニル15.0gを得た。
【0109】工程B−3)窒素置換したフラスコ中にマ
グネシウム1.2gとテトラヒドロフラン50mlを入れ、マグ
ネチックスターラーで攪拌しながらエタノールを少し加
えマグネシウムを活性化させる。フラスコを70℃の温浴
にセットし、4−ブロモ−4”−ペンチル−p−ターフ
ェニル15.0gのテトラヒドロフラン350ml溶液を析出しな
い程度に温めながら滴下ロートで加える。滴下後、3時
間還流してグリニヤール試薬を調製した。新たに用意し
た窒素置換したフラスコの中へテトラヒドロフラン250m
lにほう酸トリメチル4.5gを溶かした溶液を入れ-10℃以
下に冷却し、そこへグリニヤール試薬をゆっくり滴下し
2時間攪拌を続けると、4”−ペンチル−p−ターフェ
ニル−4−イルほう酸溶液を得る。これは、溶液状態の
まま次の反応に用いる。
【0110】工程B−4)工程B−3の反応で得られた
4”−ペンチル−p−ターフェニル−4−イルほう酸溶
液に酢酸3.3mlを加え攪拌し、過酸化水素水4.4ml,水3.
9mlを滴下し、30分攪拌を続ける。反応液を室温まで戻
した後、10%硫酸鉄アンモニウム(12水和物)水溶液50
0mlを加え、10分間攪拌しさらに水500mlを加えて結晶が
浮くようにする。結晶を濾別し乾燥させ、クロロホルム
で再結晶し4−ヒドロキシ−4”−ペンチル−p−ター
フェニル3.4gを得た。
【0111】工程B−5)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム30ml,4−ヒドロキシ−4”−ペンチル−p
−ターフェニル3.4g,トリエチルアミン1.3mlを入れ、4
0℃の湯浴中であたためて完全に溶解させる。そこへ蒸
留精製したメタクリロイルクロライド0.86mlをゆっくり
滴下し、3時間攪拌反応を続ける。反応液をdil.HCla
q.,飽和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合防止のため
メタノールを入れてクロロホルムとメタノールを留去す
る。留去中結晶が現れてきたら取り出し、メタノールを
入れて再結晶する。さらに生成物をクロロホルムを展開
溶媒とするシリカゲルカラムで精製して、本発明の化合
物4”−ペンチル−p−ターフェニル−4−イルメタク
リレート1.9gを得た。この化合物の融点は223.8℃であ
った。
【0112】この化合物の赤外吸収スペクトルを図2に
示す。
【0113】同様にして以下の化合物を合成できる。
【0114】4”−メチル−p−ターフェニル−4−イ
ルメタクリレート 4”−エチル−p−ターフェニル−4−イルメタクリレ
ート 4”−プロピル−p−ターフェニル−4−イルメタクリ
レート 4”−ブチル−p−ターフェニル−4−イルメタクリレ
ート 4”−ヘキシル−p−ターフェニル−4−イルメタクリ
レート 4”−ヘプチル−p−ターフェニル−4−イルメタクリ
レート 4”−オクチル−p−ターフェニル−4−イルメタクリ
レート 4”−ノニル−p−ターフェニル−4−イルメタクリレ
ート 4”−デシル−p−ターフェニル−4−イルメタクリレ
ート (実施例3)〔化合物(1−c)の合成〕 4”−クロロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリレ
ートの製造。
【0115】工程C−1)フラスコに4−ブロモビフェ
ニル12.3g,塩化アルミニウム9.2g ,二硫化炭素100mlを
入れ、塩−氷水浴中で攪拌しながらアセチルクロライド
5gを二硫化炭素20mlに溶かした溶液を30分で滴下し、2
時間攪拌した。反応物を氷80gを含む濃塩酸40ml中にか
き混ぜながら注ぎ、油層を分離する。油層を10%塩酸水
溶液と水で洗浄する。油状物中の二硫化炭素をアスピレ
ーター減圧下で留去し、残留物を減圧蒸留して4−アセ
チル−4’−ブロモビフェニル8.7gを得た。
【0116】工程C−2)フラスコに4−アセチル−
4’−ブロモビフェニル8.7g、塩化ヒドロキシルアンモ
ニウム6.7g、りん酸88ml、ポリリン酸36mlをとり、攪
拌下3〜4時間かけて160℃まで加熱した。その後160〜17
0℃で10分間攪拌した。反応液を氷200g中へ注ぎ攪拌し
た。析出した結晶を濾過し、十分洗浄した。水酸化ナト
リウム20gを水100mlに溶かした水溶液中に得られた結
晶を入れ、室温で3時間攪拌した。結晶を濾過し十分水
洗後、乾燥させ減圧蒸留を行い4−(4’−ブロモフェ
ニル)アニリン6.7gを得た。
【0117】工程C−3)フラスコに濃硫酸15mlをとり
氷−水浴で冷却し、攪拌下液温20℃以下を保つ速度で亜
硝酸ナトリウム2gを加えた。その後50℃に加熱し結晶を
溶解した。次に氷−水浴で冷却攪拌下、酢酸26mlを液温
が15〜25℃を保つ速度で滴下した。氷−水浴で冷却攪拌
下、4−(4’−ブロモフェニル)アニリン6.7gを液温
が20〜25℃を保つ速度で加えた。さらに20〜25℃の液温
で1時間攪拌して結晶を溶解させジアゾニウム塩を調製
した。別のフラスコに塩化銅(I)4gと濃塩酸16mlをと
り、氷−水浴で冷却攪拌下に先ほど調製したジアゾニウ
ム塩溶液を20℃以下で滴下した。その後発泡がやむまで
氷−水浴で冷却攪拌し、その後80℃で発泡がやむまで放
置した。反応液に水100mlを加え、クロロホルムで抽出
し、水洗後クロロホルムを留去した。残留物を減圧蒸留
して4−ブロモ−4’−クロロビフェニル4.5gを得た。
【0118】工程C−4)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液23mlとベンゼン30mlを入れ、さ
らに4−ブロモ−4’−クロロビフェニル4.5g及びテト
ラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.17gを入れ
る。そこへエタノール20mlに4−メトキシフェニルほう
酸2.6gを溶かした溶液を滴下し、5時間還流する。反応
液をクロロホルムで抽出して水洗した後、クロロホルム
を留去する。残留物をクロロホルムを展開溶媒とするシ
リカゲルカラムで精製した後、アセトン中から再結晶し
て、4−クロロ−4”−メトキシ−p−ターフェニル2.
7gを得た。
【0119】工程C−5)なす型フラスコに4−クロロ
−4”−メトキシ−p−ターフェニル2.7g,臭化水素酸
4.6ml,酢酸46mlを入れ12時間還流する。反応液を室温
まで冷却した後、濾過して水洗する。残留物をアセトン
中からで再結晶して、4−クロロ−4”−ヒドロキシ−
p−ターフェニル2.1gを得た。
【0120】工程C−6)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム9ml,4−クロロ−4”−ヒドロキシ−p−
ターフェニル2.1g,トリエチルアミン1.5mlを入れ、40
℃の湯浴中であたためて完全に溶解させる。そこへ蒸留
精製したメタクリロイルクロライド0.9gをゆっくり滴
下し、3時間攪拌反応を続ける。反応液をdil.HClaq.,飽
和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合防止のためメタノ
ールを入れてクロロホルムとメタノールを留去する。留
去中結晶が現れてきたら取り出し、メタノールを入れて
再結晶する。さらに生成物をクロロホルムを展開溶媒と
するシリカゲルカラムで精製して、本発明の化合物4”
−クロロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリレート
1.1gを得た。融点は251℃であった。
【0121】(実施例4)〔化合物(1−d)の合成〕 4”−シアノ−p−ターフェニル−4−イルメタクリレ
ートの製造。
【0122】工程D−1)フラスコに水酸化ナトリウム
19gをとり水100mlに溶解し攪拌した。
【0123】その中へ臭素29gを滴下した。フラスコを
氷−水の浴内で冷却し、4−アセチル−4’−ブロモビ
フェニル14.3gを1,4−ジオキサン40mlに溶かした溶
液を滴下した。その後フラスコを40℃までゆっくり加熱
し、1時間攪拌した。この反応液を濃塩酸100mlと氷150
gの混合中へ注ぎ、析出した結晶を濾過、その後水洗し
た。得られた結晶をエタノール中より再結晶し4−
(4’−ブロモフェニル)安息香酸13gを得た。
【0124】工程D−2)フラスコに4−(4’−ブロ
モフェニル)安息香酸13g、塩化チオニル17gを入れ5時
間還流した。その後塩化チオニルを減圧下で留去し、得
られた結晶をヘキサンで洗浄し4−(4’−ブロモフェ
ニル)ベンゾイルクロライド12.1gを得た。
【0125】工程D−3)フラスコに1,4−ジオキサ
ン75mlをとり、フラスコを氷−水浴中で冷却し、アンモ
ニアガスを飽和させた。この中へ4−(4’−ブロモフ
ェニル)ベンゾイルクロライド12.1gを1,4−ジオキ
サン40mlに溶かした溶液を滴下した。その後1時間室温
で攪拌した。反応液を水中へあけ、析出した結晶を濾
過、水洗後、乾燥して4−(4’−ブロモフェニル)ベ
ンズアミド9.7gを得た。
【0126】工程D−4)フラスコに4−(4’−ブロ
モフェニル)ベンズアミド9.7gと塩化チオニル20gをと
り7時間還流した。その後減圧下で塩化チオニルを留去
し、残留物をクロロホルムで抽出後水で2回、5%水酸化
カリウム水溶液で2回、もう一度水で2回洗浄後、クロロ
ホルムを留去した。残留物をアセトンとメタノールの混
合溶媒中より再結晶し4−(4’−ブロモフェニル)ベ
ゾニトリル6.2gを得た。
【0127】工程D−5)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液30mlとベンゼン43mlを入れ、さ
らに4−(4’−ブロモフェニル)ベゾニトリル6.2g及
びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.24g
を入れる。そこへエタノール29mlに4−メトキシフェニ
ルほう酸3.6gを溶かした溶液を滴下し、5時間還流す
る。反応液冷却後クロロホルムで抽出し水で洗浄した
後、クロロホルムを留去する。残留物をアセトンとメタ
ノールの混合溶媒中より再結晶して、4”−シアノ−4
−メトキシ−p−ターフェニ2.8gを得た。
【0128】工程D−6)フラスコに三臭化ほう素5.7g
を塩化メチレン40mlに溶かした溶液を入れ、その中へ
4”−シアノ−4−メトキシ−p−ターフェニル2.8gを
塩化メチレン120mlに溶かした溶液を室温で滴下した。
その後一晩攪拌後、反応液を水中へ注ぎ析出した結晶を
濾過後、水で洗浄した。得られた結晶をアセトンと水の
混合溶媒中より再結晶し、4”−シアノ−4−ヒドロキ
シ−p−ターフェニル1.7gを得た。
【0129】工程D−7)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム8.7ml,4”−シアノ−4−ヒドロキシ−p
−ターフェニル1.7g,トリエチルアミン1.4mlを入れ、4
0℃の湯浴中であたためて完全に溶解させる。そこへ蒸
留精製したメタクリロイルクロライド1.4gをゆっくり
滴下し、3時間攪拌反応を続ける。反応液をdil.HClaq.,
飽和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合防止のためメタ
ノールを入れてクロロホルムとメタノールを留去する。
留去中結晶が現れてきたら取り出し、メタノールを入れ
て再結晶する。さらに生成物をクロロホルムを展開溶媒
とするシリカゲルカラムで精製して、本発明の化合物
4”−シアノ−p−ターフェニル−4−イルメタクリレ
ート1.2gを得た。この化合物の融点は227.2℃であっ
た。
【0130】(実施例5)〔化合物(1−e)の合成〕 3’−フルオロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリ
レートの製造。
【0131】工程E−1)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液37mlとベンゼン47mlを入れ、さ
らに4−ブロモ−2−フルオロビフェニル6.6g及びテト
ラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.3gを入れ
る。そこへエタノール30mlに4−メトキシフェニルほう
酸4gを溶かした溶液を滴下し、5時間還流する。反応液
をクロロホルムで抽出して水洗した後、クロロホルムを
留去する。残留物をクロロホルムを展開溶媒とするシリ
カゲルカラムで精製した後、アセトン中から再結晶し
て、3’−フルオロ−4−メトキシ−p−ターフェニル
5gを得た。この化合物の融点は130.5℃であった。
【0132】工程E−2)なす型フラスコに3’−フル
オロ−4−メトキシ−p−ターフェニル5g,臭化水素酸
9ml,酢酸90mlを入れ12時間還流する。反応液を室温ま
で冷却した後、濾過して水洗する。残留物をアセトン中
からで再結晶して、3’−フルオロ−4−ヒドロキシ−
p−ターフェニル2.9gを得た。
【0133】工程E−3)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム17ml,3’−フルオロ−4−ヒドロキシ−p
−ターフェニル2.9g,トリエチルアミン2.3mlを入れ、4
0℃の湯浴中であたためて完全に溶解させる。そこへ蒸
留精製したメタクリロイルクロライド1.4mlをゆっくり
滴下し、3時間攪拌反応を続ける。反応液をdil.HClaq.,
飽和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合防止のためメタ
ノールを入れてクロロホルムとメタノールを留去する。
留去中結晶が現れてきたら取り出し、メタノールを入れ
て再結晶する。さらに生成物をクロロホルムを展開溶媒
とするシリカゲルカラムで精製して、本発明の化合物
3’−フルオロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリ
レート2.5gを得た。この化合物の融点は141.7℃であっ
た。またこの化合物の赤外吸収スペクトルを図3に示
す。
【0134】(実施例6)〔化合物(1−f)の合成〕 3’−クロロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリレ
ートの製造。
【0135】工程F−1)4−ブロモ−2−クロロアニ
リン45gを18mlの水に加熱溶解させた後、室温に冷却
し、濃塩酸43mlを加え、90℃で30分攪拌後室温に冷却し
た。その後0〜5℃に冷却し、亜硝酸ナトリウム15.3gを
水32mlに溶解した溶液を滴下した。その後反応液を0〜5
℃に保ちながらベンゼン270mlを加えた。室温で2時間攪
拌後、5N水酸化ナトリウム水溶液50mlを加え、クロロ
ホルムで抽出した。クロロホルム層を水で3回洗浄した
後クロロホルムを留去した。残留物を水蒸気した後、ヘ
キサン−シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、4−
ブロモ−2−クロロビフェニルを9.1g得た。
【0136】工程F−2)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液47mlとベンゼン60mlを入れ、さ
らに4−ブロモ−2−クロロビフェニル9.1g及びテトラ
キストリフェニルホスフィンパラジウム0.34gを入れ
る。そこへエタノール40mlに4−メトキシフェニルほう
酸5.2gを溶かした溶液を滴下し、5時間還流する。反応
液をクロロホルムで抽出して水洗した後、クロロホルム
を留去する。残留物をクロロホルムを展開溶媒とするシ
リカゲルカラムで精製した後、アセトンとメタノールの
混合溶媒中から再結晶して、3’−クロロ−4−メトキ
シ−p−ターフェニル6.1gを得た。この化合物の融点は
96.0℃であった。
【0137】工程F−3)なす型フラスコに3’−クロ
ロ−4−メトキシ−p−ターフェニル6.1g,臭化水素酸
10ml,酢酸100mlを入れ12時間還流する。反応液を室温
まで冷却した後、濾過して水洗する。残留物をアセトン
中からで再結晶して、3’−クロロ−4−ヒドロキシ−
p−ターフェニル3.7gを得た。
【0138】工程F−4)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム23ml,3’−クロロ−4−ヒドロキシ−p−
ターフェニル3.7g,トリエチルアミン3.1mlを入れ、40
℃の湯浴中であたためて完全に溶解させる。そこへ蒸留
精製したメタクリロイルクロライド1.9gをゆっくり滴
下し、3時間攪拌反応を続ける。反応液をdil.HClaq.,飽
和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合防止のためメタノ
ールを入れてクロロホルムとメタノールを留去する。留
去中結晶が現れてきたら取り出し、メタノールを入れて
再結晶する。さらに生成物をクロロホルムを展開溶媒と
するシリカゲルカラムで精製して、本発明の化合物3’
−クロロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリレート
1.8gを得た。この化合物の融点は104.2℃であった。
【0139】(実施例7)〔化合物(1−g)の合成〕 4”−エチル−3’−フルオロ−p−ターフェニル−4
−イルメタクリレートの製造。
【0140】工程G−1)フラスコに4−ブロモ−2−
フルオロビフェニル5.0g,塩化アルミニウム6.7g ,1,1,
2,2−テトラクロロエタン20mlを入れ、塩−氷水浴中で
攪拌しながらアセチルクロライド1.9gを1,1,2,2−テト
ラクロロエタン 10mlに溶かした溶液を30分で滴下し、2
時間攪拌した。反応物を氷50gを含む濃塩酸20ml中にか
き混ぜながら注ぎ、油層を分離する。油層を10%塩酸水
溶液と水で洗浄する。油状物中の1,1,2,2−テトラクロ
ロエタンをアスピレーター減圧下で留去し、残留物を減
圧蒸留(186℃/2mmHg)して4’−アセチル−4−ブロ
モ−2−フルオロビフェニル5.3gを得た。
【0141】工程G−2)4’−アセチル−4−ブロモ
−2−フルオロビフェニル5.3gをトリフルオロ酢酸15ml
に溶かした溶液を室温で攪拌しながらトリエチルシラン
4.7gをゆっくり滴下し、5時間攪拌を続けた。反応物を2
0%NaOH水溶液40mlと氷30g中にかき混ぜながら注ぎ、油
層を分離し水層をクロロホルムで抽出する。油層とクロ
ロホルム層を合わせて20%NaOH水溶液と水で洗浄した。
クロロホルムを留去し残留物を減圧蒸留(155℃/3mmH
g)して4−ブロモ−4’−エチル−2−フルオロビフ
ェニル4.7gを得た。
【0142】工程G−3)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液40mlとベンゼン60mlを入れ、さ
らに4−ブロモ−4’−エチル−2−フルオロビフェニ
ル4.7g及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウ
ム0.17gを入れる。そこへエタノール40mlに4−メトキ
シフェニルほう酸2.6gを溶かした溶液を滴下し、5時間
還流する。反応液冷却後、クロロホルムで抽出し水で洗
浄した後、クロロホルムを留去する。残留物をアセトン
とメタノールの混合溶媒中より再結晶して、4”−エチ
ル−3’−フルオロ−4−メトキシ−p−ターフェニル
4.1gを得た。この化合物は液晶相を示し、結晶相−ネマ
チック液晶相転移点(以下C−N点という)は100.8℃
であり、ネマチック液晶相−等方性液体転移点(以下N
−I点という)は179.7℃であった。
【0143】工程G−4)なす型フラスコに4”−エチ
ル−3’−フルオロ−4−メトキシ−p−ターフェニル
4.1g,臭化水素酸7ml,酢酸30mlを入れ20時間還流す
る。反応液を室温まで冷却した後、濾過して水洗する。
残留物をアセトンとメタノールの混合溶媒中から再結晶
して、4”−エチル−3’−フルオロ−4−ヒドロキシ
−p−ターフェニル2.9gを得た。
【0144】工程G−5)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム40ml,4”−エチル−3’−フルオロ−4−
ヒドロキシ−p−ターフェニル 2.9g,トリエチルアミ
ン2.1mlを入れ、40℃の湯浴中であたためて完全に溶解
させる。そこへ蒸留精製したメタクリロイルクロライド
1.3mlをゆっくり滴下し、3時間攪拌反応を続ける。反応
液をdil.HClaq.,飽和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合
防止のためメタノールを入れてクロロホルムとメタノー
ルを留去する。留去中結晶が現れてきたら取り出し、メ
タノールを入れて再結晶する。さらに生成物をクロロホ
ルムを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製して、本
発明の化合物4”−エチル−3’−フルオロ−p−ター
フェニル−4−イルメタクリレート2.1gを得た。融点は
123.5℃であった。この化合物の赤外吸収スペクトルを
図4に示す。
【0145】同様にして以下の化合物を得た。
【0146】4”−メチル−3’−フルオロ−p−ター
フェニル−4−イルメタクリレート。4”−プロピル−
3’−フルオロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリ
レート。4”−ブチル−3’−フルオロ−p−ターフェ
ニル−4−イルメタクリレート。4”−ペンチル−3’
−フルオロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリレー
ト。
【0147】融点106.5℃ 4”−ヘキシル−3’−フルオロ−p−ターフェニル−
4−イルメタクリレート。4”−ヘプチル−3’−フル
オロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリレート。
4”−オクチル−3’−フルオロ−p−ターフェニル−
4−イルメタクリレート。4”−ノニル−3’−フルオ
ロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリレート。4”
−デシル−3’−フルオロ−p−ターフェニル−4−イ
ルメタクリレート。
【0148】(実施例8)〔化合物(1−h)の合成〕 4”−シアノ−3’−フルオロ−p−ターフェニル−4
−イルメタクリレートの製造。
【0149】工程H−1)工程G−1と同様の方法で
4’−アセチル−4−ブロモ−2−フルオロビフェニル
44gを得た。
【0150】工程H−2)フラスコに水酸化ナトリウム
55gをとり水300mlに溶解し攪拌した。
【0151】その中へ臭素84gを滴下した。フラスコを
氷−水の浴内で冷却し、4’−アセチル−4−ブロモ−
2−フルオロビフェニル44gを1,4−ジオキサン114ml
に溶かした溶液を滴下した。その後フラスコを40℃まで
ゆっくり加熱し、1時間攪拌した。この反応液を濃塩酸
230mlと氷450gの混合中へ注ぎ、析出した結晶を濾過、
その後水洗した。得られた結晶をエタノール中より再結
晶し4−(4’−ブロモ−2’−フルオロフェニル)安
息香酸40gを得た。
【0152】工程H−3)フラスコに4−(4’−ブロ
モ−2’−フルオロフェニル)安息香酸40g、塩化チオ
ニル50gを入れ5時間還流した。その後塩化チオニルを
減圧下で留去し、得られた結晶をヘキサンで洗浄し4−
(4’−ブロモ−2’−フルオロフェニル)ベンゾイル
クロライド37gを得た。
【0153】工程H−4)フラスコに1,4−ジオキサ
ン200mlをとり、フラスコを氷−水浴中で冷却し、アン
モニアガスを飽和させた。この中へ4−(4’−ブロモ
−2’−フルオロフェニル)ベンゾイルクロライド32g
を1,4−ジオキサン120mlに溶かした溶液を滴下し
た。その後1時間室温で攪拌した。反応液を水中へあ
け、析出した結晶を濾過、水洗後、乾燥して4−(4’
−ブロモ−2’−フルオロフェニル)ベンズアミド28g
を得た。
【0154】工程H−5)フラスコに4−(4’−ブロ
モ−2’−フルオロフェニル)ベンズアミド28gと塩化
チオニル64gをとり7時間還流した。その後減圧下で塩化
チオニルを留去し、残留物をクロロホルムで抽出後水で
2回、5%水酸化カリウム水溶液で2回、もう一度水で2回
洗浄後、クロロホルムを留去した。残留物をアセトンと
メタノールの混合溶媒中より再結晶し4−(4’−ブロ
モ−2’−フルオロフェニル)ベゾニトリル20gを得
た。
【0155】工程H−6)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液70mlとベンゼン90mlを入れ、さ
らに4−(4’−ブロモ−2’−フルオロフェニル)ベ
ゾニトリル13g及びテトラキストリフェニルホスフィン
パラジウム0.5gを入れる。そこへエタノール60mlに4−
メトキシフェニルほう酸7.6gを溶かした溶液を滴下し、
5時間還流する。反応液冷却後クロロホルムで抽出し水
で洗浄した後、クロロホルムを留去する。残留物をアセ
トンとメタノールの混合溶媒中より再結晶して、4”−
シアノ−3’−フルオロ−4−メトキシ−p−ターフェ
ニ6.6gを得た。この化合物は液晶相を示し、C−N点は
126.3℃であり、N−I点は247.3℃であった。
【0156】工程H−7)フラスコに三臭化ほう素5.7g
を塩化メチレン40mlに溶かした溶液を入れ、その中へ
4”−シアノ−3’−フルオロ−4−メトキシ−p−タ
ーフェニル3gを塩化メチレン120mlに溶かした溶液を室
温で滴下した。その後一晩攪拌後、反応液を水中へ注ぎ
析出した結晶を濾過後、水で洗浄した。得られた結晶を
アセトンと水の混合溶媒中より再結晶し、4”−シアノ
−3’−フルオロ−4−ヒドロキシ−p−ターフェニル
2gを得た。
【0157】工程H−8)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム10ml,4”−シアノ−3’−フルオロ−4−
ヒドロキシ−p−ターフェニル2g,トリエチルアミン1.
4mlを入れ、40℃の湯浴中であたためて完全に溶解させ
る。そこへ蒸留精製したメタクリロイルクロライド0.9
gをゆっくり滴下し、3時間攪拌反応を続ける。反応液
をdil.HClaq.,飽和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合防
止のためメタノールを入れてクロロホルムとメタノール
を留去する。留去中結晶が現れてきたら取り出し、メタ
ノールを入れて再結晶する。さらに生成物をクロロホル
ムを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製して、本発
明の化合物4”−シアノ−3’−フルオロ−p−ターフ
ェニル−4−イルメタクリレート1.6gを得た。この化合
物は液晶相を示し、C−N点は146.2℃であった。
【0158】(実施例9)〔化合物(2−a)の合成〕 p−ターフェニル−4,4”−ジイルジメタクリレート
の製造。
【0159】工程I−1)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液40mlとベンゼン60mlを入れ、さ
らにp−ジブロモベンゼン3.8g及びテトラキストリフェ
ニルホスフィンパラジウム0.9gを入れる。そこへエタノ
ール40mlに4−メトキシフェニルほう酸5gを溶かした溶
液を滴下し、5時間還流する。反応液冷却後、析出物を
濾過して取り出し、アセトンと水で洗浄して、4,4”
−ジメトキシ−p−ターフェニル3.8gを得た。
【0160】工程I−2)なす型フラスコに4,4”−
ジメトキシ−p−ターフェニル3.8g,臭化水素酸20ml,
酢酸150mlを入れ30時間還流する。反応液を室温まで冷
却した後、濾過して水洗する。残留物をアセトン中に溶
かし非溶解物(原料)を取り除く。アセトンを留去し、
さらにアセトンとメタノールの混合溶媒中で再結晶し
て、4,4”−ジヒドロキシ−p−ターフェニル2.0gを
得た。
【0161】工程I−3)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム50ml,4,4”−ジヒドロキシ−p−ターフ
ェニル2.0g,トリエチルアミン3.2mlを入れ、40℃の湯
浴中であたためて完全に溶解させる。そこへ蒸留精製し
たメタクリロイルクロライド2.0mlをゆっくり滴下し、3
時間攪拌反応を続ける。反応液をdil.HClaq.,飽和NaHCO
3aq.,水で洗浄した後、重合防止のためメタノールを入
れてクロロホルムとメタノールを留去する。留去中結晶
が現れてきたら取り出し、メタノールを入れて再結晶す
る。さらに生成物をクロロホルムを展開溶媒とするシリ
カゲルカラムで精製して、本発明の化合物p−ターフェ
ニル−4,4”−ジイルジメタクリレート0.4gを得た。
この化合物は220℃付近で熱重合してしまうため、融点
は測定できなかった。この化合物の赤外吸収スペクトル
を図5に示す。
【0162】(実施例10)〔化合物(2−b)の合
成〕 2’−メチル−p−ターフェニル−4,4”−ジイルジ
メタクリレートの製造。
【0163】工程J−1)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液60mlとベンゼン70mlを入れ、さ
らに2,5−ジブロモトルエン5g及びテトラキストリフ
ェニルホスフィンパラジウム0.44gを入れる。そこへエ
タノール45mlに4−メトキシフェニルほう酸6.7gを溶か
した溶液を滴下し、5時間還流する。反応液冷却後、析
出物を濾過して取り出し、水で洗浄した後アセトンとメ
タノールの混合溶媒中より再結晶し、2’−メチル−
4,4”−ジメトキシ−p−ターフェニル2.3gを得た。
この化合物は液晶相を示し、C−N点は128.6℃であ
り、N−I点は158.7℃であった。
【0164】工程J−2)なす型フラスコに2’−メチ
ル−4,4”−ジメトキシ−p−ターフェニル2.3g,臭
化水素酸150ml,酢酸100mlを入れ30時間還流する。反応
液を室温まで冷却した後、濾過して水洗する。残留物を
アセトンと水のの混合溶媒中から再結晶して、2’−メ
チル−4,4”−ジヒドロキシ−p−ターフェニル1.9g
を得た。
【0165】工程J−3)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム18ml,2’−メチル−4,4”−ジヒドロキ
シ−p−ターフェニル1.9g,トリエチルアミン2.9mlを
入れ、40℃の湯浴中であたためて完全に溶解させる。そ
こへ蒸留精製したメタクリロイルクロライド1.7gをゆ
っくり滴下し、3時間攪拌反応を続ける。反応液をdil.H
Claq.,飽和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合防止のた
めメタノールを入れてクロロホルムとメタノールを留去
する。留去中結晶が現れてきたら取り出し、メタノール
を入れて再結晶する。さらに生成物をクロロホルムを展
開溶媒とするシリカゲルカラムで精製して、本発明の化
合物2’−メチル−p−ターフェニル−4,4”−ジイ
ルジメタクリレート1.2gを得た。この化合物の融点は13
1.7℃であった。
【0166】(実施例11)〔化合物(2−c)の合
成〕 2’−フルオロ−p−ターフェニル−4,4”−ジイル
ジメタクリレートの製造。
【0167】工程K−1)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液100mlとベンゼン130mlを入れ、
さらに1,4−ジブロモ−2−フルオロベンゼン5.8g及
びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.9gを
入れる。そこへエタノール90mlに4−メトキシフェニル
ほう酸8.4gを溶かした物を滴下し、11時間還流する。反
応液冷却後、クロロホルムで抽出し水で洗浄した後、ク
ロロホルムを留去する。残留物をアセトンとメタノール
で再結晶して、2’−フルオロ−4,4”−ジメトキシ
−p−ターフェニル2.3gを得た。この化合物は液晶相を
示し、C−N点は182.7℃であり、N−I点は241.9℃で
あった。
【0168】工程K−2)なす型フラスコに2’−フル
オロ−4,4”−ジメトキシ−p−ターフェニル2.3g,
臭化水素酸7.5ml,酢酸38mlを入れ 20時間還流する。反
応液を室温まで冷却した後、濾過して水洗する。残留物
をアセトンとメタノールの混合溶媒中で再結晶して、
2’−ジフルオロ−4,4”−ジヒドロキシ−p−ター
フェニル2.1gを得た。
【0169】工程K−3)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム23ml,2’−フルオロ−4,4”−ジヒドロ
キシ−P−ターフェニル2.1g,トリエチルアミン3.2ml
を入れ、40℃の湯浴中であたためて完全に溶解させる。
そこへ蒸留精製したメタクリロイルクロライド1.9mlを
ゆっくり滴下し、3時間攪拌反応を続ける。反応液をdi
l.HClaq.,飽和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合防止の
ためメタノールを入れてクロロホルムとメタノールを留
去する。留去中結晶が現れてきたら取り出し、メタノー
ルを入れて再結晶する。さらに生成物をクロロホルムを
展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製して、本発明の
化合物2’−フルオロ−p−ターフェニル−4,4”−
ジイルジメタクリレート1.9gを得た。この化合物の融点
は186.2℃であった。この化合物の赤外吸収スペクトル
を図6に示す。
【0170】(実施例12)〔化合物(2−d)の合
成〕 2’−クロロ−p−ターフェニル−4,4”−ジイルジ
メタクリレートの製造。
【0171】工程L−1)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液52mlとベンゼン70mlを入れ、さ
らに1,4−ジブロモ−2−クロロベンゼン5g及びテト
ラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.44gを入れ
る。そこへエタノール45mlに4−メトキシフェニルほう
酸6.7gを溶かした物を滴下し、11時間還流する。反応液
冷却後、クロロホルムで抽出し水で洗浄した後、クロロ
ホルムを留去する。残留物をアセトンとクロロホルムの
混合溶媒中より再結晶して、2’−クロロ−4,4”−
ジメトキシ−p−ターフェニル3gを得た。この化合物は
液晶相を示し、C−N点は110.2℃であり、N−I点は1
63.5℃であった。
【0172】工程L−2)なす型フラスコに2’−クロ
ロ−4,4”−ジメトキシ−p−ターフェニル3g,臭化
水素酸9.2ml,酢酸47mlを入れ20時間還流する。反応液
を室温まで冷却した後、濾過して水洗する。残留物をア
セトンとクロロホルムの混合溶媒中から再結晶して、
2’−クロロ−4,4”−ジヒドロキシ−p−ターフェ
ニル2.9gを得た。
【0173】工程L−3)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム28ml,2’−クロロ−4,4”−ジヒドロキ
シ−P−ターフェニル2.9g,トリエチルアミン3.9mlを
入れ、40℃の湯浴中であたためて完全に溶解させる。そ
こへ蒸留精製したメタクリロイルクロライド2.3gをゆ
っくり滴下し、3時間攪拌反応を続ける。反応液をdil.H
Claq.,飽和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合防止のた
めメタノールを入れてクロロホルムとメタノールを留去
する。留去中結晶が現れてきたら取り出し、メタノール
を入れて再結晶する。さらに生成物をクロロホルムを展
開溶媒とするシリカゲルカラムで精製して、本発明の化
合物2’−クロロ−p−ターフェニル−4,4”−ジイ
ルジメタクリレート2.0gを得た。この化合物の融点は13
2.6℃であった。(実施例13)〔化合物(2−e)の
合成〕 2’,5’−ジフルオロ−p−ターフェニル−4,4”
−ジイルジメタクリレートの製造。
【0174】工程M−1)窒素置換したフラスコ中に2
M炭酸ナトリウム水溶液84mlとベンゼン110mlを入れ、
さらに1,4−ジブロモ−2,5−ジフルオロベンゼン
8.2g及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム
0.8gを入れる。そこへエタノール70mlに4−メトキシフ
ェニルほう酸11gを溶かした溶液を滴下し、11時間還流
する。反応液冷却後、クロロホルムで抽出し水で洗浄し
た後、クロロホルムを留去する。残留物をアセトンとク
ロロホルムの混合溶媒中より再結晶して、2’,5’−
ジフルオロ−4,4”−ジメトキシ−p−ターフェニル
1.3gを得た。この化合物は液晶相を示し、C−N点は19
4.3℃であり、N−I点は195.1℃であった。
【0175】工程M−2)なす型フラスコに2’,5’
−ジフルオロ−4,4”−ジメトキシ−p−ターフェニ
ル1.3g,臭化水素酸3.9ml,酢酸20mlを入れ 20時間還流
する。反応液を室温まで冷却した後、濾過して水洗す
る。残留物をアセトンとクロロホルムの混合溶媒中から
再結晶して、2’,5’−ジフルオロ−4,4”−ジヒ
ドロキシ−p−ターフェニル1.1gを得た。
【0176】工程M−3)窒素置換したフラスコ中にク
ロロホルム12ml,2’,5’−ジフルオロ−4,4”−
ジヒドロキシ−P−ターフェニル1.1g,トリエチルアミ
ン1.7mlを入れ、40℃の湯浴中であたためて完全に溶解
させる。そこへ蒸留精製したメタクリロイルクロライド
1.0gをゆっくり滴下し、3時間攪拌反応を続ける。反応
液をdil.HClaq.,飽和NaHCO3aq.,水で洗浄した後、重合
防止のためメタノールを入れてクロロホルムとメタノー
ルを留去する。留去中結晶が現れてきたら取り出し、メ
タノールを入れて再結晶する。さらに生成物をクロロホ
ルムを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製して、本
発明の化合物2’,5’−ジフルオロ−p−ターフェニ
ル−4,4”−ジイルジメタクリレート1.1gを得た。こ
の化合物の融点は190.0℃であった。この化合物の赤外
吸収スペクトルを図7に示す。
【0177】(実施例14〜28)〔表示素子〕 図8に示すようにガラス基板1及び2の上に透明電極膜
(例えばITO膜)からなる電極3を形成し、この上に
ポリイミド等よりなる配向膜を塗布する。次にラビング
して配向制御層4を形成し、さらにガラス基板1及び2
をシール剤5を介して対向配置し、ガラス基板間に以下
に示す組成物をそれぞれ注入し、TN型の液晶表示セル
を作成した。
【0178】本実施例では、液晶としてTL202とMJ91261
(ともにメルク社製)、カイラル成分としてS-1011(メ
ルク社製)、2色性色素としてS-344(三井東圧染料社
製)、高分子前駆体として本発明の化合物及び既存化合
物のビフェニル−4−イルメタクリレート,ビフェニル
−4,4’−ジイルジメタクリレートを用いた。
【0179】測定した組成物は、TL202とMJ91261の8:2
の混合物を90.9%、S-1011を0.5%、S-344を3.6%を混
合したものをベース液晶とし、さらにそのベース液晶に
高分子前駆体を単独で、あるいは二種類使用して5%混
合した。このようにして表16〜19に示したとおり使
用した高分子の種類を変え、実施例14〜28の組成物
を調合した。
【0180】この液晶組成物は先に説明した空パネルに
封入して、紫外線照射で高分子前駆体を光重合して液晶
と高分子を相分離させた。なお、測定はセル温度20゜C,
セルギャップ5μmで行った。
【0181】こうして作製した表示素子を図9に示した
ような光学系に配置して、1KHzの短形波で波高値を変化
させた信号を印加し、電圧を変化させながら反射率を測
定し、最小反射率、最大反射率、しきい値電圧(最小反
射率から最大反射率へ5%変化したときの電圧値、以下
Vthと表す)、飽和電圧(最小反射率から最大反射率へ
95%変化したときの電圧値、以下Vsatと表す)を測定
した。また応答速度として電圧をON(この時の印加電
圧はVth)にして反射率が95%増加するまでに要した時
間(立ち上がり速度)と、電圧をOFFにして反射率が
95%減少した時間(立ち下がり速度)を測定した。反射
率は素子の代わりに白色上質紙を配置した場合の反射率
を100%とした。ところで、素子の反射率はパネルへの
入射角度を一定にしても光の入射方向により反射率の値
が変わるという素子の回転による視角依存性があること
が、すでに調べられている。したがって測定条件を合わ
せるために、ここで示した反射率は最も反射率が大きく
なる入射角度でパネルを固定したときの値を用いた。こ
のようにして次に示した表のとおり表示素子の測定結果
を得た。
【0182】
【表16】
【0183】
【表17】
【0184】
【表18】
【0185】
【表19】
【0186】実施例14〜17は高分子前駆体を一種類だけ
使用した場合の実施例である。このうち実施例14は既存
化合物のビフェニル−4−イルメタクリレートを使用
し、実施例15〜17は本発明化合物を使用している。この
測定結果を見ると本発明化合物を使用することにより、
既存化合物使用に比べ、Vth及びVsatをほぼ同等にし
ながら、最大反射率を10〜40%ほど増加させることがで
きた。最大反射率の増加は表示素子を作成する場合に重
要な特性であり、これを増加できたことの意義は大き
い。
【0187】実施例18〜28は高分子前駆体として一官能
基と二官能基の二種類の化合物を使用した場合である。
二官能基を使用することにより、Vth、Vsatは増加す
るが、表示素子の焼き付けを防ぐ効果がある。実施例18
は既存化合物のビフェニル−4−イルメタクリレート,
ビフェニル−4,4’−ジイルジメタクリレートを使用
している。実施例19〜22は一官能基として既存化合物の
ビフェニル−4−イルメタクリレート、二官能基として
本発明化合物を使用した。実施例19では実施例18に比べ
Vthを2.3V下げ、最大反射率も20%近く増加してい
る。実施例23〜27は一官能基に本発明化合物を使用し、
二官能基に既存化合物のビフェニル−4,4’−ジイル
ジメタクリレートを使用した。この場合実施例18に比べ
Vthを2.0〜2.6V下げ、最大反射率を10〜20%増加させ
ることができた。実施例28は一官能基、二官能基とも本
発明化合物を使用した例である。実施例18と比べるとV
thを2.3V下げ、最大反射率を30%増加させることがで
きた。
【0188】以上のように、本発明の液晶組成物を用い
ることにより従来の表示素子より駆動電圧が低く、最大
反射率が大きく、表示が明るく見やすい液晶表示素子を
得ることができた。また、本発明の化合物の液晶との相
溶性であるが、実施例14〜28の組成物を調合するのに問
題はなく、実用的な高分子前駆体の含有量において十分
な溶解性があることがわかった。さらに高分子前駆体と
して含んだ液晶組成物の表示素子としての比抵抗は1.5
〜2.0×1011Ωcmであり、電圧保持率は98%以上であ
り、操作上問題のない値であった。
【0189】上記の実施例においてはTN型の液晶表示
セルを用いたが、MIM素子,TFT素子などを用いた
場合にも同様な効果が得られた。
【0190】ここで、液晶の混合比率は上記の例に限ら
ないが、あまりMJ91261を増やすと比抵抗が落ちるため
好ましくない。またTL202が多すぎると駆動電圧が高く
なり、また散乱度も低下して好ましくない。この液晶組
成物に他の液晶を任意の割合で混ぜても表示素子として
機能する。
【0191】カイラル成分はここに示した物に限らず用
いることができる。カイラル成分としては高分子前駆体
にカイラル中心を持つ物も利用できる。また混合比率に
ついてもここに示した量に限らない、ただしあまり多く
入れるとヒステリシスが大きくなる傾向がある。
【0192】2色性色素については、ここに示した物に
限らず用いることができるが、できれば紫外線領域で吸
収の少ない物が好ましい。もちろん2色比が高ければさ
らに好ましい。色素の色については用途に応じて任意に
選ぶことができる。色素の含有量についてはここに示し
た量に限らないが、あまり多いと色素が結晶化したり表
示が暗くなる。
【0193】重合開始剤についてはここでは用いなかっ
たが、光増感剤も含めて用いることができる。ただし、
比抵抗が低下しやすいため注意して用いる。
【0194】用いる高分子の前駆体は他の光重合性の高
分子前駆体を混合して用いることもできる。高分子前駆
体の含有量についてはここに示した量でなくてもよい
が、あまり少ないと散乱度が弱くなり、あまり多いと駆
動電圧が高くなる。
【0195】重合条件は、ここでは300nm以長の紫外線
を用いたが、これより短い光を用いても重合できる。た
だし、比抵抗が低下しやすいので重合には注意を要す
る。光強度については3mW/cm2としたが、これに限らな
い。光強度が弱ければ重合時間を長くし、光強度が強け
れば重合時間を短くする。ただしあまり光強度が強いと
比抵抗が低下しやすい。光重合時にわずか加熱(20〜50
℃程度)すると重合しやすい。
【0196】反射性電極についてはアルミニウム、銀、
ニッケル、クロムなど光を反射する電極であれば用いる
ことができる。また電極を透明なものとし、素子の裏側
に反射性背景板を用いても良い。
【0197】配向処理については、液晶が配向するよう
な処理であればどのような方法であっても構わない。
【0198】
【発明の効果】以上述べたように本発明の化合物を用い
ることにより、従来の化合物及び組成物を用いた表示素
子より駆動電圧が低く、反射率が大きい反射型表示素子
を作製することが可能となった。また、本発明の化合物
は従来のあらゆる液晶組成物と混ぜた場合に相溶性が良
好であった。本発明の化合物を用いれば、大容量ディス
プレイなどの明るい省電力マンマシンインターフェイス
を容易に、そして安価に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1で得られたp−ターフェニル
−4−イルメタクリレートの赤外吸収スペクトル図。
【図2】本発明の実施例2で得られた4”−ペンチル−
p−ターフェニル−4−イルメタクリレートの赤外吸収
スペクトル図。
【図3】本発明の実施例5で得られた3’−フルオロ−
p−ターフェニル−4−イルメタクリレートの赤外吸収
スペクトル図。
【図4】本発明の実施例7で得られた4”−エチル−
3’−フルオロ−p−ターフェニル−4−イルメタクリ
レートの赤外吸収スペクトル図。
【図5】本発明の実施例9で得られたp−ターフェニル
−4,4”−ジイルジメタクリレートの赤外吸収スペク
トル図。
【図6】本発明の実施例11で得られた2’−フルオロ
−p−ターフェニル−4,4”−ジイルジメタクリレー
トの赤外吸収スペクトル図。
【図7】本発明の実施例13で得られた2’,5’−ジ
フルオロ−p−ターフェニル−4,4”−ジイルジメタ
クリレートの赤外吸収スペクトル図。
【図8】本発明の実施例14〜28における表示素子の
断面を示す図。
【図9】本発明の実施例14〜28における表示素子の
電気光学特性を測定した際の光学系を示す図。
【符号の説明】
1,2 ガラス基板 3 電極 4 配向制御層 5 シール剤 6 色素 7 液晶 8 高分子 (9 反射電極を用いない場合には反射性背景板) 10 表示素子 11 光源 12 結像用レンズ 13 光電子増倍管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G02F 1/1333 (31)優先権主張番号 特願平5−141718 (32)優先日 平5(1993)6月14日 (33)優先権主張国 日本(JP) (31)優先権主張番号 特願平5−196332 (32)優先日 平5(1993)8月6日 (33)優先権主張国 日本(JP) (31)優先権主張番号 特願平5−198605 (32)優先日 平5(1993)8月10日 (33)優先権主張国 日本(JP)

Claims (38)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 【化1】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表されることを特徴と
    するターフェニルメタクリレート誘導体。
  2. 【請求項2】 【化2】 で表されることを特徴とする請求項1記載のターフェニ
    ルメタクリレート誘導体。
  3. 【請求項3】一般式 【化3】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表されることを特徴とする請求項1記載のターフ
    ェニルメタクリレート誘導体。
  4. 【請求項4】 【化4】 で表されることを特徴とする請求項1記載のターフェニ
    ルメタクリレート誘導体。
  5. 【請求項5】 【化5】 で表されることを特徴とする請求項1記載のターフェニ
    ルメタクリレート誘導体。
  6. 【請求項6】 【化6】 で表されることを特徴とする請求項1記載のターフェニ
    ルメタクリレート誘導体。
  7. 【請求項7】 【化7】 で表されることを特徴とする請求項1記載のターフェニ
    ルメタクリレート誘導体。
  8. 【請求項8】一般式 【化8】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表されることを特徴とする請求項1記載のターフ
    ェニルメタクリレート誘導体。
  9. 【請求項9】 【化9】 で表されることを特徴とする請求項1記載のターフェニ
    ルメタクリレート誘導体。
  10. 【請求項10】一般式 【化10】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表す)で表されることを特徴とするターフェ
    ニルメタクリレート誘導体。
  11. 【請求項11】 【化11】 で表されることを特徴とする請求項10記載のターフェ
    ニルメタクリレート誘導体。
  12. 【請求項12】 【化12】 で表されることを特徴とする請求項10記載のターフェ
    ニルメタクリレート誘導体。
  13. 【請求項13】 【化13】 で表されることを特徴とする請求項10記載のターフェ
    ニルメタクリレート誘導体。
  14. 【請求項14】 【化14】 で表されることを特徴とする請求項10記載のターフェ
    ニルメタクリレート誘導体。
  15. 【請求項15】 【化15】 で表されることを特徴とする請求項10記載のターフェ
    ニルメタクリレート誘導体。
  16. 【請求項16】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として一般
    式 【化16】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表されるターフェニル
    メタクリレート誘導体を少なくとも1成分として用いる
    ことによって、一般式 【化17】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表される構成要素が少
    なくとも一部分高分子中に存在することを特徴とするタ
    ーフェニルメタクリレート誘導体を用いた高分子分散型
    液晶表示素子。
  17. 【請求項17】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化18】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化19】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項16に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  18. 【請求項18】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として一般
    式 【化20】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用
    いることによって、 【化21】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に
    存在することを特徴とする請求項16に記載のターフェ
    ニルメタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表
    示素子。
  19. 【請求項19】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化22】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化23】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項16に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  20. 【請求項20】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化24】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化25】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項16に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  21. 【請求項21】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化26】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化27】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項16に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  22. 【請求項22】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化28】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化29】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項16に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  23. 【請求項23】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として一般
    式 【化30】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用
    いることによって、一般式 【化31】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に
    存在することを特徴とする請求項16に記載のターフェ
    ニルメタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表
    示素子。
  24. 【請求項24】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化32】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化33】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項16に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  25. 【請求項25】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化34】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を示す)で表されるターフェニルメタクリレー
    ト誘導体を少なくとも1成分として用いることによっ
    て、 【化35】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を示す)で表される構成要素が少なくとも一部
    分高分子中に存在することを特徴とするターフェニルメ
    タクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  26. 【請求項26】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化36】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化37】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項25に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  27. 【請求項27】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化38】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化39】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項25に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  28. 【請求項28】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化40】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化41】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項25に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  29. 【請求項29】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化42】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化43】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項25に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  30. 【請求項30】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化44】 で表されるターフェニルメタクリレート誘導体を用いる
    ことによって、 【化45】 で表される構成要素が少なくとも一部分高分子中に存在
    することを特徴とする請求項25に記載のターフェニル
    メタクリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素
    子。
  31. 【請求項31】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子を形成する前駆体として 【化46】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表されるターフェニル
    メタクリレート誘導体の少なくとも1成分を0.1〜1
    5% 【化47】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表す)で表されるターフェニルメタクリレー
    ト誘導体の少なくとも1成分を0.1〜10%含有する
    液晶組成物を用いたことを特徴とするターフェニルメタ
    クリレート誘導体を用いた高分子分散型液晶表示素子。
  32. 【請求項32】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、相分離させた液晶と高分子をシアリ
    ングにより配向させる方法をとり、高分子を形成する前
    駆体としてターフェニルメタクリレート誘導体を少なく
    とも1成分として用いることによって、 【化48】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表される構成要素かま
    たは 【化49】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表す)で表される構成要素が少なくとも一部
    分高分子中にに存在することを特徴とする請求項16ま
    たは25に記載のターフェニルメタクリレート誘導体を
    用いた高分子分散型液晶表示素子。
  33. 【請求項33】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、液晶と高分子がゲルネットワーク状
    に相分離しており、高分子を形成する前駆体としてター
    フェニルメタクリレート誘導体を少なくとも1成分とし
    て用いることによって、 【化50】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表される構成要素かま
    たは 【化51】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表す)で表される構成要素が少なくとも一部
    分高分子中にに存在することを特徴とする請求項16ま
    たは25に記載のターフェニルメタクリレート誘導体を
    用いた高分子分散型液晶表示素子。
  34. 【請求項34】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、液晶中に2色性色素を含有し、高分
    子を形成する前駆体としてターフェニルメタクリレート
    誘導体を少なくとも1成分として用いることによって、 【化52】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表される構成要素かま
    たは 【化53】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表す)で表される構成要素が少なくとも一部
    分高分子中にに存在することを特徴とする請求項16ま
    たは25に記載のターフェニルメタクリレート誘導体を
    用いた高分子分散型液晶表示素子。
  35. 【請求項35】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、液晶あるいは高分子中の少なくとも
    一方にカイラル成分が含有あるいは存在し、高分子を形
    成する前駆体としてターフェニルメタクリレート誘導体
    を少なくとも1成分として用いることによって、 【化54】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表される構成要素かま
    たは 【化55】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表す)で表される構成要素が少なくとも一部
    分高分子中にに存在することを特徴とする請求項16ま
    たは25に記載のターフェニルメタクリレート誘導体を
    用いた高分子分散型液晶表示素子。
  36. 【請求項36】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、表示素子表面側での配向方向が主た
    る光の入射方向と素子表面の法線を含む平面に対して垂
    直であり、高分子を形成する前駆体としてターフェニル
    メタクリレート誘導体を少なくとも1成分として用いる
    ことによって、 【化56】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表される構成要素かま
    たは 【化57】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表す)で表される構成要素が少なくとも一部
    分高分子中にに存在することを特徴とする請求項16ま
    たは25に記載のターフェニルメタクリレート誘導体を
    用いた高分子分散型液晶表示素子。
  37. 【請求項37】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、表示素子表面側での配向方向が素子
    裏側での高分子の配向方向と異なり、高分子を形成する
    前駆体としてターフェニルメタクリレート誘導体を少な
    くとも1成分として用いることによって、 【化58】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表される構成要素かま
    たは 【化59】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表す)で表される構成要素が少なくとも一部
    分高分子中にに存在することを特徴とする請求項16ま
    たは25に記載のターフェニルメタクリレート誘導体を
    用いた高分子分散型液晶表示素子。
  38. 【請求項38】液晶及び高分子を互いに配向分散させた
    表示素子において、高分子分散層を挟持する2枚の電極
    の一方が光反射性の電極であり、高分子を形成する前駆
    体としてターフェニルメタクリレート誘導体を少なくと
    も1成分として用いることによって、 【化60】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表し、Yは水素原子、またはフッ素原子、ま
    たは塩素原子、または炭素数が1〜10の直鎖アルキル
    基、またはニトリル基を示す)で表される構成要素かま
    たは 【化61】 (上式中、X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8
    9,X10,X11,X12はそれぞれ水素原子、またはフ
    ッ素原子、または塩素原子、またはメチル基、またはニ
    トリル基を表す)で表される構成要素が少なくとも一部
    分高分子中にに存在することを特徴とする請求項16ま
    たは25に記載のターフェニルメタクリレート誘導体を
    用いた高分子分散型液晶表示素子。
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