JPH07105460B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に係り、特に発熱体となる半導体
素子を積層するのに適したメタライズパターンを有する
絶縁板に関する。

〔従来の技術〕

一般に半導体素子用絶縁板は、半導体素子をヒートシン
ク（金属ベース）等に取付ける場合の電気的絶縁のため
に用いられるもので、金属ベース板上にはんだ，銀ろう
等のろう付により接合されている。このような絶縁板
は、電気的な絶縁を行なう他に、特に発熱性の半導体素
子を搭載する場合には、半導体素子のそのものに発生し
た熱を金属ベース板側に放熱させる役割をも兼ねるもの
で、絶縁板としては、例えばアルミナ等の絶縁部材が用
いられる。

ところで、この種の絶縁板に半導体素子を搭載したり、
絶縁板自身を金属ベース板上に取付ける場合には、はん
だ等のろう付を用いて行なわれるが、絶縁板となるアル
ミナ等は、ろう付けに適さないため、絶縁板の表裏面に
半導体素子と接合するためのメタライズ面や、金属ベー
ス板と接合するためのメタライズ面を設けている。メタ
ライズ面は、モリブデン，タングステン膜等が用いられ
る。

更に従来のこの種の絶縁板では、例えば特開昭55−1186
41号公報等に開示されるように、絶縁板に施されたメタ
ライズ面に複数のスリツトを設けて、はんだ等のろう付
け時に発生するボイドをスリツトから逃してボイドのの
低減を図つたり、或いは、はんだ等の接合部に生じるク
ラツク発生率は、接合される部材の線膨張係数差の大き
さに左右される他に、接合部の長さが長い程、部材間の
歪が大きくなつてクラツクが生じ易いので、例えば特開
昭55−165656号公報等に開示されるように、絶縁板の裏
面メタライズ面を表面側に搭載される半導体素子の真下
に配置して、絶縁板と金属ベース板との接合部（ろう付
部）を半導体素子真下に集中させ、このようにしてメタ
ライズ面ひいては接合部の長さをできるだけ短かくし
て、接合部のクラツクの発生を減少させたり、また、こ
の半導体素子真下のメタライズの面の他の半導体素子チ
ツプ取付け面の水平を保つため、第２のメタライズ面を
設ける等種々の配慮がなされている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前述した如く、従来よりこの種絶縁板には、メタライズ
面にスリツトを形成したり、メタライズ面の配置位置を
特定しつつ接合部の長さをできるだけ短かくする等、メ
タライズパターンに種々の配慮を施して、熱伝導低下原
因たるボイド発生を防止したり、クラツクの減少化を図
つている。

しかしながら、上記従来技術の中で、メタライズ面にス
リツトを形成する従来例では、ボイド低減を図る点に重
点が置かれ、絶縁板と金属ベース板間の接合部のクラツ
ク低減を図る点については充分な配慮がなされていなか
つた。すなわち、従来のスリツト方式は、メタライズ面
21に施されるはんだ等の接合部に発生するボイドや熱を
第４図の従来例に示すように、絶縁板１のメタライズ面
21に設けた十文字のスリツト部22を介して外部に逃して
いる。しかし、熱応力の長期繰返し印加により生じるク
ラツクは、図の矢印に示すように絶縁板の四隅及び絶縁
板の端面より中心方向に進行する性質を有しているた
め、十文字スリツトで区分されるはんだ等の接合部がす
べてクラツクで侵される傾向があつた。特に、一度クラ
ツクが発生すると、クラツクが切欠きとなつて切欠部に
応力集中が発生する切欠き効果が働き、クラツクの進行
を助長する。なお、第４図の斜線23で示す部分は、クラ
ツクが末だ進行していない部分をクラツク進行状況とし
て表わしたもので、同図では、絶縁板１のＡ側よりもＢ
側の方がクラツクの信号が著るしいが、このようになる
のは、接合部の厚みがＡ側よりＢ側の方が薄いといつた
場合に起こる。すなわち、接合部が薄いほど熱応力が増
大する傾向にあるためである。

このような接合部の厚みの不均衡は、特に絶縁板上の半
導体素子の搭載される箇所とそれ以外の箇所の重量に不
均衡に起因して生じる。

また、上記従来技術の中で、絶縁板の裏面メタライズを
半導体素子搭載箇所の真下に形成する方式のものは、ク
ラツクの発生を減少できる反面、絶縁板と金属ベース板
間に空間が存在するため、その分、絶縁板から金属ベー
ス板側への熱伝導が低下して、半導体素子のチツプ温度
が上昇する傾向があつた。特に電流制限付イグナイタの
場合には、電流制限時に発熱が増大するため、初期的に
も熱応力が増大し、長期的な信頼性の面で改善すべき点
があつた。

本発明は以上の点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、金属ベース板との接合箇所における
ボイド，クラツク等の発生を有効に抑制し、しかも放熱
面積を充分に確保して、半導体素子，絶縁板，金属ベー
ス等で構成される半導体組立体の耐久性，信頼性の向上
化を図り得る半導体素子用絶縁板を提供することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するために、次のように構成す
る。なお、構成要素に付した符号は第１図，第２図
（ａ），（ｂ）のものを引用した。

すなわち、本発明は、半導体素子５を伝熱性，電気絶縁
性を有する絶縁板１上に接合剤９により直接或いはヒー
トシンク６を介して接合し、前記絶縁板１を金属ベース
７上に接合剤10により接合して積層構造を成す半導体装
置において、 前記絶縁板１の裏面には前記金属ベース７との接合のた
めに用いるメタライズ面が形成され、且つこのメタライ
ズ面は、前記半導体素子或いは前記ヒートシンク６の搭
載箇所の真下に形成された第１のメタライズ面２と、こ
の第１のメタライズ面２の周囲にメタライズを施さない
スリット部３を介して配設される第２のメタライズ面４
とで構成され、 このうち前記第１のメタライズ面２は、前記半導体素子
５を前記絶縁板１上に前記ヒートシンク６を介さないで
搭載した場合には、前記半導体素子５の真上からの正投
影がすべて収まる面積を有し、前記半導体素子５を前記
絶縁板１上に前記ヒートシンク６を介して搭載した場合
には、前記ヒートシンク６の真上からの正投影がすべて
収まる面積を有し、 且つ、前記スリット部３は、前記絶縁板１の縁まで延設
されていることを特徴とする。

〔作用〕

既に「発明が解決しようとする課題」でも述べたよう
に、絶縁板１と金属ベース７間の接合部のクラックは、
絶縁板１の縁及び四隅から中央に向かって進行し、且つ
絶縁板１が傾きをもって接合された場合には、接合部の
厚みの薄い方がクラックの進行度合いが大きい。しか
も、クラック部には、クラック自身の切欠効果が働き、
応力集中を生じるため、更にクラックは進行する性質を
有する。

ところで、絶縁板１を金属ベース７に積層する場合に
は、絶縁板裏面の第1,第２のメタライズ面（2,4）と金
属ベース７の間がはんだ等のろう剤（接合剤）10により
接合されるが、第１のメタライズ面２の周囲には、メタ
ライズの施されないスリット３が存在するため、この部
分は、接合剤10の存在しない非接合箇所となる。すなわ
ち、絶縁板１の第１のメタライズ面２と金属ベース７間
の接合部（これを第１の接合部と称する）と、第１の接
合部の周りに配される第２のメタライズ面４と金属ベー
ス７間の接合部（これを第２の接合部と称する）との間
には、スリット状の非接合部が存在することになる。

このような接合構造によれば、第１の接合部の周囲、す
なわち第２の接合部に絶縁板１の四隅及び縁からクラッ
クが生じたとしても、そのクラックがスリット状の非接
合部に至ることにより、切欠効果が消失し応力集中がな
くなるため、クラックの進行を止め、第１の接合部側に
クラックが及びことを有効に防止することができる。

さらに、第１の接合部は、スリット３を介して第２の接
合部の区分けされ、第１の接合部の長さを必要最小程度
に短くすることができるので、金属ベース７と絶縁板１
間の接合部（第１の接合部）の熱ひずみを極力小さく
し、及び、接合部の厚みに傾きがあって厚さの不均衡が
生じても、半導体５或いは半導体素子付きヒートシンク
６の搭載箇所の真下の接合部（第１の接合部）は、傾き
の始点（絶縁板１一端の接合箇所で接合部の厚さが最も
薄いところ）から外れた位置にあるので、その厚みも充
分に確保され、熱応力も低減されるので、第１の接合部
自身がクラックの生じにくい構造特性を持たせたことか
ら、第１の接合部の健全性を充分に保持できる。

この充分な健全性を確保できる第１の接合部に対応の第
１のメタライズ面２は、半導体素子５を絶縁板１上にヒ
ートシンク６を介さないで搭載した場合には、半導体素
子５の真上からの正投影がすべて収まる面積を有し、半
導体素子５を絶縁板１上にヒートシンク６を介して搭載
した場合には、ヒートシンク６の真上からの正投影がす
べて収まる面積を有するように設定したので、半導体素
子５或いは半導体素子５付きヒートシンク６の面積分だ
けは最低限でも金属ベース７に対する接合の健全性（ク
ラック阻止）を充分に維持でき、半導体素子５や半導体
素子５付きヒートシンク６の剥離防止の確実性を高め
る。また、半導体阻止５或いは半導体阻止付きヒートシ
ンク６の真下は、スリット３ひいては非接合領域が存在
せずすべて接合領域とすることができるので、金属ベー
ス７への放熱効果を高めることができる。

さらに、第１のメタライズ面２の他に、この周りに配設
される第２のメタライズ面４もはんだ等の接合剤10を介
して接合するので、熱伝導性が向上し半導体素子の温度
上昇を低減できる。このため、各接合部に印加される熱
応力を低減でき、初期的なクラックが入るまでの時間も
遅らせることができる。

さらに、本発明においても、従来同様に金属ベース７と
絶縁板１の接合部をスリット３により分断し、そのスリ
ット３を３′のように絶縁板１の縁まで延設したので、
３′によって形成される非接合溝を介してボイドを逃す
ことができる。

〔実施例〕

本発明の実施例を図面に基づき説明する。

第１図は本発明の第１実施例に係る半導体素子用絶縁板
の裏面図である。

図中、１は絶縁板で、例えばアルミナ，窒化アルミニウ
ム等で形成され、絶縁板１の裏面に以下に述べる第１の
メタライズ面２、スリット部3,3′、第２のメタライズ
面４が配設される。

第1,第２のメタライズ面2,4は、例えば、絶縁材１の裏
面に施されるモリブデン膜或いはタングステン膜等で構
成され、更に、通常は、モリブデン膜等が酸化し易いの
で、これらの膜上に更にニツケル等の金属メツキを施し
てなる。これらのメタライズ面の中で、第１のメタライ
ズ面２は、絶縁板における半導体素子搭載位置の真下に
形成される。また、第１のメタライズ面２の周囲にメタ
ライズを施さないスリツト部３が確保され、このスリツ
ト部３を介して第１のメタライズ面２の周囲に第２のメ
タライズ面４が配設されるパターン構成となつている。
第２のメタライズ面４は、複数のスリツト部３′により
複数のメタライズパターンに区分されている。本実施例
の各スリツト部３′はスリツト部３を夫々絶縁板１の各
端面に至るまで直線的に延長したものである。

スリツト部3,3′は、その幅ｄが3mm以上確保されてい
る。これは、スリツト幅を3mm以下にすると、後述する
金属ベース板７を絶縁板１の各メタライズ面2,4をはん
だ等で接合した場合に、各接合部のフイレツト部がスリ
ツトを超えて接合してしまい、スリツトの存在意義がな
くなるためである。なお、絶縁板１の表面にも、半導体
素子或いは別のヒートシンク板を接合するためのメタラ
イズ面（図示せず）が形成されている。

このような絶縁板１を用いた半導体組立体の積層構造例
を第２図（ａ），（ｂ）に示す。

第２図（ａ）は第１の積層構造例で、図中、５は半導体
素子（パワートランジスタ等）、６はヒートシンク（例
えばモリブデン板）、７はニツケルメツキを施した銅又
はアルミニウムよりなる第２の金属ベース板であり、上
から順に、半導体素子5,ヒートシンク6,絶縁板1,金属ベ
ース板７が積層され、且つこれらの部品間は符号8,9,10
で示すはんだにて接合されている。なお、本実施例で
は、絶縁板１は、アルミナよりなり、絶縁板１上には、
ヒートシンク６を介して半導体素子５を搭載する。

絶縁板１の裏面における第1,第２のメタライズ面2,4
は、はんだ10にて金属ベース板７に接合される。11はワ
イヤボンデイング用の部材であり、はんだ12により絶縁
板１に接続される。

ここで、第１のメタライズ面２は、ヒートシンク６の真
上からの正投影がすべて収まる面積を有する。

第２図（ｂ）は第２の積層構造例に示すもので、本例で
は、絶縁板１を窒化アルミニウム基板としたときの積層
構造を示し、図中、第２図（ａ）と同じ一符号は同一部
品を示すものであり、特に本例では、絶縁板１が高熱伝
導性を有する窒化アルミニウムで構成するので、半導体
素子５をはんだ９を介して直接絶縁板１上に搭載したも
のである。しかして、第２図（ａ），（ｂ）に示すよう
に、絶縁板１の第1,第２のメタライズ面2,4と金属ベー
ス板７をはんだ10を介して接合した場合には、スリツト
部３に対応する部分にスリツト状の非接合部15が形成さ
れる。

第１のメタライズ面２は、半導体素子５の真上からの正
投影がすべて収まる面積を有する。

第３図は、第２図（ａ）の積層構造を全体的にみた半導
体組立体の平面図で、同図に示すように金属ベース板７
上には、半導体5,ヒートシンク６等が配設される他に印
刷基板13が接合され、半導体素子５と印刷基板13上のワ
イヤボンデイング部材11とワイヤ14により接続され、電
気的導通がとられている。

次に本実施例の作用を説明する。

一般に金属ベース板と絶縁板間の接合部に生じるクラツ
クは、線膨張係数差の大きい被接合部材間で発生しやす
く、且つ接合部の長さが長くなる程、接合部における被
接合部間の熱膨張差（熱歪）が大きいので生じやすい。
第２図（ａ）を例にとれば各部材の線膨張係数は絶縁板
１がアルミナ基板であり6.8×10^-6,はんだ10は28×1
0^-6,金属ベース７は銅で17×10^-6,アルミニウムの場合
で24×10^-6である。すなわち、最もはんだ付け面積の大
きく、線膨張係数差の大きい絶縁板１と第２の金属ベー
ス板（金属ベース）７間のはんだ接合部10にクラツクが
発生しやすい。

また第２図（ｂ）の場合は、絶縁板１は窒化アルミニウ
ムで線膨張係数は4.3×10^-6であり、第２図（ａ）と同
様にクラツクははんだ10で発生しやすい。クラツクの発
生及び進行は、熱伝導率を低下させ、ひいては装置の信
頼性を低下させる。これらのクラツクの進行は、〔発明
が解決しようとする問題点〕の項でも既述したように、
その性質上、絶縁基板１の四隅及び端面から進行するも
ので、且つ接合部10に傾きがある場合には、接合部の薄
い方に生じ易い。

第２図（ａ），（ｂ）では、絶縁板１及び接合部10に傾
きが生じた場合、第１のヒートシンク６及び半導体素子
５の自重により、接合部10のＡ側の厚みが薄くなる傾向
にある。そして、一端クラツクが発生すると、クラツク
自身応力集中を発生させる切欠効果が働き、クラツクの
進行を助長することになる。

しかして、本実施例の場合の絶縁板１と金属ベース板７
間の接合部10では、長期的な熱疲労サイクルが加わる
と、絶縁板１の一端及び四隅にある第２の接合部（第２
のメタライズ面４に対応するもの）10bからクラツクが
生じることになるが、本実施例では、スリツト状の非接
合部15にクラツクが至ると、クラツクの切欠効果が消失
してクラツクの進行が止まる。更に第１の接合部10a
は、スリツト状の非接合部15を介して第２の接合部10b
と区分けされ、第１の接合部10aの長さをできるだけ短
かくすることができるので、金属ベース板７と絶縁板１
の接合部10a間の熱ひずみを極力小さくできること、及
び接合部10全体の厚みに傾きがあつて厚さの不均衡が生
じても、半導体搭載箇所の真下の接合部10aは、傾きの
始点（絶縁板１一端の接合箇所10bで接合部の厚さが最
も薄いところ）から外れた位置にあるので、その厚みも
充分に確保され、熱応力も低減されるので、第１接合部
10a自身がクラツクの生じにくい状態にある。従つて、
本実施例によれば、第２の接合部10bにクラツクが生じ
たとしても、第１の接合部10aは、前記スリツト状非接
合部15によりクラツク信号防止効果と第１接合部自身が
クラツクの生じにくい構造特性をもたせたことから、両
者の相乗効果で接合箇所の必要範囲での健全性を充分に
保持できる。

更に、第１のメタライズ面２の他に、この周りに配され
る第２のメタライズ面４も金属ベース板とろう材により
接合するので、熱伝導性が向上し半導体の温度上昇を低
減できる。このため、各接合部に印加される熱応力を減
少でき、初期的なクラツクが入るまでの時間も長くでき
る。

更に、金属ベース板７と絶縁板１の接合部10をスリツト
３により分断できるので、スリツトによりボイド低減を
行ない得る。

第５図（ａ），（ｂ）は、本発明の第2,第３実施例を示
す絶縁板１の裏面図である。

第５図（ａ）における符号２で示す部分が第１実施例と
同様に半導体素子真下の第１のメタライズ面であり、そ
の周囲にスリツト３を介して配される第２のメタライズ
面４を複数のスリツト３′を介して更に細分化した例で
あり、また、第５図（ｂ）はスリツト３′の入れ方を変
更した例である。これらの実施例によるメタライズパタ
ーンでも第１実施例と同様の効果を奏し得る。

第６図（ａ）は本発明の第４実施例を示す絶縁板の表面
図、同図（ｂ）はその裏面図を示すものである。本実施
例は、半導体素子を複数搭載するための絶縁板の具体例
を示したもので、斜線部はメタライズ面である。第６図
（ａ）のメタライズ面２′ａ〜２′ｃには、各半導体素
子５が接合を介して搭載され、また、各メタライズ面
２′ａ〜２′ｃは互いの耐圧性を保持するため所定の間
隔で分離配置されている。第６図（ｂ）は裏面のメタラ
イズパターンを示し、2a〜2cが各半導体素子搭載箇所の
２′ａ〜２′ｃの真下に配置される第１のメタライズ面
で、この第１のメタライズ面2a〜2cの夫々の周囲に第２
のメタライズ面４がスリツト部３を介して配設されてい
る。また、第２のメタライズ面４はスリツト部３に通じ
るスリツト部３′により複数に細分化されている。

第６図（ｃ）は絶縁板１の裏面メタライズパターンの変
形例（第５実施例）を示すものである。

第７図（ａ），（ｂ）は、第４実施例の絶縁板１を用い
た半導体組立体の積層構造例を示すものであり、既述し
た第２図（ａ），（ｂ）の積層構造例と同一符号は、同
一或いは共通する要素を示すものである。第７図（ａ）
では、複数の半導体素子５、絶縁板（アルミナ基板）
１、金属ベース板７、金属ベース７′をはんだ９、10,1
0′を介して順次接合したもので、特に金属ベース板７
と金属ベース７′とを別個にし、且つ絶縁板１と接合す
べき金属ベース板７を半導体素子５を数に応じて分割し
てなる。そして、絶縁板１と金属ベース板７の接合部10
は、第１のメタライズ面2a,2b,2cの夫々と金属ベース板
７とが接合される第１の接合部10aと、第２のメタライ
ズ面４と金属ベース板７とが接合される第２の接合部10
bとで構成され、第１の接合部10aと第２の接合部10bと
の間にスリツト状の非接合部15が確保される。

第７図（ｂ）は、第７図（ａ）と異なり金属ベース板７
を分割せずに１個の金属ベース板７としたもので、ま
た、金属ベース板７を上記金属ベース板７′と兼用さ
せ、絶縁板１を窒化アルミニウムで構成したものであ
る。

第８図は、第７図（ａ）の積層構造を全体的にみた半導
体組立体の平面図で、金属ベース７′に接着された印刷
基板13上のワイヤボンデイング部材11とアルミワイヤ14
とにより、各々の半導体素子５が印刷基板13と電気的に
接続されている。また、絶縁板１上のワイヤボンデイン
グ部材11は、図示しない外部端子とアルミワイヤで超音
波接続される。なお、第７図（ａ）の金属ベース板７と
アルミベース７′は、はんだ等のろう付を用いることな
く、超音波溶接も可能であり、このような接合によれ
ば、接合の信頼性を大幅に向上させることができる。

しかして、本実施例においても、絶縁板１と金属ベース
板（或いは金属ベース）７間接合部10にクラツクが生じ
易いが、既述した他の実施例同様に、スリツト３に対応
する非接合部15のクラツク進行防止効果、及び第１メタ
ライズ面2a,2b,2cに対応する第１接合部10aの接合長を
できるだけ短くし且つ接合部10aの厚みは、充分に確保
できる構造特性から、第１接合部10aの自身でのクラツ
ク発生を有効に防止し、且つスリツト3,3′を介して接
合部のボイド発生を低減できるので、第１メタライズ面
2a,2b,2cでの接合部10aにて必要最小限の放熱面積を確
保できる。

従つて、接合部の信頼性の向上を図り、且つ半導体組立
体の耐久性，信頼性を向上させることができ、また、本
実施例では、一枚の絶縁板に複数の半導体素子を実装で
き、半導体素子ごとに個別に絶縁板を用意して接合する
ことがないので、半導体組立体の製造工程の簡略化を図
り得る。

第９図は、本発明の第６実施例を示すもので、本実施例
は、絶縁板１の裏面に形成される第１のメタライズ面2
a,2b,2cの周囲にスリツト３を介して配設される第２の
メタライズ面４を、多数のスリツト３′を介して細分化
したものである。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、絶縁板と金属ベース板間
の接合部のボイド，クラツク等の発生を有効に抑制し、
しかも放熱面積を充分に確保して、半導体素子，絶縁
板，金属ベース板等で構成される半導体組立体の耐久
性，信頼性の向上化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例たる絶縁板の裏面図、第２
図（ａ），（ｂ）は上記第１実施例の絶縁板を用いた半
導体組立体の積層構造例を表わす側面図、第３図は第２
図（ａ）の半導体組立体の全体を表わす平面図、第４図
は従来の絶縁板の裏面図、第５図（ａ），（ｂ）は本発
明の第2,第３実施例たる絶縁板の裏面図、第６図
（ａ），（ｂ）は本発明の第４実施例たる絶縁板の表面
図及び裏面図、第６図（ｃ）は本発明の第５実施例たる
絶縁板の裏面図、第７図（ａ），（ｂ）は上記第４実施
例を用いた半導体組立体の積層構造例を表わす側面図、
第８図は第７図（ａ）の半導体組立体の全体を表わす平
面図、第９図は本発明の第６実施例たる絶縁板の裏面図
である。 １……絶縁板、２……第１のメタライズ面、2a,2b,2c…
…第１のメタライズ面、３……第１のメタライズ面周囲
のスリツト部、３′……スリツト部、４……第２のメタ
ライズ面、５……半導体素子、７……金属ベース、10…
…接合部（ろう付部）、10a……第１接合部、10b……第
２接合部、15……スリツト状の非接合部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−203354（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−118641（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−68661（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体素子（５）を伝熱性，電気絶縁性を
   有する絶縁板（１）上に接合剤（９）により接合し、前
   記絶縁板（１）を金属ベース（７）上に接合剤（10）に
   より接合して積層構造を成す半導体装置において、 前記絶縁板（１）の裏面には前記金属ベース（７）との
   接合のために用いるメタライズ面が形成され、このメタ
   ライズ面は、前記半導体素子（５）の搭載箇所の真下に
   形成された第１のメタライズ面（２）と、この第１のメ
   タライズ面（２）の周囲にメタライズを施さないスリッ
   ト部（３）を介して配設される第２のメタライズ面
   （４）とで構成され、このうち前記第１のメタライズ面
   （２）は、前記半導体素子（５）の真上からの正投影が
   すべて収まる面積を有し、 且つ、前記スリット部（３）は、前記絶縁板（１）の縁
   まで延設されていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】半導体素子（５）を伝熱性，電気絶縁性を
   有する絶縁板（１）上に接合剤（９）によりヒートシン
   ク（６）を介して接合し、前記絶縁板（１）を金属ベー
   ス（７）上に接合剤（10）により接合して積層構造を成
   す半導体装置において、 前記絶縁板（１）の裏面には前記金属ベース（７）との
   接合のために用いるメタライズ面が形成され、このメタ
   ライズ面は、前記ヒートシンク（６）の搭載箇所の真下
   に形成された第１のメタライズ面（２）と、この第１の
   メタライズ面（２）の周囲にメタライズを施さないスリ
   ット部（３）を介して配設される第２のメタライズ面
   （４）とで構成され、このうち前記第１のメタライズ面
   （２）は、前記ヒートシンク（６）の真上からの正投影
   がすべて収まる面積を有し、 且つ、前記スリット部（３）は、前記絶縁板（１）の縁
   まで延設されていることを特徴とする半導体装置。