JPH0658900A - 湿度センサ - Google Patents
湿度センサInfo
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- JPH0658900A JPH0658900A JP20920692A JP20920692A JPH0658900A JP H0658900 A JPH0658900 A JP H0658900A JP 20920692 A JP20920692 A JP 20920692A JP 20920692 A JP20920692 A JP 20920692A JP H0658900 A JPH0658900 A JP H0658900A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 シリコン基板にＳｉＯ2をスパッタし、絶
縁膜を形成し、この絶縁膜上に、Ｃｒ、Ａｕを蒸着し、
櫛形電極を形成し、この櫛形電極が形成された絶縁膜上
に感湿膜を形成し、湿度センサとする。 【効果】 大型の安い基板が使え、量産性が良くなり、
１個当りのコストが安くなる。大量生産に適したプロセ
スが使えるため、量産性がよく、応答性が速く、信頼性
も高い。
縁膜を形成し、この絶縁膜上に、Ｃｒ、Ａｕを蒸着し、
櫛形電極を形成し、この櫛形電極が形成された絶縁膜上
に感湿膜を形成し、湿度センサとする。 【効果】 大型の安い基板が使え、量産性が良くなり、
１個当りのコストが安くなる。大量生産に適したプロセ
スが使えるため、量産性がよく、応答性が速く、信頼性
も高い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、湿度に対応して素子の
電気的特性が変化することにより湿度を検出する湿度セ
ンサに関する。
電気的特性が変化することにより湿度を検出する湿度セ
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、湿度計測、湿度制御を必要とする
分野が増加し、湿度センサの重要性が認められるように
なった。
分野が増加し、湿度センサの重要性が認められるように
なった。
【０００３】湿度に対応して素子の電気的特性が変化す
ることにより湿度を検出する湿度センサには、電解質
系、金属系、高分子系、セラミックス系等があり、それ
ぞれいろいろな系が研究されているが、現在実用化され
ているものは、高分子系およびセラミックス系の湿度セ
ンサである。いずれも、素子に対する水の吸脱着によ
り、素子の抵抗値または静電容量が変化する性質を利用
したものである。
ることにより湿度を検出する湿度センサには、電解質
系、金属系、高分子系、セラミックス系等があり、それ
ぞれいろいろな系が研究されているが、現在実用化され
ているものは、高分子系およびセラミックス系の湿度セ
ンサである。いずれも、素子に対する水の吸脱着によ
り、素子の抵抗値または静電容量が変化する性質を利用
したものである。
【０００４】基板にはアルミナ、ガラス等の絶縁体が用
いられ、この基板上に櫛形電極、感湿膜を形成するか、
基板上に下部電極、感湿膜、上部電極を形成したサンド
ウィッチ形構造にするのが一般的である。
いられ、この基板上に櫛形電極、感湿膜を形成するか、
基板上に下部電極、感湿膜、上部電極を形成したサンド
ウィッチ形構造にするのが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の湿度セ
ンサは、アルミナ基板はシリコン等の導電性基板に比べ
高価であり、ガラス基板は熱に弱く割れやすいという問
題点があった。また、センサを安く大量に製造するため
には、大型の基板に多数の素子を作り、これを切断して
用いることが望ましいが、アルミナ、ガラス等の基板は
反り等の問題があり、大型で安い基板はなかった。さら
に、絶縁体は導電体に比べ、熱伝導率が小さいため、湿
度センサの熱応答が遅くなる、という問題点もあった。
ンサは、アルミナ基板はシリコン等の導電性基板に比べ
高価であり、ガラス基板は熱に弱く割れやすいという問
題点があった。また、センサを安く大量に製造するため
には、大型の基板に多数の素子を作り、これを切断して
用いることが望ましいが、アルミナ、ガラス等の基板は
反り等の問題があり、大型で安い基板はなかった。さら
に、絶縁体は導電体に比べ、熱伝導率が小さいため、湿
度センサの熱応答が遅くなる、という問題点もあった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の湿度センサは、
導電性基板上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に感湿
膜が形成されることを特徴とする。本発明の湿度センサ
は、導電性基板上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に
電極が形成され、この電極が形成された絶縁膜上に感湿
膜が形成されることを特徴とする。本発明の湿度センサ
は、導電性基板上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に
電極が形成され、この電極上に感湿膜が形成され、この
感湿膜上に電極が形成されることを特徴とする。
導電性基板上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に感湿
膜が形成されることを特徴とする。本発明の湿度センサ
は、導電性基板上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に
電極が形成され、この電極が形成された絶縁膜上に感湿
膜が形成されることを特徴とする。本発明の湿度センサ
は、導電性基板上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に
電極が形成され、この電極上に感湿膜が形成され、この
感湿膜上に電極が形成されることを特徴とする。
【０００７】少なくとも１つの端子部が、導電性基板に
関して感湿膜と反対側の面にあると、スペースファクタ
ーが良く、安価で、小型機器への応用がしやすくなる。
この場合、導電性基板に関して感湿膜側の面にある電極
と、感湿膜と反対側の面にある端子部は、導電性基板に
開けられたスルーホールまたは導電性基板の側面に絶縁
膜が形成され、この絶縁膜上に導電路が形成されること
により、電気的に接続されるようにすればよい。また、
導電性基板に関して感湿膜側の面にある電極と、感湿膜
と反対側の面にある端子部は、導電性基板の導電性を利
用して電気的に接続されるようにしてもよい。
関して感湿膜と反対側の面にあると、スペースファクタ
ーが良く、安価で、小型機器への応用がしやすくなる。
この場合、導電性基板に関して感湿膜側の面にある電極
と、感湿膜と反対側の面にある端子部は、導電性基板に
開けられたスルーホールまたは導電性基板の側面に絶縁
膜が形成され、この絶縁膜上に導電路が形成されること
により、電気的に接続されるようにすればよい。また、
導電性基板に関して感湿膜側の面にある電極と、感湿膜
と反対側の面にある端子部は、導電性基板の導電性を利
用して電気的に接続されるようにしてもよい。
【０００８】導電性基板はステンレス、銅、アルミ等の
金属板または、導電性のセラミックスでよい。導電性基
板にシリコンを用いると、大量生産に適したシリコンプ
ロセスが使え、量産性、信頼性の両面から好ましい。
金属板または、導電性のセラミックスでよい。導電性基
板にシリコンを用いると、大量生産に適したシリコンプ
ロセスが使え、量産性、信頼性の両面から好ましい。
【０００９】少なくとも感湿膜の部分はすべて覆われる
ように、含フッ素高分子膜を形成すると、電界質溶液に
浸漬しても特性が変化しない、信頼性の非常に高い湿度
センサを得ることができる。
ように、含フッ素高分子膜を形成すると、電界質溶液に
浸漬しても特性が変化しない、信頼性の非常に高い湿度
センサを得ることができる。
【００１０】
（実施例１）エチルシリケート（Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4）５
０ｍｌにエタノール３４ｍｌ、０.０２Ｎ塩酸１６ｍｌ
を加え、１時間攪拌した溶液を、ステンレス板にスピン
コーティングし、３００℃で１時間熱処理し、ステンレ
ス板上にＳｉＯ2絶縁膜を形成した。
０ｍｌにエタノール３４ｍｌ、０.０２Ｎ塩酸１６ｍｌ
を加え、１時間攪拌した溶液を、ステンレス板にスピン
コーティングし、３００℃で１時間熱処理し、ステンレ
ス板上にＳｉＯ2絶縁膜を形成した。
【００１１】次に、水１００ｍｌに、エタノール１００
ｍｌ、酢酸マンガン８０ｇ、酢酸鉛２０ｇ、酢酸カリウ
ム１０ｇを加え、１時間攪拌し、感湿膜用コーティング
液を作製した。
ｍｌ、酢酸マンガン８０ｇ、酢酸鉛２０ｇ、酢酸カリウ
ム１０ｇを加え、１時間攪拌し、感湿膜用コーティング
液を作製した。
【００１２】前記絶縁膜を形成したステンレス板に、こ
の感湿膜用コーティング液をディップコーティングし、
５００℃で１時間熱処理することにより、絶縁膜上に感
湿膜を形成した。この感湿膜上に、Ａｇペーストをスク
リーン印刷することにより、櫛形電極を形成した。
の感湿膜用コーティング液をディップコーティングし、
５００℃で１時間熱処理することにより、絶縁膜上に感
湿膜を形成した。この感湿膜上に、Ａｇペーストをスク
リーン印刷することにより、櫛形電極を形成した。
【００１３】このようにして作製した湿度センサの断面
図を図１に示す。図１において、１は基板（ステンレス
板）、２は絶縁膜、３は感湿膜、４は電極である。本湿
度センサの感湿特性を図２に示す。
図を図１に示す。図１において、１は基板（ステンレス
板）、２は絶縁膜、３は感湿膜、４は電極である。本湿
度センサの感湿特性を図２に示す。
【００１４】（実施例２）シリコン基板にＳｉＯ2をス
パッタし、絶縁膜を形成した。この絶縁膜上に、Ｃｒ、
Ａｕを蒸着し、櫛形電極を形成した。このシリコン基板
に、実施例１で用いた感湿膜用コーティング液をスクリ
ーン印刷し、７００℃で１時間熱処理することにより、
櫛形電極が形成された絶縁膜上に感湿膜を形成した。こ
のようにして作製した湿度センサの断面図を図３に示
す。図３において、１は基板、２は絶縁膜、３は感湿
膜、４は電極である。
パッタし、絶縁膜を形成した。この絶縁膜上に、Ｃｒ、
Ａｕを蒸着し、櫛形電極を形成した。このシリコン基板
に、実施例１で用いた感湿膜用コーティング液をスクリ
ーン印刷し、７００℃で１時間熱処理することにより、
櫛形電極が形成された絶縁膜上に感湿膜を形成した。こ
のようにして作製した湿度センサの断面図を図３に示
す。図３において、１は基板、２は絶縁膜、３は感湿
膜、４は電極である。
【００１５】本湿度センサの感湿特性を図４に示す。図
４より、本発明の湿度センサは、抵抗値が低く、抵抗値
の変化幅が適当であり、しかも温度によって特性が変化
しないので、使いやすいことがわかる。本湿度センサを
６０℃９０％の恒温恒湿槽中に１０００時間放置後、特
性を測定したところ、図４と測定誤差の範囲内で同様で
あった。したがって、本湿度センサは、耐久性、信頼性
が高いことがわかる。また、温度変化に対する応答は１
０秒以内、湿度変化に対する応答は５秒以内と十分に速
かった。さらに、本湿度センサは、製造工程が単純であ
るため、量産性がよく、安価に製造できることがわか
る。
４より、本発明の湿度センサは、抵抗値が低く、抵抗値
の変化幅が適当であり、しかも温度によって特性が変化
しないので、使いやすいことがわかる。本湿度センサを
６０℃９０％の恒温恒湿槽中に１０００時間放置後、特
性を測定したところ、図４と測定誤差の範囲内で同様で
あった。したがって、本湿度センサは、耐久性、信頼性
が高いことがわかる。また、温度変化に対する応答は１
０秒以内、湿度変化に対する応答は５秒以内と十分に速
かった。さらに、本湿度センサは、製造工程が単純であ
るため、量産性がよく、安価に製造できることがわか
る。
【００１６】（実施例３）実施例２で作製した湿度セン
サに、溶媒可溶性含フッ素高分子をパーフルオロ溶媒に
溶解した溶液（７重量％）を、少なくとも感湿膜の部分
はすべて覆われるように、スクリーン印刷し、１８０℃
で１時間熱処理し、含フッ素高分子膜を形成した。この
ようにして作製した湿度センサの断面図を図５に示す。
図５において、１は基板、２は絶縁膜、３は感湿膜、４
は電極、５は含フッ素高分子膜である。本湿度センサの
特性は、実施例２で作製した湿度センサと同様であっ
た。本湿度センサを６０℃の飽和食塩水に１００時間浸
漬後、特性を測定したところ、図４と測定誤差の範囲内
で同様であった。したがって、本湿度センサは、極めて
耐久性、信頼性が高いことがわかる。
サに、溶媒可溶性含フッ素高分子をパーフルオロ溶媒に
溶解した溶液（７重量％）を、少なくとも感湿膜の部分
はすべて覆われるように、スクリーン印刷し、１８０℃
で１時間熱処理し、含フッ素高分子膜を形成した。この
ようにして作製した湿度センサの断面図を図５に示す。
図５において、１は基板、２は絶縁膜、３は感湿膜、４
は電極、５は含フッ素高分子膜である。本湿度センサの
特性は、実施例２で作製した湿度センサと同様であっ
た。本湿度センサを６０℃の飽和食塩水に１００時間浸
漬後、特性を測定したところ、図４と測定誤差の範囲内
で同様であった。したがって、本湿度センサは、極めて
耐久性、信頼性が高いことがわかる。
【００１７】（実施例４）シリコン基板に、Ｓｉ3Ｎ4を
スパッタし、絶縁膜を形成した。この絶縁膜上にＰｔを
スパッタし、電極を形成した。このシリコン基板に、実
施例１で用いた感湿膜用コーティング液をスピンコーテ
ィングし、７００℃で１時間熱処理することにより、電
極上に感湿膜を形成した。さらに、この感湿膜上に、Ｐ
ｔをスパッタし、電極を形成し、図６に示す湿度センサ
を作製した。図６において、１は基板、２は絶縁膜、３
は感湿膜、４は電極である。本湿度センサの感湿特性を
図７に示す。
スパッタし、絶縁膜を形成した。この絶縁膜上にＰｔを
スパッタし、電極を形成した。このシリコン基板に、実
施例１で用いた感湿膜用コーティング液をスピンコーテ
ィングし、７００℃で１時間熱処理することにより、電
極上に感湿膜を形成した。さらに、この感湿膜上に、Ｐ
ｔをスパッタし、電極を形成し、図６に示す湿度センサ
を作製した。図６において、１は基板、２は絶縁膜、３
は感湿膜、４は電極である。本湿度センサの感湿特性を
図７に示す。
【００１８】（実施例５）シリコン基板にスルーホール
を開け、このシリコン基板を１１００℃で４時間熱処理
することにより、表面を酸化し、ＳｉＯ2絶縁膜を形成
した。このシリコン基板の片面には櫛形電極を、反対側
の面には端子部を、スルーホールには導電路を、Ｃｒ、
Ａｕをスパッタすることにより形成した。このシリコン
基板に、実施例１で用いた感湿膜用コーティング液をロ
ールコーティングし、７００℃で１時間熱処理すること
により、櫛形電極が形成された絶縁膜上に感湿膜を形成
した。このようにして作製した湿度センサの断面図を図
８に示す。図８において、１は基板、２は絶縁膜、３は
感湿膜、４は電極、６はスルーホール、７は導電路、８
は端子部である。本湿度センサの感湿特性を図９に示
す。
を開け、このシリコン基板を１１００℃で４時間熱処理
することにより、表面を酸化し、ＳｉＯ2絶縁膜を形成
した。このシリコン基板の片面には櫛形電極を、反対側
の面には端子部を、スルーホールには導電路を、Ｃｒ、
Ａｕをスパッタすることにより形成した。このシリコン
基板に、実施例１で用いた感湿膜用コーティング液をロ
ールコーティングし、７００℃で１時間熱処理すること
により、櫛形電極が形成された絶縁膜上に感湿膜を形成
した。このようにして作製した湿度センサの断面図を図
８に示す。図８において、１は基板、２は絶縁膜、３は
感湿膜、４は電極、６はスルーホール、７は導電路、８
は端子部である。本湿度センサの感湿特性を図９に示
す。
【００１９】（実施例６）シリコン基板に、ＳｉＯ2膜
をＣＶＤにより形成し、絶縁膜とした。このシリコン基
板の片面には櫛形電極を、反対側の面には端子部を、側
面には導電路を、Ａｕをメッキすることにより形成し
た。このシリコン基板に、実施例１で用いた感湿膜用コ
ーティング液をスプレーコーティングし、７００℃で１
時間熱処理することにより、櫛形電極が形成された絶縁
膜上に感湿膜を形成した。このようにして作製した湿度
センサの断面図を図１０に示す。図１０において、１は
基板、２は絶縁膜、３は感湿膜、４は電極、７は導電
路、８は端子部である。本湿度センサの感湿特性は、実
施例５で作製した湿度センサと同様であった。
をＣＶＤにより形成し、絶縁膜とした。このシリコン基
板の片面には櫛形電極を、反対側の面には端子部を、側
面には導電路を、Ａｕをメッキすることにより形成し
た。このシリコン基板に、実施例１で用いた感湿膜用コ
ーティング液をスプレーコーティングし、７００℃で１
時間熱処理することにより、櫛形電極が形成された絶縁
膜上に感湿膜を形成した。このようにして作製した湿度
センサの断面図を図１０に示す。図１０において、１は
基板、２は絶縁膜、３は感湿膜、４は電極、７は導電
路、８は端子部である。本湿度センサの感湿特性は、実
施例５で作製した湿度センサと同様であった。
【００２０】（実施例７）シリコン基板に、ＳｉＯ2を
スパッタし、絶縁膜を形成した。ただし、一部はマスク
をして、絶縁膜が形成されないようにした。この絶縁膜
上に、Ａｕペーストをスクリーン印刷することにより、
櫛形電極を形成した。櫛形電極のうち一方は絶縁膜上に
端子部を設け、もう一方は絶縁膜が形成されていない部
分に接続した。そしてシリコン基板の櫛形電極と反対側
の面に、もう一つの端子部を形成した。このシリコン基
板に、実施例１で用いた感湿膜用コーティング液をスピ
ンコーティングし、７００℃で１時間熱処理することに
より、櫛形電極が形成された絶縁膜上に感湿膜を形成し
た。このようにして作製した湿度センサの断面図を図１
１に示す。図１１において、１は基板、２は絶縁膜、３
は感湿膜、４は電極、８は端子部である。本湿度センサ
の感湿特性は、実施例５で作製した湿度センサと同様で
あった。
スパッタし、絶縁膜を形成した。ただし、一部はマスク
をして、絶縁膜が形成されないようにした。この絶縁膜
上に、Ａｕペーストをスクリーン印刷することにより、
櫛形電極を形成した。櫛形電極のうち一方は絶縁膜上に
端子部を設け、もう一方は絶縁膜が形成されていない部
分に接続した。そしてシリコン基板の櫛形電極と反対側
の面に、もう一つの端子部を形成した。このシリコン基
板に、実施例１で用いた感湿膜用コーティング液をスピ
ンコーティングし、７００℃で１時間熱処理することに
より、櫛形電極が形成された絶縁膜上に感湿膜を形成し
た。このようにして作製した湿度センサの断面図を図１
１に示す。図１１において、１は基板、２は絶縁膜、３
は感湿膜、４は電極、８は端子部である。本湿度センサ
の感湿特性は、実施例５で作製した湿度センサと同様で
あった。
【００２１】なお、本実施例ではセラミックス系の感湿
膜を用いたが、他の成分のセラミックス系感湿膜、高分
子系の感湿膜でもよい。また、本実施例では湿度を抵抗
値で検出しているが、静電容量で検出してもよい。
膜を用いたが、他の成分のセラミックス系感湿膜、高分
子系の感湿膜でもよい。また、本実施例では湿度を抵抗
値で検出しているが、静電容量で検出してもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように本発明の湿度センサ
は、導電性基板上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に
感湿膜が形成されるので、熱応答が速くなるとともに、
大型の安い基板が使え、量産性が良くなり、１個当りの
コストが安くなる。また、少なくとも１つの端子部が、
導電性基板に関して感湿膜と反対側の面にあると、スペ
ースファクターが良く、安価で、小型機器への応用がし
やすくなる。また、導電性基板にシリコンを用いると、
量産性、信頼性の高い湿度センサが得られる。さらに、
少なくとも感湿膜の部分はすべて覆われるように、含フ
ッ素高分子膜を形成すると、電界質溶液に浸漬しても特
性が変化しない、信頼性の非常に高い湿度センサを得る
ことができる。したがって、湿度計測、湿度制御を必要
とする分野、特に低価格、高信頼性を要求される分野、
携帯機器等に広く応用することができる。
は、導電性基板上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に
感湿膜が形成されるので、熱応答が速くなるとともに、
大型の安い基板が使え、量産性が良くなり、１個当りの
コストが安くなる。また、少なくとも１つの端子部が、
導電性基板に関して感湿膜と反対側の面にあると、スペ
ースファクターが良く、安価で、小型機器への応用がし
やすくなる。また、導電性基板にシリコンを用いると、
量産性、信頼性の高い湿度センサが得られる。さらに、
少なくとも感湿膜の部分はすべて覆われるように、含フ
ッ素高分子膜を形成すると、電界質溶液に浸漬しても特
性が変化しない、信頼性の非常に高い湿度センサを得る
ことができる。したがって、湿度計測、湿度制御を必要
とする分野、特に低価格、高信頼性を要求される分野、
携帯機器等に広く応用することができる。
【図１】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図２】 本発明の湿度センサの感湿特性図である。
【図３】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図４】 本発明の湿度センサの感湿特性図である。
【図５】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図６】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図７】 本発明の湿度センサの感湿特性図である。
【図８】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図９】 本発明の湿度センサの感湿特性図である。
【図１０】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図１１】 本発明の湿度センサの断面図である。
１ 基板 ２ 絶縁膜 ３ 感湿膜 ４ 電極 ５ 含フッ素高分子膜 ６ スルーホール ７ 導電路 ８ 端子部
Claims (8)
- 【請求項１】 導電性基板上に絶縁膜が形成され、この
絶縁膜上に感湿膜が形成されることを特徴とする湿度セ
ンサ。 - 【請求項２】 導電性基板上に絶縁膜が形成され、この
絶縁膜上に電極が形成され、この電極が形成された絶縁
膜上に感湿膜が形成されることを特徴とする湿度セン
サ。 - 【請求項３】 導電性基板上に絶縁膜が形成され、この
絶縁膜上に電極が形成され、この電極上に感湿膜が形成
され、この感湿膜上に電極が形成されることを特徴とす
る湿度センサ。 - 【請求項４】 少なくとも１つの端子部が、導電性基板
に関して感湿膜と反対側の面にあることを特徴とする請
求項１〜３記載の湿度センサ。 - 【請求項５】 導電性基板に関して感湿膜側の面にある
電極と、感湿膜と反対側の面にある端子部は、導電性基
板に開けられたスルーホールまたは導電性基板の側面に
絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に導電路が形成される
ことにより、電気的に接続されていることを特徴とする
請求項４記載の湿度センサ。 - 【請求項６】 導電性基板に関して感湿膜側の面にある
電極と、感湿膜と反対側の面にある端子部は、導電性基
板の導電性を利用して電気的に接続されていることを特
徴とする請求項４記載の湿度センサ。 - 【請求項７】 導電性基板としてシリコンを用いること
を特徴とする請求項１〜６記載の湿度センサ。 - 【請求項８】 少なくとも感湿膜の部分はすべて覆われ
るように、含フッ素高分子膜が形成されていることを特
徴とする請求項１〜７記載の湿度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20920692A JPH0658900A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 湿度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20920692A JPH0658900A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 湿度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0658900A true JPH0658900A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16569114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20920692A Pending JPH0658900A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 湿度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658900A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002243689A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-28 | Denso Corp | 容量式湿度センサおよびその製造方法 |
| KR100351810B1 (ko) * | 1999-12-13 | 2002-09-11 | 엘지전자 주식회사 | 절대습도센서 |
| US6628501B2 (en) | 2001-06-15 | 2003-09-30 | Denso Corporation | Capacitive moisture sensor |
| US7181966B2 (en) | 2004-09-08 | 2007-02-27 | Nippon Soken, Inc. | Physical quantity sensor and method for manufacturing the same |
| JP2007155556A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Denso Corp | 湿度センサ |
| KR20160039797A (ko) * | 2014-10-02 | 2016-04-12 | 고려대학교 산학협력단 | 정전 용량성 습도 센서 및 이의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP20920692A patent/JPH0658900A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4650246B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-03-16 | 株式会社デンソー | 湿度センサ |
| KR20160039797A (ko) * | 2014-10-02 | 2016-04-12 | 고려대학교 산학협력단 | 정전 용량성 습도 센서 및 이의 제조 방법 |
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