JPH06283756A - 発光ダイオードアレイチップ及び製造方法 - Google Patents
発光ダイオードアレイチップ及び製造方法Info
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- JPH06283756A JPH06283756A JP6666593A JP6666593A JPH06283756A JP H06283756 A JPH06283756 A JP H06283756A JP 6666593 A JP6666593 A JP 6666593A JP 6666593 A JP6666593 A JP 6666593A JP H06283756 A JPH06283756 A JP H06283756A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 個々の発光部が確実に分離され、且つ平坦な
チップ表面をもつ発光ダイオードアレイをエピタキシャ
ル成長法で製造する。 【構成】 結晶基板３０の表面にエピタキシャル成長さ
せた第１層３１に、発光部３５となる凹部３２を形成す
る。凹部３２を含む第１層３１の表面に、第１層３１と
逆の伝導型を示す第２層３３をエピタキシャル成長させ
る。第２層３３の平坦部３４をエッチング除去し、第２
層３３を第１層３１と同一平面にする。これにより、凹
部３２にある第２層３３が互いに分離され、個々の発光
部３５となる。 【効果】 チップ表面が平坦面となっているので、オー
ミック電極３８を形成する際に断線，短絡等のトラブル
がない。また、メサ型にみられたように発光部３５の側
面から漏洩する光がなく、高品質の印画が得られる。
チップ表面をもつ発光ダイオードアレイをエピタキシャ
ル成長法で製造する。 【構成】 結晶基板３０の表面にエピタキシャル成長さ
せた第１層３１に、発光部３５となる凹部３２を形成す
る。凹部３２を含む第１層３１の表面に、第１層３１と
逆の伝導型を示す第２層３３をエピタキシャル成長させ
る。第２層３３の平坦部３４をエッチング除去し、第２
層３３を第１層３１と同一平面にする。これにより、凹
部３２にある第２層３３が互いに分離され、個々の発光
部３５となる。 【効果】 チップ表面が平坦面となっているので、オー
ミック電極３８を形成する際に断線，短絡等のトラブル
がない。また、メサ型にみられたように発光部３５の側
面から漏洩する光がなく、高品質の印画が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＥＤプロッター等に
使用される発光ダイオードアレイチップ及び製造方法に
関する。
使用される発光ダイオードアレイチップ及び製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ（ｘ＝０〜１）をＧ
ａＡｓ基板にエピタキシャル成長させて製造される発光
ダイオードアレイは、エピタキシャル成長層と基板との
間で結晶格子の不整合が少なく、エピタキシャル成長層
自体の結晶性も優れている。そのため、Ｇａ1-x Ａｌx
Ａｓ／ＧａＡｓの発光ダイオードは、ＧａＡｓ1-x Ｐx
／ＧａＡｓ等の発光ダイオードに比較して１０倍以上の
発光出力をもつ。この長所を活用し、電子写真式プリン
ターの発光源等として使用されている。Ｇａ1-x Ａｌx
Ａｓ／ＧａＡｓに作り込まれるｐ−ｎ接合は、エピタキ
シャル成長時にｐ層及びｎ層を積層する方法，エピタキ
シャル成長した層に拡散処理を施す方法等によって形成
されている。拡散法では、図１に示すように基板１０上
のエピタキシャル層１１に拡散保護膜１３を形成し、拡
散保護膜１３に拡散窓を開ける。拡散窓を介してエピタ
キシャル層１１に不純物を拡散させることにより、発光
部１２を形成する。次いで、発光部１２に至るオーミッ
ク電極１４を拡散保護膜１３上に形成し、基板１０の裏
面に他方のオーミック電極１５を形成する。
ａＡｓ基板にエピタキシャル成長させて製造される発光
ダイオードアレイは、エピタキシャル成長層と基板との
間で結晶格子の不整合が少なく、エピタキシャル成長層
自体の結晶性も優れている。そのため、Ｇａ1-x Ａｌx
Ａｓ／ＧａＡｓの発光ダイオードは、ＧａＡｓ1-x Ｐx
／ＧａＡｓ等の発光ダイオードに比較して１０倍以上の
発光出力をもつ。この長所を活用し、電子写真式プリン
ターの発光源等として使用されている。Ｇａ1-x Ａｌx
Ａｓ／ＧａＡｓに作り込まれるｐ−ｎ接合は、エピタキ
シャル成長時にｐ層及びｎ層を積層する方法，エピタキ
シャル成長した層に拡散処理を施す方法等によって形成
されている。拡散法では、図１に示すように基板１０上
のエピタキシャル層１１に拡散保護膜１３を形成し、拡
散保護膜１３に拡散窓を開ける。拡散窓を介してエピタ
キシャル層１１に不純物を拡散させることにより、発光
部１２を形成する。次いで、発光部１２に至るオーミッ
ク電極１４を拡散保護膜１３上に形成し、基板１０の裏
面に他方のオーミック電極１５を形成する。
【０００３】拡散法によるとき、個々の発光部１２の分
離が容易である。たとえば、発光部１２を形成するため
の不純物拡散は、図２に示すように拡散保護膜１３に開
けた拡散窓を介して行われ、互いに分離した状態の発光
部１２が形成される。しかも、チップ表面が平坦である
ため、後続工程におけるオーミック電極１４の形成も安
定的に且つ容易に行われる。しかしながら、拡散法でｐ
−ｎ接合を形成するとき、ホモ接合しか得られず、また
結晶性も著しく劣ったものとなる。その結果、発光ダイ
オードとして要求される発光出力が低くなる。この点
で、拡散法はほとんど実施されておらず、専らエピタキ
シャル成長によってｐ−ｎ接合を形成している。エピタ
キシャル成長法においては、図３に示すようにエピタキ
シャルウエハを基板２０として使用し、異なる伝導型の
エピタキシャル層２２を基板２０の表面に成長させるこ
とによりｐ−ｎ接合を形成する。これにより、得られた
発光ダイオードアレイは、結晶性に優れたものとなる。
離が容易である。たとえば、発光部１２を形成するため
の不純物拡散は、図２に示すように拡散保護膜１３に開
けた拡散窓を介して行われ、互いに分離した状態の発光
部１２が形成される。しかも、チップ表面が平坦である
ため、後続工程におけるオーミック電極１４の形成も安
定的に且つ容易に行われる。しかしながら、拡散法でｐ
−ｎ接合を形成するとき、ホモ接合しか得られず、また
結晶性も著しく劣ったものとなる。その結果、発光ダイ
オードとして要求される発光出力が低くなる。この点
で、拡散法はほとんど実施されておらず、専らエピタキ
シャル成長によってｐ−ｎ接合を形成している。エピタ
キシャル成長法においては、図３に示すようにエピタキ
シャルウエハを基板２０として使用し、異なる伝導型の
エピタキシャル層２２を基板２０の表面に成長させるこ
とによりｐ−ｎ接合を形成する。これにより、得られた
発光ダイオードアレイは、結晶性に優れたものとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】エピタキシャル成長法
では、発光素子を個々に分離する有効な手段がない。そ
のため、基板２０に達する溝２１をエッチングによって
設け、溝２１でエピタキシャル層２２を分離することに
より、メサ型発光部２３としている。そのため、発光ダ
イオードは、図４に斜視図で示すように、凹凸のある表
面をもったものになる。各発光部２３に接続される電流
注入用の電極２４は、発光部２３がチップ表面から突出
している構造から、溝２１を渡る状態でチップ表面に形
成される。すなわち、電極２４は、チップ表面から溝２
１の側面２５を経て溝２１を渡り、発光部２３の側面２
６を経て発光部２３の頂面に至る。
では、発光素子を個々に分離する有効な手段がない。そ
のため、基板２０に達する溝２１をエッチングによって
設け、溝２１でエピタキシャル層２２を分離することに
より、メサ型発光部２３としている。そのため、発光ダ
イオードは、図４に斜視図で示すように、凹凸のある表
面をもったものになる。各発光部２３に接続される電流
注入用の電極２４は、発光部２３がチップ表面から突出
している構造から、溝２１を渡る状態でチップ表面に形
成される。すなわち、電極２４は、チップ表面から溝２
１の側面２５を経て溝２１を渡り、発光部２３の側面２
６を経て発光部２３の頂面に至る。
【０００５】このように屈曲した電流通路で電極２４の
安定配線を図ることは困難である。特に、溝側面２５上
では、電極膜の厚みやフォトリソグラフ工程で使用する
フォトレジストの厚みが薄くなる。極端な場合には、電
極膜やフォトレジストが形成されないこともある。電極
膜がとぎれると、発光ダイオードアレイとしては断線状
態になる。フォトレジストがとぎれると、後続するパタ
ーンエッチング工程で配線パターンが保護されず、断線
等の配線不良が発生する。リフトオフ法で配線パターン
を形成する際には、逆に隣接パターンとの間に短絡等の
欠陥を発生させる。更に、メサ型に形成された発光部２
３では、側面２６からの光漏れ等の問題もある。側面２
６から漏れた光が溝２１で反射し、プロッター等に入射
されると、印画品質を劣化させる。本発明は、このよう
な問題を解消すべく案出されたものであり、第１の伝導
型領域に埋め込まれるように第２の伝導型領域をエピタ
キシャル成長させることにより、エピタキシャル成長法
の長所を活かしながら、配線が容易な平坦な表面をもつ
発光ダイオードアレイチップを得ることを目的とする。
安定配線を図ることは困難である。特に、溝側面２５上
では、電極膜の厚みやフォトリソグラフ工程で使用する
フォトレジストの厚みが薄くなる。極端な場合には、電
極膜やフォトレジストが形成されないこともある。電極
膜がとぎれると、発光ダイオードアレイとしては断線状
態になる。フォトレジストがとぎれると、後続するパタ
ーンエッチング工程で配線パターンが保護されず、断線
等の配線不良が発生する。リフトオフ法で配線パターン
を形成する際には、逆に隣接パターンとの間に短絡等の
欠陥を発生させる。更に、メサ型に形成された発光部２
３では、側面２６からの光漏れ等の問題もある。側面２
６から漏れた光が溝２１で反射し、プロッター等に入射
されると、印画品質を劣化させる。本発明は、このよう
な問題を解消すべく案出されたものであり、第１の伝導
型領域に埋め込まれるように第２の伝導型領域をエピタ
キシャル成長させることにより、エピタキシャル成長法
の長所を活かしながら、配線が容易な平坦な表面をもつ
発光ダイオードアレイチップを得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
アレイチップは、その目的を達成するため、結晶基板の
表面にエピタキシャル成長させた第１層と、該第１層の
表面に形成された凹部と、該凹部に埋め込まれ、前記第
１層と逆の伝導型を示す第２層とを備え、該第２層の表
面は、前記第１層の表面と同一平面を形成している。こ
の発光ダイオードアレイチップは、結晶基板の表面にエ
ピタキシャル成長させた第１層に発光部となる凹部を形
成し、前記第１層と逆の伝導型を示す第２層を、前記凹
部を含む前記第１層の表面にエピタキシャル成長させ、
前記凹部にある前記第２層が互いに分離され、且つ前記
第２層が前記第１層と面一になるように、前記第２層の
平坦部をエッチング除去することにより製造される。
アレイチップは、その目的を達成するため、結晶基板の
表面にエピタキシャル成長させた第１層と、該第１層の
表面に形成された凹部と、該凹部に埋め込まれ、前記第
１層と逆の伝導型を示す第２層とを備え、該第２層の表
面は、前記第１層の表面と同一平面を形成している。こ
の発光ダイオードアレイチップは、結晶基板の表面にエ
ピタキシャル成長させた第１層に発光部となる凹部を形
成し、前記第１層と逆の伝導型を示す第２層を、前記凹
部を含む前記第１層の表面にエピタキシャル成長させ、
前記凹部にある前記第２層が互いに分離され、且つ前記
第２層が前記第１層と面一になるように、前記第２層の
平坦部をエッチング除去することにより製造される。
【０００７】
【実施例】本実施例では、図５（ａ）に示すように、ｐ
−ＧａＡｓ基板３０に厚み１０μｍのｐ−Ｇａ1-x Ａｌ
x Ａｓ層を第１層３１として液相エピタキシャル成長さ
せたエピタキシャルウエハを使用した。第１層３１の混
晶比ｘは、希望する発光波長に応じて０．１０〜０．３
５の範囲で設定した。エピタキシャルウエハをフォトリ
ソグラフ法によってパターニングし、図５（ｂ）に示す
ように、発光部となる３０μｍ×４０μｍの凹部３２を
ピッチ６３．５μｍで形成した。凹部３２は、更にエッ
チングによって深さ５μｍに整形された。凹部３２が形
成されたエピタキシャルウエハに、図５（ｃ）に示すよ
うに、ｎ−Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ層を第２層３３として液
相エピタキシャル成長させた。第２層３３は、凹部３２
を含む第１層３１の表面上に成長する。このときの成長
速度は凹部３２と第１層３１の平坦部３４で異なり、凹
部３２が第２層で埋められた後、最終的に平坦な表面を
もつ第２層３３が形成された。
−ＧａＡｓ基板３０に厚み１０μｍのｐ−Ｇａ1-x Ａｌ
x Ａｓ層を第１層３１として液相エピタキシャル成長さ
せたエピタキシャルウエハを使用した。第１層３１の混
晶比ｘは、希望する発光波長に応じて０．１０〜０．３
５の範囲で設定した。エピタキシャルウエハをフォトリ
ソグラフ法によってパターニングし、図５（ｂ）に示す
ように、発光部となる３０μｍ×４０μｍの凹部３２を
ピッチ６３．５μｍで形成した。凹部３２は、更にエッ
チングによって深さ５μｍに整形された。凹部３２が形
成されたエピタキシャルウエハに、図５（ｃ）に示すよ
うに、ｎ−Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ層を第２層３３として液
相エピタキシャル成長させた。第２層３３は、凹部３２
を含む第１層３１の表面上に成長する。このときの成長
速度は凹部３２と第１層３１の平坦部３４で異なり、凹
部３２が第２層で埋められた後、最終的に平坦な表面を
もつ第２層３３が形成された。
【０００８】第２層３３の混晶比ｙは、０．４０〜０．
６５の範囲で、第１層３１の混晶比ｘよりも高く設定し
た。この混晶比ｘと混晶比ｙとの関係から、第１層３１
から出射された発光波長に対する高い光透過性が維持さ
れ、第２層３３からの電子注入効率及び第１層３１内に
注入された少数キャリアの閉じ込めが図られる。次い
で、第２層３３の平坦部３４をエッチング除去し、図５
（ｄ）に示すように凹部３２のみに第２層３３を残留さ
せた。残留した第２層３３は、各凹部３２ごとに互いに
分離された発光部３５となる。発光部３５を形成した
後、保護膜３６としてＳｉＯ2 膜をチップ表面に設け
た。図５（ｅ）に示すように、フォトリソグラフ法及び
フッ化水素酸を使用したエッチングによって保護膜３６
に窓３７を開けた。窓３７を介し、第２層３３から形成
された発光部３５にオーミック電極３８を配線した。こ
のとき、チップ表面が平坦になっているので、断線，短
絡等の配線不良を生じることなくオーミック電極３８を
安全且つ容易に配線することができた。また、チップの
裏面にも、他方のオーミック電極３９を設けた。このよ
うにして得られた発光ダイオードアレイは、従来の拡散
法で製造したものと同様に、チップ表面が平坦な図１に
示す構造をもつ。
６５の範囲で、第１層３１の混晶比ｘよりも高く設定し
た。この混晶比ｘと混晶比ｙとの関係から、第１層３１
から出射された発光波長に対する高い光透過性が維持さ
れ、第２層３３からの電子注入効率及び第１層３１内に
注入された少数キャリアの閉じ込めが図られる。次い
で、第２層３３の平坦部３４をエッチング除去し、図５
（ｄ）に示すように凹部３２のみに第２層３３を残留さ
せた。残留した第２層３３は、各凹部３２ごとに互いに
分離された発光部３５となる。発光部３５を形成した
後、保護膜３６としてＳｉＯ2 膜をチップ表面に設け
た。図５（ｅ）に示すように、フォトリソグラフ法及び
フッ化水素酸を使用したエッチングによって保護膜３６
に窓３７を開けた。窓３７を介し、第２層３３から形成
された発光部３５にオーミック電極３８を配線した。こ
のとき、チップ表面が平坦になっているので、断線，短
絡等の配線不良を生じることなくオーミック電極３８を
安全且つ容易に配線することができた。また、チップの
裏面にも、他方のオーミック電極３９を設けた。このよ
うにして得られた発光ダイオードアレイは、従来の拡散
法で製造したものと同様に、チップ表面が平坦な図１に
示す構造をもつ。
【０００９】以上の工程に従って、１インチ当り４００
個の割合で発光ダイオードを形成し、０．５ｍｍ×８ｍ
ｍのチップの中に１２８個の発光部をもつ発光ダイオー
ドアレイを製造した。得られた発光ダイオードアレイ
は、立上がり電圧が１．８Ｖ，逆耐圧が７．０Ｖ以上，
発光波長が６６０ｎｍであった。また、１２８個の発光
ダイオードアレイについて発光輝度を測定したところ、
発光輝度は、バラツキが±１０％以内にとどまり、一定
した値を示すことが判った。発光ダイオードアレイにつ
いて、個々の発光部３５から出射される光の強度分布を
調査した。調査結果を示す図６（ａ）から明らかなよう
に、発光強度は、発光部３５を中心として規則性の高い
正規分布曲線を描いた。これに対し、図３及び図４を使
用して説明した従来の発光ダイオードアレイでは、図６
（ｂ）に示すように両側に変曲点をもつ発光強度分布を
呈した。
個の割合で発光ダイオードを形成し、０．５ｍｍ×８ｍ
ｍのチップの中に１２８個の発光部をもつ発光ダイオー
ドアレイを製造した。得られた発光ダイオードアレイ
は、立上がり電圧が１．８Ｖ，逆耐圧が７．０Ｖ以上，
発光波長が６６０ｎｍであった。また、１２８個の発光
ダイオードアレイについて発光輝度を測定したところ、
発光輝度は、バラツキが±１０％以内にとどまり、一定
した値を示すことが判った。発光ダイオードアレイにつ
いて、個々の発光部３５から出射される光の強度分布を
調査した。調査結果を示す図６（ａ）から明らかなよう
に、発光強度は、発光部３５を中心として規則性の高い
正規分布曲線を描いた。これに対し、図３及び図４を使
用して説明した従来の発光ダイオードアレイでは、図６
（ｂ）に示すように両側に変曲点をもつ発光強度分布を
呈した。
【００１０】図６（ｂ）で両側の変曲点は、メサ型発光
部２３の側面２６から漏れ出た光が溝２１で反射し、反
射光２７として入射されることに起因する。そのため、
図６（ｂ）に示す発光強度分布をもつ発光ダイオードア
レイをＬＥＤプロッター等に使用すると、反射光２７に
よって印画品質の劣化等の欠陥を招く。他方、図６
（ａ）の発光分布強度を呈する発光ダイオードアレイで
は、反射光２７に起因する欠陥がなく鮮明な画像を描
く。また、個々の発光部の間隙を狭めても相互干渉が少
ないため、高密度で発光部を配列した高感度・高機能の
発光ダイオードアレイが得られる。しかも、チップ表面
が平坦になっていることから、断線，短絡等の配線不良
を生じることなくオーミック電極３８を形成することが
できた。そのため、従来の構造では歩留りが９０％程度
であったのに対し、本発明に従ったとき、不良品の発生
をほぼ完全に無くすことができた。
部２３の側面２６から漏れ出た光が溝２１で反射し、反
射光２７として入射されることに起因する。そのため、
図６（ｂ）に示す発光強度分布をもつ発光ダイオードア
レイをＬＥＤプロッター等に使用すると、反射光２７に
よって印画品質の劣化等の欠陥を招く。他方、図６
（ａ）の発光分布強度を呈する発光ダイオードアレイで
は、反射光２７に起因する欠陥がなく鮮明な画像を描
く。また、個々の発光部の間隙を狭めても相互干渉が少
ないため、高密度で発光部を配列した高感度・高機能の
発光ダイオードアレイが得られる。しかも、チップ表面
が平坦になっていることから、断線，短絡等の配線不良
を生じることなくオーミック電極３８を形成することが
できた。そのため、従来の構造では歩留りが９０％程度
であったのに対し、本発明に従ったとき、不良品の発生
をほぼ完全に無くすことができた。
【００１１】以上の実施例においては、ｐ−ＧａＡｓを
結晶基板として使用した場合を説明した。しかし、本発
明はこれに拘束されるものではなく、ｎ−ＧａＡｓを結
晶基板として使用することも可能である。また、図７に
示すように、ｐ−Ｇａ1-z Ａｌz Ａｓ等の活性層４０を
第１層４１と第２層４２との間に設けたダブルヘテロ構
造の発光ダイオードアレイも、本発明に従って同様に製
造される。なお、活性層４０の混晶比ｚは、０．１０〜
０．３５の範囲にあり、前述した実施例における第１層
３１の混晶比ｘに相当する。他方、第１層４１の混晶比
は、活性層４０の混晶比ｚより大きく設定する。
結晶基板として使用した場合を説明した。しかし、本発
明はこれに拘束されるものではなく、ｎ−ＧａＡｓを結
晶基板として使用することも可能である。また、図７に
示すように、ｐ−Ｇａ1-z Ａｌz Ａｓ等の活性層４０を
第１層４１と第２層４２との間に設けたダブルヘテロ構
造の発光ダイオードアレイも、本発明に従って同様に製
造される。なお、活性層４０の混晶比ｚは、０．１０〜
０．３５の範囲にあり、前述した実施例における第１層
３１の混晶比ｘに相当する。他方、第１層４１の混晶比
は、活性層４０の混晶比ｚより大きく設定する。
【００１２】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、第１層に設けられた凹部に第２層が埋め込まれるよ
うな状態でｐ−ｎ接合が形成される。得られた発光ダイ
オードアレイは、個々の発光部が確実に分離され、しか
も拡散法による発光ダイオードアレイと同様に平坦なチ
ップ表面をもつ。そのため、断線，短絡等のトラブルが
なく、オーミック電極の形成が容易になる。また、メサ
型にみられた発光部側面から漏洩する光に起因した印画
品質の劣化もなく、高品質の発光ダイオードアレイとな
る。
は、第１層に設けられた凹部に第２層が埋め込まれるよ
うな状態でｐ−ｎ接合が形成される。得られた発光ダイ
オードアレイは、個々の発光部が確実に分離され、しか
も拡散法による発光ダイオードアレイと同様に平坦なチ
ップ表面をもつ。そのため、断線，短絡等のトラブルが
なく、オーミック電極の形成が容易になる。また、メサ
型にみられた発光部側面から漏洩する光に起因した印画
品質の劣化もなく、高品質の発光ダイオードアレイとな
る。
【図１】 チップ表面が平坦な発光ダイオードアレイ
【図２】 拡散法で発光素子が分離された状態
【図３】 エッチング溝によって発光素子が分離された
状態
状態
【図４】 メサ型発光部にオーミック電極を配線した状
態
態
【図５】 本発明に従った製造工程
【図６】 本発明実施例で得られた発光ダイオードアレ
イの発光強度分布（ａ）と従来の発光ダイオードアレイ
の発光強度分布（ｂ）と対比したグラフ
イの発光強度分布（ａ）と従来の発光ダイオードアレイ
の発光強度分布（ｂ）と対比したグラフ
【図７】 ダブルヘテロ構造をもつ発光ダイオード
３０：結晶基板 ３１：第１層（ｐ−Ｇａ1-x Ａｌx
Ａｓ） ３２：凹部 ３３：第２層（ｎ−Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ） ３４：平
坦部 ３５：発光部 ３６：保護膜 ３７：窓 ３８，３９：オーミック
電極 ４０：活性層
Ａｓ） ３２：凹部 ３３：第２層（ｎ−Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ） ３４：平
坦部 ３５：発光部 ３６：保護膜 ３７：窓 ３８，３９：オーミック
電極 ４０：活性層
Claims (2)
- 【請求項１】 結晶基板の表面にエピタキシャル成長さ
せた第１層と、該第１層の表面に形成された凹部と、該
凹部に埋め込まれ、前記第１層と逆の伝導型を示す第２
層とを備え、該第２層の表面は、前記第１層の表面と同
一平面を形成している発光ダイオードアレイチップ。 - 【請求項２】 結晶基板の表面にエピタキシャル成長さ
せた第１層に発光部となる凹部を形成し、前記第１層と
逆の伝導型を示す第２層を、前記凹部を含む前記第１層
の表面にエピタキシャル成長させ、前記凹部にある前記
第２層が互いに分離され、且つ前記第２層が前記第１層
と面一になるように、前記第２層の平坦部をエッチング
除去することを特徴とする発光ダイオードアレイチップ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6666593A JPH06283756A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 発光ダイオードアレイチップ及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6666593A JPH06283756A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 発光ダイオードアレイチップ及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283756A true JPH06283756A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13322432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6666593A Withdrawn JPH06283756A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 発光ダイオードアレイチップ及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283756A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0679955A3 (en) * | 1994-04-27 | 1996-11-06 | Canon Kk | Electrophotographic photosensitive member and its manufacture. |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP6666593A patent/JPH06283756A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0679955A3 (en) * | 1994-04-27 | 1996-11-06 | Canon Kk | Electrophotographic photosensitive member and its manufacture. |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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