JPH0563053U - 混成集積回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 絶縁基板に放熱板を張り合わせた混成集積回
路基板において、絶縁基板の熱応力による破損を防止す
る。 【構成】 回路配線が形成された絶縁基板１に金属製の
放熱板９を張り合わせ、絶縁基板１の回路配線に接続さ
れた半導体部品２の外装面を放熱板９に接合する。この
放熱板９の幅方向にスリット１１が設けられているた
め、温度上昇により、放熱板９が膨張しようとすると
き、張り合わせた絶縁基板１との長手方向の熱膨張の違
いが前記スリット１１で吸収される。このため、絶縁基
板１に生じる熱応力が緩和され、絶縁基板１に大きな熱
応力が生じない。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、パワートランジスタやＦＥＴ等の半導体部品を用いた高周波電力増 幅器等において、前記半導体部品を冷却するための放熱板を具備した混成集積回 路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来、放熱量の多い半導体部品を搭載した混成集積回路基板は、発熱によって 回路機能に支障を来す恐れを軽減する為に、前記半導体部品の外装体を放熱板に 接触させて、放熱し易くしている。例えば、パワ−トランジスタ等発熱量の多い 半導体部品は、その半導体部品の外装に放熱効果を助ける放熱板が接合される。

【０００３】 これらの発熱し易い半導体部品を搭載した混成集積回路基板は、例えば従来例 を示す図３と図４に示すようなものが知られている。すなわち、図３と図４で示 された混成集積回路基板には、発熱量の多いパワ−トランジスタ等の半導体部品 ２、２…が２個用いられ、これらの半導体部品２、２…が搭載される絶縁基板１ としては、例えばアルミナ基板やガラスエポキシ樹脂基板等が用いられ、その前 記半導体部品２、２…の搭載位置に予め貫通孔３’、３’が形成されている。ま た、絶縁基板１の一方の主面には導電体パターン等により回路配線２０が形成さ れ、他方の主面には一面に導体膜５が形成されている。

【０００４】 前記半導体部品２、２…は、前記絶縁基板１の貫通孔３’、３’に収納されて おり、他の電子部品４、４…は、絶縁基板１の一方の主面に搭載されている。絶 縁基板１の一方の辺には、リードランド８、８…が形成され、各々のリードラン ド８、８…にリ−ド端子７、７…の一端が半田付けされ、絶縁基板１の側方に導 出されている。

【０００５】 金属製の放熱板９’は、前記基板とほぼ同一幅寸法の略矩形状のもので、長さ は基板より少し長めに形成されている。その両端部は、筐体等にねじ止めする為 の凹部を有する固定端部１０、１０となっている。このような放熱板９’が前記 絶縁基板１の他方の主面の一面に形成された導体膜５と重ねて半田付けされると 共に、貫通孔３’、３’に収納された半導体部品２、２の外装体が放熱板９’に 接合される。この後、絶縁基板１上の所定の部分に外部接続用のリード端子を接 続して、混成集積回路装置として用いられる。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、このような前記放熱板９’は熱伝導性の良好な金属製であり、 また絶縁基板１はアルミナ基板やガラスエポキシ樹脂基板であるため、それらの 熱膨張係数の違いが大きい。このため、図４に二点鎖線で示すように、前記放熱 板９’が温度上昇すると膨張し、熱膨張係数の低い絶縁基板１側に反ろうとする ため、放熱板９’と絶縁基板１とに熱応力が生じる。このため、脆い絶縁基板１ にクラックが入り、回路の断線や絶縁性の低下等をもたらし、回路の故障等のト ラブルを招く。 本考案の目的は、前記従来の混成集積回路装置の課題に鑑み、絶縁基板に熱応 力が生じない混成集積回路基板を提供する事にある。

【０００７】

【課題を解消する為の手段】

すなわち本発明では、前記目的を達成するため、回路配線が形成された絶縁基 板１と、該絶縁基板１の回路配線に接続された半導体部品２と、前記絶縁基板１ に張り合わせられると共に、前記半導体部品２の外装面が接合された放熱板９と を有する混成集積回路基板において、該放熱板９の幅方向にスリット１１を設け たことを特徴とする混成集積回路基板を提供する。

【０００８】

【作 用】

本考案による混成集積回路基板では、放熱板９の幅方向にスリット１１が設け られているため、温度上昇により、放熱板９が膨張しようとするとき、張り合わ せた絶縁基板１との長手方向の熱膨張の違いが前記スリット１１で吸収される。 このため、絶縁基板１に生じる熱応力が緩和され、絶縁基板１に大きな熱応力が 生じない。

【０００９】

【実 施 例】

次に、図面を参照しながら、本考案の実施例について具体的に説明する。 図１及び図２に示す混成集積回路基板は、既に従来例として示した図３及び図 ４の混成集積回路基板と基本的に共通しており、同じ部分は同じ符号で示してあ る。すなわち、絶縁基板１としては、例えばアルミナ基板やガラスエポキシ樹脂 基板等が用いられ、同絶縁基板１の半導体部品２、２…が搭載される位置に予め 貫通孔３’、３’が形成されている。また、絶縁基板１の一方の主面には導電体 パターン等により回路配線２０が形成され、他方の主面には一面に導体膜５が形 成されている。

【００１０】 前記半導体部品２、２…は、前記絶縁基板１の貫通孔３’、３’に収納されお り、他の電子部品４、４…は、絶縁基板１の一方の主面に搭載されている。絶縁 基板１の一方の辺には、リードランド８、８…が形成され、各々のリードランド ８、８…にリ−ド端子７、７…の一端が半田付けされ、絶縁基板１の側方に導出 されている。

【００１１】 金属製の放熱板９は、前記基板とほぼ同一幅寸法の略矩形状のもので、長さは 基板より少し長めに形成されている。その両端部は、筐体等にねじ止めする為の 凹部を有する固定端部１０、１０となっている。また、この放熱板９の前記固定 端部１０、１０より中央部側に３本のスリット１１、１１…が設けられている。 これらスリットは、放熱板の両辺側からその幅方向に亙って交互に切り込まれて おり、その切込み深さは放熱板９の幅の半分より僅かに長い。

【００１２】 このような放熱板９が前記絶縁基板１の他方の主面の一面に形成された導体膜 ５と重ねて半田付けされると共に、貫通孔３’、３’に収納された半導体部品２ 、２の外装体が放熱板９に接合される。この場合、前記スリット１１、１１…が 形成されたエリアは、絶縁基板１と接合される。この後、絶縁基板１上の所定の 部分に外部接続用のリード端子が接続され、混成集積回路装置が完成する。 なお、前記実施例では、放熱板９にその幅の約半分の切込み深さのスリット１ １、１１…を３本設けたが、その本数や切込み深さは、放熱板９のサイズや予想 される温度上昇により適宜選択すべきであり、必ず１本以上あればよい。

【００１３】

【考案の効果】

以上説明した通り、本考案によれば、放熱板９が温度上昇したときでも、絶縁 基板１に大きな熱応力が生じないため、絶縁基板１にクラックが生じるのを防止 できる。よって、放熱板９の温度上昇に伴う回路の故障等が未然に防止できる信 頼性の高い投影面積の小さな混成集積回路基板が提供できる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例を示す混成集積回路基板の斜視
図である。

【図２】同実施例を示す混成集積回路基板の底面図であ
る。

【図３】従来例を示す混成集積回路基板の斜視図であ
る。

【図４】同混成集積回路基板の縦断側面図である。

【符号の説明】

１ 絶縁基板 ２ 発熱性の半導体部品 ３ 貫通孔 ４ 一般の電子部品 ９ 放熱板 １１ スリット

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【手続補正書】

【提出日】平成４年１１月２６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

Claims (1)

【整理番号】 ００３０５００−０１▲ 【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 回路配線が形成された絶縁基板（１）
   と、該絶縁基板（１）の回路配線に接続された半導体部
   品（２）と、前記絶縁基板（１）に張り合わせられると
   共に、前記半導体部品２の外装面が接合された放熱板
   （９）とを有する混成集積回路基板において、該放熱板
   （９）の幅方向にスリット（１１）を設けたことを特徴
   とする混成集積回路基板。