JPH0517134A - 無水塩化イツトリウムの真空蒸留装置 - Google Patents
無水塩化イツトリウムの真空蒸留装置Info
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- JPH0517134A JPH0517134A JP3106403A JP10640391A JPH0517134A JP H0517134 A JPH0517134 A JP H0517134A JP 3106403 A JP3106403 A JP 3106403A JP 10640391 A JP10640391 A JP 10640391A JP H0517134 A JPH0517134 A JP H0517134A
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Landscapes
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、不純物含有量の低い高純度無水
塩化イットリウムの製造装置に関するものである。 【構成】 不純物の高い無水塩化イットリウムを真
空蒸留し精製する装置で、下部に不純物の高い無水塩化
イットリウムを収納する蒸留容器(3)を有し、上部に
凝縮容器(4)を有するものであって、該凝縮容器の下
部が、下方に対して下向きの円錐台状部材であって中心
部が空洞化したものと、上部が上方に対して上向きの円
錐台状部材であって中心部が空洞化したものを有し、さ
らに前記下部と上部の中間部に中心部が空洞化した筒状
の高純度無水塩化イットリウム回収部を有する着脱自在
の構造からなるものである無水塩化イットリウムの真空
蒸留装置。 【効果】 不純物含有量の少ない高純度の無水塩化イ
ットリウムが得られる。
塩化イットリウムの製造装置に関するものである。 【構成】 不純物の高い無水塩化イットリウムを真
空蒸留し精製する装置で、下部に不純物の高い無水塩化
イットリウムを収納する蒸留容器(3)を有し、上部に
凝縮容器(4)を有するものであって、該凝縮容器の下
部が、下方に対して下向きの円錐台状部材であって中心
部が空洞化したものと、上部が上方に対して上向きの円
錐台状部材であって中心部が空洞化したものを有し、さ
らに前記下部と上部の中間部に中心部が空洞化した筒状
の高純度無水塩化イットリウム回収部を有する着脱自在
の構造からなるものである無水塩化イットリウムの真空
蒸留装置。 【効果】 不純物含有量の少ない高純度の無水塩化イ
ットリウムが得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、不純物含有量の低い高
純度無水塩化イットリウムの製造装置に関するものであ
り、特には高純度イットリウム製造の原料に用いられる
ための製造装置に関する。
純度無水塩化イットリウムの製造装置に関するものであ
り、特には高純度イットリウム製造の原料に用いられる
ための製造装置に関する。
【0002】
【従来技術】一般に、Y金属の製造方法としては、溶融
塩電解法と金属熱還元法とが採用されている。
塩電解法と金属熱還元法とが採用されている。
【0003】前者の溶融塩電解法には、ハロゲン化物特
に塩化イットリウムを電解浴として用いる方法が主たる
対象となっている。一方、後者の金属熱還元法には、弗
化イットリウムまたは塩化イットリウムをアルカリ金属
又はアルカリ土類金属で還元するハロゲン化物法があ
る。
に塩化イットリウムを電解浴として用いる方法が主たる
対象となっている。一方、後者の金属熱還元法には、弗
化イットリウムまたは塩化イットリウムをアルカリ金属
又はアルカリ土類金属で還元するハロゲン化物法があ
る。
【0004】上記の方法に共通するものとして、無水塩
化イットリウムがある。この中間物を高品位に製造する
ことが、高純度イットリウムを製造するにあたり重要で
ある。従来、酸化イットリウムと塩化アンモニウムを混
合し、さらに真空蒸留法により精製されたものが用いら
れているのが一般的である。しかし、この方法によって
も容器等からの汚染を受け、不純物が数ppmレベル以
上含有されてしまう。そのため、無水塩化イットリウム
が純度よく製造される装置が要望されていた。
化イットリウムがある。この中間物を高品位に製造する
ことが、高純度イットリウムを製造するにあたり重要で
ある。従来、酸化イットリウムと塩化アンモニウムを混
合し、さらに真空蒸留法により精製されたものが用いら
れているのが一般的である。しかし、この方法によって
も容器等からの汚染を受け、不純物が数ppmレベル以
上含有されてしまう。そのため、無水塩化イットリウム
が純度よく製造される装置が要望されていた。
【0005】そこで、本発明者等が鋭意検討した結果、
以下の発明がなされた。
以下の発明がなされた。
【0006】
【発明の構成】即ち本発明は、(1) 不純物の高い無
水塩化イットリウムを真空蒸留し精製する装置で、下部
に不純物の高い無水塩化イットリウムを収納する蒸留容
器を有し、上部に凝縮容器を有するものであって、該凝
縮容器の下部が、下方に対して下向きの円錐台状部材で
あって中心部が空洞化したものと、上部が上方に対して
上向きの円錐台状部材であって中心部が空洞化したもの
を有し、さらに前記下部と上部の該中間部に中心部が空
洞化した筒状の高純度無水塩化イットリウム回収部を有
する着脱自在の構造からなることを特徴とする無水塩化
イットリウムの真空蒸留装置。 (2) 上記(1)における凝縮容器が、縦方向あるい
は横方向に二分割以上可能であることを特徴とする無水
塩化イットリウムの真空蒸留装置 (3) 上記(1)における高純度無水塩化イットリウ
ムの凝縮容器材質が、Niであって、回収部が、Mo,
W,Taのうち一種以上で内張りされていることを特徴
とする無水塩化イットリウムの真空蒸留装置
水塩化イットリウムを真空蒸留し精製する装置で、下部
に不純物の高い無水塩化イットリウムを収納する蒸留容
器を有し、上部に凝縮容器を有するものであって、該凝
縮容器の下部が、下方に対して下向きの円錐台状部材で
あって中心部が空洞化したものと、上部が上方に対して
上向きの円錐台状部材であって中心部が空洞化したもの
を有し、さらに前記下部と上部の該中間部に中心部が空
洞化した筒状の高純度無水塩化イットリウム回収部を有
する着脱自在の構造からなることを特徴とする無水塩化
イットリウムの真空蒸留装置。 (2) 上記(1)における凝縮容器が、縦方向あるい
は横方向に二分割以上可能であることを特徴とする無水
塩化イットリウムの真空蒸留装置 (3) 上記(1)における高純度無水塩化イットリウ
ムの凝縮容器材質が、Niであって、回収部が、Mo,
W,Taのうち一種以上で内張りされていることを特徴
とする無水塩化イットリウムの真空蒸留装置
【0007】
【発明の具体的説明】本発明は、不純物が少ない高純度
無水塩化イットリウムの製造装置に係るものである。
無水塩化イットリウムの製造装置に係るものである。
【0008】無水塩化イットリウムを得る一つの手段と
して、以下の反応を行なわせ、さらに、高純度化させる
ために真空蒸留するものである。 Y2O3+6NH4Cl→2YCl3+6NH3+3H2O
して、以下の反応を行なわせ、さらに、高純度化させる
ために真空蒸留するものである。 Y2O3+6NH4Cl→2YCl3+6NH3+3H2O
【0009】製造装置の本体は、外容器はステンレス、
Fe等である。不純物の高い無水塩化イットリウムを装
入する円筒形蒸留容器の材質は、Ni製ルツボである。
より好ましくは,NiにMo,W,Taのうちの1種以
上からなる材質を内張りにする。
Fe等である。不純物の高い無水塩化イットリウムを装
入する円筒形蒸留容器の材質は、Ni製ルツボである。
より好ましくは,NiにMo,W,Taのうちの1種以
上からなる材質を内張りにする。
【0010】前記蒸留容器における上部に、凝縮容器を
配置する。凝縮容器は、例えば蒸留容器の内壁面から固
定部材を突出させ、その部材で、凝縮容器の底部が、固
定される構造等とする。凝縮容器は、下部に対して下向
きの円錐台状部材であって中心部が空洞化したものと、
上部に対して上向きの円錐台状部材であって中心部が空
洞化したものを有し、さらに前記下部と上部の中間部に
高純度無水塩化イットリウムの回収部を有し筒状であっ
てかつ中心部が空洞の構造である。また、高純度無水塩
化イットリウムの回収を容易にするため、上記凝縮容器
は、縦割りあるいは横割りの二分割以上の構造となって
いる。上記凝縮容器の円錐台の角度は、水平に対して、
20〜80°が好ましい。20°より下であると、蒸気
の無水YCl3が凝縮容器の中を通過しにくいため、好
ましくない。80°より上では、不純物の多い付着物
が、再び下部に落下してしまうので好ましくない。本発
明の本体の外側は、電気炉より構成されている。一方、
該装置は、真空系統に接続されており、かつ不純物の高
い粉状無水塩化イットリウムが真空系統に行かないよう
にバッフル等を設ける。なお、取りだし時、Ar等を導
入するための導入口を設けることが好ましい。
配置する。凝縮容器は、例えば蒸留容器の内壁面から固
定部材を突出させ、その部材で、凝縮容器の底部が、固
定される構造等とする。凝縮容器は、下部に対して下向
きの円錐台状部材であって中心部が空洞化したものと、
上部に対して上向きの円錐台状部材であって中心部が空
洞化したものを有し、さらに前記下部と上部の中間部に
高純度無水塩化イットリウムの回収部を有し筒状であっ
てかつ中心部が空洞の構造である。また、高純度無水塩
化イットリウムの回収を容易にするため、上記凝縮容器
は、縦割りあるいは横割りの二分割以上の構造となって
いる。上記凝縮容器の円錐台の角度は、水平に対して、
20〜80°が好ましい。20°より下であると、蒸気
の無水YCl3が凝縮容器の中を通過しにくいため、好
ましくない。80°より上では、不純物の多い付着物
が、再び下部に落下してしまうので好ましくない。本発
明の本体の外側は、電気炉より構成されている。一方、
該装置は、真空系統に接続されており、かつ不純物の高
い粉状無水塩化イットリウムが真空系統に行かないよう
にバッフル等を設ける。なお、取りだし時、Ar等を導
入するための導入口を設けることが好ましい。
【0011】当該凝縮容器の位置は、温度ゾ−ンとして
300〜700℃が好ましい。より好ましくは、400
〜600℃である。300℃より低い場合は、Al,S
i等の不純物が混入してしまい好ましくない。700℃
より高い場合は、Fe等の不純物が混入してしまうので
好ましくない。真空度は、1torr以下が好ましい。
より好ましくは、0.01torr以下である。1to
rrより上であると、無水塩化イットリウムが蒸留され
なくなり、高純度の無水塩化イットリウムが所定の温度
位置に得られなくなる。1torr以下であると、高純
度の無水塩化イットリウムが所定の温度位置に得られ
る。 当該凝縮容器の材質は、Ni製であるが、特に中
間部の高純度無水塩化イットリウム回収部は、Mo,
W,Taのうちの1種以上からなる材質を内張りするこ
とが好ましい。前記内張りを実施しない場合は、Niの
汚染を受けてしまうので好ましくない。
300〜700℃が好ましい。より好ましくは、400
〜600℃である。300℃より低い場合は、Al,S
i等の不純物が混入してしまい好ましくない。700℃
より高い場合は、Fe等の不純物が混入してしまうので
好ましくない。真空度は、1torr以下が好ましい。
より好ましくは、0.01torr以下である。1to
rrより上であると、無水塩化イットリウムが蒸留され
なくなり、高純度の無水塩化イットリウムが所定の温度
位置に得られなくなる。1torr以下であると、高純
度の無水塩化イットリウムが所定の温度位置に得られ
る。 当該凝縮容器の材質は、Ni製であるが、特に中
間部の高純度無水塩化イットリウム回収部は、Mo,
W,Taのうちの1種以上からなる材質を内張りするこ
とが好ましい。前記内張りを実施しない場合は、Niの
汚染を受けてしまうので好ましくない。
【0012】
【実施例】図1に示す製造装置を用いて、高純度無水塩
化イットリウムを製造する実施例を示す。電気炉1の内
側に、ステンレス製の外容器2をセットする。その後、
Mo箔を内張りにした蒸留容器であるNi製ルツボ3を
装入し、さらに、表1に示すような不純物含有量の多い
無水塩化イットリウムを1000g装入する。Ni製ル
ツボ3の上部に凝縮容器4を、凝縮容器の設置位置の温
度が400〜600℃になるような位置にセットする。
凝縮容器4は、固定部材10により、固定する。この凝
縮容器中間部の高純度無水塩化イットリウム回収部に
は、Mo箔を内張りにしている。その後、拡散ポンプと
ロ−タリ−ポンプを備えた真空系5に接続する。真空系
5の前に、バッフル6を設置する。これは、不純物含有
量の高い無水塩化イットリウムが、真空系に飛散しポン
プの故障を生じさせないためである。
化イットリウムを製造する実施例を示す。電気炉1の内
側に、ステンレス製の外容器2をセットする。その後、
Mo箔を内張りにした蒸留容器であるNi製ルツボ3を
装入し、さらに、表1に示すような不純物含有量の多い
無水塩化イットリウムを1000g装入する。Ni製ル
ツボ3の上部に凝縮容器4を、凝縮容器の設置位置の温
度が400〜600℃になるような位置にセットする。
凝縮容器4は、固定部材10により、固定する。この凝
縮容器中間部の高純度無水塩化イットリウム回収部に
は、Mo箔を内張りにしている。その後、拡散ポンプと
ロ−タリ−ポンプを備えた真空系5に接続する。真空系
5の前に、バッフル6を設置する。これは、不純物含有
量の高い無水塩化イットリウムが、真空系に飛散しポン
プの故障を生じさせないためである。
【0013】セット終了後、真空度が10-3torr以
上になったら、昇温を開始する。900℃到達後24h
r保持した後、冷却する。冷却後Ar導入口7より、A
rガスを入れ、直ちに凝縮容器4を取り出す。凝縮容器
は、Ar等の不活性ガスで充満したグロ−ボックスで取
り出し、瓶の中に入れて保管する。
上になったら、昇温を開始する。900℃到達後24h
r保持した後、冷却する。冷却後Ar導入口7より、A
rガスを入れ、直ちに凝縮容器4を取り出す。凝縮容器
は、Ar等の不活性ガスで充満したグロ−ボックスで取
り出し、瓶の中に入れて保管する。
【0014】以上の様にして製造した高純度無水塩化イ
ットリウムの不純物分析結果を表1に示す。表1に示す
ように、極めて高品質のものが得られた。なお、収率は
45%であった。
ットリウムの不純物分析結果を表1に示す。表1に示す
ように、極めて高品質のものが得られた。なお、収率は
45%であった。
【表1】
【0015】
【発明の効果】(1)不純物含有量の少ない高純度の無
水塩化イットリウムが得られる。 (2)不純物が凝縮容器内で偏在するため、効率良く高
品質の無水塩化イットリウムを得る。 (3)容器及び内張りを選定することにより、より高品
質のものを得ることができる。 (4)不純物及び製品部分の取りだしが極めて容易にで
きる。
水塩化イットリウムが得られる。 (2)不純物が凝縮容器内で偏在するため、効率良く高
品質の無水塩化イットリウムを得る。 (3)容器及び内張りを選定することにより、より高品
質のものを得ることができる。 (4)不純物及び製品部分の取りだしが極めて容易にで
きる。
【0016】
図1は、本発明の無水塩化イットリウムを得るための一
態様である。 1…電気炉 2…外容器 3…Niルツボ 4…
凝縮容器 5…真空系 6…バッフル 7…Ar導入口 8…
粗YCl3 9…高純度無水YCl3
態様である。 1…電気炉 2…外容器 3…Niルツボ 4…
凝縮容器 5…真空系 6…バッフル 7…Ar導入口 8…
粗YCl3 9…高純度無水YCl3
Claims (3)
- 【請求項1】 不純物の高い無水塩化イットリウムを真
空蒸留し精製する装置で、下部に不純物の高い無水塩化
イットリウムを収納する蒸留容器を有し、上部に凝縮容
器を有するものであって、該凝縮容器の下部が、下方に
対して下向きの円錐台状部材であって中心部が空洞化し
たものと、上部が上方に対して上向きの円錐台状部材で
あって中心部が空洞化したものを有し、さらに前記下部
と上部の中間部に中心部が空洞化した筒状の高純度無水
塩化イットリウム回収部を有する着脱自在の構造からな
るものであることを特徴とする無水塩化イットリウムの
真空蒸留装置。 - 【請求項2】 請求項1における凝縮容器が、縦方向あ
るいは横方向に二分割以上可能であることを特徴とする
無水塩化イットリウムの真空蒸留装置 - 【請求項3】 請求項1における高純度無水塩化イット
リウムの凝縮容器材質が、Niであって、回収部が、M
o,W,Taのうち一種以上で内張りされていることを
特徴とする無水塩化イットリウムの真空蒸留装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3106403A JPH0517134A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 無水塩化イツトリウムの真空蒸留装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3106403A JPH0517134A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 無水塩化イツトリウムの真空蒸留装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0517134A true JPH0517134A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=14432721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3106403A Pending JPH0517134A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 無水塩化イツトリウムの真空蒸留装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0517134A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1739196A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Rare earth metal member of high surface purity and making method |
WO2012067061A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
WO2013005349A1 (ja) | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度イットリウム、高純度イットリウムの製造方法、高純度イットリウムスパッタリングターゲット、高純度イットリウムスパッタリングターゲットを用いて成膜したメタルゲート膜並びに該メタルゲート膜を備える半導体素子及びデバイス |
CN110538478A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-12-06 | 天津包钢稀土研究院有限责任公司 | 一种高品质无水稀土卤化物提纯装置 |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP3106403A patent/JPH0517134A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2012067061A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
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