JPH04312980A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH04312980A JPH04312980A JP6464191A JP6464191A JPH04312980A JP H04312980 A JPH04312980 A JP H04312980A JP 6464191 A JP6464191 A JP 6464191A JP 6464191 A JP6464191 A JP 6464191A JP H04312980 A JPH04312980 A JP H04312980A
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- JP
- Japan
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- pressure sensor
- conductor
- sensor chip
- pedestal
- semiconductor pressure
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- Pending
Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
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- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気圧の測定などに使用
される半導体圧力センサに関する。
される半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、気圧の測定などに使用される半導
体圧力センサとしては、図４に示す構成のものがある。
体圧力センサとしては、図４に示す構成のものがある。
【０００３】同図において、１は外部圧力に応じた電圧
レベルをもつ圧力検出信号を出力する半導体でできた圧
力センサチップ、２はこの圧力センサチップ１に加わる
応力を緩和するためのガラス製の台座で、両者１，２は
、たとえば陽極接合により真空中で一体的に接続されて
いる。３は金製のワイヤで、このワイヤ３の一方端が外
部リード４に、他方端が圧力センサチップ１の表面に形
成された電極にそれぞれ接続されている。５は外部リー
ド４の固定用のパッケージで、台座２を取り付けるため
のベース６と、このベース６に冠着されたキャップ７と
からなり、このキャップ７の上部には圧力導入口８が形
成されている。そして、この半導体圧力センサの外部リ
ード４が厚膜抵抗基板９上に形成された導体１０に接続
されている。
レベルをもつ圧力検出信号を出力する半導体でできた圧
力センサチップ、２はこの圧力センサチップ１に加わる
応力を緩和するためのガラス製の台座で、両者１，２は
、たとえば陽極接合により真空中で一体的に接続されて
いる。３は金製のワイヤで、このワイヤ３の一方端が外
部リード４に、他方端が圧力センサチップ１の表面に形
成された電極にそれぞれ接続されている。５は外部リー
ド４の固定用のパッケージで、台座２を取り付けるため
のベース６と、このベース６に冠着されたキャップ７と
からなり、このキャップ７の上部には圧力導入口８が形
成されている。そして、この半導体圧力センサの外部リ
ード４が厚膜抵抗基板９上に形成された導体１０に接続
されている。
【０００４】上記構成において、圧力導入口８から圧力
センサチップ１に外部圧力が加わると、この圧力センサ
チップ１からは、外部圧力に応じた電圧レベルをもつ圧
力検出信号が出力され、この圧力検出信号がワイヤ３、
外部リード４を介して外部に取り出されて厚膜抵抗基板
９の導体１０に出力される。
センサチップ１に外部圧力が加わると、この圧力センサ
チップ１からは、外部圧力に応じた電圧レベルをもつ圧
力検出信号が出力され、この圧力検出信号がワイヤ３、
外部リード４を介して外部に取り出されて厚膜抵抗基板
９の導体１０に出力される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
導体圧力センサは、圧力検出信号を外部に取り出すため
に、ワイヤ３および外部リード４が必要であり、しかも
、外部リード４を固定するためにパッケージ５を設けて
いるので、部品点数が多く、組み立て工数を要するとと
もに、全体の形状が大きく、小型化が図れない等の問題
があった。
導体圧力センサは、圧力検出信号を外部に取り出すため
に、ワイヤ３および外部リード４が必要であり、しかも
、外部リード４を固定するためにパッケージ５を設けて
いるので、部品点数が多く、組み立て工数を要するとと
もに、全体の形状が大きく、小型化が図れない等の問題
があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するためになされたものであって、外部との電気
的接続のためのワイヤ、外部リード、パッケージ等を不
要にして、小型化を図るものである。
を解決するためになされたものであって、外部との電気
的接続のためのワイヤ、外部リード、パッケージ等を不
要にして、小型化を図るものである。
【０００７】そのため、本発明は、外部圧力に応じた圧
力検出信号を出力する圧力センサチップを備え、この圧
力センサチップの底部には、この圧力センサチップに加
わる応力を緩和するための台座が一体的に接合されてい
る半導体圧力センサにおいて、台座に上下に貫通するス
ルーホールを形成し、このスルーホール内に導体が設け
られ、この導体の上端部を圧力センサチップに電気的に
接続する一方、導体の下端部に外部取付電極部を形成し
ている。
力検出信号を出力する圧力センサチップを備え、この圧
力センサチップの底部には、この圧力センサチップに加
わる応力を緩和するための台座が一体的に接合されてい
る半導体圧力センサにおいて、台座に上下に貫通するス
ルーホールを形成し、このスルーホール内に導体が設け
られ、この導体の上端部を圧力センサチップに電気的に
接続する一方、導体の下端部に外部取付電極部を形成し
ている。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、台座の下部に形成された外
部取付電極を、たとえば、厚膜抵抗基板の導体に直接に
接合する。すると、圧力センサチップ１から外部圧力に
応じて出力される圧力検出信号は、台座の導体と外部取
付電極とを経由して厚膜抵抗基板の導体に出力される。 このため、従来のように、ワイヤ、外部リードおよびパ
ッケージを省略することができる。
部取付電極を、たとえば、厚膜抵抗基板の導体に直接に
接合する。すると、圧力センサチップ１から外部圧力に
応じて出力される圧力検出信号は、台座の導体と外部取
付電極とを経由して厚膜抵抗基板の導体に出力される。 このため、従来のように、ワイヤ、外部リードおよびパ
ッケージを省略することができる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の実施例に係る半導体圧力セン
サを厚膜抵抗基板に取り付けた状態を示す断面図、図２
は半導体圧力センサを構成する圧力センサチップと台座
とを分解して示す正面断面図、図３はその斜視図であり
、図４に示した従来例に対応する部分には同一の符号を
付す。
サを厚膜抵抗基板に取り付けた状態を示す断面図、図２
は半導体圧力センサを構成する圧力センサチップと台座
とを分解して示す正面断面図、図３はその斜視図であり
、図４に示した従来例に対応する部分には同一の符号を
付す。
【００１０】この実施例の半導体圧力センサは、外部圧
力に応じた圧力検出信号を出力する半導体の圧力センサ
チップ１を備え、この圧力センサチップ１の底部には、
この圧力センサチップ１に加わる応力を緩和するための
ガラス製の台座２が一体的に接合されている。
力に応じた圧力検出信号を出力する半導体の圧力センサ
チップ１を備え、この圧力センサチップ１の底部には、
この圧力センサチップ１に加わる応力を緩和するための
ガラス製の台座２が一体的に接合されている。
【００１１】上記の台座２には、上下にスルーホール１
２が形成され、このスルーホール１２内に金などの導体
１３が充填されている。そして、この導体１３の上端部
が圧力センサチップ１に金バンプ１４を介して電気的に
接続される一方、導体１３の下端部には半田でできた外
部取付電極（バンプ）１５が形成されている。
２が形成され、このスルーホール１２内に金などの導体
１３が充填されている。そして、この導体１３の上端部
が圧力センサチップ１に金バンプ１４を介して電気的に
接続される一方、導体１３の下端部には半田でできた外
部取付電極（バンプ）１５が形成されている。
【００１２】この半導体圧力センサの組み立てに際して
は、図２および図３に示すように、底面の所定箇所に予
め金バンプ１４を設けた圧力センサチップ１と、導体１
３および外部取付電極１５を予め設けた台座２とをそれ
ぞれ準備し、金バンプ１４と導体１３とが互いに電気的
に接続されるように加熱圧着するとともに、さらに、圧
力センサチップ１と台座２とが機械的にも一体化するよ
うに、たとえば、真空中で陽極接合させる。
は、図２および図３に示すように、底面の所定箇所に予
め金バンプ１４を設けた圧力センサチップ１と、導体１
３および外部取付電極１５を予め設けた台座２とをそれ
ぞれ準備し、金バンプ１４と導体１３とが互いに電気的
に接続されるように加熱圧着するとともに、さらに、圧
力センサチップ１と台座２とが機械的にも一体化するよ
うに、たとえば、真空中で陽極接合させる。
【００１３】こうして、半導体圧力センサが組み立てら
れれれば、図１に示すように、台座２の下部に形成され
た外部取付電極１５を、たとえば、厚膜抵抗基板９に設
けられた導体１０に直接接合させる。
れれれば、図１に示すように、台座２の下部に形成され
た外部取付電極１５を、たとえば、厚膜抵抗基板９に設
けられた導体１０に直接接合させる。
【００１４】このようにすれば、圧力センサチップ１か
ら外部圧力に応じて出力される圧力検出信号は、台座２
の導体１３を経由して厚膜抵抗基板９の導体１０に出力
されることになる。
ら外部圧力に応じて出力される圧力検出信号は、台座２
の導体１３を経由して厚膜抵抗基板９の導体１０に出力
されることになる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、半導体圧力センサを厚
膜抵抗基板等に直着けすれば、圧力センサチップ１から
の圧力検出信号は、台座の導体を経由して直接外部に取
り出されるので、従来のようなワイヤ、外部リードおよ
びパッケージが不要となる。このため、部品点数が少な
くなり、組み立て工数が削減されるとともに、全体の形
状が小型化される等の効果を奏する。
膜抵抗基板等に直着けすれば、圧力センサチップ１から
の圧力検出信号は、台座の導体を経由して直接外部に取
り出されるので、従来のようなワイヤ、外部リードおよ
びパッケージが不要となる。このため、部品点数が少な
くなり、組み立て工数が削減されるとともに、全体の形
状が小型化される等の効果を奏する。
【図１】本発明の実施例に係る半導体圧力センサを厚膜
抵抗基板に取り付けた状態を示す断面図である。
抵抗基板に取り付けた状態を示す断面図である。
【図２】半導体圧力センサを構成する圧力センサチップ
と台座とを分解して示す正面断面図である。
と台座とを分解して示す正面断面図である。
【図３】半導体圧力センサを構成する圧力センサチップ
と台座とを分解して示す斜視図である。
と台座とを分解して示す斜視図である。
【図４】従来の半導体圧力センサを厚膜抵抗基板に取り
付けた状態を示す断面図である。
付けた状態を示す断面図である。
１…圧力センサチップ、２…台座、１２…スルーホール
、１３…導体、１５…外部取付電極。
、１３…導体、１５…外部取付電極。
Claims (1)
- 【請求項１】 外部圧力に応じた圧力検出信号を出力
する圧力センサチップを備え、この圧力センサチップの
底部にはこの圧力センサチップに加わる応力を緩和する
ための台座が一体的に接合されている半導体圧力センサ
において、前記台座には上下に貫通するスルーホールが
形成され、このスルーホール内に導体が設けられ、この
導体の上端部が前記圧力センサチップに電気的に接続さ
れる一方、前記導体の下端部には外部取付電極が形成さ
れていることを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6464191A JPH04312980A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6464191A JPH04312980A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04312980A true JPH04312980A (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=13264097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6464191A Pending JPH04312980A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04312980A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5610431A (en) * | 1995-05-12 | 1997-03-11 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Covers for micromechanical sensors and other semiconductor devices |
| JP2005091166A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP2007285750A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Denso Corp | 圧力センサ |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP6464191A patent/JPH04312980A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5610431A (en) * | 1995-05-12 | 1997-03-11 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Covers for micromechanical sensors and other semiconductor devices |
| JP2005091166A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP2007285750A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Denso Corp | 圧力センサ |
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