JPH04293244A - Ic実装構造 - Google Patents
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- JPH04293244A JPH04293244A JP3081363A JP8136391A JPH04293244A JP H04293244 A JPH04293244 A JP H04293244A JP 3081363 A JP3081363 A JP 3081363A JP 8136391 A JP8136391 A JP 8136391A JP H04293244 A JPH04293244 A JP H04293244A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は微細化された回路パター
ンに対するワイヤーボング性の改良に関する。
ンに対するワイヤーボング性の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来両面銅張積層板にスルーホール付き
の回路パターンを形成する回路基板の製造方法にはサブ
トラクティブ法とアディティブ法があるが、この内アデ
ィティブ法は量産上で十分な信頼性が得にくいという問
題が有る為、量産的にはドライフィルムを用いたサブト
ラクティブ法が広く採用されており、ワイヤーボンデン
グを用いた回路実装としてはサブトラクティブ法によっ
て回路基板上に形成された80μm〜100μmのリー
ドパターンと、ICチップ上に形成されたバンプ間を2
5μm〜32μmの金線によってワイヤーボンデングさ
れている。
の回路パターンを形成する回路基板の製造方法にはサブ
トラクティブ法とアディティブ法があるが、この内アデ
ィティブ法は量産上で十分な信頼性が得にくいという問
題が有る為、量産的にはドライフィルムを用いたサブト
ラクティブ法が広く採用されており、ワイヤーボンデン
グを用いた回路実装としてはサブトラクティブ法によっ
て回路基板上に形成された80μm〜100μmのリー
ドパターンと、ICチップ上に形成されたバンプ間を2
5μm〜32μmの金線によってワイヤーボンデングさ
れている。
【0003】しかし近年電子装置の軽薄短小化に伴ない
、回路実装も小型化が要求されるようになり、回路基板
上に形成される回路パターンも50μm程度の微細パタ
ーンが必要となって来た。然るにこのような微細パター
ンを作る方法としては色々有り、例えばアディティブ法
や電着マスクを用いたサブトラクティブ法が有るが、特
に量産性があり、且つ信頼性に優れたドライフィルムタ
イプのサブトラクティブ法により微細パターンを作る方
法を本出願人が既に提案しているので図面により説明す
る。
、回路実装も小型化が要求されるようになり、回路基板
上に形成される回路パターンも50μm程度の微細パタ
ーンが必要となって来た。然るにこのような微細パター
ンを作る方法としては色々有り、例えばアディティブ法
や電着マスクを用いたサブトラクティブ法が有るが、特
に量産性があり、且つ信頼性に優れたドライフィルムタ
イプのサブトラクティブ法により微細パターンを作る方
法を本出願人が既に提案しているので図面により説明す
る。
【0004】図2は本出願人が既に提案したサブトラク
ティブ法による回路パターン製造の工程を示すものであ
る。Aは両面銅張積層板1であり基板2の両面に厚さ1
8μmの銅箔3、4が積層されている。Bはスルーホー
ル加工工程でありNC等の穴明け機によってスルーホー
ル5が加工される。Cは無電解銅メッキ工程でり前記ス
ルーホール5の壁面を含む基板面を洗浄した後、銅張積
層板1の全面に厚さ0.5μmの無電解銅メッキ層6を
形成する。DのDFラミネート工程では無電解銅メッキ
層6の上に直接DF8をラミネートしている。Eの露光
現像工程ではパターン部分に残るDF8の幅を狭くし、
逆にDF8の窓部の幅を広くしている。Fのエッチング
工程ではパターン設計値より若干広く形成されたDF8
の窓から、銅箔3と無電解銅メッキ層6との積層である
16μmの薄い銅箔をエッチングするため、エッチング
後の回路パターンベース11は回路パターンの設計値5
0μmより小さい形状に形成される。Gの電解銅厚メッ
キ工程では前記回路パターンベース11の上に電解銅厚
メッキ層12を形成する事により、50μm幅の回路パ
ターン13を有する回路基板20が完成する。
ティブ法による回路パターン製造の工程を示すものであ
る。Aは両面銅張積層板1であり基板2の両面に厚さ1
8μmの銅箔3、4が積層されている。Bはスルーホー
ル加工工程でありNC等の穴明け機によってスルーホー
ル5が加工される。Cは無電解銅メッキ工程でり前記ス
ルーホール5の壁面を含む基板面を洗浄した後、銅張積
層板1の全面に厚さ0.5μmの無電解銅メッキ層6を
形成する。DのDFラミネート工程では無電解銅メッキ
層6の上に直接DF8をラミネートしている。Eの露光
現像工程ではパターン部分に残るDF8の幅を狭くし、
逆にDF8の窓部の幅を広くしている。Fのエッチング
工程ではパターン設計値より若干広く形成されたDF8
の窓から、銅箔3と無電解銅メッキ層6との積層である
16μmの薄い銅箔をエッチングするため、エッチング
後の回路パターンベース11は回路パターンの設計値5
0μmより小さい形状に形成される。Gの電解銅厚メッ
キ工程では前記回路パターンベース11の上に電解銅厚
メッキ層12を形成する事により、50μm幅の回路パ
ターン13を有する回路基板20が完成する。
【0005】図3は図2に示す回路基板20の部分断面
図であり回路パターン13の形状とパターン間隔を示す
ものであり、パターン幅50μm、基板面のパターン間
隔50μmの100μmピッチとなっている。図5の工
程E,F,Gで説明したごとくDF8の窓形状と薄い銅
箔のエッチングとにより、適当なサイズの回路パターン
ベース11を形成し、その回路パターンベース11上に
電解銅厚メッキ層12を適切な厚さに形成することによ
り、図6に示す如くパターン幅50μm、パターン間隔
も約50μmとなり、設計値に極めて近い100μmピ
ッチの回路パターン13を形成することが可能となる。
図であり回路パターン13の形状とパターン間隔を示す
ものであり、パターン幅50μm、基板面のパターン間
隔50μmの100μmピッチとなっている。図5の工
程E,F,Gで説明したごとくDF8の窓形状と薄い銅
箔のエッチングとにより、適当なサイズの回路パターン
ベース11を形成し、その回路パターンベース11上に
電解銅厚メッキ層12を適切な厚さに形成することによ
り、図6に示す如くパターン幅50μm、パターン間隔
も約50μmとなり、設計値に極めて近い100μmピ
ッチの回路パターン13を形成することが可能となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く50μm程
度の幅の狭い回路パターンになるとワイヤーボンデング
におけるステッチボンデングが難しくなり、前述のよう
な25〜32μmの金線では困難であるため特別に10
μm程度の細い金線を用いてボンデングを行うことにな
るが強度に対する信頼性や、作業性の悪さが問題となり
、更に図3に示す如く最終的にパターンメッキをほどこ
した回路パターンの場合は断面が蒲鉾型で上部が平坦に
ならないため特にステッチボンデングが安定しないこと
になる。本発明の目的は上記欠点を解決し50μmレベ
ルの微細な回路パターンに安定したステッチボンデング
を行うことが出来るIC実装構造を提供することにある
。
度の幅の狭い回路パターンになるとワイヤーボンデング
におけるステッチボンデングが難しくなり、前述のよう
な25〜32μmの金線では困難であるため特別に10
μm程度の細い金線を用いてボンデングを行うことにな
るが強度に対する信頼性や、作業性の悪さが問題となり
、更に図3に示す如く最終的にパターンメッキをほどこ
した回路パターンの場合は断面が蒲鉾型で上部が平坦に
ならないため特にステッチボンデングが安定しないこと
になる。本発明の目的は上記欠点を解決し50μmレベ
ルの微細な回路パターンに安定したステッチボンデング
を行うことが出来るIC実装構造を提供することにある
。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明における要旨は下記のとうりで有る。ICチッ
プ上のバンプと回路基板上に形成されたリードパターン
間をワイヤーボンデングする実装構造において、前記ワ
イヤーボンデングされるリードパターン部分に予め機械
的押圧加工によって幅広部を形成し、該幅広部にステッ
チボンデングを行うことを特徴とする。
の本発明における要旨は下記のとうりで有る。ICチッ
プ上のバンプと回路基板上に形成されたリードパターン
間をワイヤーボンデングする実装構造において、前記ワ
イヤーボンデングされるリードパターン部分に予め機械
的押圧加工によって幅広部を形成し、該幅広部にステッ
チボンデングを行うことを特徴とする。
【0008】
【実施例】以下図面により本発明の一実施例を詳述する
。図1は本発明のICチップと回路基板上に形成された
回路パターンとのボンデング工程を示す工程図である。 Aは図3に示す回路基板20の部分断面図でありICチ
ップ30に設けられたバンプ31とワイヤーボンデング
される回路パターン13を示す。Bは機械的押圧加工工
程であり回路パターン13をポンチ15により一定の圧
力で押圧することにより上部に幅広部13aを形成する
。Cはワイヤーボンデング工程であり金線32によりI
Cチップ30のバンプ31にボールボンデングを行うと
共に、前記回路パターン13の平坦部13aを利用して
ステッチボンデングを行う。
。図1は本発明のICチップと回路基板上に形成された
回路パターンとのボンデング工程を示す工程図である。 Aは図3に示す回路基板20の部分断面図でありICチ
ップ30に設けられたバンプ31とワイヤーボンデング
される回路パターン13を示す。Bは機械的押圧加工工
程であり回路パターン13をポンチ15により一定の圧
力で押圧することにより上部に幅広部13aを形成する
。Cはワイヤーボンデング工程であり金線32によりI
Cチップ30のバンプ31にボールボンデングを行うと
共に、前記回路パターン13の平坦部13aを利用して
ステッチボンデングを行う。
【0009】上記の如く図1の工程Aの状態にてワイヤ
ーボンデングを行なった場合を考えると回路パターン1
3の幅が狭く、又上部の形状が丸みを有するため例え1
0μmの金線を用いたとしてもステッチボンデングがし
難く、又信頼性も得にくいのに対し、図1の工程Cの状
態では回路パターン13の幅が少し広くなり、又上部の
形状が平坦部13aのごとく広い平面になるため従来の
25〜32μmの金線を用いても充分安定したステッチ
ボンデングを行なうことが出来る。
ーボンデングを行なった場合を考えると回路パターン1
3の幅が狭く、又上部の形状が丸みを有するため例え1
0μmの金線を用いたとしてもステッチボンデングがし
難く、又信頼性も得にくいのに対し、図1の工程Cの状
態では回路パターン13の幅が少し広くなり、又上部の
形状が平坦部13aのごとく広い平面になるため従来の
25〜32μmの金線を用いても充分安定したステッチ
ボンデングを行なうことが出来る。
【0010】本実施例においては本出願人が既に提案し
たパターンメッキ法による回路パターンを例示したが、
これに限定されるものではなく例えばアディティブ法に
よって形成された微細パターンの場合には、押圧加工に
よって回路パターンの形状整形と同時にパターン面の粗
さが平滑化される結果となり更にボンデング性を得する
ことが出来る。
たパターンメッキ法による回路パターンを例示したが、
これに限定されるものではなく例えばアディティブ法に
よって形成された微細パターンの場合には、押圧加工に
よって回路パターンの形状整形と同時にパターン面の粗
さが平滑化される結果となり更にボンデング性を得する
ことが出来る。
【0011】
【発明の効果】上記の如く本発明によれば回路基板上の
ボンデング用微細パターンに機械的押圧加工を施すだけ
で通常の太さの金線を用いたワイヤーボンデングが可能
となり、且つ充分な信頼性を得ることが出来るため、た
いしたコストアップをすることなく電子機器の軽薄短小
化に大なる効果を有する。
ボンデング用微細パターンに機械的押圧加工を施すだけ
で通常の太さの金線を用いたワイヤーボンデングが可能
となり、且つ充分な信頼性を得ることが出来るため、た
いしたコストアップをすることなく電子機器の軽薄短小
化に大なる効果を有する。
【図1】本発明のICチップと回路基板上に形成された
回路パターンとのボンデング工程を示す工程図である。
回路パターンとのボンデング工程を示す工程図である。
【図2】本出願人が既に提案したサブトラクティブ法に
よる回路パターン製造の工程図である。
よる回路パターン製造の工程図である。
【図3】図2示す回路基板20の部分断面図であり回路
パターン13の形状とパターン間隔を示すものである。
パターン13の形状とパターン間隔を示すものである。
1 銅張積層板
3 銅箔
5 スルーホール
6 無電解銅メッキ層
8 ドライフィルム
11 回路パターンベース
12 電解銅厚メッキ層
13 回路パターン
20 回路基板
30 ICチップ
31 バンプ
32 金線
Claims (1)
- 【請求項1】 ICチップ上のバンプと回路基板上に
形成された回路パターン間をワイヤーボンデングする実
装構造において、前記ワイヤーボンデングされる回路パ
ターン部分に予め機械的押圧加工によって幅広部を形成
し、該幅広部にステッチボンデングを行うことを特徴と
するIC実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3081363A JPH04293244A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | Ic実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3081363A JPH04293244A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | Ic実装構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04293244A true JPH04293244A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13744250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3081363A Pending JPH04293244A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | Ic実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04293244A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08335602A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック基板及びその製造方法 |
US7067413B2 (en) | 2003-09-04 | 2006-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wire bonding method, semiconductor chip, and semiconductor package |
JP2008205232A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Texas Instr Japan Ltd | 導体パターンの形成方法 |
JP2010182779A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Denso Corp | ワイヤボンディング方法 |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP3081363A patent/JPH04293244A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08335602A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック基板及びその製造方法 |
US7067413B2 (en) | 2003-09-04 | 2006-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wire bonding method, semiconductor chip, and semiconductor package |
JP2008205232A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Texas Instr Japan Ltd | 導体パターンの形成方法 |
JP4618260B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2011-01-26 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 導体パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、並びに半導体装置 |
JP2010182779A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Denso Corp | ワイヤボンディング方法 |
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