Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JPH04256202A - Diode phase shifter - Google Patents

Diode phase shifter

Info

Publication number
JPH04256202A
JPH04256202A JP1726491A JP1726491A JPH04256202A JP H04256202 A JPH04256202 A JP H04256202A JP 1726491 A JP1726491 A JP 1726491A JP 1726491 A JP1726491 A JP 1726491A JP H04256202 A JPH04256202 A JP H04256202A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
bias
phase shifter
pin diode
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1726491A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichiro Kitano
進一郎 北野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1726491A priority Critical patent/JPH04256202A/en
Publication of JPH04256202A publication Critical patent/JPH04256202A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Abstract

PURPOSE:To set passing losses when a bias is on/off to be equal as a diode phase shifter by setting the absolute values of reflection coefficients when the bias is on/off to be equal. CONSTITUTION:Adjustment circuits including resistances 2A and 2B are connected in parallel to two PIN diodes 20 and 21. The resistances 2A and 2B of the adjustment circuits are adjusted so that the reflection coefficients of respective PIN diodes are equal in correspondence with the on/off of a bias supply switch 24 for the PIN diode 21.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波帯で使用され
る反射型のダイオード移相器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflective diode phase shifter used in the microwave band.

【0002】0002

【従来の技術】従来のダイオード移相器は図3に示すよ
うに、マイクロ波の入力11、直流阻止用のコンデンサ
13,14、後述する反射波として移相されたマイクロ
波を出力する出力12、入力11からのマイクロ波を2
分岐して互いに90度位相の異なる2波を出力し、後述
する2つの反射波を合成して出力12に1つの反射波と
して出力する90度ハイブリッド、マイクロ波伝送用の
ストリップライン16〜19、マクロ波移相用のPIN
ダイオード20,21、インダクタンス23A、コンデ
ンサ23Bからなる高周波を阻止し、直流バイアス供給
用ローパスフィルタ22、バイアス電圧オン・オフ用の
スイッチ24、バイアス用の直流電源25から構成され
ている。
2. Description of the Related Art A conventional diode phase shifter, as shown in FIG. 3, includes a microwave input 11, DC blocking capacitors 13 and 14, and an output 12 that outputs a phase-shifted microwave as a reflected wave, which will be described later. , microwave from input 11 to 2
A 90 degree hybrid that branches and outputs two waves with a phase difference of 90 degrees from each other, combines the two reflected waves described later, and outputs one reflected wave as an output 12, strip lines 16 to 19 for microwave transmission; PIN for macrowave phase shift
It blocks high frequencies and is composed of diodes 20, 21, an inductance 23A, and a capacitor 23B, and includes a DC bias supply low-pass filter 22, a bias voltage on/off switch 24, and a bias DC power source 25.

【0003】次に従来例の動作を説明する。入力11か
ら入力されたマイクロ波は90度移相されて2つに分岐
され、各ストリップライン16,18および17,19
経由PINダイオードに供給される。一方バイアス電圧
がスイッチ24のオン・オフによりPINダイオード2
1に供給されるか又はオープンとなり、PINダイオー
ド21の反射係数の位相を変化させる。この反射係数の
インピーダンス変化を図2のスミスチャートのA軌跡に
示す。すなわち、バイアスオンでは点27であり、バイ
アスオフでは点26となり位相を変化させる。しかし、
図2の反射係数に対応するBラインからわかるように、
点27の方は点26より反射係数が小さく、結果として
点27の方が点26より損失が多くなっていた。
Next, the operation of the conventional example will be explained. The microwave inputted from the input 11 is phase-shifted by 90 degrees and branched into two, and is connected to each strip line 16, 18 and 17, 19.
Supplied via the PIN diode. On the other hand, the bias voltage is applied to the PIN diode 2 by turning on and off the switch 24.
1 or left open, changing the phase of the reflection coefficient of the PIN diode 21. This change in impedance of the reflection coefficient is shown in locus A of the Smith chart in FIG. That is, the point is 27 when the bias is on, and the point is 26 when the bias is off, changing the phase. but,
As can be seen from the B line corresponding to the reflection coefficient in Figure 2,
The reflection coefficient at point 27 was smaller than that at point 26, and as a result, the loss at point 27 was greater than at point 26.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のダイオ
ード移相器は、図2のスミスチャートのBラインからわ
かるように点27は点26よりも反射係数が小さいので
、反射型移相器に用いた場合にバイアスオン時の通過損
失がバイアスオフ時よりも大きくなり、バイアスオン時
とオフ時の通過損失に差が生じてしまう欠点があった。
[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional diode phase shifter described above, as can be seen from line B of the Smith chart in FIG. When used, there was a drawback that the passage loss when the bias was on was larger than when the bias was off, resulting in a difference in the passage loss when the bias was on and when the bias was off.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明のダイオード移相
器は4個の端子を有する90度ハイブリッドと、この9
0度ハイブリッドの2つの前記端子のそれぞれにストリ
ップラインを経由して接続されたPINダイオードと、
このPINダイオードにバイアス電圧をオンオフして印
加するスイッチとを有し、前記スイッチをオンオフして
前記PINダイオードからの反射波を前記90度ハイブ
リッドの1つの端子から合成して出力するダイオード移
相器において、前記PINダイオードのそれぞれに並列
に抵抗を含む調整回路を接続して前記スイッチのオンオ
フに対応して各PINダイオードの反射係数を等しくす
るように前記調整回路の抵抗を調整する。
[Means for Solving the Problems] The diode phase shifter of the present invention includes a 90-degree hybrid having four terminals, and a 90-degree hybrid having four terminals.
a PIN diode connected to each of the two terminals of the 0 degree hybrid via a strip line;
a switch that applies a bias voltage on and off to the PIN diode; and a diode phase shifter that turns on and off the switch to combine and output reflected waves from the PIN diode from one terminal of the 90-degree hybrid. An adjustment circuit including a resistor is connected in parallel to each of the PIN diodes, and the resistance of the adjustment circuit is adjusted in response to on/off of the switch so as to equalize the reflection coefficient of each PIN diode.

【0006】[0006]

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

【0007】図1は本発明の一実施例のブロック図、図
2は本実施例および従来例に共通の特性図である。図1
の実施例において、図3の従来例と同一の符号は同一の
構成と機能を有する。すなわち本実施例ではPINダイ
オード20,21と並列にそれぞれインダクタンスとな
るワイヤ1A,3A、抵抗3A、直流阻止用のコンデン
サ4Aの組み合わせと、インダクタンスとなるワイヤ1
B,3B、抵抗3B、コンデンサ4Bの組み合わせとを
接続している。ここで抵抗2A,2Bは後述する特性を
見ながら選択される。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a characteristic diagram common to this embodiment and the conventional example. Figure 1
In this embodiment, the same reference numerals as in the conventional example of FIG. 3 have the same structure and function. In other words, in this embodiment, a combination of wires 1A and 3A, a resistor 3A, and a DC blocking capacitor 4A are connected in parallel with the PIN diodes 20 and 21, respectively, and the wire 1 serves as an inductance.
B, 3B, a combination of resistor 3B, and capacitor 4B are connected. Here, the resistors 2A and 2B are selected while looking at the characteristics described later.

【0008】次に本実施例の動作を図2にスミスチャー
トを参照して説明する。PINダイオード単体のときの
反射係数は、バイアスオフ時で前述のように点26にあ
る。ハイアスオフ時は、点27に移動するが、点27の
絶対値は点26に比べて反射係数が小さい。ここで抵抗
2A,2Bを並列に接続すると点27はほぼ変らないの
に対し点26は点28に移動する。そこで点27と点2
8の反射係数の絶対値が等しくなるように抵抗2A,2
Bの値を選択し、反射量を等しくする。これによって図
1の入力1から出力2への通過損失はバイアスオン時と
オフ時で等しくすることができる。
Next, the operation of this embodiment will be explained with reference to the Smith chart shown in FIG. The reflection coefficient of a single PIN diode is at point 26 when the bias is off, as described above. When the high ass is turned off, it moves to point 27, but the absolute value of point 27 has a smaller reflection coefficient than point 26. Here, when resistors 2A and 2B are connected in parallel, point 26 moves to point 28 while point 27 remains almost unchanged. So point 27 and point 2
The resistors 2A and 2 are connected so that the absolute values of the reflection coefficients of 8 are equal.
Select the value of B to equalize the amount of reflection. As a result, the passage loss from input 1 to output 2 in FIG. 1 can be made equal when the bias is on and when the bias is off.

【0009】[0009]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、各PIN
ダイオードに並列に抵抗を接続することにより、バイア
スオン時とオフ時の反射係数の絶対値を等しくして、ダ
イオード移相器としてバイアスオン時とオフ時の通過損
失を等しくできる効果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention enables each PIN
By connecting a resistor in parallel to the diode, the absolute value of the reflection coefficient when the bias is on and when the bias is off is made equal, and as a diode phase shifter, it is possible to equalize the passage loss when the bias is on and when the bias is off.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の一実施例のダイオード移相器のブロッ
ク図である。
FIG. 1 is a block diagram of a diode phase shifter according to an embodiment of the present invention.

【図2】本実施例と従来例とに共通のスミスチャート上
の特性図である。
FIG. 2 is a characteristic diagram on a Smith chart common to the present embodiment and the conventional example.

【図3】従来のダイオード移相器のブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of a conventional diode phase shifter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A,1B,3A,3B    ワイヤ2A,2B  
  抵抗 4A,4B    コンデンサ 11    入力 12    出力 13,14,23B    コンデンサ16〜19  
  ストリップライン 20,21    PINダイオード 22    ローパスフィルタ 23A    インダクタンス 24    バイアススイッチ 25    直流電源
1A, 1B, 3A, 3B Wire 2A, 2B
Resistance 4A, 4B Capacitor 11 Input 12 Output 13, 14, 23B Capacitor 16 to 19
Strip line 20, 21 PIN diode 22 Low pass filter 23A Inductance 24 Bias switch 25 DC power supply

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  4個の端子を有する90度ハイブリッ
ドと、この90度ハイブリッドの2つの前記端子のそれ
ぞれにストリップラインを経由して接続されたPINダ
イオードと、このPINダイオードにバイアス電圧をオ
ンオフして印加するスイッチとを有し、前記スイッチを
オンオフして前記PINダイオードからの反射波を前記
90度ハイブリッドの1つの端子から合成して出力する
ダイオード移相器において、前記PINダイオードのそ
れぞれに並列に抵抗を含む調整回路を接続して前記スイ
ッチのオンオフに対応して各PINダイオードの反射係
数を等しくするように前記調整回路の抵抗を調整するこ
とを特徴とするダイオード移相器。
Claim 1: A 90-degree hybrid having four terminals, a PIN diode connected to each of the two terminals of the 90-degree hybrid via a strip line, and a bias voltage for turning on and off the PIN diode. a diode phase shifter that combines and outputs reflected waves from the PIN diode from one terminal of the 90-degree hybrid by turning on and off the switch; A diode phase shifter, characterized in that an adjustment circuit including a resistor is connected to the switch, and the resistance of the adjustment circuit is adjusted so as to equalize the reflection coefficient of each PIN diode in response to the on/off of the switch.
【請求項2】  前記調整回路がPINダイオードに接
続されるインダクタンスを有する第1のワイヤと、この
第1のワイヤに接続される抵抗と、この抵抗の他端に接
続される第2のワイヤと、この第2のワイヤに接続され
る直流阻止コンデンサとを有することを特徴とする請求
項1記載のダイオード移相器。
2. The adjustment circuit comprises a first wire having an inductance connected to a PIN diode, a resistor connected to the first wire, and a second wire connected to the other end of the resistor. , and a DC blocking capacitor connected to the second wire.
JP1726491A 1991-02-08 1991-02-08 Diode phase shifter Pending JPH04256202A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1726491A JPH04256202A (en) 1991-02-08 1991-02-08 Diode phase shifter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1726491A JPH04256202A (en) 1991-02-08 1991-02-08 Diode phase shifter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04256202A true JPH04256202A (en) 1992-09-10

Family

ID=11939112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1726491A Pending JPH04256202A (en) 1991-02-08 1991-02-08 Diode phase shifter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04256202A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0260319B2 (en) * 1980-12-23 1990-12-14 Schering Ag

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0260319B2 (en) * 1980-12-23 1990-12-14 Schering Ag

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4502028A (en) Programmable two-port microwave network
JP2532212B2 (en) Variable attenuator
JPS63198408A (en) Bias circuit
US2968773A (en) Active one-port network
JPH04256202A (en) Diode phase shifter
JP3647712B2 (en) Phase shifter
JP3807032B2 (en) Phase shifter
JP2888281B2 (en) Hybrid reflective phase shifter
US5585769A (en) Passive temperature variable phase-shifter
JPS6126302A (en) Power distributer
JPH01233830A (en) Microwave switch
JPS62102602A (en) Reflection type attenuator
JP3143902B2 (en) PIN diode phase shifter
JPH11317606A (en) Pin diode switch
JPH07321586A (en) Variable frequency band filter
JPH01117408A (en) High frequency variable attenuator
JPH06232607A (en) Attenuator
JPH02189001A (en) Pin diode switch
JPH0241009A (en) Hyb reflecting type phase device
JPH11205086A (en) Phase shifter
JPS6010124Y2 (en) diode switch
JPH0715204A (en) Pin diode phase shifter
JPS61208909A (en) Variable amplitude equalizer
JPH0447801A (en) Variable phase device
JPS63300601A (en) Power level adjusting device

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980331