JPH0411755A - 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用される成形装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔帝業−Ｆの利用分野〕 本発明は、半導体装置およびその製造方法並びにそれに
使用される成形装置に係り、特に、樹脂封止パッケージ
の成形時におけるボンディングワイヤの流ｒＬを防止す
る技術に関し、例えば、多ビンで低価格か要求されるビ
ン・グリｙ）・アレー・パノゲージを備えている半導体
集積回路装置（以下、ＰＧＡ・ＩＣということがある。

）に利用して有効な技術に関する。

〔従来の技術１ 多ビンで低価格のＰＧＡ・ＩＣとして、日経マグロウヒ
ル社発行「日経マイクロデハイセズ漱２Ｊ　１９Ｂ４年
６月１１日発行　Ｐ１６０〜Ｐ１６８、に記載されてい
るものがあり、その製造方法は次の通りである。

こ（７）ＰＧＡ−ＩＣの製造方法には、ガラス繊維強化
プラスチツクの両側に銅箔が積層プレスされたベースが
使用されており、このベースにはスルー・ホール・めっ
きが施されるとともに、ホト・エンチング技術により電
気配線（リード）が形成されている。このベースの中央
部には凹部が形成されており、この凹部の底部には半導
体ペレット（以下、ペレットという。）がエポキシ樹脂
またはエポキシ系銀（Ａｇ）ペーストによりボンディン
グされる。ベース上に形成された前記電気配線のインナ
部のそれぞれと、ペレットの各電極パッドとの間には、
・ボンディングワイヤが超音波または熱超音波ボンディ
ング装置により両端をそれぞれボンディングされて橋絡
される。このとき、ＰＧＡ−ＩＣが多ピンになると、ボ
ンディングワイヤのアーチ長さは比較的長くなる。そし
て、前記ベースの中央部に形成された凹部内にはボンテ
ィング樹脂がポツティングされ、このポツティング樹脂
により凹部内のペレット、電気配線およびワイヤが樹脂
封止される。

〔発明が解決しようとする課題） しかし、前記製造方法に係るＰＧＡ−１ｃはポツティン
グにより樹脂封止されるため、加圧成形（モールディン
グ）による樹脂封止パッケージに比べて樹脂の密度が低
いことにより、耐湿性に対する信顧性が劣る。

また、ポンティングによる樹脂封止部分は、樹脂の構成
や厚さが不均一なため、加熱によって反りが発生する。

この反りは耐湿性や、実装性に悪影響を及ぼす。

そこで、前記ＰＣ，Ａ−ＩＣの樹脂封止パッケージを加
圧成形することが一般的に考えられる。

しかし、加圧成形による樹脂封止パッケージを成形する
キャビティーに樹脂を圧入するためのゲートは側面に配
設されるので、アーチの長さが比較的長いホンディング
ワイヤが圧入される樹脂により流されて変形されてしま
うという問題点があることが、本発明者によって明らか
にされた。

本発明の目的は、樹脂によるボンディングワイヤ流れを
防止することができる成形技術を従供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、電子回路が作り込まれている半導体ペレット
の各電極パッドと、半導体ペレットの外方に放射状に配
線されている複数本のリードの内側先端部との間にワイ
ヤがそれぞれ橋絡される工程と、 樹脂封止パッケージが半導体ペレット、各リードの一部
およびワイヤ群を樹脂封止するように成形される成形工
程と、を備えている半導体装置の製造方法であって、 前記樹脂封止パッケージの成形工程において、樹脂封止
パッケージは樹脂がキャビティーに圧入されることによ
り成形されるとともに、その樹脂が前記リード群の放射
状の中心に向かうように、キャビティーに圧入され、圧
入された樹脂が各ワイヤに沿って放射状に拡散されて行
くことを特徴とする。

〔作用） 前記した手段によれば、キャビティーに圧入された樹脂
が各ワイヤに沿って放射状に拡散して行くため、各ワイ
ヤのアーチが樹脂によって横倒しにされることはない。

したがって、ＩＩＩ！ｉり合うワイヤ同士の短絡の発生
を防止することができる。

［実施例１］ 第１図は本発明の一実施例であるＰＧＡ・ＩＣの製造方
法における玉要部である樹脂封止工程を示す一部省略正
面断面図、第２図以降はそのＰＧＡ・ＩＣの製造方法の
各工程を示すものである。

本実施例↓こおいて、本発明に係る半導体装置はＰＣ，
Ａ・ＩＣとして構成されており、次のような製造方法に
より製造されている。

以下、本発明の一実施例であるＰＧＡｉＣの製造方法を
説明する。この説明により、本発明の一実施例であるＰ
ＧＡＩＣの構成が共に明らかにされる。

本実施例に係るＰＧＡ−ＩＣの製造方法には、ガラス強
化プラスチック（エポキシ樹脂系）を用いられて、第２
図および第３図に示されているように製作されたベース
１１が使用される。ベース１１は枠部材１２と基板部材
１３とを備えており、枠部材１２は正方形枠形状の板体
に形成され、基板部材１３はこの枠部材１２と同一の外
形を有する正方形の板体に形成されている。枠部材１２
にはスルーホール１４が多数個、周辺部に２列の略正方
形枠上にそれぞれ規則的に配されて、厚さ方向（以下、
上下方向とする。）に貫通するように開設されている。

スルーホール１４の内周面にはスルーホール導体１５が
被着されている。

枠部材１２の一端面（以下、下面とする。）には電気配
線としてのり一ド１６が複数本、枠部材１２の内周辺か
ら外周辺に向けて放射状にそれぞれ配されて、かつ、互
いに絶縁するように形成されており、各リード１６はそ
の外側端部において各スルーホール導体１５にそれぞれ
電気的に接続されている。リード１６群の形成方法とし
ては、スクリーン印刷法や、銅箔をホトエツチングする
方法等が使用される。リード１６の内側端部であるイン
ナ部１７のそれぞれは、枠部材１２の内周辺部において
周方向に適当なエアギャップを置かれて放射状に配され
ることムこより、後記するペレット２４の各電極パッド
２５にそれぞれ対向するようになっている。

他方、前記スルーホール１４のそれぞれにはリドピン１
８が枠部材１２の上面側から嵌入されており、各リード
ピン１８は上端部の鍔部１８ａ番こより下方への移動を
阻止された状態になっている。そして、各リードピン１
Ｂはスルーホール導体１５を介してリード川６にそれぞ
れ電気的に接続された状態になっている。

各リードピン１８が各スルーホール１４に嵌入された枠
部材１２の上面には接着材層１９を介して基板部材１３
が接着されており、この基板部材Ｉ３により各リードピ
ン１８は上方への移動を阻止された状態になっている。

また、このように、基板部材１３が枠部材１２に同心的
に接着されることにより、ベース１１の下面中央部には
正方形平板形状の凹部２０が下向きに形成された状態に
なる。さらに、ベース１１にはアンカホール２１が複数
本、凹部２０の近傍において周方向に適当な間隔を置か
れて、上下方向に貫通するようにそれぞれ開設されてい
る。

なお、ベースの構成としては前記以外に基板部材のみで
ベースを構成する方法もある。この場合は前記の枠部材
は基板部材と一体となり、リードピンは上面まで貫通し
たスルーホールに嵌入された状態になる。

このように構成されているベース１１にはペレット　ボ
ンディング工程およびワイヤ・ボンディング工程におい
て、第４図および第５図に示されているように、ペレッ
ト２４およびワイヤ２６がそれぞれボンディングされる
。このペレットおよびワイヤ・ボンディング作業におい
て、ベース１１はその凹部２０が上向きになった状態に
配される。

まず、ペレットポンデイン′グ工程において、ベース１
１の凹部２０における底面に被着されたボンデ４ング床
２２上にホンディング層２３を介してペレット２４がボ
ンディングされる。ボンディング床２２は銅箔等のよう
な接着性の良好な材料が用いられて、基板部材１３に予
め被着されている。ホンディング層２３は銀ペースト等
により形成される。

次いて、ワイヤ・ボンディング工程において、ペレット
２４の各電極バッド２５と、各リード１６のインナ部１
７との間にワイヤ２６がその両端部をホンディングされ
る。このワイヤ・ボンディング作業には超音波または熱
超音波式のボンディング装置が使用される。

このようにしてペレットおよびワイヤ・ボンディングさ
れた組立体３０には樹脂封止パッケージ２７が、第１図
、第６図および第７図に示されているようなトランスフ
ァ成形装置を使用されて、複数個について同時成形され
る。

第１図、第６図および第７図に示されているトランスコ
ア成形装置は、シリンダ装置等（図示せず）によって互
いに型締めされる一対の上型３１と下型３２とを備えて
おり、上型３１と下型３２との合わせ面にはワークおよ
びプレート用凹部３３ａと、プレート位置決め用凹部３
３ｂとが互いに協働して収容部３３を形成するように、
複数組（但し、−単位のみが図示されている。以下、同
し。）没設されている。

上型３１の合わせ面にはポット３４が開設されており、
ポット３４にはシリンダ装置（図示せず）により進退さ
れるプランジャ３５が成形材料としての樹脂（以下、レ
ジンという。）を送給し得るように挿入されている。下
型３２の合わせ面にはカル３６がポット３４との対向位
置に配されて没設されているとともに、複数条のランナ
３７がボンド３４にそれぞれ接続するように配されて没
設されている。各ランナ３７の一部はプレート位置決め
用凹部３３ｂの底面にそれぞれ敷設されており、その凹
部３３ｂの底面における端部には後記するプレート３９
に開設されたゲート３８がレジンを後記するキャビティ
ー４０内に注入し得るように形成されている。

下型３２のプレート位置決め用凹部３３ｂのそれぞれに
はプレート３９が着脱自在に嵌入されており、このプレ
ート３９はワークとしての前記組立体（以下、ワークと
いうことがある。）３０の平面形状よりも若干大きめに
相似する正方形が複数個、並べられる長方形の板形状に
形成されているとともに、凹部３３ｂに嵌入され、かつ
、上型３１と下型３２とが型締めされた状態において、
上型３１により押さえられるように形成されている。プ
レート３９の幅方向の中央部にはキャビティー４０が複
数個、１列に並べられて没設されており、各キャビティ
ー４０はこのプレート３９に複数個のワーク３０が１列
に並べられてセットされた状態において、各ワーク３０
の凹部２０にそれぞれ対向するとともに、その凹部２０
の周辺部をカバーし得る大きさの正方形平面形状にそれ
ぞれ形成されている。また、離型を容易にするために、
キャビティー４０の側壁面にはテーパが上方に行くにし
たがってキャビティー４０の開口面積が次第に広くなっ
て行くように形成されている。

プレート３９の下面には前記ランナ３７に流体的に接続
されるゲート３８がキャビティー４０に連通ずるように
垂直上向きに開設されており、離型を容易にするため、
このゲート３８にはテーパが上方に行くにしたがって太
さが次第に細くなって行くように形成されている。他方
、プレート３９の上面には逃げ凹部４１が各キャビティ
ー４０の外方位置にそれぞれ配されて、ワーク３０のリ
ードピン１８群を逃げ得るように、かつ、キャビティー
４０を取り囲む正方形枠形状の穴に没設されている。

上型３１には上型用エジェクタビン４２が複数本（但し
、１本のみが図示されている。以下、同し。）、離型時
に、上型３１の凹部３３ａに収容されたワーク３０を下
方へ押して、凹部３３ａから押し出すように摺動自在に
挿入されている。また、下型３２にはプレート用エジェ
クタピン４３が複数本、離型時に、下型３２の凹部３３
ｂに収容されたプレート３９を上方へ押して、凹部３３
ｂから押し出すように摺動自在に挿入されている。

さら↓こ、下型３２にはランナ用エジェクタビン４４が
複数本、離型時に、下型３２に成形されたランナ残渣を
上方へ押して、ランナ３７から押し出すように摺動自在
に挿入されている。

次に、このように構成されているトランスファ成形装置
４６が使用されて、ワークとしての前記構成に係る組立
体３０に樹脂封止パッケージ２７か成形さγ１．る成形
方法を説明する。

トランスファ成形時、ワークである組立体３０は複数個
が、下型３Ｉの凹部３３ｂ内に予めそれぞれ嵌入されて
いる各プレート３９上にそれぞれ載置状態にセットされ
る。このとき、第１図に示されているように、各ワーク
３０におけるベース１１の凹部２０がプレート３９の各
キャビティー４０に同心的にそれぞれ配され、各キャビ
ティー４０内にペレット２４、ワイヤ２６およびリード
１６のインナ部１７がそれぞれ収容される。また、各ワ
ーク３０におけるベース１１の下面から突出されている
リードピン１８群がプレート３９の各逃げ凹部４１にそ
れぞれ挿入される。

続いて、上型３１と下型３２とが互いに合わされて、型
締めされる。これにより、各プレート３９が上型３１と
下型３２との間にそれぞれ固定されるとともに、ワーク
３０が各プレート３９と上型３１との間にそれぞれ固定
される。

次いで、加熱溶融されたレジン４５がポット３４からプ
ランジャ３５によりランナ３７およびゲート３８を通し
て、各キャビティー４０に送給されて圧入される。

このとき、ゲート３８がキャビティー４０の中央部に配
設されているため、第８図に示されているように、ゲー
ト３８からキャビティー４０に圧入されたレジン４５は
キャビティー４０の中央部から、各ワイヤ２６に沿うよ
うに放射状に拡散して充填されて行く。したがって、レ
ジン４５によるワイヤ２６の流れは防止される。

ところで、第９図に示されているように、ゲート３８′
がキャビティー４０′の側面におけるコ−すの一つに、
レジン４５をキャビティー４０′の対角線に沿う方向に
圧入するように形成されている場合、ケート３８′から
対角線方向に圧入されたレジン４５番こより、ゲート３
８′に対向するコーナ部に位置するワイヤ２６が対角線
の両外側方向シこかき分けられるように流される状態に
なるため、このコーナ部の両脇においてそれぞれ隣り合
うワイヤ２６．２６同士が互いに接触し、短絡不良が発
生する。

しかし、本実施例においては、第８図に示されているよ
うに、ゲート３８がキャビティー４０の下面の中心にお
いてワイヤ２６の放射状の中心線に沿う方向に開設され
ているため、ゲート３８かラキャビティーに圧入された
レジン４５はペレット２４Ａこ衝突した後、ワイヤ２６
の放射状方向に沿ってそれぞれ拡散することになる。つ
まり、レジン４５の拡散によりワイヤ２６ががき分けら
れるように流される現象は防止されるため、ワイヤ２６
がかき分けられるように流されることによる隣り合うワ
イヤ２６．２６間の接触現象の発生は回避されることに
なる。したがって、ワイヤ２６．２６間の接触現象によ
る短絡不良の発生はなく、樹脂封止パッケージ成形作業
の歩留り、並びに、当該樹脂封止パッケージの品質およ
び信較性が高められる。

注入後、レジンが熱硬化して樹脂封止パッケージ２７が
成形されると、上型３１および下型３２は互いに型開き
されるとともに、各エジェクタピン４２．４３．４４に
よりワーク３０、プレート３９およびランナ族が離型さ
れる。つまり、パッケージ２７を成形されたワーク３０
はトランスファ成形装置４６から脱装される。

以上のようにして、第１０図および第１１図に示されて
いるように樹脂封止パッケージ２７を備えているＰＧＡ
ＩＣ４７が製造されたことになる。そして、このように
樹脂成形されたパッケージ２７の内部には、ペレット２
４、リード１６のインナ部１７群およびワイヤ２６群が
樹脂封止されることになる。この状態において、樹脂封
止パッケージ２７の下面中央にはゲーＩ！２９が残って
いる。また、ベース１１に開設された各アンカホール２
１には樹脂封止パッケージ２７のレジンか充填されてア
ンカ部２８をそれぞれ形成しており、このアンカ部２８
により樹脂封止パッケージ２７はベース１１に確実に固
定された状態になっている。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（＋１　　ゲートをキャビティーにおいてワイヤの放射
状の中心に向かう方向に開設することにより、ゲトから
キャビティーに圧入されたレジンがワイヤの放射状方向
に沿うように拡散される状態になるため、レジンの拡散
によるワイヤの横方向への流ね（ワイヤアーチの横倒れ
）現象を防止することができる。

（２）　　レノンの拡散によるワイヤの横方向への流れ
（ワイヤアーチの横倒れ）現象を防止することにより、
隣り合うワイヤの接触現象の発生を防止することができ
るため、接触現象による短絡不良の発生を防止すること
ができる。

（３）樹脂封止パッケージ成形時のワイヤ流れによる短
絡不良の発生を防止することにより、ワイヤのアーチ長
さを比較的長く設定することができるため、多ピン化を
促進することができる。

（４）　　前記（３）により、多ピン化しても、樹脂封
止パッケージの成形歩留りを高めることができるととも
に、しいては半導体装置の品質および信錬性を高めるこ
とができる。

〔実施例２〕 第１２図以降は本発明の他の実施例であるＱＦＰ−ＩＣ
の製造方法を説明する各工程を示す各説明図である。

本実施例において、本発明に係る半導体装置は、低熱抵
抗を実現するための半導体集積回路装置である放熱性の
良好な樹脂封止形クワッド・フラット・バ、ケージを備
えているＩＣ（以下、低熱抵抗形ＱＦＰ−ＩＣ，または
、単に、ＩＣということがある。）として構成されてい
る。

以下、本発明の一実施例であるこの低熱抵抗形ＱＦＰ−
ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記低熱
抵抗形ＱＦＰｉＣについての構成の詳細が共に明らかに
される。

本実施例において、低熱抵抗形ＱＦＰ−ＩＣの製造方法
には、第１２図に示されている多連リードフレーム５１
が使用されている。この多連リードフレーム５１は、鉄
−ニッケル合金や燐青銅等のような比較的大きい機械的
強度を有するばね材料からなる薄板が用いられて、打ち
抜きプレス加工またはエツチング加工等のような適当な
手段により一体成形されており、この多連リードフレー
ム５１の表面にはＸＩ（Ａｇ）等を用いためっき処理が
、後述するワイヤボンディングが適正に実施されるよう
に施されている（図示せず）。この多連リードフレーム
５１には複数の単位リードフレーム５２が横方向に１列
に並設されている。但し、−単位のみが図示されている
。

単位リードフレーム５２は位置決め孔５３ａが開設され
ている外枠５３を一対備えており、両外枠５３は所定の
間隔で平行になるように配されて一連にそれぞれ延設さ
れている。隣り合う単位リードフレーム５２．５２間に
は一対のセクション枠５４が両外枠５３．５３間に互い
に平行に配されて一体的に架設されており、これら外枠
、セクション枠により形成される略正方形の枠体（フレ
ーム）内に単位リードフレーム５２が構成されている。

各単位リードフレーム５２において、外枠５３およびセ
クション枠５４の接続部にはダム吊り部材５５が略直角
方向にそれぞれ配されて一体的に突設されており、ダム
吊り部材５５には４本のダム部材５６が略正方形の枠形
状になるように配されて、一体的に吊持されている。各
ダム部材５６には４本の放熱フィンリード５７が４箇所
のコーナ部にそれぞれ配されて、対角線方向に突出する
ように一体的に突設されている。

そして、４本の放熱フィンリード５７の外側先端部には
放熱フィン５８が一体的に突設されており、この放熱フ
ィン５８は後記するリード５９のアウタ部５９ｂと対応
する形状および配置にそれぞれ形成されている。各放熱
フィンリード５７の内側先端部には略正方形形状のタブ
６０が枠形状と同心的に配されて、これら放熱フィンリ
ード５７により吊持されるように一体的に連設されてい
る。各放熱フィンリード５７はタブ６０付近においてそ
れぞれ屈曲されており、この放熱フィンリド５７の屈曲
によって、タブ６０は後記するリード５９群の面よりも
、後記するペレット６２の厚さ分程度下げられている（
所謂タブ下げ。）。

また、ダム部材５６には電気配線としてのリード５つが
複数本、長手方向に等間隔に配されて、互いに平行で、
ダム部材５６と直交するように一体的Ｓこ突設されてい
る。各リード５９の内側端部は先端が後記するペレット
をホンディングするためのタフ６０を取り囲むように配
されることにより、インナ部５９ａをそれぞれ構成して
いる。他方、各ＩＪ　−ト５９の外側延長部分は、その
先端が外枠５３およびセクション枠５４に接続されてお
り、アウタ部５９ｂをそれぞれ構成している。そして、
ダム部材５６における隣り合うリード５９．５９間の部
分は、後述するパッケージ成形時にレジンの流れをせき
止めるダム５６ａを実質的に構成している。

このように構成されている多連リードフレームには各単
位リードフレーム毎にペレット・ボンディング作業、続
いて、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これら
ボンディング作業は多連リードフレームが横方向にピン
チ送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順
次実施される。

まず、ペレット・ボンディング作業により、半導体装置
の製造工程における所謂前工程において集積回路を作り
込まれた半導体集積回路構造物としてのペレット６２が
、第１３図および第１４図に示されているように、各単
位リードフレーム５２におけるタブ６０上の略中央部に
配されて、タブ６０とペレット６２との間に形成された
ボンディング層６１によって機械的に固着されることに
よりボンディングされる。ペレットボンディング層６１
の形成手段としては、金−シリコン共晶層、はんだ付は
層および銀ペースト接着層等々によるボンディング法を
用いることが可能である。但し、必要に応じて、ペレッ
トからタブへの熱伝達の障壁とならないように、ボンデ
ィング層６１を形成することが望ましい。

続いて、ワイヤボンディング作業により、第１３図およ
び第１４図に示されているように、タフ６０上にボンデ
ィングされたペレット６２の電極パｙ　Ｆ’　６２　ａ
と、各単位リードフレーム５２におけるリード５９のイ
ンナ部５９ａとの間に、ボンディングワイヤ６３が超音
波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のような適当なワ
イヤボンディング装置（図示せず）が使用されることに
より、その両端部をそれぞれボンデインクされて橋絡さ
れる。これにより、ペレット６２に作り込まれている集
積回路は、電極バッド６２ａ、ボンディングワイヤ６３
、リード５９のインナ部５９ａおよびアウタ部５９ｂを
介して電気的に外部に引き出されることになる。

このようにしてペレットおよびワイヤ・ボンディングさ
れた組立体６４には、各単位リードフレーム毎に樹脂封
止するパッケージ６５群が、第１５Ｖ〜第１７図に示さ
れているようなトランスファ成形装置７０を使用されて
、単位リードフレーム群について同時成形される。

第１５図、第１６図および第１７図に示されているトラ
ンスファ成形装置は、シリンダ装置等（図示せず）によ
って互いに型締めされる一対の上型７１と下型７２とを
備えており、上型７１と下型７２との合わせ面にはワー
クおよびプレート用凹部７３ａと、プレート位置決め用
凹部７３ｂとが互いに協働して収容部７３を形成するよ
うに、複数組（但し、−単位のみが図示されている。以
下、同し、）没設されている。

上型７１の合わせ面にはボンド７４が開設されており、
ポット７４にはシリンダ装置（図示せず）により進退さ
れるプランジャ７５が成形材料としての樹脂（以下、レ
ジンという。）を送給し得るように挿入されている。下
型７２の合わせ面にはカル７６がポット７４との対向位
置に配されて没設されているとともに、複数条のランナ
７７がポット７４にそれぞれ接続するように配されて没
設されている。各ランナ７７の一部はプレート位置決め
用凹部７３ｂの底面にそれぞれ敷設されてるり、その凹
部７３ｂの底面における端部には後記するプレート７９
に開設されたゲート７８がレジンを後記するキャヒティ
ー８０内に注入し得るよう↓こ形成されている。

下型７２のプレート位置決め用凹部７３ｂのそれぞワ二
こはプレート７９が着脱自在に嵌入されており、このプ
レート７９はワークとしての前記組立体（以下、ワーク
ということがある。）６４における多連リードフレーム
５１の平面形状よりも若干大きめに相領する長方形の板
形状に形成されているとともに、凹部７３ｂに嵌入され
、かつ、上型７Ｉと下型７２とが型締めされた状態にお
いて、上型７１により押さえられるように形成されてい
る。プレート７９の幅方向の中央部には下型キャビティ
ー凹部８０ｂが１１個、１列に並べられて没設されてお
り、各キャビティー凹部８０ｂはこのプレート７９が下
型７２にセットされた状態において、上型７１に形成さ
れた上型キャビティー凹部８０ｂに、それぞれ対向する
ことにより、協働して正方形平面形状のキャビティー８
０を構成するようにそれぞれ形成されている。

プレート７９の下面には前記ランナ７７に流体的に接続
されるゲート７８がキャビティー８ｏに連通ずるように
垂直上向きに開設されており、離型を容易にするため、
このゲート７８にはテーパが上方に行くにしたがって太
さが次第に細くなって行くように形成されている。他方
、プレート７９の上面には逃げ凹部８１がワーク６４に
おける多連リードフレーム５１の厚さを逃げ得るように
、その多連リードフレーム５１の平面形状に大きめに相
似する長方形形状の穴に没設されている。

上型７１には上型用エジェクタピン８２が複数本（但し
、１本のみが図示されている。以下、同じ。）、離型時
に、上型７１のキャビティー凹部８０ａに成形された樹
脂封止パッケージ６５を下方へ押して、凹部８０ａから
押し出すように摺動自在に挿入されている。また、下型
７２には下型用エジェクタピン８３が複数本、離型時に
、プレート７９のキャビティー凹部８０ｂに成形された
樹脂封止パッケージ６５を上方へ押して、凹部８０ｂか
ら押し出すように摺動自在に挿入されている。さら↓こ
、下型７２にはランナ用エジェクタピン８４が複数本、
離型時に、下型７２に成形されたランナ残渣を上方へ押
して、ランナマフから押し出すように摺動自在に挿入さ
れている。

次に、このように構成されているトランスファ成形装置
８０が使用されて、ワークとしての前記構成に係る組立
体６４に樹脂封止パッケージ６５が成形される成形方法
を説明する。

トランスファ成形時、ワークである組立体６４は複数個
が、下型７２の凹部７３ｂ内に予めそれぞれ嵌入されて
いる各プレート７９上にそれぞれ！！１状態にセットさ
れる。このとき、第１７図に示されているように、各ワ
ーク６４における多連リードフレーム５１がプレート７
９の各逃げ凹部８１内に同心的にそれぞれ配され、各キ
ャビティー凹部８０ｂ内にペレット６２、ワイヤ６３お
よびリード５９のインナ部５９ａがそれぞれ収容される
。

続いて、上型７１と下型７２とが互いに合わされて、型
締めされる。これにより、各プレート７９が上型７１と
下型７２との間にそれぞれ固定されるとともに、ワーク
６４が各プレート７９と上型７１との間にそれぞれ固定
される。

次いで、加熱溶融されたレジン８５がポット７４からプ
ランジャ７５によりランナ７７およびゲート７８を通じ
て、各キャビティー８０に送給されて圧入される。

このとき、本実施例においては、第１８図に示されてい
るように、ゲート７８がキャビティー８０の下面の中心
においてワイヤ６３の放射状の中心線に沿う方向に開設
されているため、ゲート７８からキャビティーに圧入さ
れたレジン８５はペレット６２に衝突した後、ワイヤ６
３の放射状方向に沿ってそれぞれ拡散することになる。

つまり、レジン８５の拡散によりコーナ部に位１するワ
イヤ６３がかき分けられるように流される現象は防止さ
れるため、ワイヤ６３がかき分けられるように流される
ことによる隣り合うワイヤ６３．６３間の接触現象の発
生は回避されることになる。したがって、ワイヤ６３．
６３間の接触現象による短絡不良の発生はなく、樹脂封
止パッケージ成形作業の歩留り、並びに、当該樹脂封止
パンケーンの品質および信幀性が高められる。

汀人後、レジンが熱硬化されて樹脂封止パッケージ６５
か成形されると、上型７１および下型７２１ヨ互いシこ
型開きされるとともに、各エジェクタピン８２．８３．
８４によりワーク６４、プレート７９石よびランナ痕が
離型される。つまり、バフケーン６５を成形されたワー
ク６４はトランスファ成形装置８０から脱装される。

そして、このようにして樹脂成形されたパッケージ６５
の内部には、第１９図および第２０図で参照されている
ように、ペレ、トロ２、リード５９のインナ部５９ａ、
ボンディングワイヤ６３および放熱フィンリード５７が
樹脂封止されることになる。また、放熱フィンリード５
７における外側端部側に形成された放熱フィン５８は樹
脂封止パッケージ６５のコーナ部側面からそれぞれ直角
方向に突出された状態になっている。さらに、この状態
において、樹脂封止パッケージ６５の一主面の中央には
ゲート族６６が残っている。

その後、組立体６４はリード切断成形工程において、各
単位リードフレーム５２毎に順次、リード切断装置（図
示せず）により、各リード５９および放熱フィン５８か
ら、外枠５３、セクション枠５４および各ダム５６ａを
切り落された後、リード成形装置（図示せず）により、
リード５９のアウタ部５９ｂおよび放熱フィン５Ｂをガ
ル・ウィング形状にそれぞれ屈曲成形される。これによ
り、第１９図および第２０図に示されている低熱抵抗形
ＱＦＰ−ＩＣ６７が製造されたことになる。

本実施例２によれば、前記実施例１の効果に加えて、低
熱抵抗形のＱＦＰ−ＩＣが得られるという効果が奏され
る。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、ゲートはプレートに開設するに限らず、ランナ
と一直線状に配設されて離型が可能な場合に：よ、下型
または上型に直接的に開設してもよい。

また、ゲートおよびプレートは下型に配設するに限らず
、上型に配設してもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＰＧＡ−１ｃおよび
ＱＦＰ・ＩＣに適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、５ＯＰ−ＩＣ，、ＱＦＪ−
ＩＣ，ＳＯＪ・ＩＣ，、ＱＦｌ・ＩＣ，Ｓｏｌ　−１ｃ
等のような表面実装形樹脂封止パッケージを備えたＩＣ
，さらには、樹脂封止形パワートランジスタや、その他
の電子装置全般に適用することができる。特に、本発明
は、多ピンで、しかも、低価格が要求される半導体装置
に利用して優れた効果が得られる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

ゲートをキャビティーにおいてワイヤの放射状の中心に
向かう方向に開設することにより、ゲートからキャビテ
ィーに圧入されたレジンがワイヤの放射状方向に沿うよ
うに拡散される状態になるため、レジンの拡散によるワ
イヤの横方向への流れ（ワイヤアーチの横倒れ）現象を
防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるＰＧＡ−ＩＣの製造方
法における主要部である樹脂封止工程を示す一部省略正
面断面図、 第２図以降はそのＰＧＡ−ＩＣの製造方法の各工程を説
明するものであり、第２図はそれに使用されるベースを
示す正面断面図、 第３図はその一部省略底面図、 第４図はペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示す正面断面図、 第５図はその一部省略底面図、 第６図は樹脂封止パッケージの成形に使用されるトラン
スファ成形装置を示す一部省略分解正面断面図、 第７図はその一部省略底面図、 第８図は樹脂封止パッケージ成形時における作用を説明
するための平面断面図、 第９図は同しく比較例を示す平面断面図、である。 第１０１１ｆｆｌは本発明の一実施例であるＰＧＡ・Ｉ
Ｃの製造方法により製造された本発明の一実施例である
ＰＣＡ・ＩＣを示す正面断面図、第１１図は同じくＰＧ
Ａ　ＩＣを示す一部省略一部切断底面図、である。 第１２図以降は本発明の池の実施例であるＱＦＰ−１ｃ
の製造方法の各工程を説明するものであり、第１２図は
それに使用される多連リードフレームを示す一部省略平
面ば、 第１３図はペレットおよびワイヤ・ボンディング後を示
す拡大部分平面図、 第１４図は第１３図のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図、 第１５図は樹脂封止パッケージの成形に使用されるトラ
ンスファ成形装置を示す一部省略平面ｌ第１６図はその
一部省略分解正面断面図、第１７図は樹脂封止パッケー
ジ成形工程を示す一部省略正面断面図、 第１８図は樹脂封止パッケージ成形時における作用を説
明するための平面断面図、である。 第１９図は本発明の実施例２であるＱＦＰｉＣの製造方
法により製造された本発明の実施例２であるＱＦＰ−ｒ
ｃを示す一部切断正面図、第２０図は同しくＱＦＰ−ｒ
ｃを示す一部切断平面図、であ名。 １１・・・ベース、１２・・・枠部材、１３・・・基板
部材、１４・・・スルーホール、１５・・・スルーホー
ル導体、１６・・・リード、１７・・・インナ部、１８
・・・リードビン、１９・・・接着材層、２０・・・凹
部、２１・・・アンカホール、２２・・・ボンディング
床、２３・・・ボンディング層、２４・・・ペレット、
２５・・・電極パッド、２６・・・ワイヤ、２７・・・
樹脂封止パッケージ、２８・・・アンカ部、２９・・・
ゲート族、３０・・・組立体（ワーク）、３１・・・上
型、３２・・・下型、３３・・・ワーク収容凹部、３４
・・・ポット、３５・・・プランジャ、３６・・・カル
、３７・・・ランナ、３８・・・ゲート、３９・・・プ
レート、４０・・・キャビティー、４１・・・逃げ凹部
、４２．４３．４４・・・エジェクタビン、４５・・・
レジン（成形材料）、４６・・・トランスファ成形装置
、４７・・・ＰＧＡ・ＩＣ（半導体装置）、５１・・・
多連リードフレーム、５２・・・単位リードフレーム、
５３・・・外枠、５４・・・セクション枠、５５・・・
ダム吊す部材、５６・・・ダム部材、５６ａ・・・ダム
、５７・・・放熱フィンリード、５日・・・放熱フィン
、５９・・・リード、５９ａ・・・インナ部、５９ｂ・
・・アウタ部、６０・・・タブ、６１・・・ボンディン
グ層、６２・・・ペレット、６３・・・ワイヤ、６４・
・・組立体（ワーク）、６５・・・樹脂封止パッケージ
、６６・・・ゲート族、６７・・・ＱＦＰ・Ｉｃ（半導
体装置）、７０・・・トランスファ成形装置、７１・・
・上型、７２・・・下型、７３・・・ワーク収容部、７
４・・・ポット、７５・・・プランジ中、７６・・・カ
ル、７７・・・ランナ、７８・・・ゲート、７９・・・
プレート、８０・・・キャビティー　８１・・・逃げ凹
成８２．８３．８４・・・エジェクタビン、８５・・・
レジン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電子回路が作り込まれている半導体ペレットと、半
   導体ペレットの外方に放射状に配線されている複数本の
   リードと、半導体ペレットの各電極パッドと各リードの
   内側先端部との間にそれぞれ橋絡されて放射状に配され
   ているワイヤ群と、半導体ペレット、各リードの一部お
   よびワイヤ群を樹脂封止している樹脂封止パッケージを
   備えている半導体装置において、 前記樹脂封止パッケージは加圧成形により成形されてい
   るとともに、そのゲート痕が前記リード群の放射状の中
   心線延長上に位置していることを特徴とする半導体装置
   。 ２、前記半導体ペレットがベースの一主面にボンディン
   グされており、前記リードの少なくとも内側先端部群が
   ベースの一主面上における前記半導体ペレットの外方に
   放射状に配線されているとともに、前記半導体ペレット
   の各電極パッドと各リードの内側先端部との間にワイヤ
   がそれぞれ橋絡されており、前記樹脂封止パッケージは
   前記ベースの一主面上に前記半導体ペレット、各リード
   の一部およびワイヤ群を樹脂封止するように成形されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
   体装置。 ３、電子回路が作り込まれている半導体ペレットの各電
   極パッドと、半導体ペレットの外方に放射状に配線され
   ている複数本のリードの内側先端部との間にワイヤがそ
   れぞれ橋絡される工程と、 樹脂封止パッケージが半導体ペレット、各リードの一部
   およびワイヤ群を樹脂封止するように成形される成形工
   程と、を備えている半導体装置の製造方法であって、 前記樹脂封止パッケージの成形工程において、樹脂封止
   パッケージは樹脂がキャビティーに圧入されることによ
   り成形されるとともに、その樹脂が前記リード群の放射
   状の中心に向かうように、キャビティーに圧入され、圧
   入された樹脂が各ワイヤに向かって放射状に拡散されて
   行くことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ４、絶縁基板を用いられて四角形の平面形状に形成され
   ているベースに、複数本のリードが放射状に配線されて
   形成される工程と、 電子回路が作り込まれている半導体ペレットが、このベ
   ースにおけるリードの内側先端部群内にボンディングさ
   れるペレット・ボンディング工程と、 半導体ペレットの各電極パッドと、各リードの内側先端
   部との間にワイヤがそれぞれ橋絡される工程と、 を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
   載の半導体装置の製造方法。 ５、電子回路が作り込まれている半導体ペレットと、半
   導体ペレットの外方に放射状に配線されている複数本の
   リードの一部と、半導体ペレットの各電極パッドと各リ
   ードの内側先端部との間に橋絡されて放射状に配されて
   いるワイヤ群とを樹脂封止する樹脂封止パッケージを成
   形する成形装置であって、 互いに型合わせされる上型および下型と、上型および下
   型の合わせ面間に実質的に形成され、前記半導体ペレッ
   ト、各リードの一部およびワイヤを収容するキャビティ
   ーと、キャビティーに開設されているゲートと、ゲート
   に流体的に接続されており、ポットからの樹脂をゲート
   を通してキャビティーに圧入するランナとを備えている
   成形装置において、 前記ゲートが前記キャビティーに収容されたリード群の
   放射状の中心に向かうように開設されていることを特徴
   とする成形装置。 ６、前記キャビティーの一部が、上型または下型の合わ
   せ面に着脱自在に巻装されているプレートに形成されて
   おり、このプレートと型との合わせ面間に前記ランナの
   少なくとも一部が形成されているとともに、このプレー
   トには前記ゲートがこのランナと前記キャビティーとを
   連通させるように開設されていることを特徴とする特許
   請求の範囲第５項記載の成形装置。 ７、半導体ペレットがベースの一主面にボンディングさ
   れており、前記リードの少なくとも内側先端部群がベー
   スの一主面上における前記半導体ペレットの外方に放射
   状に配線されているとともに、前記半導体ペレットの各
   電極パッドと各リードの内側先端部との間にワイヤがそ
   れぞれ橋絡されている前記ベースの一主面上に前記半導
   体ペレット、各リードの一部およびワイヤ群を樹脂封止
   する樹脂封止パッケージを成形する成形装置であって、 互いに型合わせされる上型および下型と、上型および下
   型の合わせ面間に実質的に形成され、前記ベースの一部
   、半導体ペレット、各リードの一部およびワイヤ群を収
   容するキャビティーと、キャビティーに開設されている
   ゲートと、ゲートに流体的に接続されており、ポットか
   らの樹脂をゲートを通じてキャビティーに圧入するラン
   ナとを備えている成形装置において、前記ゲートが前記
   キャビティーに収容されたリード群の放射状の中心に向
   かうように開設されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第５項または第６項記載の成形装置。